JPH02256249A - 回路基板およびその表面処理方法 - Google Patents

回路基板およびその表面処理方法

Info

Publication number
JPH02256249A
JPH02256249A JP1199831A JP19983189A JPH02256249A JP H02256249 A JPH02256249 A JP H02256249A JP 1199831 A JP1199831 A JP 1199831A JP 19983189 A JP19983189 A JP 19983189A JP H02256249 A JPH02256249 A JP H02256249A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
gold
bonding
board according
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1199831A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2947824B2 (ja
Inventor
Kaoru Katayama
薫 片山
Mitsugi Shirai
白井　貢
Hideaki Sasaki
秀昭 佐々木
Shinichi Wai
伸一 和井
Mamoru Kobayashi
守 小林
Ryohei Sato
了平 佐藤
Takeoki Miyauchi
宮内　建興
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of JPH02256249A publication Critical patent/JPH02256249A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2947824B2 publication Critical patent/JP2947824B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3465—Application of solder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、回路基板とその金属表面の改質処理方法に関
し、特に均質でハンダ濡れ性およびボンディング接続性
のよい金属層を得るため、母材表面を安価に清浄化する
ことが可能な回路基板とその表面の金属の均質化処理方
法に関する。
〔従来の技術〕
ハンダ付けにより良好な接続状態を得るためには、接続
物および被接続物（以下、母材と呼ぶ）の原子がハンダ
の原子と相互に拡散する必要がある。
また、このような拡散反応を生じさせて、良好なハンダ
の濡れ性を得るためには、充分な熱とともに、母材表面
が清浄であることが重要である。
このため、ハンダ付けを行う際には、フラックスと呼ば
れる還元性を有する有機酸によって、母材の表面の酸化
物を化学反応により除去する方法が一般に行われている
。
また、フラックスのみの化学反応では汚れの除去が期待
できない場合、母材の種類に応じて、塩酸、硫酸、過硫
酸アンモニューム等の酸で表面の酸化物を除去したり、
サンドペーパーやワイヤブラシ等を用いてメカニカルに
汚れを除去する方法が一般に行われている。
一方、金属材料、鋼材、炭化物等に対して、レザビーム
を急速にスキャンすることにより超微細均一組織あるい
は非晶質構造を有し、耐触性、耐摩耗性等に優れた材料
を得る方法（グレージング）が提案されている。このグ
レージングは、高温高圧下に晒される金属材料（例えば
、自動車タービン用材料）等への適用が考えられる。
なお、レーザビームによる加工については、例、えば、
パ小林　昭著「続・レーザー加工Ｊｌ　ｐｐ、１６４頁
、開発社発行″において論じられている。
その他、この種の技術に関連するものとしては、例えば
、特開昭６３−９７３８２号公報および特開昭６２−２
５６９６１号公報に記載された技術がある。前者の方法
では、金属部材のプラスト加工により粗面に形成された
表面に合金元素をメッキした後、その上にレーザービー
ムを照射してメッキ層を溶融処理することにより、ピン
ホールのない密着性の高いコーティング被膜の金属部材
を得ている。また、後者の方法では、アルミニウムまた
はその合金からなる基材の表面に陽極酸化皮膜を被覆す
ることにより、耐食性が良好で、ハンダ付性の容易な表
面処理層を付与することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述の従来技術では、ハンダ付は前に酸等の化学処理を
行うため、充分に洗浄する必要があるとともに、常に残
存した酸による腐食のポテンシャルが残るという問題が
あった。
また、水洗後の乾燥が必須であり、この工程で母材表面
が再酸化されるという問題もあった。
また、母材表面の酸化物や汚れを除く効果はあるが、ハ
ンダが濡れ易いように表面を改善する点、または酸化し
難い表面を作る点については、期待できない。
また、メッキ等の表面状態を清浄化することはできるが
、メッキと下地との間の不良については、改善したり、
これを摘出したりすることはできなかった。
さらに、このような方法を実現するためには、多額の投
資を要する設備と膨大な工数を用意する必要があった。
本発明の目的は、これらの課題を解決し、簡単な方法で
金属の改質を行うことができ、ハンダ濡れ性およびボン
ディング接続性のよい金属層を安価に得ることができる
回路基板とその表面処理方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の回路基板は金と全以
外の金属との均質な合金層を少なくとも表面に有する接
合部を、基板上に設けたことに特徴がある。また、本発
明による回路基板の表面処理方法は、基板上に設けられ
、かつ２種類以上の金属を有する接合部にレーザー光を
照射し、その接合部の表面の金属を溶、融拡散させて、
均質な合金層を形成することに特徴がある。
〔作　　用〕
本発明においては、高密度な光により瞬間的に被ハンダ
付は物の表面を溶解し、凝固することにより、次に示す
（ｉ）〜（ｉｉｉ）のようにハンダの濡れ性を改善する
。
（ｉ）メッキ、シンター（熱処理）等により表面および
表面近傍に形成された個々の物質を溶解することにより
、均質な濡れ性の良い合金層を形成する。
（Ｈ）プロセス上で表面に吸着している水分や有機物等
をガス化して、ハンダ付は時の熱で発生する有機物のガ
スを予め除去し、緻密な金属層を作る。
（ｉｉｉ）溶解および凝固が瞬間であるため、酸化する
おそれがない。
さらに、瞬間加熱による母材表面の蒸発作用により、次
の（ｉＶ）、　（Ｖ）に示す効果を得る。
（ｉｖ　）母材表面に付着したカーボン等の有機物が瞬
間的に蒸発する。
（Ｖ）加熱パワーを上げることにより、濡れ性を阻害す
る金属の酸化物自体を蒸発させ、清浄な金属層を得る。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を、図面により詳細に税引する。
第２図は、本発明の一実施例における処理前の母材の表
面状態を示す断面説明図である。
第２図において、１はアルミナ等のセラミックサブスト
レート、２はＷ、Ｃｕ等の導体、３はニッケル（Ｎｉ）
、４は金（Ａｕ）であり、これらが本実施例の母材を構
成する。なお、導体２はサブストレート１上に設けられ
た配線部の一端であって、ニッケル３および金４によっ
て接合部を形成する。
このような配線部および接合部を有する基板は、全体と
して回路基板を構成する。
第３図は、第２図における母材の製造工程を示すフロー
チャートである。
先ず、焼成前のサブストレートｌ上に、導体２としてタ
ングステンやモリブデン等の高溶点金属を印刷しくステ
ップ３１）、焼成する（ステップ３２）。次に、この上
に通常メッキによりニッケル３を付着する（ステップ３
３）０次に、図示していないが、３５０℃の温度でアニ
ールを行った後、金４を付着してメッキを行う（ステッ
プ３４）。次に、導体２とニッケル３、およびニッケル
３と金４との密着性を向上させるため、通常はメッキ後
にシンターと呼ばれる熱処理を実施する（ステップ３５
）。
この場合、熱により導体２」二のニッケル３は金メッキ
中に拡散し、特に金４の粒界を通して拡散は速く、第２
図に示すように、ニッケル３が単独で金メッキ表面まで
到達し、母材表面は金リッチの金とニッケルの合金とニ
ッケルリッチのニッケルと金の合金とのスピノーダルな
組織を形成する。
第１図は、本発明の一実施例を示すＡｕの表面改質の断
面説明図である。
本実施例では、レーザー反射板７および集合レンズ６を
介してレーザー光を第２図に示した母材に照射し、表面
改質を行う。
この場合、母材はレーザーの照射を受けながら矢印の方
向にＸＹ子テーブル図示せず）で搬送される。
これにより、レーザー光が照射されたエリアは瞬間的に
加熱されて、金層中のニッケル３と金４とが溶解し、ニ
ッケルー金（Ｎｉ−Ａｕ）合金５が生成される。
本実施例では、導体２のニッケルメッキ厚は５μｍ、金
４の金メッキ厚は３μｍ、メッキ後の熱処理は７５０℃
で１０分である。
また、照射したレーザー光の波長は３０８ｎｍであり、
エキシマレーザ−により得られる。このレーザー光の波
長およびパワーは、金４とニッケル３の厚さ、およびパ
ターンの形状やレイアウトに依存するが、１５０〜１１
００ｎｍ％０．５〜５　Ｊ　／　ｃｎｔの間に適正値が
認められた。なお、レーザー光のパルス幅はｌμｓにす
ることが望ましい。
また、シンター処理により金４中に拡散したニッケル（
Ｎｉ）３は、従来、ハンダの濡れ広がり性を阻害し、不
良な接続の原因となっていたが、本実施例のＡｕの表面
改質では、金層中のニッケル３および金°４は光のエネ
ルギーにより瞬時に溶解して凝固し、ニッケル３は金４
中に溶解されてニッケルを少竜含んだＮｉ−Ａｕ合金５
が生成され、ハンダの濡れ性が大幅に改善される。
なお、レーザー光の出力が太き過ぎると、ニッケル３が
蒸発して全暦表面に再付着するので、ハンダの濡れ性が
悪化する。また、レーザー光によって金の表面近傍のみ
を溶解させればよいのであり、溶解がニッケル３の単層
にまで届くと、ハンダの濡れ性が悪化する。
なお、本実施例では、ニッケルはメッキによって構成し
たが、メッキ法に限定されることなく、他の金属膜形成
法においても、同様な効果を得ることができる。
また、濡れ性を阻害する全表面へのニッケルの析出は、
熱工程による拡散に限定されることはない。例えば、第
４図に示すように、表面に付着した金層８が非常に薄く
、ピンホール９の発生によりニッケル３が露出する場合
にも、本実施例を適用することにより、同様にして均質
な金−ニッケル層が生成され、濡れ性が改善される。
さらに、長期間の放置により表面の全表面に拡散したニ
ッケルを、本実施例の表面改質により溶融させて、濡れ
性を蘇生することもできる。
また、金メッキの下地は、ニッケルに限定されることは
ない。例えば、本実施例のニッケルメッキの代わりにコ
バルトメッキを使用しても、同様の効果を得ることがで
きる。
さらに、第５図に示すように、母材１０の表面上に付着
したカーボン１１等の非金属の汚れに対しても、レーザ
ー光１２の照射を行うことにより、瞬時に清浄化するこ
とができる。従って、ハンダの濡れ広がり時には、汚れ
等により巣（ボイド）等が発生する可能性もあるが、第
５図の処理ではこのようなボイド等の低減に役立つ。
また、本実施例のようなレーザー加工で合金５を生成す
ることにより、良好なハンダ付は面を得ることができる
のは勿論であるが、そればかりでなく、このような合金
５に金線をボンディングする場合にも接続性が向上する
。
第６図は、本発明の応用例を示す図であって、合金に金
線をボンディングした場合の断面図である。
第６図に示すように、本実施例により生成した合金５上
に、金線１３をボンディングによって接続する場合には
、極めて良好な接続性を得ることができる。金線１３の
接合部を合金５上に接続するため、先ずその金線１３の
先端を加圧し、次にその先端を圧着した後、接合部分に
超音波を照射する。金線１３の上方の１４は、被覆部で
ある。
このように、回路基板の配線部分には金線等を接続する
接合部が設けられ、これらの接合部は金層４およびその
金層４と接合部とを結合する結合層（タングステン２、
ニッケル３、金４の層）からなり、そして接合部の表面
には、少なくとも金と結合層から析出された金属（ここ
では、ニッケル３）との均質な合金層５とが設けられる
。
第７図は、エキシマレーザ−光を母材表面に照射した場
合と、照射しない場合を比較した写真である。
本実施例においては、短波長のレーザー光を被ハンダ付
は物の母材表面に照射することにより、第７図（ｂ）に
示すように、瞬間的に母材の表面のみを溶解して凝固さ
せ、ハンダの濡れ性を阻害する物質を濡れ性の良い合金
に変化させることができる。第７図（ａ）の写真の左半
分は未照射部であり、右半分は照射部である。未照射部
は第７（２）（ｂ）の写真に示すように、金リッチの金
（白い部分）とニッケルリッチのニッケル（黒い部分）
が混在しており、さらに表面上には有機物も存在するこ
とを示している。照射部は第７図（Ｃ）の写真に示すよ
うに、白黒の境界が不明瞭であり、金リッチの金とニッ
ケルの合金、およびニッケルリッチのニッケルと金の合
金とのスピノーダルな組織が形成されていることを示し
ている。照射部におけるハンダの濡れ性は、未照射部に
対して最高２゜７倍も向上する。
第８図（ａ）は、母材表面に付着したカーボンを示す写
真、第８図（ｂ）は、レーザ光を照射した後の母材表面
を示す写真である。
第°８図（ａ）では、第５図に示すように、母材１０の
表面にカーボン１１が付着した状態（黒い部分）を示し
ている。また、その他の表面にも有機物が付着している
。第８図（ｂ）では、レーザ加工を行うことにより、母
材表面から瞬間的にカーボンが除去され、有機物等も除
かれて、表面が清浄化される。
第９図は、第５図に示すように、母材の表面にカーボン
が付着した状態をＸ線分析したデータを示す図である。
第９図の横軸は、母材ｌＯの表面から発生する２次電子
のエネルギー（ＫｅＶ）を示し、縦軸はその強度を示す
。２次電子エネルギーは、低い方からＣ９○、Ｎｉ、Ａ
ｕの順に高くなっており、この場合にはＣの２次電子の
放射が最も強いことを示しているので、カーボン（Ｃ）
が付着していることがわかる。
第１０図は、レーザ加工することにより、カーボンが除
去されたことを示す分析図である。
第５図に示すカーボン１１が付着した母材１０に前述の
レーザー加工を行うと、第１０図に示すように、Ｘ線分
析データでは、カーボン（Ｃ）の２次電子発生は殆んど
なく、ＮｉおよびＡｕの２次電子の発生のみが示され、
カーボン（Ｃ）が除去されていることがわかる。表面か
らの２次電子の放射量は、フォトマル等の光電子倍増管
により増幅されて、電流に変換された後、その強度が表
示される。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、金と全以外の金
属との均質な合金層を表面に有する接合部を基板上に設
けたので、均質でハンダ濡れ性およびボンディング接続
性のよい金属層を得ることができる。その結果、前処理
に水洗処理がないため、母材表面の再酸化や、残存する
酸による腐食の心配はなく、かつハンダが濡れ易い表面
を安価に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すＡｕの表面改質方法の
断面説明図、第２図は第１図における処理前の母材の表
面状態を示す断面図、第３図は本発明の母材の製造工程
を示すフローチャート、第４図は母材に対し薄いメッキ
を施した時に発生するピンホールの状態を示す断面説明
図、第５図は本発明の応用例を示すもので、有機物や酸
化物等の除去例を示す図、第６図は本発明により製造し
た母材表面に金線をボンディングした状態を示す図、第
７図はエキシマレーザ−光を母材表面に照射した場合と
しない場合の拡大比較写真、第８図はカーボンが付着し
た母材表面の写真と表面にレーザー光を照射した後の表
面の拡大写真、第９図はカーボンが付着した母材表面の
分析図、第１０図はレーザ加工によりカーボンが除去さ
れたことを示す分析図である。 １°サブストレート、２．導体、３．ニッケル（Ｎｉ）
、４：金（Ａｕ）、５：ニッケルー金（Ｎｉ−Ａｕ）合
金、６；集光レンズ、７：レーザー反射板、８：薄い導
体、９：ピンホール、１０：母材、１１二有機物または
酸化物、１２：レーザー光、１３：金線、１４：被覆。 第　　２ 図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 手続ネ目丁正書（方式） 平成生年←会月＋８：日 長

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. １．金と金以外の金属との均質な合金層を少なくとも表
    面に形成した接合部分を、基板の上に設けたことを特徴
    とする回路基板。
  2. ２．上記接合部分は、ハンダ付けされる表面であること
    を特徴とする請求項１に記載の回路基板。
  3. ３．上記接合部分は、ボンディングされる表面であるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
  4. ４．上記基板は、セラミック基板であることを特徴とす
    る請求項１に記載の回路基板。
  5. ５．上記金以外の金属として、金との接合に優れたＮｉ
    を含む金属を主成分とすることを特徴とする請求項１に
    記載の回路基板。
  6. ６．金メッキ層を有し、かつ該金メッキ層の少なくとも
    表面に金以外の金属との均質な合金層を形成した接合部
    分を、基板上に設けたことを特徴とする回路基板。
  7. ７．上記接合部分は、ハンダ付けされる表面であること
    を特徴とする請求項６に記載の回路基板。
  8. ８．上記接合部分は、ボンディングされる表面であるこ
    とを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
  9. ９．上記基板は、セラミック基板であることを特徴とす
    る請求項６に記載の回路基板。
  10. １０．上記金以外の金属として、金との接合に優れたＮ
    ｉを含む金属を主成分とすることを特徴とする請求項６
    に記載の回路基板。
  11. １１．基板に設けられた配線部分の所定箇所に接合部分
    を設け、該接合部分は、金層および該金層と上記配線部
    分とを結合する結合層を有し、該接合部分の表面には、
    少なくとも金と上記結合層から析出された金属との均質
    な合金層を有することを特徴とする回路基板。
  12. １２．上記接合部分は、ハンダ付けされる表面であるこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
  13. １３．上記接合部分は、ボンディングされる表面である
    ことを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
  14. １４．上記基板は、セラミック基板であることを特徴と
    する請求項１１に記載の回路基板。
  15. １５．上記結合層の金属として、金との接合に優れたＮ
    ｉを含む金属を主成分とすることを特徴とする請求項１
    １に記載の回路基板。
  16. １６．上記配線部分の金属として、Ｗ，Ｃｕの中の少な
    くとも１つを主成分とすることを特徴とする請求項１１
    に記載の回路基板。
  17. １７．基板上に設けられ、かつ２種類以上の金属を有す
    る接合部分の表面にレーザー光を照射し、該接合部分の
    表面の金属を溶融拡散させて均質な合金層を形成するこ
    とを特徴とする回路基板の表面処理方法。
  18. １８．上記２種類以上の金属は、金とそれ以外の金属で
    あることを特徴とする請求項１７に記載の回路基板の表
    面処理方法。
  19. １９．上記それ以外の金属は、Ｎｉを含む金属であるこ
    とを特徴とする請求項１８に記載の回路基板の表面処理
    方法。
  20. ２０．上記接合部分を、ハンダ付けされる表面で形成し
    て、ハンダ濡れ性を向上させたことを特徴とする請求項
    １７に記載の回路基板の表面処理方法。
  21. ２１．上記接合部分を、ボンディングされる表面で形成
    して、ボンディング性を向上させることを特徴とする請
    求項１７に記載の回路基板の表面処理方法。
  22. ２２．上記レーザー光は、１５０〜１１００ｎｍの波長
    を有することを特徴とする請求項１７に記載の回路基板
    の表面処理方法。
  23. ２３．上記レーザー光は、そのパワー密度を０．５〜５
    Ｊ／ｃｍ＾３の高密度にすることを特徴とする請求項１
    ７に記載の回路基板の表面処理方法。
  24. ２４．上記レーザー光は、そのパルス幅を１μｓ以下と
    することを特徴とする請求項１７に記載の回路基板の表
    面処理方法。
  25. ２５．基板上に設けられ、かつ２種類以上の金属を有す
    る接合部分の表面にレーザー光を照射し、該接合部分の
    表面の汚染物質を除去して、均質な合金層を形成するこ
    とを特徴とする回路基板の表面処理方法。
  26. ２６．上記汚染物質は、有機物であることを特徴とする
    回路基板の表面処理方法。
JP19983189A 1988-08-30 1989-08-01 回路基板およびその表面処理方法 Expired - Fee Related JP2947824B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21568088 1988-08-30
JP63-215680 1988-08-30

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8197298A Division JPH0927672A (ja) 1996-07-26 1996-07-26 回路基板およびその表面処理方法
JP25351698A Division JP3201356B2 (ja) 1998-09-08 1998-09-08 エキシマレ―ザによる基板表面処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02256249A true JPH02256249A (ja) 1990-10-17
JP2947824B2 JP2947824B2 (ja) 1999-09-13

Family

ID=16676383

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19983189A Expired - Fee Related JP2947824B2 (ja) 1988-08-30 1989-08-01 回路基板およびその表面処理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5023407A (ja)
JP (1) JP2947824B2 (ja)
KR (1) KR920005459B1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994014190A1 (fr) * 1992-12-10 1994-06-23 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Structure superficielle pour le brasage et procede de brasage sans flux faisant appel a cette structure
WO2018074035A1 (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法
JP2018067599A (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法
JP2018067600A (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190601A (en) * 1989-12-07 1993-03-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
JP2760107B2 (ja) * 1989-12-07 1998-05-28 住友電気工業株式会社 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
US5601737A (en) * 1993-07-27 1997-02-11 Matsushita Electric Works, Ltd. Surface treating process involving energy beam irradiation onto multilayered conductor parts of printed circuit board
JP2004315941A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Matsushita Electric Works Ltd 半田付け用端子の製造方法
JP2004152750A (ja) * 2002-10-10 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 半田付け端子、及び半田付け端子の表面の処理方法
DE102006060408A1 (de) * 2006-12-20 2008-06-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung korrosionsbeständiger Metalloberflächen und Reflektor mit metallischer Oberfläche
US20170100744A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-13 Tyco Electronics Corporation Electronic Component and Process of Producing Electronic Component
KR101944997B1 (ko) * 2017-01-06 2019-02-01 조인셋 주식회사 금속패드 인터페이스

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2724641C2 (de) * 1977-06-01 1986-04-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Aufbringen von Lötungen auf Goldschichten
FR2476913B1 (fr) * 1980-02-25 1985-09-13 Nippon Electric Co Circuit a plusieurs couches pour integration a grande echelle et procede de fabrication de ce circuit
US4628149A (en) * 1981-11-30 1986-12-09 Nippon Electric Co., Ltd. Substrate having a pattern of an alloy of gold and a noble and a base metal with the pattern isolated by oxides of the noble and the base metals
JPS5933894A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 電気化学工業株式会社 混成集積用回路基板の製造法
US4681656A (en) * 1983-02-22 1987-07-21 Byrum James E IC carrier system
JPS60136294A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 株式会社日立製作所 セラミック多層配線回路板
US4737839A (en) * 1984-03-19 1988-04-12 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Semiconductor chip mounting system
US4597029A (en) * 1984-03-19 1986-06-24 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Signal connection system for semiconductor chip
US4785137A (en) * 1984-04-30 1988-11-15 Allied Corporation Novel nickel/indium/other metal alloy for use in the manufacture of electrical contact areas of electrical devices
JPS62256961A (ja) * 1986-04-30 1987-11-09 Mitsubishi Electric Corp アルミニウム・又はアルミニウム合金への表面処理方法とその装置
JPS6397382A (ja) * 1986-10-13 1988-04-28 Nkk Corp 金属部材のコ−テイング方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994014190A1 (fr) * 1992-12-10 1994-06-23 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Structure superficielle pour le brasage et procede de brasage sans flux faisant appel a cette structure
US5635764A (en) * 1992-12-10 1997-06-03 Nippondenso Co., Ltd. Surface treated structure for solder joint
WO2018074035A1 (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法
JP2018067599A (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法
JP2018067600A (ja) * 2016-10-18 2018-04-26 株式会社デンソー 電子装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5023407A (en) 1991-06-11
JP2947824B2 (ja) 1999-09-13
KR920005459B1 (ko) 1992-07-04
KR900004224A (ko) 1990-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3355251B2 (ja) 電子装置の製造方法
AU634441B2 (en) A fluxless soldering process
US4531044A (en) Method of laser soldering
JPH02256249A (ja) 回路基板およびその表面処理方法
JPH09505001A (ja) フッ素含有プラズマを用いた、フラックス無しはんだ付け予備処理システムと、はんだ付け方法
JPS63115397A (ja) 集積回路の修理方法
JPH07193365A (ja) 半田コーティング方法及び該コーティングにおける使用に適切な半田ペースト
JPH08218137A (ja) レーザー溶接性に優れた銅または銅合金部材
WO1996016768A1 (de) Verfahren zum bonden von drähten auf oxidationsempfindlichen, lötbaren metallsubstraten
JP3201356B2 (ja) エキシマレ―ザによる基板表面処理方法
JP2004277837A (ja) 表面処理方法、電子部品並びにコネクタピンの製造方法、および電子部品
JPH05208258A (ja) 半田付け装置
JPH0927672A (ja) 回路基板およびその表面処理方法
JP2969054B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JPH05160550A (ja) プリント基板回路リペア方法
WO1984002867A1 (en) Method of laser soldering
JPS61244094A (ja) 多層配線板の製造方法
JP2760093B2 (ja) 回路基板の製造方法
JPH06216516A (ja) 電子部品のはんだ付方法
JPH06181260A (ja) 微細配線の修正方法および修正装置
JP2004152559A (ja) 電子部品及びその製造方法
KR0183477B1 (ko) 전자 어셈블리의 제조 방법
JPS63160297A (ja) レ−ザ−による半田付方法
JP2904756B2 (ja) プリント基板への穿孔方法およびその方法を有するプリント基板の製造方法
JP2007297668A (ja) メッキ製品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees