JPH02260475A - ジョセフソン接合素子の形成方法 - Google Patents
ジョセフソン接合素子の形成方法Info
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- JPH02260475A JPH02260475A JP1078180A JP7818089A JPH02260475A JP H02260475 A JPH02260475 A JP H02260475A JP 1078180 A JP1078180 A JP 1078180A JP 7818089 A JP7818089 A JP 7818089A JP H02260475 A JPH02260475 A JP H02260475A
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- Japan
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- thin film
- superconducting thin
- inorganic material
- josephson junction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、論理回路、光スイッチング素ｆ、情報記録デ
バイス等に用いられるジョセフソン接合素子の形成方法
に関するものである。
バイス等に用いられるジョセフソン接合素子の形成方法
に関するものである。
（従来の技術）
ジョセフソン接合の形式としてはポイントコンタクト型
、サンドイッチ型（ＳｔＳ型）、準平面型、ブリッジ型
等さまざまな形態が提案されている。なかでもブリッジ
型ジョセフソン接合素子は素Ｙ−形態が単純な構造であ
るために、各社の金属超伝導薄膜およびＢ１ＰｂＢａＯ
超伝導薄膜において、ざまざまな形態の検討がなされて
きている。
、サンドイッチ型（ＳｔＳ型）、準平面型、ブリッジ型
等さまざまな形態が提案されている。なかでもブリッジ
型ジョセフソン接合素子は素Ｙ−形態が単純な構造であ
るために、各社の金属超伝導薄膜およびＢ１ＰｂＢａＯ
超伝導薄膜において、ざまざまな形態の検討がなされて
きている。
（Ｊａｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２２
．５４４ （１９８３）、特開昭５９−２１０６７８） 〔発明が解決しようとする課題〕 これらのブリッジ型シミ１セフソン接合素ｔは５括板全
面に超伝導薄膜を形成後、エツチング等によって所望の
ブリッジを形成するのが−・数的であった。しかしなが
ら近年発見されたセラミクス超伝導薄膜、たとえばＹＢ
ａ２Ｃｕ、、０７−δ６ ］］ミｒｌｌａｚＣｕ、、０
．−δ０くδ＜ １ ） 、 Ｂ１５ｒＣａＣｕ系４４
石ではその材料組成が複雑なこともあり、エツチングに
より、たとえばＹ、Ｂａ、Ｃｕなどのエツチング速度が
Ｗ、なるため、超伝導体の組成がエツチングにより変化
し、やすいという問題があった。このためエツチングに
より超伝導特性を示さなくなったり、パターンの結晶性
、再現性、均一性も良くないという欠点もあった。
．５４４ （１９８３）、特開昭５９−２１０６７８） 〔発明が解決しようとする課題〕 これらのブリッジ型シミ１セフソン接合素ｔは５括板全
面に超伝導薄膜を形成後、エツチング等によって所望の
ブリッジを形成するのが−・数的であった。しかしなが
ら近年発見されたセラミクス超伝導薄膜、たとえばＹＢ
ａ２Ｃｕ、、０７−δ６ ］］ミｒｌｌａｚＣｕ、、０
．−δ０くδ＜ １ ） 、 Ｂ１５ｒＣａＣｕ系４４
石ではその材料組成が複雑なこともあり、エツチングに
より、たとえばＹ、Ｂａ、Ｃｕなどのエツチング速度が
Ｗ、なるため、超伝導体の組成がエツチングにより変化
し、やすいという問題があった。このためエツチングに
より超伝導特性を示さなくなったり、パターンの結晶性
、再現性、均一性も良くないという欠点もあった。
本発明は上記従来技術の問題点および課題に鑑みなされ
たものであり、新規なブリッジ形成方法により、情報記
録デバイス、各種論理回路等に有用なブリッジ型粒界シ
：ｌセフソン接合素子を形成しようとするものである。
たものであり、新規なブリッジ形成方法により、情報記
録デバイス、各種論理回路等に有用なブリッジ型粒界シ
：ｌセフソン接合素子を形成しようとするものである。
（ｆ１題を解決するための、１１段）
本発明によれば、基板上に所望釘よりパターン化した無
機材料を形成後、該基板上に超伝導薄膜を成膜し、ジョ
セフソン接合素子を形成することにより、エツチング速
度程を経ることなく、再現性、結晶性、均一性を向上さ
せたジョセフソン接合を形成しうるものである。
機材料を形成後、該基板上に超伝導薄膜を成膜し、ジョ
セフソン接合素子を形成することにより、エツチング速
度程を経ることなく、再現性、結晶性、均一性を向上さ
せたジョセフソン接合を形成しうるものである。
本発明におい”Ｃ，基板１−に所望によりパターン化さ
れて形成されている無機材料は、超伝導薄膜のネガパタ
ーンとなるものである。
れて形成されている無機材料は、超伝導薄膜のネガパタ
ーンとなるものである。
すなわち、基板１−の無機材料」二と、詠無機材料が形
成されていない基板上に、同一条件下で超伝導薄膜を成
膜した場合、該薄膜の無機材料上の超伝導特性が基板上
の特性より悪い、つまりジョセフソン接合素子として動
作させた時に、無機材料−Ｆの超伝導薄膜が超伝導特性
をほとんど示さなくなるように該無機材料は作用する。
成されていない基板上に、同一条件下で超伝導薄膜を成
膜した場合、該薄膜の無機材料上の超伝導特性が基板上
の特性より悪い、つまりジョセフソン接合素子として動
作させた時に、無機材料−Ｆの超伝導薄膜が超伝導特性
をほとんど示さなくなるように該無機材料は作用する。
これは無機材料と超伝導薄膜間における原子の拡散、格
子のミスマツチ、結晶性の低下等によるが、この結果と
して基板上の超伝導薄膜より臨界温度が低いかあるいは
超伝導性を示さなくなる。したがって、この条件を満た
すものであれば無機材料の種類は限定されるものではな
いが、種々の金属、酸化物、窒化物等を例示することが
でき、好ましいものとしては、Ａｌ、＾ｕ、 ５ｉｎ２
．＾１２０３． ｚｎＱ、 ＡＩＮ等を挙げることがで
きる。
子のミスマツチ、結晶性の低下等によるが、この結果と
して基板上の超伝導薄膜より臨界温度が低いかあるいは
超伝導性を示さなくなる。したがって、この条件を満た
すものであれば無機材料の種類は限定されるものではな
いが、種々の金属、酸化物、窒化物等を例示することが
でき、好ましいものとしては、Ａｌ、＾ｕ、 ５ｉｎ２
．＾１２０３． ｚｎＱ、 ＡＩＮ等を挙げることがで
きる。
該無機材料の形成方法としては、マスクを使った蒸着や
、レジストバターニング等により行なうことができ、こ
れらの方法によれば基板、Ｅの任５αの位置に形成可能
であり、所望のネガパターンを形成することができる。
、レジストバターニング等により行なうことができ、こ
れらの方法によれば基板、Ｅの任５αの位置に形成可能
であり、所望のネガパターンを形成することができる。
又、無機材料パターンは、ＥＢｎ光パターニング等によ
り１μ−以下のバターニングが可能であるので、各ジョ
セフソン接合間距離を極めて小さくすることかでき、接
合数を大きくすることが１可能で高集積化にも有利であ
る。尚、該無機材料の厚みとしては数十〜数千入程度で
よい。又無機材料パターンは所望の個数のジョセフソン
接合が得ら第１るように形成すればよいが、基板十に格
子状に配置することにより、容易に高感度の粒界ジョセ
フソン接合アレイも形成することができる。
り１μ−以下のバターニングが可能であるので、各ジョ
セフソン接合間距離を極めて小さくすることかでき、接
合数を大きくすることが１可能で高集積化にも有利であ
る。尚、該無機材料の厚みとしては数十〜数千入程度で
よい。又無機材料パターンは所望の個数のジョセフソン
接合が得ら第１るように形成すればよいが、基板十に格
子状に配置することにより、容易に高感度の粒界ジョセ
フソン接合アレイも形成することができる。
上記したように無機材料のネガパターンを形成した後、
次に超伝導薄膜を作成すれば、簡単にジョセフソン接合
アレイを形成することができる。また、ジョセフソン接
合アレイにすることによってノーマル抵抗値Ｒ，、およ
び超伝導臨界電流値ＩＣが大きくなり、素子に印加でき
る電［ｆＶ−ｒｃＨＮを上げることが５丁能となる。
次に超伝導薄膜を作成すれば、簡単にジョセフソン接合
アレイを形成することができる。また、ジョセフソン接
合アレイにすることによってノーマル抵抗値Ｒ，、およ
び超伝導臨界電流値ＩＣが大きくなり、素子に印加でき
る電［ｆＶ−ｒｃＨＮを上げることが５丁能となる。
また、成膜する超伝導薄膜は、粒界ジョセフソン接合を
形成しつる超伝導物質の薄膜であれば良く、代表的には
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０，Ｂ１−５ｒ−（：ａ−Ｃｕ−０等
を用いることができるが、その化合物組成をＡ−Ｂ−Ｃ
−Ｄと表わすときＡがＬａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ。
形成しつる超伝導物質の薄膜であれば良く、代表的には
Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０，Ｂ１−５ｒ−（：ａ−Ｃｕ−０等
を用いることができるが、その化合物組成をＡ−Ｂ−Ｃ
−Ｄと表わすときＡがＬａ、 Ｃｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ。
Ｉ’ｍ、 ＳＩａ、 Ｓｅ、 Ｅｕ、 Ｇｄ、 Ｔｂ、
Ｄｙ、 ｌｌｏ、 Ｅｒ、 Ｔｂ、 Ｌｕ。
Ｄｙ、 ｌｌｏ、 Ｅｒ、 Ｔｂ、 Ｌｕ。
旧、 ＴｌおよびＹよりなる群より選ばれた一種以上の
元素：ＢがＢａ、 Ｃａ、 ＳｒおよびＰｂよりなる群
から選ばれた一種以上の元素；ＣがＶ 、 Ｔｉ、 Ｃ
ｒ、 Ｍｒ、。
元素：ＢがＢａ、 Ｃａ、 ＳｒおよびＰｂよりなる群
から選ばれた一種以上の元素；ＣがＶ 、 Ｔｉ、 Ｃ
ｒ、 Ｍｒ、。
Ｆｅ、 Ｎｉ、 ｃｏ、 Ａｇ、 ＣｄおよびＣｕより
なる群から選ばれた一種以Ｆの元素；ＤかＳおよびＯよ
りなる群から選ばれた一種以」二の元素である超伝導物
質による薄膜は薄膜化が容易であるため本発明による形
成方法に好適である。
なる群から選ばれた一種以Ｆの元素；ＤかＳおよびＯよ
りなる群から選ばれた一種以」二の元素である超伝導物
質による薄膜は薄膜化が容易であるため本発明による形
成方法に好適である。
基板上への超伝導薄膜の成膜方法としては、通常のスパ
ッタ法、電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、ＭＢＥ法、Ｃ
ＶＤ法、イオンビーム法等が通用できるが、無機材料上
と基板状とで同一条件ｔで成膜できるものか好まし・い
。超伝導薄膜の厚みどしては １００ Ｎ１．００００
人程度程度い。
ッタ法、電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、ＭＢＥ法、Ｃ
ＶＤ法、イオンビーム法等が通用できるが、無機材料上
と基板状とで同一条件ｔで成膜できるものか好まし・い
。超伝導薄膜の厚みどしては １００ Ｎ１．００００
人程度程度い。
尚、基板上に成膜された超伝導薄膜は必要に応じて熱処
理されるが、基板は超伝導薄膜との熱膨張係数の近いも
のを選ぶことでさらにその耐久性を向上させることもで
きる。
理されるが、基板は超伝導薄膜との熱膨張係数の近いも
のを選ぶことでさらにその耐久性を向上させることもで
きる。
この様に本発明に係るブリッジ形成方法によオＩば、超
伝導薄膜は基板上に成膜律エッナング等の処理を受けな
いため５得られるジョセフソン接合素−ｆは再現性、結
晶性、均・性の優れたものとすることができ、又エツチ
ング等によらず、無機材料によるパターン形成によるた
めＥＢ露光バターニング等により極めて小さい接合間距
離で各シ、。
伝導薄膜は基板上に成膜律エッナング等の処理を受けな
いため５得られるジョセフソン接合素−ｆは再現性、結
晶性、均・性の優れたものとすることができ、又エツチ
ング等によらず、無機材料によるパターン形成によるた
めＥＢ露光バターニング等により極めて小さい接合間距
離で各シ、。
セフソン接合を形成でき、高感度の光スイツチング素子
、論理回路、情報記録デバイス等を作成することができ
る。
、論理回路、情報記録デバイス等を作成することができ
る。
尚、本発明における上記以外の構成については常法にし
たがって行なうことができる。
たがって行なうことができる。
（実施例）
以下本発明を実施例によって、より１１体的に説明する
。
。
実施例１
第１図、第２図に示す１程に従いジョセフソン接合素子
を形成した。まず昨結晶基板１（本例では、サファイア
（１００）を用いた）七にバター＝ニング材として無機
材料５ｉ０２を用いネガ形パターン２を作成した（第１
図）。
を形成した。まず昨結晶基板１（本例では、サファイア
（１００）を用いた）七にバター＝ニング材として無機
材料５ｉ０２を用いネガ形パターン２を作成した（第１
図）。
この基板上にＹ −１１ａ −（： ｕ −０をＩＣＢ
法（クラスターイオンビーム法）で成膜した。この時の
成膜条件は、基板温度４００℃、酸素分圧３ ｘ ｌＯ
−’Ｔｏｒｒで行い、蒸着材料としてＹ 、 Ｂａｄ、
Ｃｕをそれぞれ独立のクラスタ・−イオンガン「より
基板−１−７の組成が、Ｙ ：Ｂａ：Ｃｕ＝１ ： ２
： ３になるように堆積速度を調節した。なお、Ｙ用
のクラスターイオンガンの加速電圧は１にＶ、イオン化
電流は５０ｍＡとし、１３ａＯ用のクラスターイオンガ
ンの加速′電圧は０５にＶ、イオン化電流は３０ｍＡと
し、Ｃｕ用の加速電圧は４ ＫＶ、イオン化’を流は２
００ｍＡとした。なお堆積速度は２００人／ｍｉｎで膜
厚は５０００人だ２だ。ざらにこの基板を酸素雰囲気中
で９４０℃、１時間の熱処理を行い、超伝導薄１模３ａ
を作成した（第２図）。
法（クラスターイオンビーム法）で成膜した。この時の
成膜条件は、基板温度４００℃、酸素分圧３ ｘ ｌＯ
−’Ｔｏｒｒで行い、蒸着材料としてＹ 、 Ｂａｄ、
Ｃｕをそれぞれ独立のクラスタ・−イオンガン「より
基板−１−７の組成が、Ｙ ：Ｂａ：Ｃｕ＝１ ： ２
： ３になるように堆積速度を調節した。なお、Ｙ用
のクラスターイオンガンの加速電圧は１にＶ、イオン化
電流は５０ｍＡとし、１３ａＯ用のクラスターイオンガ
ンの加速′電圧は０５にＶ、イオン化電流は３０ｍＡと
し、Ｃｕ用の加速電圧は４ ＫＶ、イオン化’を流は２
００ｍＡとした。なお堆積速度は２００人／ｍｉｎで膜
厚は５０００人だ２だ。ざらにこの基板を酸素雰囲気中
で９４０℃、１時間の熱処理を行い、超伝導薄１模３ａ
を作成した（第２図）。
次に＾Ｕ電極をつけて液体１１ｅを用いて抵抗を測定１
ノだところサファイア１−のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄１漠
３ａは７０にで抵抗０となり超伝導性を示したが、無機
材料（Ｓｉ０２） ２−ｈのＹ−Ｈａ−（：ｕ−０薄膜
３ｂは４にでも抵抗０にならず、超伝導性を示さず、ジ
ョセフソン接合が形成されていることが確認された。
ノだところサファイア１−のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０薄１漠
３ａは７０にで抵抗０となり超伝導性を示したが、無機
材料（Ｓｉ０２） ２−ｈのＹ−Ｈａ−（：ｕ−０薄膜
３ｂは４にでも抵抗０にならず、超伝導性を示さず、ジ
ョセフソン接合が形成されていることが確認された。
実施例２
Ｍｇ０ （１００）基板上にマスクを利用したＲＦスパ
ッタ法でＡｌ２Ｏ１パターン４を第３図に示す様に２０
行２０列作製した。そのｎ Ａｌ２Ｏ３パターン４の大
きさは７ Ｉｔ ｍ １１１とし、行間距＠Ａを３μｍ
に固定し、列間距離Ｂを０，５〜２μｌと変化させＢの
埴と応答周波数特性との関係を謳べた。
ッタ法でＡｌ２Ｏ１パターン４を第３図に示す様に２０
行２０列作製した。そのｎ Ａｌ２Ｏ３パターン４の大
きさは７ Ｉｔ ｍ １１１とし、行間距＠Ａを３μｍ
に固定し、列間距離Ｂを０，５〜２μｌと変化させＢの
埴と応答周波数特性との関係を謳べた。
この基板Ｊ、にｎｌ−５ｒ−１：ａＪ：ｕ−０焼結体タ
ーゲットを用いてマスクを用いたＲＦスパッタ法で成ｉ
１５！ Ｌ／たところロ１−５ｒ−１；ａ−Ｃｕ−０薄
膜が形成された。この時の成膜条件は、基板温度＜１０
０℃、 Ａｒガス圧力０．５Ｐａ 、スパッタパワー！
００Ｗで堆積速度５０人１０１ｉｎ、 ！ＩＱ厚は４０
００人であった。
ーゲットを用いてマスクを用いたＲＦスパッタ法で成ｉ
１５！ Ｌ／たところロ１−５ｒ−１；ａ−Ｃｕ−０薄
膜が形成された。この時の成膜条件は、基板温度＜１０
０℃、 Ａｒガス圧力０．５Ｐａ 、スパッタパワー！
００Ｗで堆積速度５０人１０１ｉｎ、 ！ＩＱ厚は４０
００人であった。
さらにこの基板を酸素雰囲気中で８５０℃、１時間の熱
処理を行い、Ｔｃ＝７０にとなる超伝導薄１１Ｉ２５
ａを作成したく第３図）。表１にＢの変化による特性の
変化を示す。
処理を行い、Ｔｃ＝７０にとなる超伝導薄１１Ｉ２５
ａを作成したく第３図）。表１にＢの変化による特性の
変化を示す。
なお、２μ１ｌｌＸ２μ■のウィークジャンクシ；１ン
部１個をもつ粒界ジョセフソン接合では、１ｃ＝０．２
ｍＡ 、 ＩｔＮ＝ ０．９ΩでＩｃＲｍ＝ ０．１８
ｍＶであり、本発月によりｆｅｌｔＮ積を大巾に改善で
きた。
部１個をもつ粒界ジョセフソン接合では、１ｃ＝０．２
ｍＡ 、 ＩｔＮ＝ ０．９ΩでＩｃＲｍ＝ ０．１８
ｍＶであり、本発月によりｆｅｌｔＮ積を大巾に改善で
きた。
（発明の効果）
以上説明したように単結晶基板上にあらかじめ無機材料
でネガ形のパターンを形成した後、超伝導薄膜を形成す
るため、ネガ形パターンを制御することによって、粒界
ジョセフソン接合索子アレイの１ｃＩｔＮ禎を大きくす
ることができ、デバイス動作時の印加電圧を大きくする
ことができる。
でネガ形のパターンを形成した後、超伝導薄膜を形成す
るため、ネガ形パターンを制御することによって、粒界
ジョセフソン接合索子アレイの１ｃＩｔＮ禎を大きくす
ることができ、デバイス動作時の印加電圧を大きくする
ことができる。
また、超伝導薄膜形成後のエツチング工程を必要としな
いため、素子の再現性、結晶性、均一・性を向上させる
ことができ、品質の良い素子をつくることができる。
いため、素子の再現性、結晶性、均一・性を向上させる
ことができ、品質の良い素子をつくることができる。
第１図は実施例１で作製したジョセフソン接合素ｆの作
成工程のうち、基板上に無機材料が形成されている構成
を示す模式平面図、゛第２図は実施例１の第１図の次工
程で超伝導薄膜が成膜されている構成を示す模式平面図
、第３図は実施例２において作製したジョセフソン接合
素子の構成を示す模式平面図（一部省略）である。 １：基板 ２．４＝無機材料 ３ａ、 ５ａ：超伝導薄膜 ｌｂ、 ５ｂ：非超伝導薄膜 Ａ：行間距離 Ｂ：列間距離
成工程のうち、基板上に無機材料が形成されている構成
を示す模式平面図、゛第２図は実施例１の第１図の次工
程で超伝導薄膜が成膜されている構成を示す模式平面図
、第３図は実施例２において作製したジョセフソン接合
素子の構成を示す模式平面図（一部省略）である。 １：基板 ２．４＝無機材料 ３ａ、 ５ａ：超伝導薄膜 ｌｂ、 ５ｂ：非超伝導薄膜 Ａ：行間距離 Ｂ：列間距離
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ブリッジ型ジョセフソン接合素子の製造において、
所望によりパターン化した無機材料を基板上に形成後、
該基板上に超伝導薄膜を成膜することを特徴とするジョ
セフソン接合素子の形成方法。 ２、前記超伝導薄膜の化合物組成をＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄと表
わすとき、ＡがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、
Ｓｃ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ、Ｌｕ、Ｂｉ、ＴｌおよびＹよりなる群より選ばれた
一種以上の元素；ＢかＢａ、Ｃａ、ＳｒおよびＰｂより
なる群より選ばれた一種以上の元素；ＣがＶ、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、ＣｄおよびＣｕよ
りなる群から選ばれた一種以上の元素；ＤがＳおよびＯ
よりなる群から選ばれた一種以上の元素である請求項１
に記載のジョセフソン接合素子の形成方法。 ３、前記超伝導薄膜の成膜を、基板上に形成した前記無
機材料上および該無機材料が形成されていない基板上で
同一条件下で行ない、該無機材料上の超伝導薄膜の臨界
温度（超伝導転移温度）を該基板上の超伝導薄膜の臨界
温度より低いかあるいは超伝導状態を示さない範囲にす
ることを特徴とする請求項１に記載の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078180A JP2798958B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1078180A JP2798958B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260475A true JPH02260475A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2798958B2 JP2798958B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=13654769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1078180A Expired - Fee Related JP2798958B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2798958B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306677A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導装置およびその製造方法 |
| JPS6414977A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconducting device and manufacture thereof |
| JPH0228384A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-30 | Shimadzu Corp | ジョセフソン接合素子 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1078180A patent/JP2798958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63306677A (ja) * | 1987-06-08 | 1988-12-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超電導装置およびその製造方法 |
| JPS6414977A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Superconducting device and manufacture thereof |
| JPH0228384A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-30 | Shimadzu Corp | ジョセフソン接合素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2798958B2 (ja) | 1998-09-17 |
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