JPS5819158B2 - 高密度多層配線基板の製造方法 - Google Patents
高密度多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5819158B2 JPS5819158B2 JP51116362A JP11636276A JPS5819158B2 JP S5819158 B2 JPS5819158 B2 JP S5819158B2 JP 51116362 A JP51116362 A JP 51116362A JP 11636276 A JP11636276 A JP 11636276A JP S5819158 B2 JPS5819158 B2 JP S5819158B2
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- JP
- Japan
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- layer
- wiring board
- multilayer wiring
- manufacturing
- copper
- Prior art date
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- Expired
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- Laminated Bodies (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、多層配線基板の製造方法に関し、特に、コン
ピュータ等に用いる。
ピュータ等に用いる。
ＬＳＩ実装用の高密度多層配線基板の製造方法に関する
。
。
従来、どの種の多層配線基板は、導体層およ゛び絶縁′
層とともにスクリーン印刷法＋印刷し、焼成するどとに
よって形成されて□いる。
層とともにスクリーン印刷法＋印刷し、焼成するどとに
よって形成されて□いる。
しかシ、：ズクリーン印刷法では、糟旋および品質上に
限度がある。
限度がある。
精度上では、スクリーンメツシュを通してパターンを印
刷するため、導体層の配線線中が１０゛０μｍ以下番ど
なると、印刷力梱難になる２゜゛また、スクリーン製版
精度に依存するため、１′０〜２０μｍ桓度の誤差が生
じる。
刷するため、導体層の配線線中が１０゛０μｍ以下番ど
なると、印刷力梱難になる２゜゛また、スクリーン製版
精度に依存するため、１′０〜２０μｍ桓度の誤差が生
じる。
゛さらに材料として。厚膜ペースト材料を用いるため、
形成され光導体虐゛は、多孔質で密度の疎′な膜となり
、パターシ亦微細になると１品質篩にも問題が生じる。
形成され光導体虐゛は、多孔質で密度の疎′な膜となり
、パターシ亦微細になると１品質篩にも問題が生じる。
一本発明の目的は、上述の欠点を除去した高密度
多層配線基板の製木方法を提供することにある。
多層配線基板の製木方法を提供することにある。
この発明の製″造方法でぼ、絶縁性基板上゛に、スパッ
タリングで銅を条面に形成して銅層を荊成゛シ。
タリングで銅を条面に形成して銅層を荊成゛シ。
次に、フォトレジストを用いて、露光、現像お“ｊびエ
ツチングを行ない必要なパターンを得る。
ツチングを行ない必要なパターンを得る。
このよう゛にしてン導体パターンを形成すると、１６６
１μｍ以下の配線線巾が容易に得られる。
１μｍ以下の配線線巾が容易に得られる。
また、精度も、ガラスマスク精度に依存するようになり
、５μｍ以下となる。
、５μｍ以下となる。
さらに、スパッタリングによって、銅層を形成すること
により均一で緻密な膜が得ら件、品質も向上する。
により均一で緻密な膜が得ら件、品質も向上する。
このあと、導体パターンが形成された絶縁性基板上に、
スクリーン印刷で絶縁ペースト材料を印刷する。
スクリーン印刷で絶縁ペースト材料を印刷する。
次に、１１００ｐｐ以下のごくわずかの酸素を含むチッ
素雰囲気で前記基板全体を９００℃程度の温度で焼成す
ることにより絶縁層を形成するとともに、導体層の基・
板に対する当着を強化する。
素雰囲気で前記基板全体を９００℃程度の温度で焼成す
ることにより絶縁層を形成するとともに、導体層の基・
板に対する当着を強化する。
従来スパッタリングで導体層を形成する場合、導体層と
基板や絶縁層との間の密着性に問題があり、密着強度を
増すためにンさまざまな工夫が必要であった。
基板や絶縁層との間の密着性に問題があり、密着強度を
増すためにンさまざまな工夫が必要であった。
本発明では、スパッタした銅をごくわずかな酸素を含む
チッ素雰囲気で９００℃程度で焼成するだけで強固な密
着を得ている。
チッ素雰囲気で９００℃程度で焼成するだけで強固な密
着を得ている。
しかも、このプロセスは、絶縁層形成に、必要なプロセ
スであり、密着強化のための新たなプロセスが力ｑわっ
ているわけではない。
スであり、密着強化のための新たなプロセスが力ｑわっ
ているわけではない。
このように、密着強度が増すのは上記焼成により、チッ
素雰囲気中にごくわずかに含まれる酸素と銅とが反応し
て、銅の酸化物が、銅と基板もしくは絶縁層との間に形
成され、これが密着の役目をするためである。
素雰囲気中にごくわずかに含まれる酸素と銅とが反応し
て、銅の酸化物が、銅と基板もしくは絶縁層との間に形
成され、これが密着の役目をするためである。
このようにして、銅のスパッタリング、露光、現像およ
びエツチングで導体層を形成する工程と。
びエツチングで導体層を形成する工程と。
絶縁ペースト材料のスクリーン印刷、焼成で絶縁層を形
成する工程とを、交互に少なくとも１回繰返すことによ
って多層配線基板を得ることができる。
成する工程とを、交互に少なくとも１回繰返すことによ
って多層配線基板を得ることができる。
次に１図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図から第７図は本発明の高密度多層配線基板の製造
方法の工程断面図を示す。
方法の工程断面図を示す。
まず、第１図のように、絶縁性基板１に、スパッタリン
グで銅層２を全面に形成する。
グで銅層２を全面に形成する。
必要な銅の膜厚は８μｍ程度であり、スパッタリングの
速度は、１．４μｍ／分の値であり、これにより銅層２
は６分間以下で形成される。
速度は、１．４μｍ／分の値であり、これにより銅層２
は６分間以下で形成される。
次に、第２図に示−すように、フォトレジスト３をコー
ティングし。
ティングし。
露光、現像して、必要なパターンを形成する。
次に第３図に示すように、銅をエツチングして、必要な
パターンを形成し、続いてフォトレジストを剥離して、
第一導体層の形成を完了する。
パターンを形成し、続いてフォトレジストを剥離して、
第一導体層の形成を完了する。
次に、：第４図に示すように、第１絶縁層４を、スクリ
ーン印刷と基板全体の焼成により形成する。
ーン印刷と基板全体の焼成により形成する。
この焼成は、わずかな酸素を含むチッ素雰囲気中で行な
われ、この結果、第一導体層２の基板１に対する一着が
強化される。
われ、この結果、第一導体層２の基板１に対する一着が
強化される。
第５′ＩＩＩは、前記絶縁層４の上層に、さらに１、銅
層５を全面にスパッタリングした状態を示す。
層５を全面にスパッタリングした状態を示す。
第６図は１図示されていないフォトレジストによって露
光、現像され、予め定められたパターンに銅層５がエツ
チングされた状態を示す。
光、現像され、予め定められたパターンに銅層５がエツ
チングされた状態を示す。
第７図は、以上の工程を繰り返して完成した高密度配線
基板であり、基板１上に第一導体層２゜第二絶縁層３．
第二導体層５．第二絶縁層６．第三導体層７．第三絶縁
層８および第四導体層９が形成されている。
基板であり、基板１上に第一導体層２゜第二絶縁層３．
第二導体層５．第二絶縁層６．第三導体層７．第三絶縁
層８および第四導体層９が形成されている。
以上説明したように１本発明を用いると、スパッタリン
グで形成された銅層をエツチングし、微量の酸素を含む
チッ素雰囲気中で焼成して絶縁層を形成すると同時に、
銅導体層の密着を強化することによって、高密度多層配
線基板の精度および品質の大巾な向上が可能となる。
グで形成された銅層をエツチングし、微量の酸素を含む
チッ素雰囲気中で焼成して絶縁層を形成すると同時に、
銅導体層の密着を強化することによって、高密度多層配
線基板の精度および品質の大巾な向上が可能となる。
第１図から第７図まではそれぞれ本発明の一実施例を示
す工程断面図である。 第１図から第１図において、参照数字１は、耐熱絶縁性
基板、参照数字２は、銅層（第一導体層）、参照数字３
はフォトレジスト、参照数字４ζ、ま絶縁層（第一絶縁
層）。 参照数字５は第二導体層、参照数字６は、第二絶縁層、
参照数字７は、第三導体層、参照数字８は。 第三絶縁層、および参照数字９は第四導体層をそれぞれ
示す。
す工程断面図である。 第１図から第１図において、参照数字１は、耐熱絶縁性
基板、参照数字２は、銅層（第一導体層）、参照数字３
はフォトレジスト、参照数字４ζ、ま絶縁層（第一絶縁
層）。 参照数字５は第二導体層、参照数字６は、第二絶縁層、
参照数字７は、第三導体層、参照数字８は。 第三絶縁層、および参照数字９は第四導体層をそれぞれ
示す。
Claims (1)
- １ 耐熱性絶縁性基板表面上または耐熱性基板上に形成
された絶縁層表面上に、スパッタリングで銅層を全面に
形成する工程と、前記銅層を所定のパターンにエツチン
グにより形成する工程と、前記銅層が形成された前記基
板表面上または前記絶縁層表面上にスクリーン印刷で絶
縁材料を印刷し１００ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍ
１ｌｌｉｏｎ、）昼下の酸素を含むチッ素雰囲気で焼成
して絶Ｑを形成する工程とを少なくとも１回以上繰返し
そ多層化したことを特徴とする高密度多層配線基板の製
造方丸、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51116362A JPS5819158B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 高密度多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51116362A JPS5819158B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 高密度多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5341765A JPS5341765A (en) | 1978-04-15 |
| JPS5819158B2 true JPS5819158B2 (ja) | 1983-04-16 |
Family
ID=14685076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51116362A Expired JPS5819158B2 (ja) | 1976-09-28 | 1976-09-28 | 高密度多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819158B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6131750A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Fanuc Ltd | サ−ボモ−タ出力伝動装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3774594D1 (de) * | 1986-03-11 | 1992-01-02 | Philips Nv | Verbundkoerper. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120699B2 (ja) * | 1971-08-27 | 1976-06-26 | ||
| JPS4922552A (ja) * | 1972-06-26 | 1974-02-28 | ||
| JPS4941854A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-19 | ||
| JPS49112161A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-25 | ||
| JPS50111A (ja) * | 1973-05-11 | 1975-01-06 |
-
1976
- 1976-09-28 JP JP51116362A patent/JPS5819158B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6131750A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-14 | Fanuc Ltd | サ−ボモ−タ出力伝動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5341765A (en) | 1978-04-15 |
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