JPH02253152A - 探傷方法及び探傷装置 - Google Patents
探傷方法及び探傷装置Info
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- JPH02253152A JPH02253152A JP7579289A JP7579289A JPH02253152A JP H02253152 A JPH02253152 A JP H02253152A JP 7579289 A JP7579289 A JP 7579289A JP 7579289 A JP7579289 A JP 7579289A JP H02253152 A JPH02253152 A JP H02253152A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の漏洩磁
束を検出することにより探傷する探傷方法及び探傷装置
に関するものである。
束を検出することにより探傷する探傷方法及び探傷装置
に関するものである。
従来、強磁性体の表面疵探、傷方法としては被探傷材を
磁化し、欠陥による漏洩磁束に磁粉を吸着させ視覚的に
検出する磁粉探傷法、あるいは漏洩磁界をホール素子、
コイル等を用いて電気的に検出する漏洩磁束探傷法が広
く用いられている。
磁化し、欠陥による漏洩磁束に磁粉を吸着させ視覚的に
検出する磁粉探傷法、あるいは漏洩磁界をホール素子、
コイル等を用いて電気的に検出する漏洩磁束探傷法が広
く用いられている。
しかし前者の方法は低分解能であるが欠陥深さに対する
定量性に優れている。一方、後者の方法はホール素子等
の大きさ以下の欠陥検出が難しいという問題がある。
定量性に優れている。一方、後者の方法はホール素子等
の大きさ以下の欠陥検出が難しいという問題がある。
この対策として近年、磁界を磁気光学効果素子を用いて
検出する磁気光学探傷法が注目されている。この磁気光
学探傷法は欠陥からの漏洩磁界が磁気光学効果素子に与
えられると、磁気光学効果素子を透過する直線偏光の偏
光面が磁界のうち、該光に平行方向成分の大きさに比例
して回転する現象、所謂ファラデー効果を利用する方法
である。
検出する磁気光学探傷法が注目されている。この磁気光
学探傷法は欠陥からの漏洩磁界が磁気光学効果素子に与
えられると、磁気光学効果素子を透過する直線偏光の偏
光面が磁界のうち、該光に平行方向成分の大きさに比例
して回転する現象、所謂ファラデー効果を利用する方法
である。
第７図は従来の磁気光学探傷法（０，Ｌ、Ｆｉｔｚｐａ
ｔｒｉｃ；１１ｔｈ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｆ、 ｏｎ
ＮＤＴ、 １９８５ Ｖｏｌ、１、ｐ１８６ ）の探傷
状態を示す模式図である。漏洩磁束を検出する検出ヘッ
ド１６を強磁性の被探傷材Ｍの表面に配置しており、検
出ヘッド１６からの反射光が入射する検光子１９を設け
ている。
ｔｒｉｃ；１１ｔｈ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｆ、 ｏｎ
ＮＤＴ、 １９８５ Ｖｏｌ、１、ｐ１８６ ）の探傷
状態を示す模式図である。漏洩磁束を検出する検出ヘッ
ド１６を強磁性の被探傷材Ｍの表面に配置しており、検
出ヘッド１６からの反射光が入射する検光子１９を設け
ている。
検出ヘッド１６は透光性を備えた基板１６ａにおける表
裏両面に磁気光学効果素子１６ｂ、 １６ｃを、また被
探傷材Ｍと対向する下面には反射膜１６ｄを形成すると
ともに、周囲にバイアス磁化用コイル１６ｅを巻回して
構成しである。
裏両面に磁気光学効果素子１６ｂ、 １６ｃを、また被
探傷材Ｍと対向する下面には反射膜１６ｄを形成すると
ともに、周囲にバイアス磁化用コイル１６ｅを巻回して
構成しである。
被探傷材Ｍの欠陥Ｍａを検出する場合は、被探傷材Ｍに
磁界を与えた状態の被探傷材Ｍの表面に検出ヘッド１６
を近接して臨ませ、直線偏光させた光ＰＬを検出ヘッド
１６の上面側から磁気光学効果素子１６ｃへ投射する。
磁界を与えた状態の被探傷材Ｍの表面に検出ヘッド１６
を近接して臨ませ、直線偏光させた光ＰＬを検出ヘッド
１６の上面側から磁気光学効果素子１６ｃへ投射する。
投射した光ＰＬは磁気光学効果素子１６ｃ、基板１６ａ
、磁気光学効果素子１６ｂを通過して反射膜１６ｄで反
射し、再び磁気光学効果素子１６ｂ。
、磁気光学効果素子１６ｂを通過して反射膜１６ｄで反
射し、再び磁気光学効果素子１６ｂ。
基板１６ａ、磁気光学効果素子１６ｃを透過した後、検
光子１９に達することになり、それを検光子１９を通し
て観察する。
光子１９に達することになり、それを検光子１９を通し
て観察する。
被探傷材Ｍに疵が存在し、漏洩磁束が生していると、こ
れによる漏洩磁界が磁気光学効果素子１６ｂ１６ｃに与
えられ、この漏洩磁界が与えられた磁気光学効果素子１
６ｂ、 １６ｃを透過した直線偏光の光ＰＬは印加磁界
強度に相応して偏光面が回転し、検光子１９を通った光
は漏洩磁界に相応して光量が変化した状態となり、この
光量変化を捉えることによって被探傷材Ｍの疵の有無が
検出できる。
れによる漏洩磁界が磁気光学効果素子１６ｂ１６ｃに与
えられ、この漏洩磁界が与えられた磁気光学効果素子１
６ｂ、 １６ｃを透過した直線偏光の光ＰＬは印加磁界
強度に相応して偏光面が回転し、検光子１９を通った光
は漏洩磁界に相応して光量が変化した状態となり、この
光量変化を捉えることによって被探傷材Ｍの疵の有無が
検出できる。
前記磁気光学効果素子１６ｂ、１６ｃは第８図に示す如
き角形（ヒステリシス）磁気特性を有している。
き角形（ヒステリシス）磁気特性を有している。
この角形磁気特性により磁気光学効果素子１６ｂ、１６
ｃに与えた磁界Ｈが磁気光学効果素子１６ｂ、 １６ｃ
が有する保磁力＋ＨＣに達するまではその偏光面回転角
θ、が一θ。に保持される。
ｃに与えた磁界Ｈが磁気光学効果素子１６ｂ、 １６ｃ
が有する保磁力＋ＨＣに達するまではその偏光面回転角
θ、が一θ。に保持される。
したがって、磁気光学効果素子１６ｂ、 １６ｃに、そ
の保磁力Ｈｃより振幅が小さいバイアス磁界 Ｈ８を与
えておくと、被探傷材Ｍの欠陥により漏洩磁界ΔＨが生
じた場合、それがバイアス磁界 Ｈｏに加わって磁気光
学効果素子１６ｃの保磁力＋Ｈｃに達したときに偏光面
回転角θ、の極性が変化し、＋θ０となる。それにより
被探傷材Ｍの欠陥Ｍ３を検出することになる。しかし乍
ら、漏洩磁界ΔＨがＨｃ−Ｈ，より大きくなっても偏光
面回転角θ１はθ。のままで変化しないから、漏洩磁界
、つまり欠陥を定量的に評価し得ず、被探傷材Ｍの欠陥
Ｍ８の有無のみの検査に用いているにすぎない。
の保磁力Ｈｃより振幅が小さいバイアス磁界 Ｈ８を与
えておくと、被探傷材Ｍの欠陥により漏洩磁界ΔＨが生
じた場合、それがバイアス磁界 Ｈｏに加わって磁気光
学効果素子１６ｃの保磁力＋Ｈｃに達したときに偏光面
回転角θ、の極性が変化し、＋θ０となる。それにより
被探傷材Ｍの欠陥Ｍ３を検出することになる。しかし乍
ら、漏洩磁界ΔＨがＨｃ−Ｈ，より大きくなっても偏光
面回転角θ１はθ。のままで変化しないから、漏洩磁界
、つまり欠陥を定量的に評価し得ず、被探傷材Ｍの欠陥
Ｍ８の有無のみの検査に用いているにすぎない。
前述したように磁気光学効果素子を漏洩磁束探傷に適用
した場合には、 （１） 漏洩磁界が重畳された磁気光学効果素子への
印加磁場が磁気光学効果素子の保磁力以上に達するまで
は偏光面回転角の極性が変化せず検出感度が低い。
した場合には、 （１） 漏洩磁界が重畳された磁気光学効果素子への
印加磁場が磁気光学効果素子の保磁力以上に達するまで
は偏光面回転角の極性が変化せず検出感度が低い。
（２）磁気光学効果素子が角形磁気特性を有するため、
被探傷材の欠陥を定量的に評価できないという問題があ
る。
被探傷材の欠陥を定量的に評価できないという問題があ
る。
したがって、探傷によって鋼材の品質をより向上させる
上で大きな障害となっている。
上で大きな障害となっている。
本発明は斯かる問題に鑑み、磁気光学効果素子を用いて
被探傷材の欠陥を高感度、定量的に検出できる探傷方法
及び探傷装置を提供することを目的とする。
被探傷材の欠陥を高感度、定量的に検出できる探傷方法
及び探傷装置を提供することを目的とする。
第１発明は、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥
を検出する探傷方法において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅を有する交流磁界
を与えて、その偏光面回転角の極性変化に相応する矩形
波の位相又は時間幅から欠陥を検出することを特徴とす
る。
を検出する探傷方法において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅を有する交流磁界
を与えて、その偏光面回転角の極性変化に相応する矩形
波の位相又は時間幅から欠陥を検出することを特徴とす
る。
第２発明は、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥
を検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与え
る磁化器及び前記交流磁界に同期する矩形波と前記磁気
光学効果素子の偏光面回転角の極性変化に相応する矩形
波との位相差を測定する位相差測定回路を備えることを
特徴とする。
を検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与え
る磁化器及び前記交流磁界に同期する矩形波と前記磁気
光学効果素子の偏光面回転角の極性変化に相応する矩形
波との位相差を測定する位相差測定回路を備えることを
特徴とする。
第３発明は、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥
を検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与え
る磁化器及び前記交流磁界に同期する矩形波の時間幅と
前記磁気光学効果素子の偏光面回転角の極性変化に相応
する矩形波の時間幅との差を測定する時間幅差測定回路
を備えることを特徴とする。
を検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に
、それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与え
る磁化器及び前記交流磁界に同期する矩形波の時間幅と
前記磁気光学効果素子の偏光面回転角の極性変化に相応
する矩形波の時間幅との差を測定する時間幅差測定回路
を備えることを特徴とする。
第４発明は磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を
検出する探傷方法において、前記磁気光学効果素子に、
それが有する保磁力より大きい振幅を有する交流磁界を
与えて、前記交流磁界が前記保磁力を超える時点の磁化
電流を求めて、該磁化電流から欠陥を検出することを特
徴とする。
検出する探傷方法において、前記磁気光学効果素子に、
それが有する保磁力より大きい振幅を有する交流磁界を
与えて、前記交流磁界が前記保磁力を超える時点の磁化
電流を求めて、該磁化電流から欠陥を検出することを特
徴とする。
第５発明は磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を
検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に、
それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与える
磁化器と、交流磁界が磁気光学効果素子の保磁力を超え
た時点の前記磁化器が出力する磁化電流を測定する磁化
電流測定回路とを備えることを特徴とする。
検出する探傷装置において、前記磁気光学効果素子に、
それが有する保磁力より大きい振幅の交流磁界を与える
磁化器と、交流磁界が磁気光学効果素子の保磁力を超え
た時点の前記磁化器が出力する磁化電流を測定する磁化
電流測定回路とを備えることを特徴とする。
第１発明では、磁気光学効果素子に、その保磁力以上の
振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に達すると
偏光面回転角の極性が変化する。
振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に達すると
偏光面回転角の極性が変化する。
被探傷材の欠陥で生じる漏洩磁界により交流磁界が振幅
変調されると、偏光面回転角の変化に相応する矩形波の
位相又は時間幅が被探傷材の欠陥に応じて変わる。
変調されると、偏光面回転角の変化に相応する矩形波の
位相又は時間幅が被探傷材の欠陥に応じて変わる。
第２発明では、磁化器は磁気光学効果素子に、その保磁
力以上の振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に
達すると偏光面回転角が変わる。
力以上の振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に
達すると偏光面回転角が変わる。
位相差測定回路は、交流磁界に関連する矩形波と偏光面
回転角の変化に関連する矩形波との位相差を求める。位
相差は被探傷材の欠陥に応じて変わる。
回転角の変化に関連する矩形波との位相差を求める。位
相差は被探傷材の欠陥に応じて変わる。
第３発明では磁化器は磁気光学効果素子に、その保磁力
以上の振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に達
すると偏光面回転角が変わる。時間幅差測定回路は、交
流磁界に関連する矩形波の時間幅と、偏光面回転角の変
化に関連する矩形波の時間幅との時間幅差を求める。そ
の時間幅差は被探傷材の欠陥に応じて変わる。
以上の振幅の交流磁界を与える。交流磁界が保磁力に達
すると偏光面回転角が変わる。時間幅差測定回路は、交
流磁界に関連する矩形波の時間幅と、偏光面回転角の変
化に関連する矩形波の時間幅との時間幅差を求める。そ
の時間幅差は被探傷材の欠陥に応じて変わる。
第４発明では、磁気光学効果素子に、その保磁力以上の
振幅の交流磁界を与える。漏洩磁界により振幅変調され
た交流磁界が保磁力に達したときに、交流磁界を発生さ
せている磁化電流と、保磁力に等しい交流磁界を発生さ
せる電流とに差が生じる。その電流差は被探傷材の欠陥
に応じて変わる。
振幅の交流磁界を与える。漏洩磁界により振幅変調され
た交流磁界が保磁力に達したときに、交流磁界を発生さ
せている磁化電流と、保磁力に等しい交流磁界を発生さ
せる電流とに差が生じる。その電流差は被探傷材の欠陥
に応じて変わる。
第５発明では、磁化器により磁気光学効果素子に、その
保磁力以上の振幅の交流磁界を与える。
保磁力以上の振幅の交流磁界を与える。
磁化電流測定回路は、漏洩磁界によって振幅変調された
交流磁界が保磁力を超えた時点の磁化器が出力する磁化
電流を測定する。測定した磁化電流は被探傷材の欠陥に
応して変わる。
交流磁界が保磁力を超えた時点の磁化器が出力する磁化
電流を測定する。測定した磁化電流は被探傷材の欠陥に
応して変わる。
以下本発明をその実施例を示す図面によって詳述する。
第１図は第１発明に係る探傷方法による探傷状態を示す
模式図である。例えば鋼材であり、欠陥Ｍ２を有する被
探傷材Ｍの表面に接近して検出ヘッド１を配置している
。検出ヘッド１は被探傷材Ｍ側に、磁気光学効果素子１
ａを有する。この磁気光学効果素子１ａには、強磁性体
のＹＩＧ（Ｙ３ＰｅｓＯ＋ｚ）等のファラデー効果を奏
するものを用いる。磁気光学効果素子１ａには、それに
交流バイアス磁界を与える交流バイアス励磁用コイル１
ｂを磁気光学効果素子１ａに巻回する。磁気光学効果素
子１ａの被探傷材Ｍ側には反射膜１ｃを設けている。ま
た、被探傷材Ｍに接近して、励磁コイル３を備え側面形
状がコ字状をしている被探傷材磁化器２を被探傷材Ｍ上
の欠陥Ｍ３の延伸方向に直角方向の磁界を与えるべく配
設しており、また被探傷材磁化器２は検出ヘッド１を径
方向に跨いで配置されている。
模式図である。例えば鋼材であり、欠陥Ｍ２を有する被
探傷材Ｍの表面に接近して検出ヘッド１を配置している
。検出ヘッド１は被探傷材Ｍ側に、磁気光学効果素子１
ａを有する。この磁気光学効果素子１ａには、強磁性体
のＹＩＧ（Ｙ３ＰｅｓＯ＋ｚ）等のファラデー効果を奏
するものを用いる。磁気光学効果素子１ａには、それに
交流バイアス磁界を与える交流バイアス励磁用コイル１
ｂを磁気光学効果素子１ａに巻回する。磁気光学効果素
子１ａの被探傷材Ｍ側には反射膜１ｃを設けている。ま
た、被探傷材Ｍに接近して、励磁コイル３を備え側面形
状がコ字状をしている被探傷材磁化器２を被探傷材Ｍ上
の欠陥Ｍ３の延伸方向に直角方向の磁界を与えるべく配
設しており、また被探傷材磁化器２は検出ヘッド１を径
方向に跨いで配置されている。
前記検出ヘッド１の磁気光学効果素子１ａには図示しな
い光源から直線偏光の光ＰＬが投射されており、磁気光
学効果素子１ａを通り反射膜ＩＣで反射して、再び磁気
光学効果素子１ａを通った光は検光子４を介して光検知
器５へ入射するようになっている。
い光源から直線偏光の光ＰＬが投射されており、磁気光
学効果素子１ａを通り反射膜ＩＣで反射して、再び磁気
光学効果素子１ａを通った光は検光子４を介して光検知
器５へ入射するようになっている。
このような磁気光学効果素子１ａは、それを通過する直
線偏光の光が磁気光学効果素子１ａに与えられている磁
界の強度に関連して直線偏光の偏光面が回転する。
線偏光の光が磁気光学効果素子１ａに与えられている磁
界の強度に関連して直線偏光の偏光面が回転する。
その偏光面回転角θ、は下記（１）式で与えられる。
θ、＝ＶＨ＃ ・・・（１）
但し、■：ヘルデ定数（比例定数）
Ｈ：磁界強度
β；透過距離
また、磁気光学効果素子１ａは第２図に示す如き角形（
ヒステリシス）磁気特性を有している。
ヒステリシス）磁気特性を有している。
さて、このような探傷状態によって被探傷材の欠陥を検
出する方法を第２図とともに説明する。
出する方法を第２図とともに説明する。
第２図は磁気光学効果素子が有する角形磁気特性と、交
流バイアス磁界Ｈ９と偏光面回転角θ、との関係を示す
説明図である。図示しない光源から直線偏光の光ＰＬを
磁気光学効果素子１ａへ投射すると、その光は反射膜Ｉ
Ｃで反射して検光子４を通って光検知器５へ入射するこ
とになる。一方、交流バイアス励磁用コイル１ｂに通電
して、第２図に示すように磁気光学効果素子１ａが有す
る保磁力 Ｈｅ以上の振幅の交流バイアス磁界Ｈ９を与
える。また励磁コイル３に交流バイアス励磁用コイル１
ｂに通電した電流と同位相の電流を通電して被探傷材Ｍ
に所定の交流磁界を与える。
流バイアス磁界Ｈ９と偏光面回転角θ、との関係を示す
説明図である。図示しない光源から直線偏光の光ＰＬを
磁気光学効果素子１ａへ投射すると、その光は反射膜Ｉ
Ｃで反射して検光子４を通って光検知器５へ入射するこ
とになる。一方、交流バイアス励磁用コイル１ｂに通電
して、第２図に示すように磁気光学効果素子１ａが有す
る保磁力 Ｈｅ以上の振幅の交流バイアス磁界Ｈ９を与
える。また励磁コイル３に交流バイアス励磁用コイル１
ｂに通電した電流と同位相の電流を通電して被探傷材Ｍ
に所定の交流磁界を与える。
そうすると、被探傷材Ｍに欠陥Ｍ８が存在する位置には
欠陥Ｍつに関連して漏洩磁束が発生することになる。
欠陥Ｍつに関連して漏洩磁束が発生することになる。
ところで、検出ヘッド１に欠陥Ｍ８による漏洩磁束が作
用していない場合には、破線で示した交流バイアス磁界
Ｈｐに関連して磁気光学効果素子１ａの偏光面回転角θ
、の極性が変化する。即ち交流バイアス磁界Ｈ，が保磁
力＋Ｈｃを超え一■］ｃに達するまでは偏光面回転角子
〇。を保持することになる。この偏光面回転角θ、の変
化は、横軸を時間ｔとして第２図山）に示しているよう
に、交流バイアス磁界Ｈｐの位相ｔ０及びｔ２で偏光面
回転角θ、の極性が変化し、その極性変化に相応する矩
形波Ｗ１の周期、即ち時間幅はＴ１になる。
用していない場合には、破線で示した交流バイアス磁界
Ｈｐに関連して磁気光学効果素子１ａの偏光面回転角θ
、の極性が変化する。即ち交流バイアス磁界Ｈ，が保磁
力＋Ｈｃを超え一■］ｃに達するまでは偏光面回転角子
〇。を保持することになる。この偏光面回転角θ、の変
化は、横軸を時間ｔとして第２図山）に示しているよう
に、交流バイアス磁界Ｈｐの位相ｔ０及びｔ２で偏光面
回転角θ、の極性が変化し、その極性変化に相応する矩
形波Ｗ１の周期、即ち時間幅はＴ１になる。
一方、検出ヘッド１に、欠陥による漏洩磁束が作用した
場合には、第２図（ａ）に破線で示した交流バイアス磁
界Ｈｐに漏洩磁束による磁界が加わって振幅変調され、
実線で示す如き振幅変調された交流磁界ＨＬＩＪ＜磁気
光学効果素子１ａに与えられることになる。それにより
偏光面回転角θ、の変化は第２図（ｂｌに実線で示して
いるように交流バイアス磁界Ｈ１の位相ｔ０及びｔ２で
偏光面回転角θ。
場合には、第２図（ａ）に破線で示した交流バイアス磁
界Ｈｐに漏洩磁束による磁界が加わって振幅変調され、
実線で示す如き振幅変調された交流磁界ＨＬＩＪ＜磁気
光学効果素子１ａに与えられることになる。それにより
偏光面回転角θ、の変化は第２図（ｂｌに実線で示して
いるように交流バイアス磁界Ｈ１の位相ｔ０及びｔ２で
偏光面回転角θ。
の極性が変化し、その極性変化に相応する矩形波Ｗ２の
周期、即ち時間幅はＴ２になる。したがって、漏洩磁束
が生じた場合には偏光面回転角の極性変化に相応する矩
形波がＷｌであったものが、矩形波Ｗ２に変化してその
位相が進むとともに、その時間幅がＴ１であったものが
、それより短い時間幅Ｔ２になる。ところで欠陥Ｍ８に
より発生する漏洩磁束は前述の如く欠陥に比例したもの
となるから、偏光面回転角θ、の極性変化に相応する矩
形波Ｗ、、Ｗ２の位相又はその時間幅を検出すれば、欠
陥Ｍ、を定量的に求め得ることになる。
周期、即ち時間幅はＴ２になる。したがって、漏洩磁束
が生じた場合には偏光面回転角の極性変化に相応する矩
形波がＷｌであったものが、矩形波Ｗ２に変化してその
位相が進むとともに、その時間幅がＴ１であったものが
、それより短い時間幅Ｔ２になる。ところで欠陥Ｍ８に
より発生する漏洩磁束は前述の如く欠陥に比例したもの
となるから、偏光面回転角θ、の極性変化に相応する矩
形波Ｗ、、Ｗ２の位相又はその時間幅を検出すれば、欠
陥Ｍ、を定量的に求め得ることになる。
また、振幅変調された交流磁界ＨＬが生じた場合はその
大きさに関係なく偏光面回転角θ、が変化するから、被
探傷材Ｍの欠陥Ｍ３を常に高感度に検出できることにな
る。それ故、探傷の精度及び信頼性を大幅に向上させる
ことができる。
大きさに関係なく偏光面回転角θ、が変化するから、被
探傷材Ｍの欠陥Ｍ３を常に高感度に検出できることにな
る。それ故、探傷の精度及び信頼性を大幅に向上させる
ことができる。
第３図は第１発明に基づいて被探傷材の欠陥を検出すべ
く構成した第２発明に係る探傷装置のブロック図である
。検出ヘッド１は反射膜１ｃを設けた磁気光学効果素子
１ａ及び交流バイアス励磁用コイルｉｂを備えている。
く構成した第２発明に係る探傷装置のブロック図である
。検出ヘッド１は反射膜１ｃを設けた磁気光学効果素子
１ａ及び交流バイアス励磁用コイルｉｂを備えている。
磁気光学効果素子１ａへ投射した直線偏光の光ＰＬが反
射膜１ｃで反射して磁気光学効果素子１ａを通った光は
検光子４を介して光検知器５へ入射する。光検知器５の
出力は波形成形器１０へ与えられ、その出力は位相差測
定器１１へ与えられる。磁化電源１２により交流バイア
ス励磁用コイル１ｂが励磁される。その励磁電流に相応
する電流は移相器１３へ与えられて、その出力は前記位
相差測定器１１へ与えられる。
射膜１ｃで反射して磁気光学効果素子１ａを通った光は
検光子４を介して光検知器５へ入射する。光検知器５の
出力は波形成形器１０へ与えられ、その出力は位相差測
定器１１へ与えられる。磁化電源１２により交流バイア
ス励磁用コイル１ｂが励磁される。その励磁電流に相応
する電流は移相器１３へ与えられて、その出力は前記位
相差測定器１１へ与えられる。
次にこの探傷装置の探傷動作を第２図とともに説明する
。被探傷材Ｍに被探傷材磁化器２ （第１図参照）によ
り交流磁界を与え、それと同相の交流バイアス磁界を磁
気光学効果素子１ａに与える。
。被探傷材Ｍに被探傷材磁化器２ （第１図参照）によ
り交流磁界を与え、それと同相の交流バイアス磁界を磁
気光学効果素子１ａに与える。
そして角形磁気特性を有する磁気光学効果素子１ａに、
磁気光学効果素子１ａが有する保磁力 Ｈｅより大きい
振幅の交流バイアス磁界Ｈｐを与えると、磁気光学効果
素子１ａの偏光面回転角θ、の極性は、交流バイアス磁
界Ｈｐに同期して変化する。
磁気光学効果素子１ａが有する保磁力 Ｈｅより大きい
振幅の交流バイアス磁界Ｈｐを与えると、磁気光学効果
素子１ａの偏光面回転角θ、の極性は、交流バイアス磁
界Ｈｐに同期して変化する。
いま、被探傷材Ｍの欠陥Ｍ、による漏洩磁束が磁気光学
効果素子１ａに作用していない場合は、偏光面回転角θ
、の極性変化に相応して第２図（ｂ）に破線で示した矩
形波Ｗ１が得られる。この矩形波Ｗ１が偏光面回転角θ
Ｆ −０を示す直線と交差する時点はｔ。＋ ｊ２と
なる。
効果素子１ａに作用していない場合は、偏光面回転角θ
、の極性変化に相応して第２図（ｂ）に破線で示した矩
形波Ｗ１が得られる。この矩形波Ｗ１が偏光面回転角θ
Ｆ −０を示す直線と交差する時点はｔ。＋ ｊ２と
なる。
しかるに、欠陥による漏洩磁界が磁気光学効果素子１ａ
に作用している場合には、交流バイアス磁界Ｈｐはその
漏洩磁界により振幅変調されて第２図ｔａ＋に実線で示
すような振幅変調された交流磁界ＨＬとなり、その交流
磁界Ｈｔによって偏光面回転角θ、の極性変化に相応し
て第２図（ｂｌに実線で示した矩形波Ｗ２が得られる。
に作用している場合には、交流バイアス磁界Ｈｐはその
漏洩磁界により振幅変調されて第２図ｔａ＋に実線で示
すような振幅変調された交流磁界ＨＬとなり、その交流
磁界Ｈｔによって偏光面回転角θ、の極性変化に相応し
て第２図（ｂｌに実線で示した矩形波Ｗ２が得られる。
この矩形波Ｗ２が偏光面回転角θＶ−０を示す直線と交
差する時点はり。Ｊ、ｊ２１となり、漏洩磁束が作用し
ていない場合の矩形波Ｗ１より進相することになる。そ
して矩形波Ｗ１の周期、即ち時間幅Ｔ１は、矩形波Ｗ２
の周期たる時間幅Ｔ２より長くなる。
差する時点はり。Ｊ、ｊ２１となり、漏洩磁束が作用し
ていない場合の矩形波Ｗ１より進相することになる。そ
して矩形波Ｗ１の周期、即ち時間幅Ｔ１は、矩形波Ｗ２
の周期たる時間幅Ｔ２より長くなる。
このようにして得られた矩形波Ｗ、又はＷ２は、波形成
形器１０で歪部分を補正すべく成形して位相差測定器１
１へ与える。
形器１０で歪部分を補正すべく成形して位相差測定器１
１へ与える。
一方、交流バイアス励磁用コイル１ｂに与える励磁電流
と同様の電流を磁化電源１２から移相器１３へ与える。
と同様の電流を磁化電源１２から移相器１３へ与える。
それにより移相器１３は、交流バイアス電流、つまり交
流バイアス磁界Ｈｐの０位相から移相した位相ｔ０で立
上り、位相ｔ２で立下る前記矩形波Ｗ、と同様の矩形波
を発生して位相差測定器１１へ与える。それにより、位
相差測定器１１は、波形成形器１０から与えられた矩形
波Ｗ、又はＷ２の位相ｔ０又はｔ。′と、移相器１３か
ら与えられた矩形波Ｗ１と同様の矩形波の位相ｔ０との
位相差１ｏ−１ｏ又はｔ。−ｔｏ’ （又は矩形波Ｗ、
と同様の矩形波の位相ｔ２と矩形波ｗ２の位相ｔ２′と
の位相差ｔ２−ｔ２′）を位相差Ｔとして測定する。
流バイアス磁界Ｈｐの０位相から移相した位相ｔ０で立
上り、位相ｔ２で立下る前記矩形波Ｗ、と同様の矩形波
を発生して位相差測定器１１へ与える。それにより、位
相差測定器１１は、波形成形器１０から与えられた矩形
波Ｗ、又はＷ２の位相ｔ０又はｔ。′と、移相器１３か
ら与えられた矩形波Ｗ１と同様の矩形波の位相ｔ０との
位相差１ｏ−１ｏ又はｔ。−ｔｏ’ （又は矩形波Ｗ、
と同様の矩形波の位相ｔ２と矩形波ｗ２の位相ｔ２′と
の位相差ｔ２−ｔ２′）を位相差Ｔとして測定する。
ところで被探傷材Ｍの漏洩磁界は被探傷材Ｍの欠陥Ｍ８
の深さ及び幅に略比例するから、位相差測定器１１が測
定した位相差Ｔにより欠陥Ｍａを検出することになる。
の深さ及び幅に略比例するから、位相差測定器１１が測
定した位相差Ｔにより欠陥Ｍａを検出することになる。
このように磁気光学効果素子に漏洩磁界が作用した場合
は、その大きさに関係なく偏光面回転角θ、が変化する
から欠陥を高感度に検出でき、また位相差から欠陥を定
量的に検出できることになる。
は、その大きさに関係なく偏光面回転角θ、が変化する
から欠陥を高感度に検出でき、また位相差から欠陥を定
量的に検出できることになる。
なお、いま磁気光学効果素子１ａの保磁力Ｈｃより充分
大きい振幅の交流バイアス磁界Ｈ，，を磁気光学効果素
子１ａに与え、漏洩磁束による振幅変調分をΔＨとする
と、 ｃ ｍ〈〈１ ・・・（２） であるから、 ・・（３） となる。
大きい振幅の交流バイアス磁界Ｈ，，を磁気光学効果素
子１ａに与え、漏洩磁束による振幅変調分をΔＨとする
と、 ｃ ｍ〈〈１ ・・・（２） であるから、 ・・（３） となる。
ここでΔＨ＜＜Ｈ，であるから、
第４図は第１発明に基づいて被探傷材の欠陥を検出すべ
く構成した第３発明に係る探傷装置のブロック図である
。
く構成した第３発明に係る探傷装置のブロック図である
。
波形成形器１０及び移相器１３の各出力を夫々時間幅差
測定器１１１に与えており、他の構成部分は第３図に示
した探傷装置の構成と同様となっている。
測定器１１１に与えており、他の構成部分は第３図に示
した探傷装置の構成と同様となっている。
この時間幅差測定器１１１は、波形成形器１０から与え
られた矩形波Ｗ、又はＷ２の周期たる時間幅Ｔ１又はＴ
２と、移相器１３から与えられた矩形波Ｗと同様の矩形
波の周期たる時間幅Ｔ１との時間幅差を測定するように
なっている。
られた矩形波Ｗ、又はＷ２の周期たる時間幅Ｔ１又はＴ
２と、移相器１３から与えられた矩形波Ｗと同様の矩形
波の周期たる時間幅Ｔ１との時間幅差を測定するように
なっている。
したがって、この探傷装置は移相器１３から与えられた
交流バイアス磁界Ｈｐに相応する矩形波Ｗと同様の矩形
波の時間幅Ｔ、と波形成形器１０から与えられ漏洩磁界
により振幅変調される交流磁界に相応する矩形波Ｗ１又
はＷ２の時間幅ＴＩ又はＴｔとの時間幅差を測定する。
交流バイアス磁界Ｈｐに相応する矩形波Ｗと同様の矩形
波の時間幅Ｔ、と波形成形器１０から与えられ漏洩磁界
により振幅変調される交流磁界に相応する矩形波Ｗ１又
はＷ２の時間幅ＴＩ又はＴｔとの時間幅差を測定する。
そして、この時間幅差から欠陥Ｍ８を検出することにな
る。
る。
次に第４発明である探傷方法の原理を、第１図及び第５
図により説明する。第５図は交流バイアス磁界と、その
磁化電流との関係を示す説明図である。被探傷材Ｍに与
える交流磁界と同相の交流バイアス磁界を磁気光学効果
素子１ａに与える。
図により説明する。第５図は交流バイアス磁界と、その
磁化電流との関係を示す説明図である。被探傷材Ｍに与
える交流磁界と同相の交流バイアス磁界を磁気光学効果
素子１ａに与える。
そして磁気光学効果素子１ａにその保磁力 Ｈｃより大
きい振幅の交流バイアス磁界Ｈ，を与えるべく、交流バ
イアス励磁用コイル１ｂに第５図（ｂｌに示す正弦波の
磁化電流■を流す。被探傷材Ｍの欠陥Ｍ８による漏洩磁
界が生じていない場合は第５図＋ａｌに破線で示す正弦
波状の交流バイアス磁界Ｈ。
きい振幅の交流バイアス磁界Ｈ，を与えるべく、交流バ
イアス励磁用コイル１ｂに第５図（ｂｌに示す正弦波の
磁化電流■を流す。被探傷材Ｍの欠陥Ｍ８による漏洩磁
界が生じていない場合は第５図＋ａｌに破線で示す正弦
波状の交流バイアス磁界Ｈ。
が得られる。そして磁気光学効果素子１ａの保磁力＋Ｈ
Ｃ（又は−Ｈｃ）に等しい交流バイアス磁界Ｈｐを得る
磁化電流は■。（又はＴ２）になる。
Ｃ（又は−Ｈｃ）に等しい交流バイアス磁界Ｈｐを得る
磁化電流は■。（又はＴ２）になる。
一方、欠陥Ｍ３による漏洩磁界が生じている場合には、
交流バイアス磁界Ｈｐが漏洩磁界により振幅変調されそ
の交流磁界Ｈｔは第２図（ａｌに実線で示すように正弦
波状に変化する。そして振幅変調された交流磁界ＨＬが
保磁力＋Ｈｃ（又は−１−１ｃ）を超えた時点の磁化電
流Ｉ、即ち瞬時値はＩ０′（又はＩｄになる。
交流バイアス磁界Ｈｐが漏洩磁界により振幅変調されそ
の交流磁界Ｈｔは第２図（ａｌに実線で示すように正弦
波状に変化する。そして振幅変調された交流磁界ＨＬが
保磁力＋Ｈｃ（又は−１−１ｃ）を超えた時点の磁化電
流Ｉ、即ち瞬時値はＩ０′（又はＩｄになる。
それ故、漏洩磁界が生じている場合は、保磁力＋ＨＣ（
又は−Ｈｃ）を超えた時点の漏洩磁界により振幅変調さ
れた交流磁界Ｈｐは、交流バイアス磁界の瞬時値Ｈ６と
漏洩磁界分ΔＨ（又はΔＨ’）との和となり、その時点
の磁化電流Ｉは■。′（又は１２′）となる。
又は−Ｈｃ）を超えた時点の漏洩磁界により振幅変調さ
れた交流磁界Ｈｐは、交流バイアス磁界の瞬時値Ｈ６と
漏洩磁界分ΔＨ（又はΔＨ’）との和となり、その時点
の磁化電流Ｉは■。′（又は１２′）となる。
したがって、交流磁界ＨＬが保磁力 Ｈｃ を超えた時
点の磁化電流Ｉ、つまり瞬時値を測定すれば、被探傷材
Ｍの欠陥Ｍ、を検出できることになる。また磁化電流■
に基づいて欠陥Ｍ３を定量的に求め得る。
点の磁化電流Ｉ、つまり瞬時値を測定すれば、被探傷材
Ｍの欠陥Ｍ、を検出できることになる。また磁化電流■
に基づいて欠陥Ｍ３を定量的に求め得る。
第６図は第４発明に基づいて被探傷材の欠陥を検出すべ
く構成した第５発明に係る探傷装置のブロック図である
。
く構成した第５発明に係る探傷装置のブロック図である
。
検出へソド１、光検知器５、波形成形器１０及び磁化電
源１２は第３図に示した探傷装置と同様に構成されてお
り、波形成形器１０の出力は微分回路１４へ与えられる
。この微分回路１４の出力及び磁化電源１２の出力は磁
化電流測定器１５へ与えられる。磁化電流測定器１５の
出力は演算器１６へ与えられる。
源１２は第３図に示した探傷装置と同様に構成されてお
り、波形成形器１０の出力は微分回路１４へ与えられる
。この微分回路１４の出力及び磁化電源１２の出力は磁
化電流測定器１５へ与えられる。磁化電流測定器１５の
出力は演算器１６へ与えられる。
次にこの探傷装置の探傷動作を第５図とともに説明する
。
。
被探傷材Ｍに被探傷材磁化器２（第１図参照）により磁
界を与える。また角形磁気特性を有する磁気光学効果素
子１に、それが有する保磁力Ｈｃより大きい振幅の交流
バイアス磁界Ｈ９を与える。
界を与える。また角形磁気特性を有する磁気光学効果素
子１に、それが有する保磁力Ｈｃより大きい振幅の交流
バイアス磁界Ｈ９を与える。
いま、被探傷材Ｍの欠陥による漏洩磁界が発生していな
い場合には、交流バイアス磁界Ｈｐが保磁力＋Ｈｃ （
又は−ＨＣ）を超えた時点の磁化電流Ｉ、つまり瞬時値
は第５図（ｂｌに示すように１゜（又はＩ２）として求
められる。この磁化電流Ｉ。（又はＩ２）を演算器１６
に予め記憶させておく。
い場合には、交流バイアス磁界Ｈｐが保磁力＋Ｈｃ （
又は−ＨＣ）を超えた時点の磁化電流Ｉ、つまり瞬時値
は第５図（ｂｌに示すように１゜（又はＩ２）として求
められる。この磁化電流Ｉ。（又はＩ２）を演算器１６
に予め記憶させておく。
さて、偏光面回転角の極性変化に相応して光検知器５か
ら得た矩形波を波形成形器１０により歪部を除去すべく
成形する。その矩形波を微分回路１４に与えて微分する
。微分回路１４は矩形波が立上るときに正のトリガパル
スを、立下るときに負のトリガパルスを出力する。この
正、負のトリガパルスを、交流バイアス磁界Ｈ０が保磁
力 Ｈｃ を超えたときのタイミング信号として磁化電
流測定器１５へ与える。そうすると磁化電流測定器１５
は与えられたトリガパルスのタイミングで交流バイアス
励磁用コイル１ｂの励磁電流に相応し磁化電源から与え
られる電流を測定して、その測定値を演算器１６へ与え
る。演算器１６は予め記憶している保磁力Ｈｃに相応す
る磁化電流■。、ｌｘと、測定した磁化電流Ｉとの差を
求める。そして求めた電流差により欠陥Ｍａを検出する
。
ら得た矩形波を波形成形器１０により歪部を除去すべく
成形する。その矩形波を微分回路１４に与えて微分する
。微分回路１４は矩形波が立上るときに正のトリガパル
スを、立下るときに負のトリガパルスを出力する。この
正、負のトリガパルスを、交流バイアス磁界Ｈ０が保磁
力 Ｈｃ を超えたときのタイミング信号として磁化電
流測定器１５へ与える。そうすると磁化電流測定器１５
は与えられたトリガパルスのタイミングで交流バイアス
励磁用コイル１ｂの励磁電流に相応し磁化電源から与え
られる電流を測定して、その測定値を演算器１６へ与え
る。演算器１６は予め記憶している保磁力Ｈｃに相応す
る磁化電流■。、ｌｘと、測定した磁化電流Ｉとの差を
求める。そして求めた電流差により欠陥Ｍａを検出する
。
ナオ、欠陥Ｍ、による漏洩磁界が生じており、それによ
り振幅変調された交流磁界ＨＬが保磁力＋Ｈｃを超えた
時点の磁化電流■は第５図（ｂｌに示すようにＩ。Ｚ
■２ｒとなる。
り振幅変調された交流磁界ＨＬが保磁力＋Ｈｃを超えた
時点の磁化電流■は第５図（ｂｌに示すようにＩ。Ｚ
■２ｒとなる。
そして、漏洩磁界が生じていない場合の交流バイアス磁
界をＨ４，漏洩磁界が生じている場合の交流バイアス磁
界をＨ４′とすると、コイル形状が円形の場合、 ！ 但し、ｎ：コイルの巻数 Ｉｌ：磁路長 となるから、 漏洩磁界分ΔＨ２ΔＨ′は、第５図ｆｂｌに示すように
、 となる。それ故、磁気光学効果素子１ａの保磁力Ｈｃを
予め演算器１６に記憶させておいて、前記（８）（９）
式の演算を演算器１６で行えば漏洩磁界分ΔＩ−１ΔＨ
′が求まり、その漏洩磁界分ΔＨ，ΔＨ’により欠陥を
検出できることにもなる。
界をＨ４，漏洩磁界が生じている場合の交流バイアス磁
界をＨ４′とすると、コイル形状が円形の場合、 ！ 但し、ｎ：コイルの巻数 Ｉｌ：磁路長 となるから、 漏洩磁界分ΔＨ２ΔＨ′は、第５図ｆｂｌに示すように
、 となる。それ故、磁気光学効果素子１ａの保磁力Ｈｃを
予め演算器１６に記憶させておいて、前記（８）（９）
式の演算を演算器１６で行えば漏洩磁界分ΔＩ−１ΔＨ
′が求まり、その漏洩磁界分ΔＨ，ΔＨ’により欠陥を
検出できることにもなる。
このように欠陥による漏洩磁界が生じた場合には、振幅
変調された交流磁界が保磁力を超える時点の磁化電流た
る磁化電流の瞬時値が、保磁力に相応する磁化電流以下
になるから、その磁化電流に基づいて欠陥を高精度に検
出し、また磁化電流に応じて定量的に検出することにな
る。
変調された交流磁界が保磁力を超える時点の磁化電流た
る磁化電流の瞬時値が、保磁力に相応する磁化電流以下
になるから、その磁化電流に基づいて欠陥を高精度に検
出し、また磁化電流に応じて定量的に検出することにな
る。
なお、本実施例では被探傷材Ｍに交流磁界を与えたが直
流磁界を与えても同様の欠陥を検出できる。
流磁界を与えても同様の欠陥を検出できる。
以上詳述したように第１発明は、磁気光学効果素子の保
磁力より大きい振幅の交流バイアス磁界を磁気光学効果
素子に与えて交流バイアス磁界に関連する矩形波の位相
又は時間幅に基づいて、第２発明は交流バイアス磁界に
関連する矩形波と、偏光面回転角に相応する矩形波との
位相差に基づいて、第３発明は交流バイアス磁界に関連
する矩形波の時間幅と、偏光面回転角に相応する矩形波
の時間幅との時間幅差に基づいて、第４発明は交流バイ
アス磁界が磁気光学効果素子の保磁力を超えた時点の磁
化電流に基づいて、第５発明は交流バイアス磁界が磁気
光学効果素子の保磁力を超えた時点の磁化電流と、保磁
力に相応する交流磁界を得るための磁化電流との差に基
づいて、被探傷材の欠陥を高精度に、また定量的に検出
できる。
磁力より大きい振幅の交流バイアス磁界を磁気光学効果
素子に与えて交流バイアス磁界に関連する矩形波の位相
又は時間幅に基づいて、第２発明は交流バイアス磁界に
関連する矩形波と、偏光面回転角に相応する矩形波との
位相差に基づいて、第３発明は交流バイアス磁界に関連
する矩形波の時間幅と、偏光面回転角に相応する矩形波
の時間幅との時間幅差に基づいて、第４発明は交流バイ
アス磁界が磁気光学効果素子の保磁力を超えた時点の磁
化電流に基づいて、第５発明は交流バイアス磁界が磁気
光学効果素子の保磁力を超えた時点の磁化電流と、保磁
力に相応する交流磁界を得るための磁化電流との差に基
づいて、被探傷材の欠陥を高精度に、また定量的に検出
できる。
したがって、各発明はいずれも鋼材等の被探傷材の品質
検査の精度及び信頼性を大幅に向上させることができる
優れた効果を奏する。
検査の精度及び信頼性を大幅に向上させることができる
優れた効果を奏する。
第１図は第１発明に係る探傷方法による探傷状態の模式
図、第２図は磁気光学効果素子の角形磁気特性、交流バ
イアス磁界及び偏光面回転角の関係を示す説明図、第３
図は第２発明に係る深傷装置のブロック図、第４図は第
３発明に係る探傷装置のブロック図、第５図は第４発明
に係る探傷方法を説明するための交流バイアス磁界及び
磁化電流の関係を示す説明図、第６図は第５発明に係る
探傷装置のブロック図、第７図は従来の探傷装置による
探傷状態の模式図、第８図はその磁気光学効果素子の角
形磁気特性を示す特性図である。
図、第２図は磁気光学効果素子の角形磁気特性、交流バ
イアス磁界及び偏光面回転角の関係を示す説明図、第３
図は第２発明に係る深傷装置のブロック図、第４図は第
３発明に係る探傷装置のブロック図、第５図は第４発明
に係る探傷方法を説明するための交流バイアス磁界及び
磁化電流の関係を示す説明図、第６図は第５発明に係る
探傷装置のブロック図、第７図は従来の探傷装置による
探傷状態の模式図、第８図はその磁気光学効果素子の角
形磁気特性を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を検出す
る探傷方法において、 前記磁気光学効果素子に、それが有する保 磁力より大きい振幅を有する交流磁界を与えて、その偏
光面回転角の極性変化に相応する矩形波の位相又は時間
幅から欠陥を検出することを特徴とする探傷方法。 ２、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を検出す
る探傷装置において、 前記磁気光学効果素子に、それが有する保 磁力より大きい振幅の交流磁界を与える磁化器及び前記
交流磁界に同期する矩形波と前記磁気光学効果素子の偏
光器回転角の極性変化に相応する矩形波との位相差を測
定する位相差測定回路を備えることを特徴とする探傷装
置。 ３、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を検出す
る探傷装置において、 前記磁気光学効果素子に、それが有する保 磁力より大きい振幅の交流磁界を与える磁化器及び前記
交流磁界に同期する矩形波の時間幅と前記磁気光学効果
素子の偏光器回転角の極性変化に相応する矩形波の時間
幅との差を測定する時間幅差測定回路を備えることを特
徴とする探傷装置。 ４、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を検出す
る探傷方法において、 前記磁気光学効果素子に、それが有する保 磁力より大きい振幅を有する交流磁界を与えて、前記交
流磁界が前記保磁力を超える時点の磁化電流を求めて、
該磁化電流から欠陥を検出することを特徴とする探傷方
法。 ５、磁気光学効果素子を用いて被探傷材の欠陥を検出す
る探傷装置において、 前記磁気光学効果素子に、それが有する保 磁力より大きい振幅の交流磁界を与える磁化器と、交流
磁界が磁気光学効果素子の保磁力を超えた時点の前記磁
化器が出力する磁化電流を測定する磁化電流測定回路と
を備えることを特徴とする探傷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7579289A JPH0820421B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 探傷方法及び探傷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7579289A JPH0820421B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 探傷方法及び探傷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02253152A true JPH02253152A (ja) | 1990-10-11 |
| JPH0820421B2 JPH0820421B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=13586418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7579289A Expired - Lifetime JPH0820421B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 探傷方法及び探傷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820421B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016129458A1 (ja) * | 2015-02-10 | 2016-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 検査方法及び検査装置 |
| CN108205011A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-06-26 | 中国计量大学 | 一种基于低频漏磁的铁磁性材料内部探伤电路 |
| US11307173B1 (en) | 2019-08-20 | 2022-04-19 | Scan Systems Corp. | Apparatus, systems, and methods for inspection of tubular goods |
| US11402352B1 (en) | 2019-08-20 | 2022-08-02 | Scan Systems Corp. | Apparatus, systems, and methods for inspecting tubulars employing flexible inspection shoes |
| US11402351B1 (en) | 2019-08-20 | 2022-08-02 | Scan Systems Corp. | Apparatus, systems, and methods for discriminate high-speed inspection of tubulars |
| US12031945B1 (en) | 2019-08-20 | 2024-07-09 | Scan Systems Corp. | Apparatus, systems, and methods for inspecting tubulars of different sizes |
| US12247948B1 (en) | 2023-03-20 | 2025-03-11 | Scan Systems, Corp. | Height adjustable inspection shoes, apparatus and methods for inspecting tubulars |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7579289A patent/JPH0820421B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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