JPH0434915A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0434915A JPH0434915A JP2140996A JP14099690A JPH0434915A JP H0434915 A JPH0434915 A JP H0434915A JP 2140996 A JP2140996 A JP 2140996A JP 14099690 A JP14099690 A JP 14099690A JP H0434915 A JPH0434915 A JP H0434915A
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Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は導電性高分子を固体電解質として用いる固体電
解コンデンサの製造方法に関するものである。
解コンデンサの製造方法に関するものである。
(ロ)従来の技術
従来、固体電解コンデンサとしては、−船釣にアルミニ
ウム又はタンタル等の金属表面に酸化皮膜を形成させ、
該酸化皮膜を誘電体とし、硝酸マンガンを熱分解して二
酸化マンガンを生成させ、この二酸化マンガン層を電解
質として用いている。この二酸化マンガンの生成工程は
数回繰り返して行い、必要量の二酸化マンガンを付着さ
せている。その後、導電性物質であるカーボン、更に陰
極引出しのために銀ペーストを塗布し、樹脂外装あるい
は金属製ケースに挿入し、エポキシ樹脂等で封止してコ
ンデンサとして完成している。このような従来のコンデ
ンサでは二酸化マンガンの比抵抗が比較的大きく、その
為インピーダンスが高い。また、二酸化マンガン層形成
のための熱分解を繰り返し行うため誘電体である酸化皮
膜が損傷しやすく、漏れ電流が大きくなるなどの欠点が
ある。
ウム又はタンタル等の金属表面に酸化皮膜を形成させ、
該酸化皮膜を誘電体とし、硝酸マンガンを熱分解して二
酸化マンガンを生成させ、この二酸化マンガン層を電解
質として用いている。この二酸化マンガンの生成工程は
数回繰り返して行い、必要量の二酸化マンガンを付着さ
せている。その後、導電性物質であるカーボン、更に陰
極引出しのために銀ペーストを塗布し、樹脂外装あるい
は金属製ケースに挿入し、エポキシ樹脂等で封止してコ
ンデンサとして完成している。このような従来のコンデ
ンサでは二酸化マンガンの比抵抗が比較的大きく、その
為インピーダンスが高い。また、二酸化マンガン層形成
のための熱分解を繰り返し行うため誘電体である酸化皮
膜が損傷しやすく、漏れ電流が大きくなるなどの欠点が
ある。
また、TCNQ塩を固体電解質として使用するコンデン
サはTCNQ塩の比抵抗が小さく、高周波特性に優れて
いるが、熱安定性に欠ける。
サはTCNQ塩の比抵抗が小さく、高周波特性に優れて
いるが、熱安定性に欠ける。
最近になって、導電性高分子膜を固体電解質とするコン
デンサが提案され、この方法によれば、まず化学酸化重
合法により導電性高分子の薄膜を形成させ、該導電性高
分子膜を陽極として、電解重合法により、導電性高分子
膜を積層するなどが検討されている(例えば特開昭64
−32619号(HOIG 9102))。
デンサが提案され、この方法によれば、まず化学酸化重
合法により導電性高分子の薄膜を形成させ、該導電性高
分子膜を陽極として、電解重合法により、導電性高分子
膜を積層するなどが検討されている(例えば特開昭64
−32619号(HOIG 9102))。
次に従来の製造方法について説明する。第3図に示す如
く、弁作用を有するアルミ粉末の焼結体或はアルミ金属
箔(1)を電解酸化または空気酸化により、その表面に
誘電体酸化皮膜(2)を作る。
く、弁作用を有するアルミ粉末の焼結体或はアルミ金属
箔(1)を電解酸化または空気酸化により、その表面に
誘電体酸化皮膜(2)を作る。
まず、化学酸化重合の場合、誘電体酸化皮膜(2)上に
酸化剤を含む溶液を塗布した後、導電性高分子の単量体
を含む溶液に接触させて、誘電体酸化皮膜層(2)の上
に化学酸化重合による導電性高分子層(3)を形成し、
表面を導電化する。この作業には問題がないが、膜の強
度及び電気特性的にコンデンサとして満足できる皮膜が
得られない等の問題がある。
酸化剤を含む溶液を塗布した後、導電性高分子の単量体
を含む溶液に接触させて、誘電体酸化皮膜層(2)の上
に化学酸化重合による導電性高分子層(3)を形成し、
表面を導電化する。この作業には問題がないが、膜の強
度及び電気特性的にコンデンサとして満足できる皮膜が
得られない等の問題がある。
次に電解重合においては、第3図および第4図に示す如
く、支持電解質および導電性高分子単量体を含む電解液
(9)中に、前述の化学酸化重合により導電性高分子層
(3)が形成され且つ金属箔(1)に接続されたコンデ
ンサ用リード線(5)を備えるコンデンサ素子(6)を
浸漬し、化学酸化重合により形成された導電性高分子膜
(3)に白金、カーボン等よりなる外部電極(8)を接
触させ、定電圧且つ定電流直流電源(10)から正電圧
を供給する。また、その直流電源(10)の負電圧をス
テンレス等によりなる電解重合用対極電極(11)に供
給し、電解酸化重合を行なう。この電解重合においては
、電解液(9)により差はあるが、一般に良質の電解重
合による導電性高分子膜(4)が得られるが、絶縁体で
ある誘電体酸化皮膜(2)上に導電性高分子皮膜(4)
を形成させる際、その供電方法が非常に困難である。例
えば誘電体酸化皮膜(2)上に前処理として化学酸化重
合による導電性高分子膜(3)を形成させ、その膜に外
部より外部電極(8)を接触させる給電方式が一般に採
用されているが、この方式によると、個々の電極接触度
合により電流密度が一定でなく、均一な膜形成が困難で
あり、かつ外部電極(8)にも導電性高分子膜(4a)
が形成されるので、この無駄な高分子膜(4a)による
材料の量的損失が大きい。更にこの導電性高分子膜(4
a)により素子(6)および化学酸化重合導電性高分子
膜(3)に強固に接着された外部電極(8)を素子(6
)から無理に分離する際、導電性高分子膜(4)の一部
(4b)が欠落するが、その時、酸化皮膜(3)を傷つ
けるため漏れ電流の劣化等の諸問題がある。尚、(7)
は電解酸化重合導電性高分子膜(4)の上に銀ペースト
を塗布し、その上に導電的に接着して設けたコンデンサ
の陰極リードである。
く、支持電解質および導電性高分子単量体を含む電解液
(9)中に、前述の化学酸化重合により導電性高分子層
(3)が形成され且つ金属箔(1)に接続されたコンデ
ンサ用リード線(5)を備えるコンデンサ素子(6)を
浸漬し、化学酸化重合により形成された導電性高分子膜
(3)に白金、カーボン等よりなる外部電極(8)を接
触させ、定電圧且つ定電流直流電源(10)から正電圧
を供給する。また、その直流電源(10)の負電圧をス
テンレス等によりなる電解重合用対極電極(11)に供
給し、電解酸化重合を行なう。この電解重合においては
、電解液(9)により差はあるが、一般に良質の電解重
合による導電性高分子膜(4)が得られるが、絶縁体で
ある誘電体酸化皮膜(2)上に導電性高分子皮膜(4)
を形成させる際、その供電方法が非常に困難である。例
えば誘電体酸化皮膜(2)上に前処理として化学酸化重
合による導電性高分子膜(3)を形成させ、その膜に外
部より外部電極(8)を接触させる給電方式が一般に採
用されているが、この方式によると、個々の電極接触度
合により電流密度が一定でなく、均一な膜形成が困難で
あり、かつ外部電極(8)にも導電性高分子膜(4a)
が形成されるので、この無駄な高分子膜(4a)による
材料の量的損失が大きい。更にこの導電性高分子膜(4
a)により素子(6)および化学酸化重合導電性高分子
膜(3)に強固に接着された外部電極(8)を素子(6
)から無理に分離する際、導電性高分子膜(4)の一部
(4b)が欠落するが、その時、酸化皮膜(3)を傷つ
けるため漏れ電流の劣化等の諸問題がある。尚、(7)
は電解酸化重合導電性高分子膜(4)の上に銀ペースト
を塗布し、その上に導電的に接着して設けたコンデンサ
の陰極リードである。
また、第5図(a)に示す如く化学重合導電性高分子膜
(3)の下端を切断して金属露出部(1a)を設け、リ
ード線(5)を介して電解電源を供給し、金属露出部(
1a)の表面にそのまま電解重合により電解酸化重合導
電性高分子膜(4)を形成し、その後、第5図(b)に
示す如く、金属箔(1)と接触する導電性高分子膜(4
)を酸化剤または還元剤を用いて絶縁層(13)を形成
して絶縁化している(特開昭64−76713号参照)
。この場合には、給電部での不均一な膜成長が生じたり
、さらには部分的な絶縁化(12)という作業性に問題
があり、特にチップ対応の小さなコンデンサでは非常に
困難である。
(3)の下端を切断して金属露出部(1a)を設け、リ
ード線(5)を介して電解電源を供給し、金属露出部(
1a)の表面にそのまま電解重合により電解酸化重合導
電性高分子膜(4)を形成し、その後、第5図(b)に
示す如く、金属箔(1)と接触する導電性高分子膜(4
)を酸化剤または還元剤を用いて絶縁層(13)を形成
して絶縁化している(特開昭64−76713号参照)
。この場合には、給電部での不均一な膜成長が生じたり
、さらには部分的な絶縁化(12)という作業性に問題
があり、特にチップ対応の小さなコンデンサでは非常に
困難である。
(ハ)発明が解決しようとする課題
導電性高分子膜の形成の際、先ず誘電体酸化皮膜上に化
学酸化重合等によって導電性高分子膜を形成し、その後
該導電性高分子膜を陽極として導電体を接触させ、電解
重合を行うが、電解重合用導電体を取去る時に導電性高
分子膜の損傷やピンホール、また誘電体酸化皮膜の損傷
によってコンデンサの特性が劣化するという問題がある
。
学酸化重合等によって導電性高分子膜を形成し、その後
該導電性高分子膜を陽極として導電体を接触させ、電解
重合を行うが、電解重合用導電体を取去る時に導電性高
分子膜の損傷やピンホール、また誘電体酸化皮膜の損傷
によってコンデンサの特性が劣化するという問題がある
。
(ニ)課題を解決するための手段
導電性高分子膜を電解重合によって生成する場合、電解
重合に用いた電解重合用導電体をコンデンサの陰極取り
出し端子として使用する。
重合に用いた電解重合用導電体をコンデンサの陰極取り
出し端子として使用する。
(ホ)作 用
電解重合に用いる電解重合用導電体を取去るときに生じ
る導電性高分子膜の損傷やピンホールがなくなり、等個
直列抵抗(ESR)が向上する。
る導電性高分子膜の損傷やピンホールがなくなり、等個
直列抵抗(ESR)が向上する。
また、誘電体酸化皮膜の損傷が防止できるため漏れ電流
の劣化が抑制される。
の劣化が抑制される。
(へ)実施例
高純度のアルミニウム粉末を焼結成形(1)し、電解液
中で電気化学的にアルミニウム表面に酸化物(2)を生
成させ、誘電体酸化皮膜(2)を作る。
中で電気化学的にアルミニウム表面に酸化物(2)を生
成させ、誘電体酸化皮膜(2)を作る。
次に酸化剤を含む溶液に浸漬し、均一に分散した後、ピ
ロール、チオフェン、アニリン、フラン等の導電性高分
子の単量体を含む溶液に接触させ、誘電体酸化皮膜(2
)上に化学酸化重合によって導電性高分子の薄膜(3)
を均一に形成させ、酸化皮膜表面を導電化する。次に第
1図および第2図に示す如く、化学酸化重合によって生
成した導電性高分子膜(3)上にコンデンサの電極引出
端子兼電解重合用導電体(13)を接触接続し、ピロー
ル、チオフェン、アニリン、フラン等の導電性高分子の
単量体が溶解された電解液中に浸漬する。尚、(13)
はステンレス容器(陰極)である。導電性高分子膜(3
)に接触させた導電体(14)を陽極とし、導電性高分
子単量体を含む電解液(9)を陰極とし、定電流電源(
10)から定電流(0、5m A −1m A/P、1
〜2Hr)で電解重合を行い、均一で強固な導電性高分
子膜(4)を生成する。
ロール、チオフェン、アニリン、フラン等の導電性高分
子の単量体を含む溶液に接触させ、誘電体酸化皮膜(2
)上に化学酸化重合によって導電性高分子の薄膜(3)
を均一に形成させ、酸化皮膜表面を導電化する。次に第
1図および第2図に示す如く、化学酸化重合によって生
成した導電性高分子膜(3)上にコンデンサの電極引出
端子兼電解重合用導電体(13)を接触接続し、ピロー
ル、チオフェン、アニリン、フラン等の導電性高分子の
単量体が溶解された電解液中に浸漬する。尚、(13)
はステンレス容器(陰極)である。導電性高分子膜(3
)に接触させた導電体(14)を陽極とし、導電性高分
子単量体を含む電解液(9)を陰極とし、定電流電源(
10)から定電流(0、5m A −1m A/P、1
〜2Hr)で電解重合を行い、均一で強固な導電性高分
子膜(4)を生成する。
次にカーボン(15)を含浸乾燥させる。以上の各処理
を行った素子を樹脂外装(樹脂デイツプ)又はアルミニ
ウム等の金属ケースあるいは樹脂ケースに挿入し、エポ
キシ樹脂等で封止しコンデンサを完成する。このとき上
記の電解重合時に用いた導電体(14)をコンデンサの
陰極端子として使用する。
を行った素子を樹脂外装(樹脂デイツプ)又はアルミニ
ウム等の金属ケースあるいは樹脂ケースに挿入し、エポ
キシ樹脂等で封止しコンデンサを完成する。このとき上
記の電解重合時に用いた導電体(14)をコンデンサの
陰極端子として使用する。
導電体(14)は導電性を有するものなら何でも使用で
きるが、アルミニウム線、ステンレス線等に半田メツキ
CP線を溶接した電極を使用するのが望ましい。本発明
は焼結体の他、箔式についても可能であり、この実施例
に限定されるものではない。
きるが、アルミニウム線、ステンレス線等に半田メツキ
CP線を溶接した電極を使用するのが望ましい。本発明
は焼結体の他、箔式についても可能であり、この実施例
に限定されるものではない。
第1表は本発明の実施例と従来例の特性を示すものであ
る。即ち(A)は本発明の実施例であり、電解重合に用
いた導電体(14)をコンデンサの陰極端子として使用
したものである。また(B)は従来例であり、電解重合
に用いた導電体(8)を取去り、カーボンを含浸し、乾
燥後、銀ペーストを用いて陰極引出端子を取出している
。この表から本発明の方(A)が従来例(B)より遥か
に性能が優れ測定値は資料 n=20個の平均値、容量1 u F / 25 Vv
” V、C:静電容量(測定周波数120Hz)tan
δ:損失角の正接(測定周波数120Hz)E、S、R
:等個直列抵抗(100KHz)L、C,:漏れ電流(
25V、60秒値)(ト)発明の効果 本発明の固体電解コンデンサの製造方法によれば、コン
デンサ素子の電極引き出しリード線を兼用して、ポリピ
ロール等の導電性高分子の電解重合のための給電を行な
う為、特別な給電用電極も不要で且つ素子を傷つけるこ
となく、均一な導電性高分子膜を形成でき、漏れ電流を
小さくすることが可能となる。しがも誘電体酸化皮膜上
に化学酸化重合により形成された導電性高分子膜の上に
、更に良質な導電性高分子の電解重合膜を形成すること
ができるので、コンデンサの電気特性が向上する。また
、従来の製造方法の如く別途外部電極を設ける必要がな
く、それ故製造工数が削減されて経済的にも有利であり
、製造方法としても従来例より、簡単な方法であるので
、量産化に極めて好適である。
る。即ち(A)は本発明の実施例であり、電解重合に用
いた導電体(14)をコンデンサの陰極端子として使用
したものである。また(B)は従来例であり、電解重合
に用いた導電体(8)を取去り、カーボンを含浸し、乾
燥後、銀ペーストを用いて陰極引出端子を取出している
。この表から本発明の方(A)が従来例(B)より遥か
に性能が優れ測定値は資料 n=20個の平均値、容量1 u F / 25 Vv
” V、C:静電容量(測定周波数120Hz)tan
δ:損失角の正接(測定周波数120Hz)E、S、R
:等個直列抵抗(100KHz)L、C,:漏れ電流(
25V、60秒値)(ト)発明の効果 本発明の固体電解コンデンサの製造方法によれば、コン
デンサ素子の電極引き出しリード線を兼用して、ポリピ
ロール等の導電性高分子の電解重合のための給電を行な
う為、特別な給電用電極も不要で且つ素子を傷つけるこ
となく、均一な導電性高分子膜を形成でき、漏れ電流を
小さくすることが可能となる。しがも誘電体酸化皮膜上
に化学酸化重合により形成された導電性高分子膜の上に
、更に良質な導電性高分子の電解重合膜を形成すること
ができるので、コンデンサの電気特性が向上する。また
、従来の製造方法の如く別途外部電極を設ける必要がな
く、それ故製造工数が削減されて経済的にも有利であり
、製造方法としても従来例より、簡単な方法であるので
、量産化に極めて好適である。
第1図および第2図は本発明の固体電解コンデンサの製
造に適用する場合の説明図面であり、第1図は電解重合
の給電状態を示す図面、第2図はコンデンサの断面図、
第3図は従来方法よるコンデンサの断面図、第4図は電
解重合の給電状態を示す図面、第5図および第6図は従
来の製造方法の他の実施例を説明するための図面であり
、第5図はコンデンサの断面図である。 (1)・・・弁作用を有する金属箔、(2)・・・誘電
体酸化皮膜、(3)・・・化学酸化重合による導電性高
分子層、(4)・・・電解重合による導電性高分子膜、
(5)・・・コンデンサ用リード線、(6)・・・コン
デンサ素子、(7)・・・コンデンサの陰極リード、(
8)・・・外部電極、(9)・・・電解液、(10)・
・・直流電源、(11)・・・電解重合用対極電極、(
14)・・・電解重合用導電体兼コンデンサの陰極リー
ド。 第1図 第2図 第6図
造に適用する場合の説明図面であり、第1図は電解重合
の給電状態を示す図面、第2図はコンデンサの断面図、
第3図は従来方法よるコンデンサの断面図、第4図は電
解重合の給電状態を示す図面、第5図および第6図は従
来の製造方法の他の実施例を説明するための図面であり
、第5図はコンデンサの断面図である。 (1)・・・弁作用を有する金属箔、(2)・・・誘電
体酸化皮膜、(3)・・・化学酸化重合による導電性高
分子層、(4)・・・電解重合による導電性高分子膜、
(5)・・・コンデンサ用リード線、(6)・・・コン
デンサ素子、(7)・・・コンデンサの陰極リード、(
8)・・・外部電極、(9)・・・電解液、(10)・
・・直流電源、(11)・・・電解重合用対極電極、(
14)・・・電解重合用導電体兼コンデンサの陰極リー
ド。 第1図 第2図 第6図
Claims (1)
- (1)(a)アルミニウムやタンタル等の弁作用を有す
る皮膜形成性金属の表面に絶縁性の誘電体酸化皮膜を形
成し、 (b)該誘電体酸化皮膜上に化学酸化重合 によりピロール、チオフエン、アニリン、フラン等の導
電性高分子膜を形成し、 (c)該導電性高分子膜に電解重合用導電 体を接触接続し、 (d)ピロール、チオフエン、アニリン、 フラン等の導電性物質の溶解された電解液中に前記導電
体の接触接続された皮膜形成用金属を浸漬し、 (e)前記導電体に正電圧を印加して電解 重合により前記導電性高分子膜上に、更に前記ピロール
、チオフエン、アニリン、フラン等の導電性高分子層を
形成させ、 該導電性高分子層を固体電解質として使用すると共に前
記導電体をコンデンサの電極引出端子に兼用使用するこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2140996A JP3030054B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2140996A JP3030054B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434915A true JPH0434915A (ja) | 1992-02-05 |
| JP3030054B2 JP3030054B2 (ja) | 2000-04-10 |
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ID=15281734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2140996A Expired - Fee Related JP3030054B2 (ja) | 1990-05-30 | 1990-05-30 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030054B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06234852A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-08-23 | Nec Corp | ポリアニリンまたはその誘導体及びそれらの溶液の 製造方法、ポリアニリンまたはその誘導体の高導電 化方法、及び固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH08143771A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-04 | Nec Corp | 耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体及び固体電解コ ンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JPH08206241A (ja) * | 1994-02-28 | 1996-08-13 | M G Kogyo Kk | 遠赤外線磁石 |
| JPH10321471A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2008054931A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Kiyoko Kameoka | 肩掛けと背負いの両方の機能を有するバッグ |
| CN119800385A (zh) * | 2024-12-31 | 2025-04-11 | 聚镕光电(广州)新材料科技有限公司 | 一种基于电化学聚合的高致密性高稳定性的导电聚合物薄膜的制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11270847B1 (en) | 2019-05-17 | 2022-03-08 | KYOCERA AVX Components Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
-
1990
- 1990-05-30 JP JP2140996A patent/JP3030054B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH06234852A (ja) * | 1992-09-11 | 1994-08-23 | Nec Corp | ポリアニリンまたはその誘導体及びそれらの溶液の 製造方法、ポリアニリンまたはその誘導体の高導電 化方法、及び固体電解コンデンサの製造方法 |
| JPH08206241A (ja) * | 1994-02-28 | 1996-08-13 | M G Kogyo Kk | 遠赤外線磁石 |
| JPH08143771A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-04 | Nec Corp | 耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体及び固体電解コ ンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JPH10321471A (ja) * | 1997-05-22 | 1998-12-04 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
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| CN119800385A (zh) * | 2024-12-31 | 2025-04-11 | 聚镕光电(广州)新材料科技有限公司 | 一种基于电化学聚合的高致密性高稳定性的导电聚合物薄膜的制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3030054B2 (ja) | 2000-04-10 |
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