JPH02259628A - 有機化合物薄膜の製法 - Google Patents
有機化合物薄膜の製法Info
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- JPH02259628A JPH02259628A JP1080667A JP8066789A JPH02259628A JP H02259628 A JPH02259628 A JP H02259628A JP 1080667 A JP1080667 A JP 1080667A JP 8066789 A JP8066789 A JP 8066789A JP H02259628 A JPH02259628 A JP H02259628A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は有機化合物薄膜の製造方法に関し、特に非線形
光学素子、光電素子、光集積回路素子等に用いられる。
光学素子、光電素子、光集積回路素子等に用いられる。
(ロ)従来の技術
有機化合物材料は、材料自体の優れた特性はもとより、
比較的自由な材料設計の可能性を有している寿から、上
記の利用分野で注目されている。
比較的自由な材料設計の可能性を有している寿から、上
記の利用分野で注目されている。
しかし、このような分野で有機化合物材料を実用デバイ
スとして使用するためには、これらの有機化合物分子を
配向・結晶化させることが重要である。
スとして使用するためには、これらの有機化合物分子を
配向・結晶化させることが重要である。
配向性有機薄膜形成法としては、従来LB法(ラングミ
コア・プロジェット法)が知られている。
コア・プロジェット法)が知られている。
同方法は水面上に、一方に親木基を有し他方に疎水基を
もつ有機分子を単分子状に展開し、有機分子が水面上に
垂直に立った状態で適当な基板上に累積することを特徴
としたものであり、通常は有機分子軸が基板に垂直方向
に配向した薄膜を得ることができる。
もつ有機分子を単分子状に展開し、有機分子が水面上に
垂直に立った状態で適当な基板上に累積することを特徴
としたものであり、通常は有機分子軸が基板に垂直方向
に配向した薄膜を得ることができる。
しかしながら、しB法により制御性良く、配、同性の良
い単分子膜を作製するためには、次のような制約がある
。まず、使用する有機分子が長鎖アルキル基を骨格とし
両端に親水基と疎水基をバランスよく設計し、合成され
たものでなければならない。又、湿式法であるための材
料面あるいは応用面での制約がある。さらには、単分子
層ずつ順に積層する必要があるため、作業効率が悪い。
い単分子膜を作製するためには、次のような制約がある
。まず、使用する有機分子が長鎖アルキル基を骨格とし
両端に親水基と疎水基をバランスよく設計し、合成され
たものでなければならない。又、湿式法であるための材
料面あるいは応用面での制約がある。さらには、単分子
層ずつ順に積層する必要があるため、作業効率が悪い。
LB法の他の薄膜作製法として真空蒸着法がある。同方
法は乾式法であり、低分子から高分子に亙って多くの有
機化合物の薄膜作製法として利用されている。
法は乾式法であり、低分子から高分子に亙って多くの有
機化合物の薄膜作製法として利用されている。
しかし、真空蒸着法では一般に、分子の配向性を制御す
ることは必ずしも容易ではない。
ることは必ずしも容易ではない。
この点を解決するための手段として、基板に一軸延伸さ
れた配向性ポリエステルフィルム等を用いることで被蒸
着有機分子の向きを規制する方法(特開昭62−160
427)がある。この方法は、延伸等の方法により基数
である高分子フィルムを一軸性配向膜とし、この上に有
機化合物を真空蒸着することを特徴とするものである。
れた配向性ポリエステルフィルム等を用いることで被蒸
着有機分子の向きを規制する方法(特開昭62−160
427)がある。この方法は、延伸等の方法により基数
である高分子フィルムを一軸性配向膜とし、この上に有
機化合物を真空蒸着することを特徴とするものである。
しかし、この方法により作製された薄膜も配向度は実用
−に十分とは言えない。
−に十分とは言えない。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかし、前項で述べた方法を用いて作製された薄膜の分
子配向は十分ではなく、第二高調波発生等の非線形光学
効果を十分に発現するまでには至らない。
子配向は十分ではなく、第二高調波発生等の非線形光学
効果を十分に発現するまでには至らない。
本発明の目的は、真空蒸着法において有機分子あるいは
結晶を高度に配向させ、非線形光学素子等に利用し得る
薄膜有機化合物材料を作製する方法を提供することにあ
る。
結晶を高度に配向させ、非線形光学素子等に利用し得る
薄膜有機化合物材料を作製する方法を提供することにあ
る。
(ニ)課題を解決するための手段
この発明者らは、基数として有機化合物材料の表面にあ
らかじめ微細な幾何学的線条痕を形成した後、真空蒸着
法によりその上に有機化合物薄膜を形成すると、極めて
配向性の良い薄膜結晶が成長することを見いだした。こ
れは微細な幾何学的線条痕が形成されたため基板の有機
化合物の極表面層の一部又は全部に、幾何学的に蒸着分
子と極めて相互作用の強い部分か形成されたものと考え
られる。
らかじめ微細な幾何学的線条痕を形成した後、真空蒸着
法によりその上に有機化合物薄膜を形成すると、極めて
配向性の良い薄膜結晶が成長することを見いだした。こ
れは微細な幾何学的線条痕が形成されたため基板の有機
化合物の極表面層の一部又は全部に、幾何学的に蒸着分
子と極めて相互作用の強い部分か形成されたものと考え
られる。
また、本発明によれば、基板の有機化合物の主鎖、側鎖
に用いる官能基を選ぶことにより上記の線上痕の効果と
の相乗効果で蒸着分子の配向をより高度に制御し得る可
能性を有することになる。
に用いる官能基を選ぶことにより上記の線上痕の効果と
の相乗効果で蒸着分子の配向をより高度に制御し得る可
能性を有することになる。
本発明において前記蒸着分子としては、例えば、2−メ
チル−4−ニトロアニリン 7−ジエチルアミノ−4−
メチルクマリン、m−ニトロアニリン、5ニトロウラン
ル、α−レゾルシノール、m−アミンフェノール、m−
ジニトロベンゼン、2−ブロモ4−ニトロアニリン、メ
チル−(2,4−ジニトロフェニル)−アミノ−2−プ
ロパノエート、N、N’ジメチル尿素、3−メチル−4
−二トロピリジンl−オキサイド、N−(4−ニトロフ
ェニル) −(L)プロリ/−ルなどから形成すること
ができる。
チル−4−ニトロアニリン 7−ジエチルアミノ−4−
メチルクマリン、m−ニトロアニリン、5ニトロウラン
ル、α−レゾルシノール、m−アミンフェノール、m−
ジニトロベンゼン、2−ブロモ4−ニトロアニリン、メ
チル−(2,4−ジニトロフェニル)−アミノ−2−プ
ロパノエート、N、N’ジメチル尿素、3−メチル−4
−二トロピリジンl−オキサイド、N−(4−ニトロフ
ェニル) −(L)プロリ/−ルなどから形成すること
ができる。
又、前記基板材料は、例えば、ポリイミド系高分子、ビ
ニル系誘導体、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリオ
レフィン系及びセルロース誘導体等の高分子があげられ
るが、これらに限定されるものではない。又、前記基板
は有機化合物のみで形成することも可能であるか、通常
、例えばンリフン、ガラスなどの無機化合物からなる板
状体又は曲面体等の表面に前記基板材料である非晶質有
機化合物の層を付与して形成することができる。
ニル系誘導体、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリオ
レフィン系及びセルロース誘導体等の高分子があげられ
るが、これらに限定されるものではない。又、前記基板
は有機化合物のみで形成することも可能であるか、通常
、例えばンリフン、ガラスなどの無機化合物からなる板
状体又は曲面体等の表面に前記基板材料である非晶質有
機化合物の層を付与して形成することができる。
前記基板表面に形成する幾何学的な凹凸のサイズは特に
限定されないが微細なほど良く、蒸着分子のサイズ(数
十〜数百人)と同程度が望ましい。
限定されないが微細なほど良く、蒸着分子のサイズ(数
十〜数百人)と同程度が望ましい。
凹凸を形成する方法としては、例えば微細な繊維により
基板表面をこするラビング処理が簡便であるか、特に限
定されるものではない。
基板表面をこするラビング処理が簡便であるか、特に限
定されるものではない。
本発明における蒸着分子の蒸着方法は特に限定されるも
のではないか良好な配向性を得るためには蒸着膜厚が1
00人〜10μm程度が望ましい。
のではないか良好な配向性を得るためには蒸着膜厚が1
00人〜10μm程度が望ましい。
又、蒸着源の温度は有機化合物の分解を避けるため著し
い高温は望ましくない。
い高温は望ましくない。
(ポ)作用
L(板には、この上に付着する有機化合物薄膜に対し所
定方向への配向性を強制すべ(線条痕か付与されている
ため、この基板上に形成された有機化合物薄膜の配向性
を著しく高めることかできる。
定方向への配向性を強制すべ(線条痕か付与されている
ため、この基板上に形成された有機化合物薄膜の配向性
を著しく高めることかできる。
又、基板を形成する高分子材料の官能基等の物理化学的
性質を選ぶことにより異なった配向の有機化合物薄膜を
形成することが可能となる。
性質を選ぶことにより異なった配向の有機化合物薄膜を
形成することが可能となる。
(へ)実施例
大きな非線形光学効果を呈する有機化合物材料として注
目を集めている2−メチル−4−ニトロアニリン(以下
MNAと略記)結晶性薄膜の作製を例に、図を用いて具
体的に説明する。尚、基板及び蒸着材料はポリイミド及
びMNAに限定されるものではない。
目を集めている2−メチル−4−ニトロアニリン(以下
MNAと略記)結晶性薄膜の作製を例に、図を用いて具
体的に説明する。尚、基板及び蒸着材料はポリイミド及
びMNAに限定されるものではない。
薄膜の作製は第1図に示すような構成からなる真空蒸着
装置を用いて行う。まず、ンリコン板状体上にスピンコ
ード法によりポリイミド薄膜(約1000人)を形成し
、焼成を行った後、表面にラビング処理を施して幾何学
的な凹凸を形成しく図示せず)、基板lとする。この基
板1を基板ホルダ2に取り付け、市販のMNA試薬をル
ツボ5内に収納する。次いで、ガラスベルジw−10内
を排気口12より排気して真空とする。次に、基板温度
を0℃に保ち、MNAが収納されたルツボ5を10−’
Torr台の真空中で加熱し、MNAを昇華させて上記
基板lの上に蒸着させ、約3μmの薄膜を形成する。
装置を用いて行う。まず、ンリコン板状体上にスピンコ
ード法によりポリイミド薄膜(約1000人)を形成し
、焼成を行った後、表面にラビング処理を施して幾何学
的な凹凸を形成しく図示せず)、基板lとする。この基
板1を基板ホルダ2に取り付け、市販のMNA試薬をル
ツボ5内に収納する。次いで、ガラスベルジw−10内
を排気口12より排気して真空とする。次に、基板温度
を0℃に保ち、MNAが収納されたルツボ5を10−’
Torr台の真空中で加熱し、MNAを昇華させて上記
基板lの上に蒸着させ、約3μmの薄膜を形成する。
(比較例1)
上記実施例におけるポリイミド膜を形成したSi板状体
の代わりに、表面を熱酸化して約1000人の膜厚の熱
酸化膜(非晶質)を形成したS i (100)基板
を用い、この他は実施例1と同様にしてMNA薄膜を形
成した。
の代わりに、表面を熱酸化して約1000人の膜厚の熱
酸化膜(非晶質)を形成したS i (100)基板
を用い、この他は実施例1と同様にしてMNA薄膜を形
成した。
(比較例2)
上記実施例の場合と同様に焼成までを行ったポリイミド
膜に、ラビング処理を施さずに、基板ホルダ2に取り付
け、以下上記実施例と同様にしてMNA薄膜を基板上に
形成した。
膜に、ラビング処理を施さずに、基板ホルダ2に取り付
け、以下上記実施例と同様にしてMNA薄膜を基板上に
形成した。
ここで、本発明の実施例及び比較例1.2において各基
板上に作製したMNA薄膜の結晶配向をX線回折分析法
により調べた。第2図(a)乃至(c)は上記実施例及
び比較例1.2におけるMNA薄膜のX線回折パターン
を示したものである。
板上に作製したMNA薄膜の結晶配向をX線回折分析法
により調べた。第2図(a)乃至(c)は上記実施例及
び比較例1.2におけるMNA薄膜のX線回折パターン
を示したものである。
このX線回折パターンによると、比較例1の場合のシリ
コン熱酸化膜基板上のMNA薄膜(第2図(b))では
、(11ジ、(020)反射が共に強く現れており、ま
た比較例2の場合のポリイミド膜基板上に形成したMN
A薄膜(第2図(C))では非常に強い(111)反射
と、わずかな(20わ反射が現れている。
コン熱酸化膜基板上のMNA薄膜(第2図(b))では
、(11ジ、(020)反射が共に強く現れており、ま
た比較例2の場合のポリイミド膜基板上に形成したMN
A薄膜(第2図(C))では非常に強い(111)反射
と、わずかな(20わ反射が現れている。
これに対し本発明の実施例を用いて作製したMNA薄膜
では、第2図(a)示すように(o!F)方向のほぼ完
全な一軸配向膜となっている。
では、第2図(a)示すように(o!F)方向のほぼ完
全な一軸配向膜となっている。
したがってこれらの事実は本発明が配向性の良い有機化
合物薄膜の作成方法として優れた方法であることを示し
ている。
合物薄膜の作成方法として優れた方法であることを示し
ている。
(ト)発明の効果
本発明によれば、極めて優れた配向性を有し、光学素子
等に利用できる有機化合物薄膜の製法を1是イ共するこ
とができる。
等に利用できる有機化合物薄膜の製法を1是イ共するこ
とができる。
第1図は本発明の実施例で用いた蒸着装置の説明図、第
2図(a)乃至(c)は本発明の実施例及び比較例1.
2で形成したMNA薄膜のX線回折パターン図である。 弊 1 防 1・・基板 2・・基板ホルダー 3・・基板加熱用ヒ
ータ 4・・シャッタ 5・・ルツボ 6・・ルツボ加
熱用ヒータ 7・・原料有機化合物 8・・熱電対9・
・温度コントローラ 10・・ガラスベルジャ11・・
Oリング 12・・排気口
2図(a)乃至(c)は本発明の実施例及び比較例1.
2で形成したMNA薄膜のX線回折パターン図である。 弊 1 防 1・・基板 2・・基板ホルダー 3・・基板加熱用ヒ
ータ 4・・シャッタ 5・・ルツボ 6・・ルツボ加
熱用ヒータ 7・・原料有機化合物 8・・熱電対9・
・温度コントローラ 10・・ガラスベルジャ11・・
Oリング 12・・排気口
Claims (1)
- 1、基板上に有機化合物薄膜を真空蒸着法により形成さ
せる際、高分子材料を含む非晶質有機化合物からなり幾
何学的凹凸を付与した薄膜が、少なくとも一方面に形成
された基板を用いてなることを特徴とする有機化合物薄
膜の製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080667A JP2678055B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 有機化合物薄膜の製法 |
| EP90303320A EP0390540B1 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-28 | Process for preparing an organic compound thin film for an optical device |
| DE69011166T DE69011166T2 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-28 | Herstellungsverfahren einer Dünnschicht aus organischem Material für eine optische Vorrichtung. |
| US07/503,312 US5084302A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-29 | Process for preparing an organic compound thin film for an optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080667A JP2678055B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 有機化合物薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02259628A true JPH02259628A (ja) | 1990-10-22 |
| JP2678055B2 JP2678055B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=13724713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080667A Expired - Fee Related JP2678055B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 有機化合物薄膜の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5084302A (ja) |
| EP (1) | EP0390540B1 (ja) |
| JP (1) | JP2678055B2 (ja) |
| DE (1) | DE69011166T2 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04236295A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-25 | Sharp Corp | 強誘電性液晶組成物及び液晶素子 |
| US6224948B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-05-01 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds |
| US6171652B1 (en) | 1998-05-26 | 2001-01-09 | Brij P. Singh | Method for modifying surfaces with ultra thin films |
| EP1127381B1 (en) | 1998-11-02 | 2015-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
| US6274204B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-08-14 | Battelle Memorial Institute | Method of making non-linear optical polymer |
| US6228436B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making light emitting polymer composite material |
| WO2000036665A1 (en) | 1998-12-16 | 2000-06-22 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6217947B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-17 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures |
| US6268695B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
| US6228434B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-05-08 | Battelle Memorial Institute | Method of making a conformal coating of a microtextured surface |
| US6207239B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer |
| US6207238B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-03-27 | Battelle Memorial Institute | Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers |
| DE19901381A1 (de) * | 1999-01-15 | 2000-07-20 | Joerg Enderlein | Verfahren und Vorrichtung zur optischen Detektion eines Partikels |
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| US6573652B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-06-03 | Battelle Memorial Institute | Encapsulated display devices |
| US6548912B1 (en) | 1999-10-25 | 2003-04-15 | Battelle Memorial Institute | Semicoductor passivation using barrier coatings |
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| US6492026B1 (en) | 2000-04-20 | 2002-12-10 | Battelle Memorial Institute | Smoothing and barrier layers on high Tg substrates |
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