JPH0225987B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0225987B2 JPH0225987B2 JP19010286A JP19010286A JPH0225987B2 JP H0225987 B2 JPH0225987 B2 JP H0225987B2 JP 19010286 A JP19010286 A JP 19010286A JP 19010286 A JP19010286 A JP 19010286A JP H0225987 B2 JPH0225987 B2 JP H0225987B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- reaction
- sputtering device
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はスパツタ装置に関し、特にターゲツト
周辺部に改良を施したものである。
周辺部に改良を施したものである。
（従来の技術）
周知の如く、マグネトロンスパツタ装置におい
て、ターゲツトのバツキングプレートには、熱電
導性、ターゲツトとの反応性、冷却水による腐食
などの点から主にCuが用いられている。第２図
に従来のスパツタ装置の要部の断面図を示す。
て、ターゲツトのバツキングプレートには、熱電
導性、ターゲツトとの反応性、冷却水による腐食
などの点から主にCuが用いられている。第２図
に従来のスパツタ装置の要部の断面図を示す。
図中の１は、表面に環状の溝（エロージヨン）
２を有するターゲツトである。このターゲツト１
は、ネジ３を介して銅製のバツキングプレート４
に固定されるとともに、環状のターゲツト押え５
によつて押えられる。
２を有するターゲツトである。このターゲツト１
は、ネジ３を介して銅製のバツキングプレート４
に固定されるとともに、環状のターゲツト押え５
によつて押えられる。
ところで、スパツタ装置では放電中、ターゲツ
トはスパツタガスで常にたたかれて高温になるた
め、バツキングプレートは冷却していなければな
らない。特にムグネトロンスパツタ装置では、放
電領域がある限られた一部分に集中するため、タ
ーゲツト上の温度分布にも偏りを生じる。
トはスパツタガスで常にたたかれて高温になるた
め、バツキングプレートは冷却していなければな
らない。特にムグネトロンスパツタ装置では、放
電領域がある限られた一部分に集中するため、タ
ーゲツト上の温度分布にも偏りを生じる。
しかしながら、従来のスパツタ装置は次に述べ
る問題点を有する。即ち、ターゲツト１にAl系
（Al−Siなど）を用いた場合、ターゲツト１のエ
ロージヨン２直下でターゲツト１とバツキングプ
レート４が接合部Ａで反応し、ターゲツト１がバ
ツキングプレート４に接合する。従つて、ターゲ
ツト交換時にターゲツト１がバツキングプレート
４から取れなくなる。また、ターゲツト１中にバ
ツキングプレート４中の成分であるCuが拡散し、
形成された薄膜中に不純物が混入して汚染が生じ
る。
る問題点を有する。即ち、ターゲツト１にAl系
（Al−Siなど）を用いた場合、ターゲツト１のエ
ロージヨン２直下でターゲツト１とバツキングプ
レート４が接合部Ａで反応し、ターゲツト１がバ
ツキングプレート４に接合する。従つて、ターゲ
ツト交換時にターゲツト１がバツキングプレート
４から取れなくなる。また、ターゲツト１中にバ
ツキングプレート４中の成分であるCuが拡散し、
形成された薄膜中に不純物が混入して汚染が生じ
る。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、タ
ーゲツト交換時にターゲツトをバツキングプレー
トから容易に取外しできるとともに、ターゲツト
へのバツキングプレート中の不純物の混入を防止
し得るスパツタ装置を提供することを目的とす
る。
ーゲツト交換時にターゲツトをバツキングプレー
トから容易に取外しできるとともに、ターゲツト
へのバツキングプレート中の不純物の混入を防止
し得るスパツタ装置を提供することを目的とす
る。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、少なくとも前記エロージヨン直下の
ターゲツト裏面又はバツキングプレート表面に、
ターゲツトとバツキングプレートとの反応を防止
する反応防止物を設けることを特徴とし、ターゲ
ツト交換を容易にするとともに、ターゲツトへの
バツキングプレート中の不純物の侵入を防止でき
る。
ターゲツト裏面又はバツキングプレート表面に、
ターゲツトとバツキングプレートとの反応を防止
する反応防止物を設けることを特徴とし、ターゲ
ツト交換を容易にするとともに、ターゲツトへの
バツキングプレート中の不純物の侵入を防止でき
る。
（作用）
本発明によれば、以下の効果を有する。
反応防止物をバツキングプレート表面又はタ
ーゲツト裏面の所定位置に設けるため、ターゲ
ツトのエロージヨン直下とバツキングプレート
の反応を押えることができ、ターゲツトの交換
をスムーズにかつ迅速に行なうことができる。
ーゲツト裏面の所定位置に設けるため、ターゲ
ツトのエロージヨン直下とバツキングプレート
の反応を押えることができ、ターゲツトの交換
をスムーズにかつ迅速に行なうことができる。
上記の如く反応を押えることができるため、
バツキングプレート中の不純物がターゲツトに
混入するのを防止でき、汚染のない良好な薄膜
をウエハに形成できる。
バツキングプレート中の不純物がターゲツトに
混入するのを防止でき、汚染のない良好な薄膜
をウエハに形成できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説
明する。
明する。
第１図は反応防止物をバツキングプレート表面
に形成した場合の実施例である。図中の１１は、
チヤンバーである。このチヤンバー１１内の上方
には、ウエハ１２を支持するウエハ支持具として
のプラテン１３が配置されている。前記チヤンバ
ー１１内の下方には、マグネツト電極１４が前記
プラテン１３と対向するように配置されている。
このマグネツト電極内には水が供給され、電極１
４上のCu製のバツキングプレート１５を冷却す
るようになつている。このバツキングプレート１
５の表面でかつ後記ターゲツトのエロージヨンの
直下には深さ１〜２mmの環状の溝が設けられ、こ
の溝に反応防止物としてのカーボン製の薄板１６
が埋め込まれている。ここで、この薄板１６の表
面と前記バツキングプレート１５の表面は段差の
ないなめらかな同一平面とする。前記バツキング
プレート１５上には、表面に環状のエロージヨン
１７を有したターゲツト１８が設けられている。
このターゲツト１８は、その中央部を止めネジ１
９によつてバツキングプレート１５に固定され、
周側部をターゲツト押え２０によつて押えられて
いる。
に形成した場合の実施例である。図中の１１は、
チヤンバーである。このチヤンバー１１内の上方
には、ウエハ１２を支持するウエハ支持具として
のプラテン１３が配置されている。前記チヤンバ
ー１１内の下方には、マグネツト電極１４が前記
プラテン１３と対向するように配置されている。
このマグネツト電極内には水が供給され、電極１
４上のCu製のバツキングプレート１５を冷却す
るようになつている。このバツキングプレート１
５の表面でかつ後記ターゲツトのエロージヨンの
直下には深さ１〜２mmの環状の溝が設けられ、こ
の溝に反応防止物としてのカーボン製の薄板１６
が埋め込まれている。ここで、この薄板１６の表
面と前記バツキングプレート１５の表面は段差の
ないなめらかな同一平面とする。前記バツキング
プレート１５上には、表面に環状のエロージヨン
１７を有したターゲツト１８が設けられている。
このターゲツト１８は、その中央部を止めネジ１
９によつてバツキングプレート１５に固定され、
周側部をターゲツト押え２０によつて押えられて
いる。
上記実施例によれば、ターゲツト１８のエロー
ジヨン１７の直下に位置するバツキングプレート
１５の表面に溝を設け、この溝にカーボン製の薄
板１６を埋め込んだ構造となつているため、ター
ゲツト１８のエロージヨン１７の直下とバツキン
グプレート１５の反応を抑制できる。従つて、タ
ーゲツト１８の交換をスムーズかつ迅速に行なう
ことができる。また、その反応が抑えられたた
め、ターゲツト１８内への不純物Cuが混入しな
くなり、ウエハ１２に汚染のない良好な薄膜を形
成することができた。更に、カーボンの熱電導率
は垂直方向で、Cuより多少小さい程度であるた
め、冷却能力は従来技術と同程度であることが期
待できる。
ジヨン１７の直下に位置するバツキングプレート
１５の表面に溝を設け、この溝にカーボン製の薄
板１６を埋め込んだ構造となつているため、ター
ゲツト１８のエロージヨン１７の直下とバツキン
グプレート１５の反応を抑制できる。従つて、タ
ーゲツト１８の交換をスムーズかつ迅速に行なう
ことができる。また、その反応が抑えられたた
め、ターゲツト１８内への不純物Cuが混入しな
くなり、ウエハ１２に汚染のない良好な薄膜を形
成することができた。更に、カーボンの熱電導率
は垂直方向で、Cuより多少小さい程度であるた
め、冷却能力は従来技術と同程度であることが期
待できる。
なお、本発明に係るスパツタ装置は、上記実施
例の場合に限らず、第３図に示す如く反応防止物
をターゲツトの裏面に形成してもよい。但し、タ
ーゲツトとバツキングプレート以外は、第１図と
同一なので省略する。エロージヨン直下のターゲ
ツト裏面には深さ１〜２mmの環状の溝が設けら
れ、この反応防止物としてのカーボン製の薄板１
６が埋め込まれている。ここで、この薄板１６の
表面と前記ターゲツト１８の裏面は段差のないな
めらかな同一平面とする。
例の場合に限らず、第３図に示す如く反応防止物
をターゲツトの裏面に形成してもよい。但し、タ
ーゲツトとバツキングプレート以外は、第１図と
同一なので省略する。エロージヨン直下のターゲ
ツト裏面には深さ１〜２mmの環状の溝が設けら
れ、この反応防止物としてのカーボン製の薄板１
６が埋め込まれている。ここで、この薄板１６の
表面と前記ターゲツト１８の裏面は段差のないな
めらかな同一平面とする。
なお、上記実施例では反応防止物にカーボンを
例に説明したが、高融点金属またはこれの窒化
物、硅化物、炭化物、ホウ化物さらには溝のみで
反応防止物無しでも同様の効果が期待できる。ま
た、反応防止物をバツキングプレートの表面又は
ターゲツト裏面の一部に厚みをもつて設けたが、
全面に形成してもよいし、厚みも表面処理のよう
な厚みがほとんどない状態でも同様の効果が期待
できる。
例に説明したが、高融点金属またはこれの窒化
物、硅化物、炭化物、ホウ化物さらには溝のみで
反応防止物無しでも同様の効果が期待できる。ま
た、反応防止物をバツキングプレートの表面又は
ターゲツト裏面の一部に厚みをもつて設けたが、
全面に形成してもよいし、厚みも表面処理のよう
な厚みがほとんどない状態でも同様の効果が期待
できる。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、ターゲツト
交換をスムーズかつ迅速になし得るとともに、タ
ーゲツト中へのバツキングプレート中の不純物の
混入を防止し、しかも冷却能力を従来技術と同程
度に期待し得るスパツタ装置を提供できる。
交換をスムーズかつ迅速になし得るとともに、タ
ーゲツト中へのバツキングプレート中の不純物の
混入を防止し、しかも冷却能力を従来技術と同程
度に期待し得るスパツタ装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパツタ装置
の断面図、第２図は従来のスパツタ装置の要部の
断面図、第３図は本発明の他の実施例に係るスパ
ツタ装置の要部の断面図である。 １１……チヤンバー、１２……ウエハ、１３…
…プラテン（ウエハ支持具）、１４……マグネツ
ト電極、１５……バツキングプレート、１６……
薄板（反応防止板）、１７……エロージヨン、１
８……ターゲツト、２０……ターゲツト押え。
の断面図、第２図は従来のスパツタ装置の要部の
断面図、第３図は本発明の他の実施例に係るスパ
ツタ装置の要部の断面図である。 １１……チヤンバー、１２……ウエハ、１３…
…プラテン（ウエハ支持具）、１４……マグネツ
ト電極、１５……バツキングプレート、１６……
薄板（反応防止板）、１７……エロージヨン、１
８……ターゲツト、２０……ターゲツト押え。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヤンバーと、このチヤンバー内に設けられ
たウエハ支持具と、同チヤンバー内に前記ウエハ
支持具と対向して設けられたマグネツト電極上に
設けられたバツキングプレートと、このバツキン
グプレート上に設けられ、表面の局在化された領
域がエロージヨンされるターゲツトとを具備した
スパツタ装置において、少なくとも前記エロージ
ヨン直下のバツキングプレート表面又はターゲツ
ト裏面に、ターゲツトとバツキングプレートとの
反応を防止する反応防止物を設けたことを特徴と
するスパツタ装置。 ２ 反応防止物が、バツキングプレート表面に設
けられた高融点金属層またはこれの窒化物、硅化
物、炭化物ホウ化物であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のスパツタ装置。 ３ 反応防止物が、ターゲツト裏面に設けられた
高融点金属層またはこれの窒化物、硅化物、炭化
物ホウ化物であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のスパツタ装置。 ４ 反応防止物が、バツキングプレート表面又
は、ターゲツト裏面に設けられた溝に埋め込まれ
たグラフアイト層又は中空であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のスパツタ装置。 ５ ターゲツトの材料がAl又はAl合金からなり、
かつバツキングプレートが銅製からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパツタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19010286A JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19010286A JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345368A JPS6345368A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0225987B2 true JPH0225987B2 (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=16252409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19010286A Granted JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345368A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2756158B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | スパッタ装置 |
| JPH0774436B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | 薄膜形成方法 |
| US5286361A (en) * | 1992-10-19 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Magnetically attached sputter targets |
| KR101040076B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2011-06-09 | Jx닛코 닛세끼 킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟트/배킹 플레이트 접합체 |
| KR102720427B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2024-10-23 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP19010286A patent/JPS6345368A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345368A (ja) | 1988-02-26 |
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