JPH02253539A - マグネトロンの磁気回路構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子レンジ等に用いられるマグネトロンに関
し、特に永久磁石、磁極及び継鉄から構成される磁気回
路構造に関する。

従来の技術 マグネトロンは周知のとおり、陰極から放出される熱電
子を磁界によりスピンさせてマイクロ波エネルギーを取
り出すものである。

このような従来の一般的なマグネトロンの構造を第３図
に示す、同図において、１は陽極円筒、２は陽極円筒内
に放射状に配設されたベイン、３はベイン２の上下に配
設され、複数のベインを交互に一つおきに接続するスト
ラップリング、４はアンテナリードであり一端がベイン
２に接続され、陽極円筒１の一端に設けられた磁極５の
結合孔６を貫通し、他端は出力アンテナ部７に一体的に
接続されている。８は陰極部であり、陽極円筒１の中央
部に陽極円筒管軸と同心的に配設された螺旋状陰極フィ
ラメント９を有し、その両端にはエンドハツト１Ｏ１１
１を配する。各エンドハツト１Ｏ２１１は陰極ステム１
２に固定された支持リード１３．１４にそれぞれ固定さ
れている。

１５は磁極５に対向して設けられた磁極であり、１６．
１７は陽極円筒管軸と同軸的に対向して配設された円環
状永久磁石、また１８．１９は永久磁石１６、ｌ７を包
囲して設けた枠状継鉄であり磁極５．１５永久磁石１６
．１７枠状継鉄１８．１９により内磁型磁気回路が構成
されている。

２０は陽極円筒外周に圧入固定された冷却フィン、２１
はチョークコイル２２、貫通コンデンサ２３を内蔵し、
不要輻射を抑制するフィルターケースである。

発明が解決しようとする課題 このような内磁型磁気回路の場合、枠状継鉄１８．１９
によって磁路を閉じているためマグネトロン外部への磁
束の漏れが減少し、例えば外磁型磁気回路等に比べて磁
気効率を高めることができる。

しかしながら、この種内磁型磁気回路では第４図及び第
５図に示すように枠状継鉄１８．１９を用いるため円環
状の永久磁石１６．１７に対して継鉄は左右には存在す
るが前後には存在しない、そのため第５図に示すように
継鉄が存在する場合は永久磁石１６．１７及び磁極５．
１５から枠状継鉄１８．１９の内面への漏洩磁束Ｆｊ！
が増加するが、一方継鉄が存在しない領域においては前
記漏洩磁束Ｆｊ！は少なくなる。第６図は第５図におい
て作用空間２４の軸方向中央部での磁束密度をＸ方向、
Ｘ方向に測定したものであり、継鉄の存在する方向、つ
まりＸ方向の分布が低くなるのがわかる。このため作用
空間２４での周方向磁束密度分布が不均一となる。

このことは特に磁極５．１５で形成される磁気ギャップ
ｇ、　　Ｌが大きくなるほど、また永久磁石１６．１７
と枠状継鉄１８．１９との縁面距離Ｌｍｙが小さ（なる
ほど不均一性が増加する。第７図は作用空間２４部分の
要部上面図を示し、前記磁束密度の不均一性によって已
に示すように電子軌道は楕円状となる。これは、陽極つ
まりベイン２と陰極９間での電界分布を一様とみなすと
電子の軌道は磁界によって決定されるためである。その
結果磁束密度の低い領域では高い領域に比べて電子はベ
イン２側を周回し、作用空間２４での電子の運動が不均
一となり、電子効率の低下及び暗電流（無効陽極電流）
の増加をまねいていた。

そのため本発明は、作用空間における磁束密度分布を均
一化し、動作効率の高いマグネトロンを提供することを
目的とする。

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明は、枠状継鉄の開口部
の上下に内側に突出した折り曲げ部を設けたものである
。

作用 この構成により、枠状継鉄の開口部、つまり継鉄の存在
しない部分に折り曲げ部が配設されることとなり、永久
磁石及び磁極からの漏洩磁束は前記折り曲げ部に流入し
、作用空間の軸方向中央部における周方向の磁束密度分
布を均一化することができる。

実施例 以下本発明の実施例を図面とともに説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの磁気回
路の部分断面図を示す、同図において２５は枠状継鉄１
８．１９の開口部２６の上下に内側に突出して設けた折
り曲げ部であり、マグネトロンの冷却風を通過させるた
めの複数の透孔２７を設けている。また折り曲げ部２５
の高さＨｙは永久磁石１６．１７及び磁極５．１５から
の漏洩磁束Ｆ２が第６図Ｘ方向に示した磁束量と略等し
くなるような高さに設定されている。

その他は従来例と同じであり同一番号を付して説明を省
略する。

以上の構成においてマグネトロンを組立て完成後着磁を
行うと、磁極５．１５永久磁石１６．１７枠状継鉄１８
．１９によって磁気回路が構成され、永久磁石１６．１
７の起磁力によって作用空間２４に磁束が生じる。この
時永久磁石１６．１７から枠状継鉄１８．１９に漏洩磁
束Ｆ２が発生するが、本実施例では折りまげ部２５を設
けているため永久磁石１６．１７から折りまげ部２５へ
も漏洩磁束Ｆｌが発生することとなり、第２図に示すよ
うに周方向の漏洩磁束Ｆ２の分布を略均−なものにでき
る。したがって第６図におけるＸ、Ｘ方向の磁束密度分
布を略等しくすることができるため、作用空間２４での
電子軌道が均一となり電子効率の向上及び暗電流の低下
が実現でき、動作効率の高いマグネトロンを得ることが
できる。

またマグネトロンは陽極損失によって高温となるが、折
りまげ部２５に透孔２７を設けたため、冷却ファン（図
示せず）による冷却風を透孔２７を通じて陽極１にあて
ることができる。

発明の詳細 な説明したように本発明によれば枠状継鉄の開口部の上
下に内側に突出した折りまげ部を設ける簡単な構成によ
り、作用空間での周方向磁束密度分布を均一化できるた
め作用空間での電子軌道を均一化でき、電子効率の高い
マグネトロンを実現できる。またこれにより不要輻射量
の低減が図れる。

また暗電流が低減できるため動作効率の高いマグネトロ
ンを実現できる。このことは特に磁気ギャップ、つまり
磁極間距離が大きい場合、また永久磁石と枠状継鉄との
縁面距離が小さい場合に好適であり、マグネトロンの小
型化が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すマグネトロンの磁気回
路構造の要部断面図、第２図は同Ａ−Ａ断面図、第３図
は従来のマグネトロンの断面図、第４図は同磁気回路構
造の要部断面図、第５図は同Ｂ−Ｂ断面図、第６図は作
用空間の径方向位置と磁束密度の関係を示す特性図、第
７図は作用空間の要部上面図である。 １・・・・・・陽極円筒、２・・・・・・ベイン、５．
１５・・・・・・磁極、９・・・・・・陰極フィラメン
ト、１６．１７・・・・・・永久磁石、１８．１９・・
・・・・枠状継鉄、２５・・・・・・折りまげ部、２６
・・・・・・透孔。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第３図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数のベインが放射状に配設された陽極円筒と、
   その陽極円筒の管軸の中央部に設けられた陰極と、前記
   陽極円筒の管軸に対して同軸的に対向して設けられた一
   対の磁極及び永久磁石と、前記永久磁石を包囲して設け
   た枠状継鉄とからなり、前記枠状継鉄の開口部の上下に
   内側に突出した折り曲げ部を設けたマグネトロンの磁気
   回路構造。
2. （２）折り曲げ部にマグネトロン冷却風の通過する透孔
   を設けた請求項（１）記載のマグネトロンの磁気回路構
   造。