JPS6345368A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6345368A JPS6345368A JP19010286A JP19010286A JPS6345368A JP S6345368 A JPS6345368 A JP S6345368A JP 19010286 A JP19010286 A JP 19010286A JP 19010286 A JP19010286 A JP 19010286A JP S6345368 A JPS6345368 A JP S6345368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- reaction
- sputtering apparatus
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はス・やツタ装置に関し、特にターケ゛ソト周辺
部に改良を施したものである。
部に改良を施したものである。
（従来の技術）
周知の如く、マグネトロンスパッタ装置において、ター
ケ゛ソトのバッキングプレートには、熱電導性、ターグ
ア）との反応性、冷却水による。腐食などの点から主に
Ｃｕが用いられている、第２図に従来のス・やツタ装置
の要部の断面図を示す。
ケ゛ソトのバッキングプレートには、熱電導性、ターグ
ア）との反応性、冷却水による。腐食などの点から主に
Ｃｕが用いられている、第２図に従来のス・やツタ装置
の要部の断面図を示す。
図中の１は、表面に環状の溝（エロージョン）２を有す
るターゲットである。このターケ０ット１は、ネジ３を
介して銅製のバッキングプレート４に固定されるととも
に、環状のターゲット押え５（でよって押えられる。
るターゲットである。このターケ０ット１は、ネジ３を
介して銅製のバッキングプレート４に固定されるととも
に、環状のターゲット押え５（でよって押えられる。
ところで、スパッタ装置では放電中、ターゲットはスノ
にツタがスで常にたたかれて高温になるため、バッキン
グプレートは冷却していなければならない。特にムダネ
トロンス／？ツタ装置では、放電領域がある限られた一
部分に集中するため、ターケ゛ノド上の温度分布にも偏
りを生じる。
にツタがスで常にたたかれて高温になるため、バッキン
グプレートは冷却していなければならない。特にムダネ
トロンス／？ツタ装置では、放電領域がある限られた一
部分に集中するため、ターケ゛ノド上の温度分布にも偏
りを生じる。
しかしながら、従来のス・！ツタ装置は次に述べる問題
点を有する。即ち、ターゲット１にＡｔ系（Ａ７−８ｉ
など）を用すた場合、ターゲット１のエロージョン２直
下でターゲット１とバッキングプレート４が接合部Ａで
反応し、ターケ０ノド１がバッキングプレート４に接合
する。従って、ターゲット交換時にターゲット１がバッ
キンググレート４から取れなくなる。また、ターデソｌ
ｚ中にバッキングプレート４中の成分であるＣｕが拡散
し、形成された薄膜中に不純物が混入して汚染が生じる
。
点を有する。即ち、ターゲット１にＡｔ系（Ａ７−８ｉ
など）を用すた場合、ターゲット１のエロージョン２直
下でターゲット１とバッキングプレート４が接合部Ａで
反応し、ターケ０ノド１がバッキングプレート４に接合
する。従って、ターゲット交換時にターゲット１がバッ
キンググレート４から取れなくなる。また、ターデソｌ
ｚ中にバッキングプレート４中の成分であるＣｕが拡散
し、形成された薄膜中に不純物が混入して汚染が生じる
。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、ターゲット
交換時にターケ°ットをバッキングプレートから容易に
取外しできるとともに、ターク゛ットへのバッキングプ
レート中の不純物の混入を防止し得るス・ンツタ装置を
提供することを目的とする。
交換時にターケ°ットをバッキングプレートから容易に
取外しできるとともに、ターク゛ットへのバッキングプ
レート中の不純物の混入を防止し得るス・ンツタ装置を
提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は、少なくとも前記エロージョン直下のターゲッ
ト裏面又は・ぐツキングプレート表面に、ターゲットと
バッキングプレートとの反応を防止する反応防止物を設
けることを特徴とし、ターゲット交換を容易にするとと
もに、ターゲットへのバッキングプレート中の不純物の
侵入を防止できる。
ト裏面又は・ぐツキングプレート表面に、ターゲットと
バッキングプレートとの反応を防止する反応防止物を設
けることを特徴とし、ターゲット交換を容易にするとと
もに、ターゲットへのバッキングプレート中の不純物の
侵入を防止できる。
（作用）
本発明によれば、以下の効果を有する。
■反応防止物をバッキンググレート表面又はターゲット
裏面の所定位置に設けるため、ターゲットのエロージョ
ン直下とバクキンググレートの反応を押えることができ
、ターゲットの交換をスムーズにかつ迅速に行なうこと
ができる。
裏面の所定位置に設けるため、ターゲットのエロージョ
ン直下とバクキンググレートの反応を押えることができ
、ターゲットの交換をスムーズにかつ迅速に行なうこと
ができる。
■上記の如く反応を押えることができるため、バッキン
グプレート中の不純物がターゲットに混入するのを防止
でき、汚染のない良好な薄膜をウニ・・に形成できる。
グプレート中の不純物がターゲットに混入するのを防止
でき、汚染のない良好な薄膜をウニ・・に形成できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
第１図は反応防止物をバンキングプレート表面に形成し
た場合の実施例である。図中の１１は、チャンバーであ
る。このチャンバー１１内の上方には、ウェハ１２を支
持するウェハ支持具としてのプラテン１３が配置されて
いる。前記チャン・ぐ−１１内の下方には、マグネッ）
ｆｌｆ極１４が前記プラテン１３と対向するように配置
されている。
た場合の実施例である。図中の１１は、チャンバーであ
る。このチャンバー１１内の上方には、ウェハ１２を支
持するウェハ支持具としてのプラテン１３が配置されて
いる。前記チャン・ぐ−１１内の下方には、マグネッ）
ｆｌｆ極１４が前記プラテン１３と対向するように配置
されている。
このマグネット電極内には水が供給され、電極１４上の
Ｃｕ製のバッキングプレート１５を冷却するようになっ
ている。このバッキンググレート１５の表面でかつ後記
ターゲットのエロージョンの直下には深さ１〜２詣の環
状の溝が設けられ、この溝に反応防止物としてのカーボ
ン製の薄板１６が埋め込まれている。ここで、この薄板
１６の表面と前記バッキングプレート１５の表面は段差
のないなめらかな同−千百とする。前記バッキングプレ
ート１５上には、表面に環状の二ローソ１ン１７を有し
たターゲット１８が設けられている。このターゲット１
８は、その中央部を止めネジ１９によってバッキンググ
レート１５に固定され、周側部をターゲット押え２０に
よって押えられている。
Ｃｕ製のバッキングプレート１５を冷却するようになっ
ている。このバッキンググレート１５の表面でかつ後記
ターゲットのエロージョンの直下には深さ１〜２詣の環
状の溝が設けられ、この溝に反応防止物としてのカーボ
ン製の薄板１６が埋め込まれている。ここで、この薄板
１６の表面と前記バッキングプレート１５の表面は段差
のないなめらかな同−千百とする。前記バッキングプレ
ート１５上には、表面に環状の二ローソ１ン１７を有し
たターゲット１８が設けられている。このターゲット１
８は、その中央部を止めネジ１９によってバッキンググ
レート１５に固定され、周側部をターゲット押え２０に
よって押えられている。
上記実格例によれば、ターゲット１８の工ｏ −ジョン
１７の直下：て位置するバッキングプレート１５の表面
に溝を設け、この溝にカーボン製の薄板１６を埋め込ん
だ構造となっているため、夕一グントノ８のエロージョ
ン１７の直下とバッキングプレート１５の反応を抑制で
きる。従って、ターケ゛ット１８の交換をスムーズかつ
迅速に行なうことができる。また、その反応が抑えられ
たため、ターケ゛ット１８内への不純物Ｃｕが混入しな
くなり、ウェハ１２に汚染のない良好な薄膜を形成する
ことができた。更に、カーボンの熱電導率は垂直方向で
、Ｃｕより多少小さい程度であるため、冷却能力は従来
技術と同程度であることが期待できる。
１７の直下：て位置するバッキングプレート１５の表面
に溝を設け、この溝にカーボン製の薄板１６を埋め込ん
だ構造となっているため、夕一グントノ８のエロージョ
ン１７の直下とバッキングプレート１５の反応を抑制で
きる。従って、ターケ゛ット１８の交換をスムーズかつ
迅速に行なうことができる。また、その反応が抑えられ
たため、ターケ゛ット１８内への不純物Ｃｕが混入しな
くなり、ウェハ１２に汚染のない良好な薄膜を形成する
ことができた。更に、カーボンの熱電導率は垂直方向で
、Ｃｕより多少小さい程度であるため、冷却能力は従来
技術と同程度であることが期待できる。
なお、本発明に係るスパッタ装置は、上記実施例の場合
に限らず、第３図に示す如く反応防止物をターケ゛ット
の裏面に形成してもよい。但し、ターゲットと／Ｊツキ
ングプレート以外は、第１図と同一なので省略する。エ
ロージョン直下のターゲット裏面には深さ１〜２ｎの環
状の溝が設けられ、この反応防止物としてのカーボン製
の薄板１６が埋め込まれている。ここで、この薄板１６
の表面と前記ターゲット１８の裏面は段差のないなめら
かな同一平面とする。
に限らず、第３図に示す如く反応防止物をターケ゛ット
の裏面に形成してもよい。但し、ターゲットと／Ｊツキ
ングプレート以外は、第１図と同一なので省略する。エ
ロージョン直下のターゲット裏面には深さ１〜２ｎの環
状の溝が設けられ、この反応防止物としてのカーボン製
の薄板１６が埋め込まれている。ここで、この薄板１６
の表面と前記ターゲット１８の裏面は段差のないなめら
かな同一平面とする。
なお、上記実施例では反応防止物にカーボンを例に説明
したが、高融点金属またはこれの窒化物、硅化物、炭化
物、ホウ化物さらには溝のみで反応防止物無しでも同様
の効果が期待できる。−また、反応防止物をバッキング
グレートの表面又はターゲット裏面の一部Ｖこ厚みをも
って設けたが、全面に形成してもよいし、厚みも表面処
理のような厚みがほとんどない状態でも同様の効果が期
待できる。
したが、高融点金属またはこれの窒化物、硅化物、炭化
物、ホウ化物さらには溝のみで反応防止物無しでも同様
の効果が期待できる。−また、反応防止物をバッキング
グレートの表面又はターゲット裏面の一部Ｖこ厚みをも
って設けたが、全面に形成してもよいし、厚みも表面処
理のような厚みがほとんどない状態でも同様の効果が期
待できる。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明によれば、ターケ゛ノド交換を
スムーズかつ迅速になし得るとともに、ターゲット中へ
のバッキングプレート中の不純物の混入を防止し、しか
も冷却能力を従来技術と同程度に期待し得るスパッタ装
置を提供できる。
スムーズかつ迅速になし得るとともに、ターゲット中へ
のバッキングプレート中の不純物の混入を防止し、しか
も冷却能力を従来技術と同程度に期待し得るスパッタ装
置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパッタ装置の断面図
、第２図は従来のスパッタ装置の要部の断面図、第３図
は本発明の他の実施例に係るスパッタ装置の要部の断面
図である。 １１・・・チャンバー、１２・・・ウェー・、１３・・
・プラテン（ウェハ支持具）、１４・・・マグネット電
極、１５・・・バッキングプレート、１６・・・薄板（
反応防止板）１７・・・エロージョン、１８・・・ター
ゲット、２０・・・ターゲット押え。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦オ（ 第１図 第２図
、第２図は従来のスパッタ装置の要部の断面図、第３図
は本発明の他の実施例に係るスパッタ装置の要部の断面
図である。 １１・・・チャンバー、１２・・・ウェー・、１３・・
・プラテン（ウェハ支持具）、１４・・・マグネット電
極、１５・・・バッキングプレート、１６・・・薄板（
反応防止板）１７・・・エロージョン、１８・・・ター
ゲット、２０・・・ターゲット押え。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦オ（ 第１図 第２図
Claims (5)
- （１）チャンバーと、このチャンバー内に設けられたウ
ェハ支持具と、同チャンバー内に前記ウェハ支持具と対
向して設けられたマグネット電極上に設けられたバッキ
ングプレートと、このバッキングプレート上に設けられ
、表面の局在化された領域がエロージョンされるターゲ
ットとを具備したスパッタ装置において、少なくとも前
記エロージョン直下のバッキングプレート表面又はター
ゲット裏面に、ターゲットとバッキングプレートとの反
応を防止する反応防止物を設けたことを特徴とするスパ
ッタ装置。 - （２）反応防止物が、バッキングプレート表面に設けら
れた高融点金属層またはこれの窒化物、硅化物、炭化物
ホウ化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のスパッタ装置。 - （３）反応防止物が、ターゲット裏面に設けられた高融
点金属層またはこれの窒化物、硅化物、炭化物ホウ化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のス
パッタ装置。 - （４）反応防止物が、バッキングプレート表面又は、タ
ーゲット裏面に設けられた溝に埋め込まれたグラファイ
ト層又は中空であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のスパッタ装置。 - （５）ターゲットの材料がＡｌ又はＡｌ合金からなり、
かつバッキングプレートが銅製からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19010286A JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19010286A JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345368A true JPS6345368A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0225987B2 JPH0225987B2 (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=16252409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19010286A Granted JPS6345368A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345368A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134166A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
| US5244556A (en) * | 1990-09-20 | 1993-09-14 | Fujitsu Limited | Method for depositing thin film on substrate by sputtering process |
| US5286361A (en) * | 1992-10-19 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Magnetically attached sputter targets |
| WO2008001547A1 (en) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target/backing plate conjunction element |
| KR20200069884A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP19010286A patent/JPS6345368A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134166A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Tokyo Electron Ltd | スパッタ装置 |
| US5244556A (en) * | 1990-09-20 | 1993-09-14 | Fujitsu Limited | Method for depositing thin film on substrate by sputtering process |
| US5286361A (en) * | 1992-10-19 | 1994-02-15 | Regents Of The University Of California | Magnetically attached sputter targets |
| WO2008001547A1 (en) | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target/backing plate conjunction element |
| JP4879986B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2012-02-22 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット／バッキングプレート接合体 |
| KR20200069884A (ko) * | 2018-12-07 | 2020-06-17 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
| US10995401B2 (en) * | 2018-12-07 | 2021-05-04 | SK Hynix Inc. | Sputtering target and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225987B2 (ja) | 1990-06-06 |
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