JPH0226038A - 電子素子の固着方法 - Google Patents
電子素子の固着方法Info
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- JPH0226038A JPH0226038A JP63176386A JP17638688A JPH0226038A JP H0226038 A JPH0226038 A JP H0226038A JP 63176386 A JP63176386 A JP 63176386A JP 17638688 A JP17638688 A JP 17638688A JP H0226038 A JPH0226038 A JP H0226038A
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- JP
- Japan
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- solder
- period
- temperature
- semiconductor element
- brazing material
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタ、ダイオード、ＩＣ等の電子素子
を支持体に対し、てろう材を介し、て固着する方法に関
し６．更に詳り、 ＜は、１１子素子と支持板の間に介
在するろう材１の熱抵抗を減少させることができる電子
素子を固着する方法に関するものである。
を支持体に対し、てろう材を介し、て固着する方法に関
し６．更に詳り、 ＜は、１１子素子と支持板の間に介
在するろう材１の熱抵抗を減少させることができる電子
素子を固着する方法に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決し、よりとする課題〕多く
の電力用半導体装置においては、半導体素子が放熱性の
良い支持板に対し、て手出付けされた構造となっている
。上記の半導体素子の支持板への固着はダイマウント法
あるいはりフロー法と称される方法で行われることがあ
る。以下にこの方法を簡単に説明する。まず、半導体素
子を固着すべき支持板の薔固漕面にペースト手出Ｃクリ
ーム中日〕を所定の厚みで供給する。通常、ペースト手
出の供給はスクリーン印刷法によって行われる。
の電力用半導体装置においては、半導体素子が放熱性の
良い支持板に対し、て手出付けされた構造となっている
。上記の半導体素子の支持板への固着はダイマウント法
あるいはりフロー法と称される方法で行われることがあ
る。以下にこの方法を簡単に説明する。まず、半導体素
子を固着すべき支持板の薔固漕面にペースト手出Ｃクリ
ーム中日〕を所定の厚みで供給する。通常、ペースト手
出の供給はスクリーン印刷法によって行われる。
次に、このペースト手出の上面に半導体素子を載置する
。載置された半導体素子はペースト手出の粘着力によっ
て支持板に仮固着される。次に、半導体素子が仮固着さ
れた支持板を加熱炉に投入し。
。載置された半導体素子はペースト手出の粘着力によっ
て支持板に仮固着される。次に、半導体素子が仮固着さ
れた支持板を加熱炉に投入し。
て、ペーヌト手出を加熱し、て再溶融（リフｏ−）させ
る。リフロー後に半田が固化することにより半導体素子
は支持板に固着される。
る。リフロー後に半田が固化することにより半導体素子
は支持板に固着される。
上記のダイマウントを、複数の支持板が連結されたリー
ドフレームの状態で行うことにより、−度に多数個の半
導体素子の半田付けが行える。ところで、半導体装置に
おいては放熱性を向上することがＮ要な課題であり、こ
のために半導体素子と支持板との間に介在する半田層の
熱抵抗が少Ｌ２でも小さいことが望まれる。半田層の熱
抵抗を小さくするためには半導体素子と支持板との間に
気泡の少ない良好な半田層を極力薄く形成する必要があ
る。上記のダイ７ウント法では半田層を薄く形成すると
気泡が多く発生したり、半導体素子の下面全体に半田層
が良好に広がらす、半田層を薄く形成し、たにもかかわ
らす熱抵抗を十分に小さくｊることが困難であった。
ドフレームの状態で行うことにより、−度に多数個の半
導体素子の半田付けが行える。ところで、半導体装置に
おいては放熱性を向上することがＮ要な課題であり、こ
のために半導体素子と支持板との間に介在する半田層の
熱抵抗が少Ｌ２でも小さいことが望まれる。半田層の熱
抵抗を小さくするためには半導体素子と支持板との間に
気泡の少ない良好な半田層を極力薄く形成する必要があ
る。上記のダイ７ウント法では半田層を薄く形成すると
気泡が多く発生したり、半導体素子の下面全体に半田層
が良好に広がらす、半田層を薄く形成し、たにもかかわ
らす熱抵抗を十分に小さくｊることが困難であった。
そこで１本発明の目的は、上記の問題を解決し、。
電子素子と支持体との間に介在するろり材層の熱抵抗を
小さくするごとができる電子素子の固着方法を提供する
ことにある。
小さくするごとができる電子素子の固着方法を提供する
ことにある。
上記目的を連成するための本発明は、支持体（ｎ所定の
箇所に７ラツクスを含有するろう材を供給し、前記ろり
材の上に電子素子を載置し、前記ろう材を加熱１て溶融
することで前記電子素子を前言ピ支持体に対し、て前記
ろう材を介し、て固着する方法において、前記ろう材の
溶融期間における溶融開始時点から前記フラックスの活
性化期間中又は後の任意の時点までを第１の期間とし、
かつ前記溶融期間の前記第１の期間よりも後の一部又は
全部の期間を第２の期間とり、た場合に、前記第２ ｏ
）期間での前記ろう材の＃冨を前記第１の期間での前記
ろう材の荷重よりも大きくすることによって前記第２の
期間での前記ろう材の層厚を前記第１の期間での前記ろ
う材の層Ｎよりも小さくすることを特徴とする電子素子
の固着方法に係わるものである。
箇所に７ラツクスを含有するろう材を供給し、前記ろり
材の上に電子素子を載置し、前記ろう材を加熱１て溶融
することで前記電子素子を前言ピ支持体に対し、て前記
ろう材を介し、て固着する方法において、前記ろう材の
溶融期間における溶融開始時点から前記フラックスの活
性化期間中又は後の任意の時点までを第１の期間とし、
かつ前記溶融期間の前記第１の期間よりも後の一部又は
全部の期間を第２の期間とり、た場合に、前記第２ ｏ
）期間での前記ろう材の＃冨を前記第１の期間での前記
ろう材の荷重よりも大きくすることによって前記第２の
期間での前記ろう材の層厚を前記第１の期間での前記ろ
う材の層Ｎよりも小さくすることを特徴とする電子素子
の固着方法に係わるものである。
本発明においては、電子素子を支持体に対してろう付け
する際に、第２の期間に抑圧等によってろり材の荷重を
大きくする。この結果、電子素子と支持体との間に介在
するろう材の層厚を小さくすることができる。更に、ろ
う材が溶融状態にあり、かつフラックスの活性化【てい
る期間を含む第１の期間の後の第２の期間にろう材を肉
薄化するために、１ｉ子素子と支持体との間に介在する
ろり材層の気孔の発生率を有効に減少できる。
する際に、第２の期間に抑圧等によってろり材の荷重を
大きくする。この結果、電子素子と支持体との間に介在
するろう材の層厚を小さくすることができる。更に、ろ
う材が溶融状態にあり、かつフラックスの活性化【てい
る期間を含む第１の期間の後の第２の期間にろう材を肉
薄化するために、１ｉ子素子と支持体との間に介在する
ろり材層の気孔の発生率を有効に減少できる。
第１図〜第６図を参照し、て不発明の一実施例とし、て
の半導体素子の固着方法を以下に説明する。
の半導体素子の固着方法を以下に説明する。
ます、第６図のようなリードフレーム１を用意する。リ
ードフレーム１は図示のように複数個の支持体としての
半田付は可能な金楕板から成る支持板２とそれに対応す
る外部リード３を有する。
ードフレーム１は図示のように複数個の支持体としての
半田付は可能な金楕板から成る支持板２とそれに対応す
る外部リード３を有する。
なお、半導体素子は支持板２の一方の主面の機内−Ｎ部
４に半田を介し６て固着されることとなる。
４に半田を介し６て固着されることとなる。
次に、第１図（ａ＋に示すようにリードフレーム１０す
べての支持板２の被固着ｓ４に半田５を供給する。半田
５は鉛と錫の共晶合金力・ら＃：Ｄ、粘着性を有するペ
ースト状の半田（クリーム半田）である。この半田５は
半田ぬれ性を向上するためにロジン糸の７ラツクスを含
有し、ている。なお、半田５の供給は従来例と同様にス
クリーン印刷法によって行い、被固着部４に所望な厚み
で供給される。
べての支持板２の被固着ｓ４に半田５を供給する。半田
５は鉛と錫の共晶合金力・ら＃：Ｄ、粘着性を有するペ
ースト状の半田（クリーム半田）である。この半田５は
半田ぬれ性を向上するためにロジン糸の７ラツクスを含
有し、ている。なお、半田５の供給は従来例と同様にス
クリーン印刷法によって行い、被固着部４に所望な厚み
で供給される。
次に、第１図（ｂｌに示すように、被固着部４に供給さ
れた半田５の土に半導体素子６を半田５に対し、て若干
押えつけるようにし、て載置する。半導体素子６は半田
５の粘着力によって被固着部４に仮固着される。なお、
半導体素子６と支持板２の間に介在する中日５０層厚は
約２０μｍである。なお１図示は省略し、ているが、半
導体素子６０）下面。
れた半田５の土に半導体素子６を半田５に対し、て若干
押えつけるようにし、て載置する。半導体素子６は半田
５の粘着力によって被固着部４に仮固着される。なお、
半導体素子６と支持板２の間に介在する中日５０層厚は
約２０μｍである。なお１図示は省略し、ているが、半
導体素子６０）下面。
即ち支持板２に固着される側の主面全体にニッケル電極
が形成されている。また、上面には部分的にアルε電極
が形成されている。
が形成されている。また、上面には部分的にアルε電極
が形成されている。
リードフレーム１のすべての支持板２の被固着部４に半
導体素子６が固着された後にリードフレーム１をｍ熱炉
に投入する。なお、リーと７レ−ム１はホルダー（挟持
用治具）によって挾持され。
導体素子６が固着された後にリードフレーム１をｍ熱炉
に投入する。なお、リーと７レ−ム１はホルダー（挟持
用治具）によって挾持され。
ホルダーを移動することによってＷ熱炉内を移動させる
。加熱炉内には複数個のヒーターブロックが配置さｔて
おり、リードフレーム１はこの正方を移動する。リード
フレーム１を加熱炉に投入することによって、支持板２
土に供給された半田５は加熱されて溶融する。ここで、
加熱炉内のり−トフレーム１の通路の温度分布はリード
フレーム１の投入口と取出口で温度が比較的低く、炉内
の中央側で相対的に高く設定されている。し、たかって
、半田５の温度はリードフレーム１が加熱炉内を移動す
ることによって第２図のよりに変化する。
。加熱炉内には複数個のヒーターブロックが配置さｔて
おり、リードフレーム１はこの正方を移動する。リード
フレーム１を加熱炉に投入することによって、支持板２
土に供給された半田５は加熱されて溶融する。ここで、
加熱炉内のり−トフレーム１の通路の温度分布はリード
フレーム１の投入口と取出口で温度が比較的低く、炉内
の中央側で相対的に高く設定されている。し、たかって
、半田５の温度はリードフレーム１が加熱炉内を移動す
ることによって第２図のよりに変化する。
因示のように、 ｔｏ時点を出発点とし、てリードフレ
ーム１が加熱炉の中央に移動Ｔるにつれて半田５は温度
上昇し、て、１１時点で半田浴４！ｌｌ温度（約１８３
℃）に逼り２．やがてｔｓ時点で最高温度Ｃ約２７０℃
）に到趣１”る。ｔ３〜ｔ４の＃高温度の期間（−定温
度期間）は約２０秒間に設定されている。−定温度期間
後、半田５の温度は１降し、、１７時点で溶融温度以）
となって固化する。なお、半田５の最高温度は半田５内
に含有された７ラツクスの活性化温度（約２３０℃）エ
フも高い温度（２７０℃）に設定されている。７う゛ツ
クスの活性化温度よりも高い期間は１３時点よりも少し
、前の１２時点から１４時点よりも少し、後のｔｓ時点
までである。
ーム１が加熱炉の中央に移動Ｔるにつれて半田５は温度
上昇し、て、１１時点で半田浴４！ｌｌ温度（約１８３
℃）に逼り２．やがてｔｓ時点で最高温度Ｃ約２７０℃
）に到趣１”る。ｔ３〜ｔ４の＃高温度の期間（−定温
度期間）は約２０秒間に設定されている。−定温度期間
後、半田５の温度は１降し、、１７時点で溶融温度以）
となって固化する。なお、半田５の最高温度は半田５内
に含有された７ラツクスの活性化温度（約２３０℃）エ
フも高い温度（２７０℃）に設定されている。７う゛ツ
クスの活性化温度よりも高い期間は１３時点よりも少し
、前の１２時点から１４時点よりも少し、後のｔｓ時点
までである。
半導体素子６と支持板２との間に介在する半田５の層厚
は半田５が溶融温度を越えて溶融状態となると、半導体
素子６に基づく荷重によって半田５のＭｋ庫は減少する
と考えられる。し、かし、実際には層厚が減少すること
はほとんどない。このため、半田５の温度が溶融温度を
越えて＃高温度に運り、ても、半導体素子６と支持板２
との間に介在する牛田５０層厚は第１図ｔｂ＋に示す仮
固着時と大差のない厚さＣ約２０μｍ）を維持する。第
２図では、溶融開始時点、から７ラツクス活性化温度期
間の終了時点ｔ６の直後の時点ｔ６までを第１の期間と
し、ている。
は半田５が溶融温度を越えて溶融状態となると、半導体
素子６に基づく荷重によって半田５のＭｋ庫は減少する
と考えられる。し、かし、実際には層厚が減少すること
はほとんどない。このため、半田５の温度が溶融温度を
越えて＃高温度に運り、ても、半導体素子６と支持板２
との間に介在する牛田５０層厚は第１図ｔｂ＋に示す仮
固着時と大差のない厚さＣ約２０μｍ）を維持する。第
２図では、溶融開始時点、から７ラツクス活性化温度期
間の終了時点ｔ６の直後の時点ｔ６までを第１の期間と
し、ている。
最高温度から溶融温度に向って半田５の温度が下り始め
た１６時点以後の第２の期間において、半導体素子６を
支持′＆２に対し７て押圧治具７によって押圧する。な
お、この実施例では、ＩＩＡ勤装置（移動装置）７ａに
よって押圧治具７を半導体素子６上に移動する。上記の
溶融温度に近づいた期間では半田５か完全に溶融し、た
状態から流動性が低下し、て牛固融の状態に移行する期
間である。半導体素子６と支持板２との間に介在し、た
半田５は半導体素子６を介し、て押圧されることによっ
て半導体素子６の下面全体に広がり、その一部は半導体
素子６の下部から押し、出される。結果とし、て、半導
体素子６と支持板２０間に介在する半田５の層厚を約８
μｍに均一に肉薄化できる。半田５は押圧治具７に工っ
て押圧されている間に固化が始まっているよりに見られ
る。し、かり、完全溶融−半溶融−固化とい５相変化は
微妙であ＃）４ｃ密には判別できない。し、たがって、
押圧治具７を離間させる時期′１に溶融温度に一致させ
ているが、Ａ密に−致し、ているとはいえない。半導体
素子６を押圧し。
た１６時点以後の第２の期間において、半導体素子６を
支持′＆２に対し７て押圧治具７によって押圧する。な
お、この実施例では、ＩＩＡ勤装置（移動装置）７ａに
よって押圧治具７を半導体素子６上に移動する。上記の
溶融温度に近づいた期間では半田５か完全に溶融し、た
状態から流動性が低下し、て牛固融の状態に移行する期
間である。半導体素子６と支持板２との間に介在し、た
半田５は半導体素子６を介し、て押圧されることによっ
て半導体素子６の下面全体に広がり、その一部は半導体
素子６の下部から押し、出される。結果とし、て、半導
体素子６と支持板２０間に介在する半田５の層厚を約８
μｍに均一に肉薄化できる。半田５は押圧治具７に工っ
て押圧されている間に固化が始まっているよりに見られ
る。し、かり、完全溶融−半溶融−固化とい５相変化は
微妙であ＃）４ｃ密には判別できない。し、たがって、
押圧治具７を離間させる時期′１に溶融温度に一致させ
ているが、Ａ密に−致し、ているとはいえない。半導体
素子６を押圧し。
ている期間では半田５が溶融し、ている期間ではあるか
、一定温度期間のように半田５が十分に溶融状態にある
のではなく、若干溶融状態が損なわれた状態である。し
、たがって、抑圧を解いても、＃−導体素子６の側方に
押し、出された半田５が再び半導体素子６の下方にもど
って肉摩化することはない。リードフレーム１が加熱炉
の出口に近づくと。
、一定温度期間のように半田５が十分に溶融状態にある
のではなく、若干溶融状態が損なわれた状態である。し
、たがって、抑圧を解いても、＃−導体素子６の側方に
押し、出された半田５が再び半導体素子６の下方にもど
って肉摩化することはない。リードフレーム１が加熱炉
の出口に近づくと。
半田５は温度か低下し、やがて固化する。固化し、た後
に、半導体素子６と支持板２の間に介在する半田５の層
厚は約８μｍとなっている。なお、上記のよりに溶融温
度を境とし、て完全溶融状態−生溶融状態一固化という
相変化をするが、実際には目視で確認できるほど明硲な
ものではない。また。
に、半導体素子６と支持板２の間に介在する半田５の層
厚は約８μｍとなっている。なお、上記のよりに溶融温
度を境とし、て完全溶融状態−生溶融状態一固化という
相変化をするが、実際には目視で確認できるほど明硲な
ものではない。また。
半田５σ、）温度分布等によって−様な相変化を七、て
いるとは限らない。
いるとは限らない。
本実施例は以下の効果を有する。
１１１ 半導体素子６と支持板２との間に介在する半
田５の層厚を８μｍ程度に肉薄に形成し、ても。
田５の層厚を８μｍ程度に肉薄に形成し、ても。
本実施例では半田５の層内に発生する気泡が少ない。し
、たがって＃Ｉ抵抗の小さい半田層を得ることができる
。即ち、単に肉薄の半田５の鳩を形成するのであれば、
おもりを載置する方法等により半導体素子６を初めから
押圧し、た状態とし、て加熱炉に適せばよい。しかし、
この場合、肉薄化し、た半田５の層に気泡が比較的多く
発生する。本実施例では、フラックスの活性化温度を越
える温度を所定期間Ｃ約２５秒）経たのちに半導体素子
６を押圧し、ている。このため、上記の気泡の発生を著
、 ＜減少し、ている。気泡を減少できる理由は以下の
よ）に考えらｆ″Ｌる。半田５が加熱されて、半田５内
に含有し、たフラックスの活性化温度を越えると。
、たがって＃Ｉ抵抗の小さい半田層を得ることができる
。即ち、単に肉薄の半田５の鳩を形成するのであれば、
おもりを載置する方法等により半導体素子６を初めから
押圧し、た状態とし、て加熱炉に適せばよい。しかし、
この場合、肉薄化し、た半田５の層に気泡が比較的多く
発生する。本実施例では、フラックスの活性化温度を越
える温度を所定期間Ｃ約２５秒）経たのちに半導体素子
６を押圧し、ている。このため、上記の気泡の発生を著
、 ＜減少し、ている。気泡を減少できる理由は以下の
よ）に考えらｆ″Ｌる。半田５が加熱されて、半田５内
に含有し、たフラックスの活性化温度を越えると。
このフラックスが活性化し、艮好な半田付けを可能とす
る。このとき、フラックスは分解に伴うガスを発生し、
、このガスが半田５ＦＥＪＩＣ多く残存する七午田５の
１内に気泡（ホイド）ができる。本実施例ではフラック
スの活性化温度を越える温度上昇期間の後期及び温度一
定期間及び温度下降期間の初期の約２５秒間（第１の期
間）では半田５の層厚を約２０μｍ程度と比較的浄く保
っている。し、たがって、上記のガスあるいは７ラツク
スの残渣は半導体素子６０刊１・ら側方に良好に移動り
、てガスの大手は雰囲気中に放出される。結果とり、て
半田５中に気泡の発生が少なく、半導体素子６の下部の
半田５の中の気泡の体積比を５％以下とすることができ
た。なお、上記の半導体素子６におもりを載せる方法等
による半導体素子６の抑圧では、７ラツクスの活性化温
度以前記半田５を肉薄化するため、後に７ラツクスの活
性化温度に運し。
る。このとき、フラックスは分解に伴うガスを発生し、
、このガスが半田５ＦＥＪＩＣ多く残存する七午田５の
１内に気泡（ホイド）ができる。本実施例ではフラック
スの活性化温度を越える温度上昇期間の後期及び温度一
定期間及び温度下降期間の初期の約２５秒間（第１の期
間）では半田５の層厚を約２０μｍ程度と比較的浄く保
っている。し、たがって、上記のガスあるいは７ラツク
スの残渣は半導体素子６０刊１・ら側方に良好に移動り
、てガスの大手は雰囲気中に放出される。結果とり、て
半田５中に気泡の発生が少なく、半導体素子６の下部の
半田５の中の気泡の体積比を５％以下とすることができ
た。なお、上記の半導体素子６におもりを載せる方法等
による半導体素子６の抑圧では、７ラツクスの活性化温
度以前記半田５を肉薄化するため、後に７ラツクスの活
性化温度に運し。
たとき、上記のガスの側方への移動が良好に行われない
。し、たがって気泡の発生が相対的に多くなｔ）気泡の
面積比を１０％以下とすることはできな力１つだ。
。し、たがって気泡の発生が相対的に多くなｔ）気泡の
面積比を１０％以下とすることはできな力１つだ。
（２１温度下降期の後学の半田５の流動性が完全溶融状
態よりも抽なわれた期間に半導体素子６を抑圧するので
、半田５の層厚を確実に肉薄化できる。また、半田５の
層厚の変動を防止できる。また、温度下降期で押圧治具
７を当接させるので。
態よりも抽なわれた期間に半導体素子６を抑圧するので
、半田５の層厚を確実に肉薄化できる。また、半田５の
層厚の変動を防止できる。また、温度下降期で押圧治具
７を当接させるので。
半導体素子６及び手出５の冷却が助長され、半田５の固
化の促進に有効である。
化の促進に有効である。
（３１半導体素子６が押圧されることで半田５を広範囲
に広げることが可能である。し、たがって、半導体素子
６の下面全体に半田５を広け′ることができる。また、
供給する半田５の量を少量化できる効果も付加的に得ら
れる。
に広げることが可能である。し、たがって、半導体素子
６の下面全体に半田５を広け′ることができる。また、
供給する半田５の量を少量化できる効果も付加的に得ら
れる。
［変形例〕
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく。
例えは次の変形が可能なものである。
（１１第４囚のように押圧治具７を冷却装置８によって
冷却し、てもよい。この場合、実施例よりも更に半田５
の薄型化効果及び半田５の固化促進の効果が期待できる
。
冷却し、てもよい。この場合、実施例よりも更に半田５
の薄型化効果及び半田５の固化促進の効果が期待できる
。
（２） 第５図のように空気孔９を有する押圧治具７
を使用し、押圧治具７を半導体素子６に当接する際に、
圧縮空気噴出装置１０７１１・ら空気孔９に冷却空気を
供給し、、この突気孔９から冷却空気を噴出し、でもよ
い。このようにＴることで、第４図の押圧治具と同等の
効果が得られる。また、第５図の押圧治具の場合、押圧
治具７を半導体素子６から廂関させておき、全気孔９か
ら噴出する圧ｌａ全空気よ！ｌｌ＃−導体素子６を押圧
し、てもよい。
を使用し、押圧治具７を半導体素子６に当接する際に、
圧縮空気噴出装置１０７１１・ら空気孔９に冷却空気を
供給し、、この突気孔９から冷却空気を噴出し、でもよ
い。このようにＴることで、第４図の押圧治具と同等の
効果が得られる。また、第５図の押圧治具の場合、押圧
治具７を半導体素子６から廂関させておき、全気孔９か
ら噴出する圧ｌａ全空気よ！ｌｌ＃−導体素子６を押圧
し、てもよい。
（３１半導体素子６を押圧する第２の期間を、半田５に
含有した７ラツクスの活性化温度以上の温度期間の一部
を経たのちに設定子ｆ″Ｌば気泡の発生の防止効果はそ
ｔ′Ｌなジに祷られる。し、かし、、十分な気泡の発生
防止効果を得るためには７ラツクスの活性化温度以上の
期間を約５秒以上とし、てその後に半田５を肉薄化する
ことがよい。し、たがって。
含有した７ラツクスの活性化温度以上の温度期間の一部
を経たのちに設定子ｆ″Ｌば気泡の発生の防止効果はそ
ｔ′Ｌなジに祷られる。し、かし、、十分な気泡の発生
防止効果を得るためには７ラツクスの活性化温度以上の
期間を約５秒以上とし、てその後に半田５を肉薄化する
ことがよい。し、たがって。
本実施例の温度一定期間の後期に押圧し、てもよい。
し、かし、温度一定期間に押圧することによる格別な利
点はなく、むし、ろ正妃のガスも、 ＜は７ラツクスの
残渣の移動が良好に行われる期間が減少するし、手出５
０層厚に変動が生じ易（、決し６て望まし、いとはいえ
ない。したがって、実施例のように半田５の温度が最高
温度から溶融温度に下降し。
点はなく、むし、ろ正妃のガスも、 ＜は７ラツクスの
残渣の移動が良好に行われる期間が減少するし、手出５
０層厚に変動が生じ易（、決し６て望まし、いとはいえ
ない。したがって、実施例のように半田５の温度が最高
温度から溶融温度に下降し。
て半田５の流動性が低下する期間、さらに望まし。
くは上ｋＸＡ／ｉＪＪの後期の７ラツクス活性化温＆以
下となる期間が良い。
下となる期間が良い。
（４１支持体は導体層を有する回路基板等であってもよ
い。
い。
（５１手出中への気泡の発生を十分に防止するため半田
の最高温度はフラックス活性化温度より５℃以上筒いこ
とが望まし、い。又、手出５０層厚を肉薄化するのはフ
ラックス活性化温度以上の期間の５秒以上経たのちに行
うのが良い。さらに、半田５の層摩は押圧前記は１５Ａ
ｍ以上とするのが望−！し、い。
の最高温度はフラックス活性化温度より５℃以上筒いこ
とが望まし、い。又、手出５０層厚を肉薄化するのはフ
ラックス活性化温度以上の期間の５秒以上経たのちに行
うのが良い。さらに、半田５の層摩は押圧前記は１５Ａ
ｍ以上とするのが望−！し、い。
（６１本実施例では押圧治具７を半田５が溶融温度に近
づいた際に半導体素子６に当＃Ｌ、、溶融温度に通した
際に半導体素子６から離間し、ているが。
づいた際に半導体素子６に当＃Ｌ、、溶融温度に通した
際に半導体素子６から離間し、ているが。
こ九に限られない。例えは温度下降期間中連続して当接
させていてもよいし、溶融温度以下に温度が下ってから
離間ニーでもよい。また、軽い押圧治具７を加熱全期間
において半導体素子６上に載置し、抑圧が要求されると
きにのみ駆動装置７ａ又は別の装置又は手で押圧治具７
を押圧し５．結果とし、て半田５の荷重を大きく Ｌ、
てもよい。
させていてもよいし、溶融温度以下に温度が下ってから
離間ニーでもよい。また、軽い押圧治具７を加熱全期間
において半導体素子６上に載置し、抑圧が要求されると
きにのみ駆動装置７ａ又は別の装置又は手で押圧治具７
を押圧し５．結果とし、て半田５の荷重を大きく Ｌ、
てもよい。
（７１実施例では押圧治具７を駆動装置７ａで上下方向
に移動することによって押圧治具７を半導体素子６に当
接させ、半田５Ｖｃ必要な＃重を与えているが、押圧治
具７を固定し、、支持板２及び半導体素子６を上下動さ
せることによって必要な荷重を半田５に与えることがで
きる。
に移動することによって押圧治具７を半導体素子６に当
接させ、半田５Ｖｃ必要な＃重を与えているが、押圧治
具７を固定し、、支持板２及び半導体素子６を上下動さ
せることによって必要な荷重を半田５に与えることがで
きる。
＋８１ 同相温度と液相温度が異なる半田の場合。
半田層を相対的に肉薄にするのは半田の温度が固相温度
と液相温度の間もし、くは液相温度に近い温度のときに
行うのが良い。
と液相温度の間もし、くは液相温度に近い温度のときに
行うのが良い。
本発明によれは電子素子と支持体との間に介在するろう
材層の熱抵抗を小さくすることができる。
材層の熱抵抗を小さくすることができる。
Ｃｄ）
ｍ１図ｔａ＋ （ｂ＋ ｔｃＴＩま本発明の一実施例に
係わる半導体素子の固着方法を説明するための断面図。 第２図は半田の温度変化と抑圧期間との関係を示す崗。 第３囚は半導体素子を固着するためのリードフレームな
示す平面図。 第４囚は変形例の固着装置を示す断面図。 第５図は別の変形例の固着装置を示す断面図である。 ２・・・支持板、５・・・半田、６・・・半導体素子、
７・・・押圧治具。
係わる半導体素子の固着方法を説明するための断面図。 第２図は半田の温度変化と抑圧期間との関係を示す崗。 第３囚は半導体素子を固着するためのリードフレームな
示す平面図。 第４囚は変形例の固着装置を示す断面図。 第５図は別の変形例の固着装置を示す断面図である。 ２・・・支持板、５・・・半田、６・・・半導体素子、
７・・・押圧治具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕支持体の所定の箇所にフラックスを含有するろう
材を供給し、前記ろう材の上に電子素子を載置し、前記
ろう材を加熱して溶融することで前記電子素子を前記支
持体に対してろう材を介して固着する方法において、 前記ろう材の溶融期間における溶融開始時点から前記フ
ラックスの活性化期間中又は後の任意の時点までを第１
の期間とし、かつ前記溶融期間の前記第１の期間よりも
後の一部又は全部の期間を第２の期間とした場合に、前
記第２の期間での前記ろう材の荷重を前記第１の期間で
の前記ろう材の荷重よりも大きくすることによつて前記
第２の期間での前記ろう材の層厚を前記第１の期間での
前記ろう材の層厚よりも小さくすることを特徴とする電
子素子の固着方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176386A JPH0682697B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電子素子の固着方法 |
| US07/377,906 US4927069A (en) | 1988-07-15 | 1989-07-10 | Soldering method capable of providing a joint of reduced thermal resistance |
| KR1019890010016A KR920005801B1 (ko) | 1988-07-15 | 1989-07-14 | 전자소자의 고착방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176386A JPH0682697B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電子素子の固着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226038A true JPH0226038A (ja) | 1990-01-29 |
| JPH0682697B2 JPH0682697B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=16012740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176386A Expired - Fee Related JPH0682697B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 電子素子の固着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682697B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015167187A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 日立化成株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の中間体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016129205A (ja) | 2015-01-09 | 2016-07-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63176386A patent/JPH0682697B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015167187A (ja) * | 2014-03-04 | 2015-09-24 | 日立化成株式会社 | 電子部品の製造方法及び電子部品の中間体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682697B2 (ja) | 1994-10-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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