JPH02256224A - 電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH02256224A JPH02256224A JP7894589A JP7894589A JPH02256224A JP H02256224 A JPH02256224 A JP H02256224A JP 7894589 A JP7894589 A JP 7894589A JP 7894589 A JP7894589 A JP 7894589A JP H02256224 A JPH02256224 A JP H02256224A
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、タンタルの弁作用金属粉末成形体を使用した
電解コンデンサの製造方法に関するものである。
電解コンデンサの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
一般に、電解コンデンサは、弁作用金属粉末の成形体を
真空焼結した焼結体の表面上に、酸化皮膜の誘電体層を
設け、この誘電体層に密着するように、順次、二酸化マ
ンガン層、グラファイト層、銀ペースト層などを被着し
て陰極とするコンデンサである。
真空焼結した焼結体の表面上に、酸化皮膜の誘電体層を
設け、この誘電体層に密着するように、順次、二酸化マ
ンガン層、グラファイト層、銀ペースト層などを被着し
て陰極とするコンデンサである。
この様な電解コンデンサの構成を以下に詳述する。即ち
、平均粒子径が数μｍの弁作用金属粉に、陽極のリード
線を構成する弁作用金属粉末と同種の金属線を植立しな
がら、同粉末を所定の形状、寸法に加圧、成形した後、
ＩＸｌｏ−４ｍｍＨｇ以下の真空度で、１６００〜１８
００°Ｃで、１５〜３０分間焼結して焼結体を形成する
。
、平均粒子径が数μｍの弁作用金属粉に、陽極のリード
線を構成する弁作用金属粉末と同種の金属線を植立しな
がら、同粉末を所定の形状、寸法に加圧、成形した後、
ＩＸｌｏ−４ｍｍＨｇ以下の真空度で、１６００〜１８
００°Ｃで、１５〜３０分間焼結して焼結体を形成する
。
次に、焼結体表面に誘電体層となる酸化皮膜を、リン酸
水溶液などの電解質中で、陽極化成によって形成する。
水溶液などの電解質中で、陽極化成によって形成する。
次いで、二酸化マンガン層を、素子に含浸させた硝酸マ
ンガン液を熱分解すると同時に、前記陽極化成素子の表
面上に焼付は形成する。
ンガン液を熱分解すると同時に、前記陽極化成素子の表
面上に焼付は形成する。
その後、順次、グラファイト層、銀ペースト層を形成し
、陰極リード線となる適当な金属を半田もしくは導電性
接着剤などを用いて接続し、樹脂などで補強してコンデ
ンサを完成する。
、陰極リード線となる適当な金属を半田もしくは導電性
接着剤などを用いて接続し、樹脂などで補強してコンデ
ンサを完成する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述した様な従来の電解コンテンサにお
いては、以下に述べる様な問題点があった。
いては、以下に述べる様な問題点があった。
即ち、上述した様な電解コンデンサは、破壊電圧が高く
、漏れ電流が小さいことが望まれ、この目的を達成する
ために、特に弁作用金属以外の元素（不純物と称し、金
属、非金属、酸素、水素を総称する）の含有量を少なく
することが重要である。なぜならば、弁作用金属以外の
元素は、陽極酸化されにくいため、これらの不純物によ
って酸化皮膜が形成されにくくなり、漏れ電流が増大す
るといった欠点があるためである。
、漏れ電流が小さいことが望まれ、この目的を達成する
ために、特に弁作用金属以外の元素（不純物と称し、金
属、非金属、酸素、水素を総称する）の含有量を少なく
することが重要である。なぜならば、弁作用金属以外の
元素は、陽極酸化されにくいため、これらの不純物によ
って酸化皮膜が形成されにくくなり、漏れ電流が増大す
るといった欠点があるためである。
本発明は、以上の様な問題点を解消するために提案され
たもので、その目的は、漏れ電流の小さい、高品質の電
解コンデンサを得ることのできる電解コンデンサの製造
方法を提供することにある。
たもので、その目的は、漏れ電流の小さい、高品質の電
解コンデンサを得ることのできる電解コンデンサの製造
方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の電解コンデンサの製造方法は、弁作用金属粉末
として、その中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に
抑えたものを用いたことを特徴とするものである。
として、その中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に
抑えたものを用いたことを特徴とするものである。
［作用］
本発明の電解コンデンサの製造方法によれば、弁作用金
属粉末中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑える
ことにより、酸化皮膜の欠陥部を減少させ、酸化皮膜に
亀裂が生じることを防止できる。
属粉末中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑える
ことにより、酸化皮膜の欠陥部を減少させ、酸化皮膜に
亀裂が生じることを防止できる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて
具体的に説明する。
具体的に説明する。
本実施例の構成＊
本実施例の電解コンデンサにおいては、弁作用金属粉末
として、その中に含まれる燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑
えたものを使用する。
として、その中に含まれる燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑
えたものを使用する。
本実施例の作用＊
この様な構成を有する本実施例の電解コンデンサの効果
を調べるために、以下に述べる様な実験を行った。即ち
、化成皮膜形成後の漏れ電流特性を調べるために、燐濃
度を変えたタンタル粉末を、厚さ１．５ｍｍ、高さ３．
５ｍｍ、幅２．０ｍｍに成形し、その中に０，３φのタ
ンタル線を植立させ、成形素子としたタンタルペレット
を、１×１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で、１５５０°Ｃ１
３０分焼結を行った。この様にして得られたタンタルペ
レットを、４０°Ｃ２６０°Ｃ１９０°Ｃのリン酸電解
質中で、化成電圧１００Ｖ、化成時間３時間で酸化皮膜
を形成し、その後、常温のリン酸水溶液中において、４
１１定電圧７０Ｖを印加、２分後の漏れ電流を測定した
。
を調べるために、以下に述べる様な実験を行った。即ち
、化成皮膜形成後の漏れ電流特性を調べるために、燐濃
度を変えたタンタル粉末を、厚さ１．５ｍｍ、高さ３．
５ｍｍ、幅２．０ｍｍに成形し、その中に０，３φのタ
ンタル線を植立させ、成形素子としたタンタルペレット
を、１×１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で、１５５０°Ｃ１
３０分焼結を行った。この様にして得られたタンタルペ
レットを、４０°Ｃ２６０°Ｃ１９０°Ｃのリン酸電解
質中で、化成電圧１００Ｖ、化成時間３時間で酸化皮膜
を形成し、その後、常温のリン酸水溶液中において、４
１１定電圧７０Ｖを印加、２分後の漏れ電流を測定した
。
その結果を第１図及び第２図に示した。即ち、第１図に
示した様に、燐濃度が７０ＰＰＭ付近に変曲点があるこ
とが判明し、また、燐濃度が５０ＰＰＭ以下においては
、漏れ電流に大きな影響を与えないという結果が得られ
た。また、第２図に示した様に、燐濃度が７０ＰＰＭ以
下のものにおいては、化成液の温度に左右されることは
少なく、特に、４３ＰＰＭ以下のものにおいては、漏れ
電流に大きな影響を与えないという結果が得られた。
示した様に、燐濃度が７０ＰＰＭ付近に変曲点があるこ
とが判明し、また、燐濃度が５０ＰＰＭ以下においては
、漏れ電流に大きな影響を与えないという結果が得られ
た。また、第２図に示した様に、燐濃度が７０ＰＰＭ以
下のものにおいては、化成液の温度に左右されることは
少なく、特に、４３ＰＰＭ以下のものにおいては、漏れ
電流に大きな影響を与えないという結果が得られた。
次に、化成後陰極層を形成し、製品化した固体電解コン
デンサについて説明する。
デンサについて説明する。
即ち、コンデンサ用タンタル粉末のＣ■積が、１２００
０ＣＶ／ｇのタンタル粉末において、燐濃度が４０ＰＰ
Ｍ及び７０ＰＰＭの２種類について比較を行った。この
場合の固体電解コンデンサの製造条件は、まず、厚さ１
．５ｍｍ、高さ３゜５ｍｍ、幅２．０ｍｍ、タンタルリ
ード線０．３φで、タンクルペレットを角型の形状に成
形し、これをｌＸ１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で、１５５
０℃、３０分の真空焼結を行った。この焼結体を、６０
℃のリン酸水溶液中で化成電圧７０Ｖ、化成時間３時間
で化成処理し、酸化皮膜を形成し、その後、二酸化マン
ガン層、グラファイト層、銀ペースト層などを形成し、
陰極リードとして、洋白リードフレーム上に陽極はスポ
ット溶接、陰極部は導電性接着剤によって接続、その後
、トランスファモールドによりエポキシ樹脂にて外装を
施し、固体電解コンデンサを製造した。
０ＣＶ／ｇのタンタル粉末において、燐濃度が４０ＰＰ
Ｍ及び７０ＰＰＭの２種類について比較を行った。この
場合の固体電解コンデンサの製造条件は、まず、厚さ１
．５ｍｍ、高さ３゜５ｍｍ、幅２．０ｍｍ、タンタルリ
ード線０．３φで、タンクルペレットを角型の形状に成
形し、これをｌＸ１Ｏ−６Ｔｏｒｒの真空度で、１５５
０℃、３０分の真空焼結を行った。この焼結体を、６０
℃のリン酸水溶液中で化成電圧７０Ｖ、化成時間３時間
で化成処理し、酸化皮膜を形成し、その後、二酸化マン
ガン層、グラファイト層、銀ペースト層などを形成し、
陰極リードとして、洋白リードフレーム上に陽極はスポ
ット溶接、陰極部は導電性接着剤によって接続、その後
、トランスファモールドによりエポキシ樹脂にて外装を
施し、固体電解コンデンサを製造した。
この様な電解コンデンサについて、以下の処理を施した
各試料について、１２０Ｈｚ容量における容量変化率（
％）、ＩＫＨｚ損失における損失角の正装（％）、漏れ
電流（μＡ）の測定を行い、特性の変化を調べた。
各試料について、１２０Ｈｚ容量における容量変化率（
％）、ＩＫＨｚ損失における損失角の正装（％）、漏れ
電流（μＡ）の測定を行い、特性の変化を調べた。
なお、測定に用いた各試料の処理条件は、以下に示す通
りである。
りである。
（従来のタンタル粉末）
含有燐濃度ニア０ＰＰＭ
試料定格： １６Ｖ−６，８μＦ
試験条件：２７０°Ｃ−１０ｓ半田浸漬試料数：ｎ＝１
７ ［試料番号コ し処理方法］ １ 未処理 ２ 熱処理 ３ ＰＣＴ２ ４ ＰＣＴ４ ５ ＰＣＴ６ ６ ＰＣＴＩ ０時間 ０時間 ０時間 ００時間 ＊熱処理；２７０℃の半田に１０ｓ浸漬＊ＰＣＴ ：１
２１℃、２気圧、湿度９５〜１００％の高温、高圧、高
湿中に放置する。
７ ［試料番号コ し処理方法］ １ 未処理 ２ 熱処理 ３ ＰＣＴ２ ４ ＰＣＴ４ ５ ＰＣＴ６ ６ ＰＣＴＩ ０時間 ０時間 ０時間 ００時間 ＊熱処理；２７０℃の半田に１０ｓ浸漬＊ＰＣＴ ：１
２１℃、２気圧、湿度９５〜１００％の高温、高圧、高
湿中に放置する。
（改良後のタンタル粉末）
含有燐濃度：４ＱＰＰＭ
試料定格： １６Ｖ−６，８μＦ
試、験条件：２７０°Ｃ−１０ｓ半田浸漬試料数： ｎ
＝１６ ［試料番号］ ［処理方法］ 未処理 熱処理 ＰＣＴ２０ＣＴ ２０時間０時間 ＰＣＴ６０ＣＴ ６０時間００時間 ＊熱処理：２７０℃の半田に１０ｓ浸漬＊ＰＣＴ：１２
１℃、２気圧、湿度９５〜１００％の高温、高圧、高湿
中に放置する。
＝１６ ［試料番号］ ［処理方法］ 未処理 熱処理 ＰＣＴ２０ＣＴ ２０時間０時間 ＰＣＴ６０ＣＴ ６０時間００時間 ＊熱処理：２７０℃の半田に１０ｓ浸漬＊ＰＣＴ：１２
１℃、２気圧、湿度９５〜１００％の高温、高圧、高湿
中に放置する。
以上の結果を第３図〜第５図
（従来例）
及び第
６図〜第８図（改良例）に示した。即ち、改良例である
含有燐濃度が４０ＰＰＭのタンタル粉末においては、従
来例の７０ＰＰＭのタンタル粉末を用いたものに比べて
、高温、高圧、高湿度中に長時間放置した場合において
も、漏れ電流の劣化が小さいことが判明した。
含有燐濃度が４０ＰＰＭのタンタル粉末においては、従
来例の７０ＰＰＭのタンタル粉末を用いたものに比べて
、高温、高圧、高湿度中に長時間放置した場合において
も、漏れ電流の劣化が小さいことが判明した。
この様に含有燐濃度がタンタル固体電解コンデンサに与
える影響は非常に大きく、そのため、含有燐濃度を低減
することによって、酸化皮膜形成後の外部ストレスによ
る酸化皮膜の亀裂の発生を防ぐことができ、また、それ
に伴ない、漏れ電流の増加や耐電圧劣化を防ぐことがで
きるで、電解コンデンサの信頼性を大幅に向上できる。
える影響は非常に大きく、そのため、含有燐濃度を低減
することによって、酸化皮膜形成後の外部ストレスによ
る酸化皮膜の亀裂の発生を防ぐことができ、また、それ
に伴ない、漏れ電流の増加や耐電圧劣化を防ぐことがで
きるで、電解コンデンサの信頼性を大幅に向上できる。
［発明の効果］
以上の通り、本発明によれば、弁作用金属粉末として、
その中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑えたも
のを用いるという簡単な手段によって、漏れ電流の少な
い、高品質の電解コンデンサを提供することができる。
その中に含有される燐濃度を４０ＰＰＭ以下に抑えたも
のを用いるという簡単な手段によって、漏れ電流の少な
い、高品質の電解コンデンサを提供することができる。
ル粉末を用いた場合のＰＣＴ条件下における特性をそれ
ぞれ示す特性図、第６図乃至第８図は本発明によるタン
タル粉末を用いた場合のＰＣＴ条件下における特性をそ
れぞれ示す特性図である。
ぞれ示す特性図、第６図乃至第８図は本発明によるタン
タル粉末を用いた場合のＰＣＴ条件下における特性をそ
れぞれ示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 弁作用金属粉末の成形体を、高温度・高真空中で焼結し
て得られる焼結体を陽極体とする電解コンデンサの製造
方法において、 前記弁作用金属粉末として、その中に含有される燐濃度
を４０ＰＰＭ以下に抑えたものを用いたことを特徴とす
る電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894589A JPH02256224A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7894589A JPH02256224A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02256224A true JPH02256224A (ja) | 1990-10-17 |
Family
ID=13676028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7894589A Pending JPH02256224A (ja) | 1989-03-29 | 1989-03-29 | 電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02256224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162372A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | 電解コンデンサの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-29 JP JP7894589A patent/JPH02256224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08162372A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | 電解コンデンサの製造方法 |
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