JPH02260405A - 積層インダクタ - Google Patents

積層インダクタ

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JPH02260405A
JPH02260405A JP8006089A JP8006089A JPH02260405A JP H02260405 A JPH02260405 A JP H02260405A JP 8006089 A JP8006089 A JP 8006089A JP 8006089 A JP8006089 A JP 8006089A JP H02260405 A JPH02260405 A JP H02260405A
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magnetic
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conductor
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laminated inductor
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哲郎 田中
Shigeru Komiyama
小宮山　繁
Mitsuo Sakakura
坂倉　光男
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、積層インダクタの構造に係るものであり、特
に磁気飽和の生じにくい積層インダクタの構造に関する
ものである。
〔従来技術〕
電子部品の小型化、薄型化などの要求に伴ってインダク
タンス部品の分野でも積層インダクタが注目されている
。これは、巻線を用いずに、印刷あるいはシート法によ
り、磁性体と導体を交互に積層し、磁性体内を周回する
導体パターンを形成するものである。
第４図は、そのような積層インダクタの正面断面図であ
る。磁性体４０内に導体パターン４１が積層方向に重畳
して形成される。導体パターン４１は磁性体４０によっ
て囲まれており、閉磁路型のインダクタが得られる。
〔課題〕
上記のような積層インダクタは、閉磁路型であるため、
磁気的な飽和が生じ、インダクタンス、Ｑなどで十分な
特性を得ることが難しい。
この磁気飽和を調べてみると、上下の端部の導体パター
ンの内側の角の付近において磁束密度が非常に大きくな
っていることが分かった。
本発明は、特定の位置で磁束密度が大きくなることを防
止し、磁気飽和の生じにくい積層インダクタを提供する
ものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、導体パターンに接してその内側に透磁率の低
い層を形成することによって、上記の課題を解決するも
のである。
すなわち、磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該導
体パターンの内側に位置する、該磁性体層よりも透磁率
の低い材料の層を具えたことに特徴を有するものである
。
更に、導体パターン間も透磁率の低い材料で置換すると
、より良好な特性が得られる。
また、透磁率の低い材料は非磁性体としてもよい。
〔作用〕
導体パターンの周囲に生じる磁束は、透磁率の低い部分
よりも透磁率の高い部分に集中する。両端の導体パター
ンの内側に透磁率の低い部分があるので、端部の導体パ
ターンの内側の角の部分に磁束が集中することを防止で
きる。
これによって、この部分での磁束の集中が生じにくなり
、磁束が主磁路の中央部分に分散されてインダクタンス
素子の磁気飽和が発生しに（くなる。
〔実施例〕
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
第１図は本発明の実施例を示す正面断面図である。Ｎｉ
−Ｚｎ系等のフェライトの磁性体層１０内に銀の導体パ
ターン１１が螺旋状に周回している。これは、フェライ
トのペーストと導体ペーストを交互に印刷して積層した
ものである。導体パターンは端部を接続しながら磁性体
層間を周回し、積層方向に重畳して形成される。インダ
クタンス値に応じて、所定のターン数形成される。
本発明の積層インダクタにおいては、少なくとも両端の
導体パターンに接して、ｉ３１率の低い材料のＪｉｉ１
２が形成される。この透磁率の低い材料の層１２は積層
方向の両端に位置する導体パターン１１の内側の部分に
形成する。
図示しないが、導体パターンの内側に接して両端の導体
パターン間に筒状に伸びる透磁率の低い材料の層を形成
してもよい。
なお、第２図のように、導体パターン２１間も透磁率の
低い材料の層２２で置換しておくと、磁束が導体パター
ン２１間を通りにくくなるので、インダクタンスを増加
させることができる。透磁率の低い材料２２は端面側の
層のものと同じ組成の材料を用いてもよい。
また、第３図のように、導体パターン３１に接する部分
と、その内側の磁路を横切る部分に、すなわち、導体パ
ターン３１の内側に筒状に透磁率の低い材料の層３２を
形成した構造としてもよい。
透磁率の低い材料としては同じＮｉ−Ｚｎ系のフェライ
トでＮｉの含有量の少ないものを用いたり、非磁性体を
用いるとよい。なお、導体パターン間には誘電率の低い
材料を用いた方がパターン間の浮遊容量を小さくできる
ので有利である。
上記のような構造の本発明による積層インダクタの特性
について説明する。
積層インダクタの寸法は、磁路断面積が０．７４４ｍｍ
”　、電極幅０゜１３ｍｍ、電極厚み１５ミクｎン、透
磁率の低い層を導体パターンの内側に幅０．１ｍｍで形
成した。磁性体層はμ＝５８０の材料で、透磁率の低い
材料の層にはμ＝　１００のサンプルを得た。
重畳直流特性から判断して、積層方向の両端の導体パタ
ーンの内側の角の部分の磁束密度は小さくなっているこ
とが確認された。
透磁率の低い磁性体の材料で置換したため、インダクタ
ンス値は低くなるので、ターン数は若干増やす必要はあ
るが、前記のように直流重畳特性から判断して磁束の集
中は大幅に緩和され、飽和しにくくなっている。
〔効果〕
本発明によれば、磁束が特定の位置に集中することが防
止でき、閉磁路型の積層インダクタにおいても、磁気飽
和の発生を防止することが容易となる。
それによって、インダクタのインダクタンス値やＱ値な
どを向上させることができる。
なお、導体パターン間の磁束密度も小さくなりＱの向上
の面でも有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図までは本発明の実施例を示す正面断面
図、第４図は従来の積層インダクタの例を示す正面断面
図である。 １０．２０．３０・・・・磁性体層

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、積層方向の両端の導体パターンに接し、当該導体パ
    ターンの内側に位置する、該磁性体層よりも透磁率の低
    い材料の層を具えたことを特徴とする積層インダクタ。
  2. （２）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、該導体パターン間が該磁性体よりも透磁率の低い材
    料で置換され、積層方向の両端の導体パターンに接し、
    当該導体パターンの内側に位置する、該磁性体層よりも
    透磁率の低い材料の層を具えたことを特徴とする積層イ
    ンダクタ。
  3. （３）該導体パターン間と該導体パターンの内側に配置
    された透磁率の低い材料が同じである請求項第２項記載
    の積層インダクタ。
  4. （４）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを臭えた積層インダクタにおい
    て、該導体パターンの内側に接するとともに各々が接続
    されて筒状に形成された、該磁性体層よりも透磁率の低
    い材料の層を具えたことを特徴とする積層インダクタ。
  5. （５）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、該導体パターン間が該磁性体よりも透磁率の低い材
    料で置換され、導体パターンの内側に接するとともに各
    々が接続されて筒状に形成された、該磁性体層よりも透
    磁率の低い材料の層を具えたことを特徴とする積層イン
    ダクタ。
  6. （６）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、少なくとも積層方向の両端の導体パターンに接し、
    当該導体パターンの内側に位置する、非磁性体より成る
    材料の層を具えたことを特徴とする積層インダクタ。
  7. （７）磁性体層間に端部が接続され、積層方向に重畳し
    て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
    て、該導体パターン間が非磁性体材料で置換され、少な
    くとも積層方向の両端該の該導体パターンに接し、当該
    導体パターンの内側に位置する、非磁性体より成る材料
    の層を具えたことを特徴とする積層インダクタ。
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