JPH02257029A - 圧力センサ - Google Patents

圧力センサ

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Publication number
JPH02257029A
JPH02257029A JP1232454A JP23245489A JPH02257029A JP H02257029 A JPH02257029 A JP H02257029A JP 1232454 A JP1232454 A JP 1232454A JP 23245489 A JP23245489 A JP 23245489A JP H02257029 A JPH02257029 A JP H02257029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
housing
pressure
base
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1232454A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Maeda
均 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Copal Electronics Corp
Original Assignee
Copal Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Copal Electronics Co Ltd filed Critical Copal Electronics Co Ltd
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Publication of JPH02257029A publication Critical patent/JPH02257029A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は圧力を歪量に変換し、その歪量を更に電気量に
変換して電気信号として取り出す圧力変換器の圧力セン
サに関するものである。
(ロ)従来技術 セラミック薄板で起歪部であるダイアフラム(以下単に
ダイアフラムという)を形成し、このダイアフラム上に
厚膜抵抗等を用いて感圧抵抗素子を形成した構造の圧力
センサの従来例を第1図に示す。薄板状セラミックダイ
アフラム1とセラミック基台2とを低融点ガラス部材3
で接着する。更に前記ダイアフラムには厚膜抵抗による
複数の感圧抵抗素子4が形成され、こららは同様に厚膜
手法等により作成された電極部5等を介して外部の部材
と電気的に接続される。(第2図参照)セラミック基台
の中心には導入口りが設けである。第3図は上述のよう
に構成した圧力センサ構成部がハウジングC内に組込ま
れた状態のの断面図を示す。中心に圧力導入口6を穿設
したハウジングCの内部に圧力センサ構成部が収納され
、薄板状ダイアフラム1と対面しているハウジングCの
内側に0リング7が介装され、セラミック基台2はその
下方に設けた止めねじ8をハウジングC内側に形成した
ねじSに螺合することにより、ノ\ウジングC内に動か
ないように収容される。符号9は接続用リード線である
。
(ハ)発明の解決しようとする問題点 」二連のような従来例の圧力センサにおいては、薄板状
セラミックダイアフラムを接着等によりセラミック基台
に固定することにより、起歪部であるダイアフラムを形
成せしめてなるものであるから、接着時における残留応
力や圧力センサ構成部をハウジング等に固定する際の応
力が、ダイアフラムに伝搬し、これがため圧力センサ特
性を著しく悪化させている等の欠陥が存在する。
(ニ)問題点を解決するだめの手段、作用本発明は不用
の応力がダイアフラムに伝搬することを防止して、圧力
センサの特性を達成するために、セラミック基台に一体
加工を施して圧力センサ構成部を形成したものである。
特に起歪部であるダイアプラムとセラミック基台とを一
体形成すると共に、更にセラミック基台に環状スリ・シ
ト溝を設けて、アフジング取付時の応力や歪をダイアフ
ラムに伝搬させないように構成したものである。
(ホ)実施例 添付図面第4図、第5図、第6図は本発明に係る一実施
例を示す。本発明の実施例においては、ダイアフラムや
基台にセラミック等の使用を最適とする。
はぼ円筒状のセラミック基台10の中央にハウジングC
の圧力導入口6と連通ずる孔部6′ を穿設し、この孔
部の底部に起歪部であるダイアフラム11を基台10と
一体に形成する。ダイアフラム11の反対面には感圧抵
抗素子15を設ける。
セラミック基台10の底部にはダイアフラム11に形成
した感圧抵抗素子群15を囲、晩するように環状溝13
を穿設する。セラミック基台10とハウジングCとの間
はOリング12の介在により密閉される。又セラミック
基台10の下方より中央に孔8′を具えた止めねじ8を
ハウジングC内側に形成したねじSに螺合することによ
り、セラミック基台10はハウジングCに固定される。
尚符号14はリード線である。
(へ)効果 本発明においては、(1)ダイアフラムをセラミック基
台と一体に構成してなるから、従来例のようにダイアフ
ラムと基台を別体に形成してこれらを接着したものに比
して、接着時の残留応力や圧力センサ構成部をハウジン
グに固定する際の応力がダイアフラムに伝搬するのを防
止し、(2)ダイアフラムの感圧抵抗素子をかこんで基
台に穿設した環状溝は、水平若しくは横方向の応力を吸
収して、圧力センサの特性を著しく改善するのに役立つ
。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の圧力センサ構成部の断面図。 第2図は第1図のダイアフラムに形成した感圧抵抗素子
の平面図。 第3図は第1図の圧力センサ構成部をハウジングに組込
んだ圧力変換器の断面図。 第4図は本発明に係る圧力センサをハウジングに組込ん
だ圧力変換器の断面図。 第5図は本発明に係る圧力センサの断面図。 第6図は本発明に係る圧力センサの底面図。 C・・・ハウジング、6・・・圧力導入口、8・・・止
めねじ、10・・・セラミック基台、11・・・ダイア
フラム、12・・・Oリング、13・・・環状溝、15
・・・感圧抵抗素子。 第  1  図 第2図 第 図 第 図 シー1″蝮 第 図 第 図 \11 タイアソラメ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 起歪部であるセラミックダイアフラムとセラミック基台
    とを一体に形成してなる圧力センサにおいて、環状溝部
    を、ダイアフラムに配設した感圧抵抗素子の外周をかこ
    んで基台に穿設したことを特徴とする圧力センサ。
JP1232454A 1989-09-07 1989-09-07 圧力センサ Pending JPH02257029A (ja)

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JP1232454A JPH02257029A (ja) 1989-09-07 1989-09-07 圧力センサ

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JP1232454A JPH02257029A (ja) 1989-09-07 1989-09-07 圧力センサ

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JP18696184A Division JPS6165126A (ja) 1984-09-06 1984-09-06 圧力センサ

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JPH02257029A true JPH02257029A (ja) 1990-10-17

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JP1232454A Pending JPH02257029A (ja) 1989-09-07 1989-09-07 圧力センサ

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JP (1) JPH02257029A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843380A (ja) * 1971-10-01 1973-06-22
JPS50130375A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15
JPS50146379A (ja) * 1974-05-15 1975-11-25

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4843380A (ja) * 1971-10-01 1973-06-22
JPS50130375A (ja) * 1974-04-01 1975-10-15
JPS50146379A (ja) * 1974-05-15 1975-11-25

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