JPS6263418A - 有機薄膜の製造方法 - Google Patents
有機薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6263418A JPS6263418A JP60203676A JP20367685A JPS6263418A JP S6263418 A JPS6263418 A JP S6263418A JP 60203676 A JP60203676 A JP 60203676A JP 20367685 A JP20367685 A JP 20367685A JP S6263418 A JPS6263418 A JP S6263418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- film
- organic thin
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、配向性を有する機能性有機薄膜の製造方法に
関し、製造された有機薄膜は一次元導電膜、−次元磁性
膜、−次元伝熱膜、偏光膜等として利用される。
関し、製造された有機薄膜は一次元導電膜、−次元磁性
膜、−次元伝熱膜、偏光膜等として利用される。
（従来の技術）
現在、三次元ＬＳＩ等の製造方法の１つの工程として、
グラフオエピタキシー（ｇｒａｐｈｏ ａｐｉｔａｘｙ
）技術が提案されている。この技術は、ピッチ数μｍ、
深さ〜１０００人のグレーティングパターンを持つ非晶
質５ｉＯｔ上にＳｔを積らせ、これをスキャニングＡｒ
レーザでアニールすることにより、非晶質５ｉｎｔ上の
Ｓｔを結晶化させるものであって、米国、マサチューセ
ッツ工科大学（Ｍ Ｉ Ｔ）のスミス教授らによって開
発された方法である。
グラフオエピタキシー（ｇｒａｐｈｏ ａｐｉｔａｘｙ
）技術が提案されている。この技術は、ピッチ数μｍ、
深さ〜１０００人のグレーティングパターンを持つ非晶
質５ｉＯｔ上にＳｔを積らせ、これをスキャニングＡｒ
レーザでアニールすることにより、非晶質５ｉｎｔ上の
Ｓｔを結晶化させるものであって、米国、マサチューセ
ッツ工科大学（Ｍ Ｉ Ｔ）のスミス教授らによって開
発された方法である。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このグラフオエピタキシー技術を用いて
有機薄膜を製造する方法は、ポリメタクリル酸メチル（
ＰＭＭＡ）のＸ線リソグラフィとＣＨＦ２のスパッタエ
ツチングを利用しているため、工程が複雑になるという
問題があった。
有機薄膜を製造する方法は、ポリメタクリル酸メチル（
ＰＭＭＡ）のＸ線リソグラフィとＣＨＦ２のスパッタエ
ツチングを利用しているため、工程が複雑になるという
問題があった。
本発明は、簡単な製造工程により、原子２分子。
イオン、粒子等を特定の方向に配向させた機能性を有す
る有機薄膜を得ることを目的とする。
る有機薄膜を得ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係る有機薄膜の製造方法は、プラスチック基板
、もしくは耐熱性有機高分子膜で覆われたガラス、セラ
ミック、プラスチック、金属、半導体、または磁性体の
基板の表面を、一方向にラビング処理した後有機分子を
蒸着もしくはスパッタリングする。このとき、基板をレ
ーザアニール。
、もしくは耐熱性有機高分子膜で覆われたガラス、セラ
ミック、プラスチック、金属、半導体、または磁性体の
基板の表面を、一方向にラビング処理した後有機分子を
蒸着もしくはスパッタリングする。このとき、基板をレ
ーザアニール。
蒸着、もしくはスパッタリングの最中またはその後に加
熱して、有機分子または有機結晶の配向性薄膜を形成す
る。
熱して、有機分子または有機結晶の配向性薄膜を形成す
る。
（作用）
プラスチック基板、もしくは耐熱性有機高分子膜に覆わ
れたガラス、セラミック、プラスチック。
れたガラス、セラミック、プラスチック。
金属、半導体、または磁性体の基板の表面に、ラビング
処理により一方向の微小溝を形成することにより、エピ
タキシャル成長に使用する下地規則性結晶の表面と同様
の効果を生ぜしめ２分子または結晶の分子軸方向または
結晶軸方向を基板に対して特定の方向に向かせる。
処理により一方向の微小溝を形成することにより、エピ
タキシャル成長に使用する下地規則性結晶の表面と同様
の効果を生ぜしめ２分子または結晶の分子軸方向または
結晶軸方向を基板に対して特定の方向に向かせる。
（実施例）
以下１本考案の一実施例を図面を参照して説明する。
〔実施例１〕
本例では、偏光膜として利用される有機薄膜の製造方法
について第１図を参照して説明する。
について第１図を参照して説明する。
第１図において、１は基板で９本例ではガラスを用いて
いる。この基板１上に耐熱性有機高分子膜２として例え
ばポリイミドを１０００人の厚みにコーティングし、そ
の後電気植毛した布を用いて、一方向、一定圧力でラビ
ング処理を行う。図面中、３がラビング処理により一方
向に形成された微小溝である。ラビング処理を行うこと
により。
いる。この基板１上に耐熱性有機高分子膜２として例え
ばポリイミドを１０００人の厚みにコーティングし、そ
の後電気植毛した布を用いて、一方向、一定圧力でラビ
ング処理を行う。図面中、３がラビング処理により一方
向に形成された微小溝である。ラビング処理を行うこと
により。
エピタキシャル成長に使用される下地規則性結晶の表面
と同様の効果を生み出すことができる。
と同様の効果を生み出すことができる。
この後、低温で二色性色素４を蒸着し、レーザアニール
して、所望のカラー偏光板を形成するものである。
して、所望のカラー偏光板を形成するものである。
なお、耐熱性を機高分子膜２としては、ポリイミドの他
に、ポリアミドイミド、ポリバラキシレン、ラグ型シリ
コン等が好適である。この種の膜は、ラビング処理する
ことで有機分子の長軸方向をラビング方向に揃えさせる
性質がある。
に、ポリアミドイミド、ポリバラキシレン、ラグ型シリ
コン等が好適である。この種の膜は、ラビング処理する
ことで有機分子の長軸方向をラビング方向に揃えさせる
性質がある。
〔実施例２〕
本例では、−次元導電膜として利用される有機薄膜の製
造方法について第２図を参照して説明する。
造方法について第２図を参照して説明する。
第２図において、プラスチック基板またはポリイミドフ
ィルム（カプトン）５の表面に、前記実施例１と同様に
して一方向にラビング処理を行う。
ィルム（カプトン）５の表面に、前記実施例１と同様に
して一方向にラビング処理を行う。
図面中、６がラビング処理により形成された微小溝であ
る。
る。
この後、Ｆｅ・フタロシアニンを、１００℃に加熱した
プラスチック基板またはポリイミドフィルム５上に蒸着
して、フタロシアニン分子の結晶カラム７の軸方向（第
２図において矢符Ｐ方向）をプラスチック基板またはポ
リイミドフィルム５の表面に平行に成長させ２面内に所
望の異方導電性膜を形成するものである。
プラスチック基板またはポリイミドフィルム５上に蒸着
して、フタロシアニン分子の結晶カラム７の軸方向（第
２図において矢符Ｐ方向）をプラスチック基板またはポ
リイミドフィルム５の表面に平行に成長させ２面内に所
望の異方導電性膜を形成するものである。
上記各実施例において説明したように１本発明の製造方
法によれば１分子または結晶を３その分子軸方向または
結晶軸方向を基板に対し７て特定の方向に向かせること
ができるので２分子または結晶が特有の機能９例えば、
導電性、磁性、光学吸収異方性２熱伝導性、超電導性等
を有する材料であれば、この分子または結晶が特定の方
向に配向することで１面内の特定の方向に優れた物性が
発生する。
法によれば１分子または結晶を３その分子軸方向または
結晶軸方向を基板に対し７て特定の方向に向かせること
ができるので２分子または結晶が特有の機能９例えば、
導電性、磁性、光学吸収異方性２熱伝導性、超電導性等
を有する材料であれば、この分子または結晶が特定の方
向に配向することで１面内の特定の方向に優れた物性が
発生する。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、簡単な製造工程
によって、配向性を存する機能性有機薄膜を形成するこ
とができる。
によって、配向性を存する機能性有機薄膜を形成するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明に係る有機薄膜の製造方法によって形成さ
れた各種有機薄膜を示し、第１図は偏光膜として利用さ
れる有機薄膜の例を示す斜視図。 第２図は一次元導電膜として利用される有４４１ｍ膜の
例を示す斜視図である。 ｌ・・・基板 ２・・・耐熱性有機高分子膜
３．６・・・微小溝 ４・・・二色性色素５・・・
プラスチック基板またはポリイミドフィルム７・・・結
晶カラム 第１図 第２図
れた各種有機薄膜を示し、第１図は偏光膜として利用さ
れる有機薄膜の例を示す斜視図。 第２図は一次元導電膜として利用される有４４１ｍ膜の
例を示す斜視図である。 ｌ・・・基板 ２・・・耐熱性有機高分子膜
３．６・・・微小溝 ４・・・二色性色素５・・・
プラスチック基板またはポリイミドフィルム７・・・結
晶カラム 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）プラスチック基板、もしくは耐熱性有機高分子膜で
覆われたガラス、セラミック、プラスチック、金属、半
導体、または磁性体の基板の表面を、一方向にラビング
処理した後有機分子を蒸着もしくはスパッタリングして
、有機分子または有機結晶の配向性薄膜を形成すること
を特徴とする有機薄膜の製造方法。 ２）基板をレーザアニール、蒸着、もしくはスパッタリ
ングの最中またはその後に加熱してなる特許請求の範囲
第１項記載の有機薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203676A JPS6263418A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 有機薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203676A JPS6263418A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 有機薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263418A true JPS6263418A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16477998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203676A Pending JPS6263418A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 有機薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136102A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 偏光フィルム |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60203676A patent/JPS6263418A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01136102A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 偏光フィルム |
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