JPH02260586A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH02260586A JPH02260586A JP1080693A JP8069389A JPH02260586A JP H02260586 A JPH02260586 A JP H02260586A JP 1080693 A JP1080693 A JP 1080693A JP 8069389 A JP8069389 A JP 8069389A JP H02260586 A JPH02260586 A JP H02260586A
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- semiconductor device
- optical semiconductor
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は横接合理め込み構造を有する半導体レーザ、Ｐ
ＩＮ受光器およびホトトランジスタ等の光半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
ＩＮ受光器およびホトトランジスタ等の光半導体装置及
びその製造方法に関するものである。
第３図は光半導体装置の一例としての横注入型半導体レ
ーザ装置の構造を示す図である。図中、１０１は半絶縁
性ＧａＡｓ基板、１０２．１０４はアンドープＡｊ！Ｇ
ａＡｓ層、１０３はＧａ八へ活性層、１０５はｐ−Ａｊ
！ＧａＡｓ層、１０６はｐ＋コンタクト層、１０７はｎ
−Ａｌ１ＧａＡｓ層、１０８はｎ１コンタクト層、１０
９．１１０は電極、１１１はｐ側塊め込み再成長層、１
１２はｎ側埋め込み再成長層である。
ーザ装置の構造を示す図である。図中、１０１は半絶縁
性ＧａＡｓ基板、１０２．１０４はアンドープＡｊ！Ｇ
ａＡｓ層、１０３はＧａ八へ活性層、１０５はｐ−Ａｊ
！ＧａＡｓ層、１０６はｐ＋コンタクト層、１０７はｎ
−Ａｌ１ＧａＡｓ層、１０８はｎ１コンタクト層、１０
９．１１０は電極、１１１はｐ側塊め込み再成長層、１
１２はｎ側埋め込み再成長層である。
Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上にアンドープ
Ａｊ！ＧａＡｓ層１０２．１０４でＧａＡｓ活性層１０
３をサンドイッチし二重へテロ構造を構成する。その後
、活性層の左右にｐ−ＡｌＧａＡｓ層１０５及びｐ◆キ
ャップ層、及びｎ−Ａｌ１ＧａＡｓ層１０７及びｎゝキ
ャップ層の埋め込みを行い、その上にコンタクト層１０
６．１０８を形成し、さらにその上に電極１０９．１１
０を形成したものである。
Ａｊ！ＧａＡｓ層１０２．１０４でＧａＡｓ活性層１０
３をサンドイッチし二重へテロ構造を構成する。その後
、活性層の左右にｐ−ＡｌＧａＡｓ層１０５及びｐ◆キ
ャップ層、及びｎ−Ａｌ１ＧａＡｓ層１０７及びｎゝキ
ャップ層の埋め込みを行い、その上にコンタクト層１０
６．１０８を形成し、さらにその上に電極１０９．１１
０を形成したものである。
横注入型半導体レーザにおいては、同一平面に設けられ
た電極１０９．１１０間に電流を流し、左右のｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ１ｌ Ｏ５、ｎ−ＡＪＧａＡｓ層１０７から活
性層１０３ヘキヤリアを注入すると、注入キャリアが閉
じ込められて大きな電流密度及び内部量子効率が得られ
る。また、クラッド層により発光が有効に閉じ込められ
て小さなしきい値電流でレーザ発振が行われる。このよ
うな埋め込み型半導体レーザはしきい値電流が小さくと
れるため通信用光源等に用いることができる。
た電極１０９．１１０間に電流を流し、左右のｐ−Ａｌ
ＧａＡｓ１ｌ Ｏ５、ｎ−ＡＪＧａＡｓ層１０７から活
性層１０３ヘキヤリアを注入すると、注入キャリアが閉
じ込められて大きな電流密度及び内部量子効率が得られ
る。また、クラッド層により発光が有効に閉じ込められ
て小さなしきい値電流でレーザ発振が行われる。このよ
うな埋め込み型半導体レーザはしきい値電流が小さくと
れるため通信用光源等に用いることができる。
また、横注入如半導体レーザが半絶縁性基板上に形成さ
れるため、素子間の絶縁をとることができ、その結果集
積化を行うことができる特徴を有している。さらに、ｐ
型およびｎ型双方の電極が基板の表面にあることから、
他の光素子および電子デバイスとの集積化が容易であり
、また接合容量が小さいため高速応答が可能であるとい
う利点を有している。
れるため、素子間の絶縁をとることができ、その結果集
積化を行うことができる特徴を有している。さらに、ｐ
型およびｎ型双方の電極が基板の表面にあることから、
他の光素子および電子デバイスとの集積化が容易であり
、また接合容量が小さいため高速応答が可能であるとい
う利点を有している。
第４図は二方向注入型半導体レーザ装置の構造を示す図
である。図中、２００はＣｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基
板、２０１は高抵抗Ａｊ！ＧａＡｓ層、２０２はＧａＡ
ｓ活性層、２０３はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、２０
４ａ、２０４ｂはｎ−ＡＪＧａＡｓクラッド層、２０５
ａ、２０５ｂはｎ−ＧａＡｓキ＋ツブ層、２０６はｐ−
ＧａＡｓキャップ層、２０７ａ、２０７ｂ、２０８は電
極である。
である。図中、２００はＣｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基
板、２０１は高抵抗Ａｊ！ＧａＡｓ層、２０２はＧａＡ
ｓ活性層、２０３はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、２０
４ａ、２０４ｂはｎ−ＡＪＧａＡｓクラッド層、２０５
ａ、２０５ｂはｎ−ＧａＡｓキ＋ツブ層、２０６はｐ−
ＧａＡｓキャップ層、２０７ａ、２０７ｂ、２０８は電
極である。
図において、半絶縁性基板２００上に高抵抗Ａｊ！Ｇａ
Ａｓ層２０１、ＧａＡｓ活性層（ノンドープあるいはｐ
型ドープ）２０２、ｐ−Ａｊ！ＧａＡＳクラッド層、及
びｐ”−ＧａＡｓコンタクト層の順に積層する。その後
、ＧａＡｓ活性層２０２の左右両サイドにｎ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層及びｎ” −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト
層を埋め込み、ｎ″″−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層及
びｐ” −ｃａＡｓコンタクト層上に電極２０？ａ、２
０７ｂを形成する。
Ａｓ層２０１、ＧａＡｓ活性層（ノンドープあるいはｐ
型ドープ）２０２、ｐ−Ａｊ！ＧａＡＳクラッド層、及
びｐ”−ＧａＡｓコンタクト層の順に積層する。その後
、ＧａＡｓ活性層２０２の左右両サイドにｎ−ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層及びｎ” −Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト
層を埋め込み、ｎ″″−Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層及
びｐ” −ｃａＡｓコンタクト層上に電極２０？ａ、２
０７ｂを形成する。
このような構造にふいて、電極２０８と２０７ａ、２０
？ｂ間に電流を供給すると、上側のｐ −Ａｊ！ＧａＡ
ｓクラッド層２０３から正孔が注入され、左側あるいは
右側のｎ Ａｉ’ＧａＡｓクラッド層から電子が注入
される。したがって、活性層には二方向からキャリアの
注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うことが
できる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層２０１は
高抵抗層で左右のｎ−ＡｌＧａＡｓを電気的に分離でき
るので、これらの素子を同一基板上に集積化することが
可能である。もちろん、活性層の上側クラブト層をｎ型
とし、活性層の左右両サイドのクラッド層をｐ型として
もよく、また活性層もｐ型（あるいはｎ型）としてもよ
い。また、ＧａＡｓ、Δｊ！ＧａＡｓ系でなく他の材料
、例えば［ｎＧａΔｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成でき
る。
？ｂ間に電流を供給すると、上側のｐ −Ａｊ！ＧａＡ
ｓクラッド層２０３から正孔が注入され、左側あるいは
右側のｎ Ａｉ’ＧａＡｓクラッド層から電子が注入
される。したがって、活性層には二方向からキャリアの
注入が行われ、この注入はそれぞれ独立して行うことが
できる。さらに活性層の下側のＡｌＧａＡｓ層２０１は
高抵抗層で左右のｎ−ＡｌＧａＡｓを電気的に分離でき
るので、これらの素子を同一基板上に集積化することが
可能である。もちろん、活性層の上側クラブト層をｎ型
とし、活性層の左右両サイドのクラッド層をｐ型として
もよく、また活性層もｐ型（あるいはｎ型）としてもよ
い。また、ＧａＡｓ、Δｊ！ＧａＡｓ系でなく他の材料
、例えば［ｎＧａΔｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等でも構成でき
る。
また、第４図において、ｐ型層の端子をオープンとし、
左右のｎ型クラッド層間に電圧を加えると、光入射があ
るとキャリアが発生し、これが左右のクラッド層間を通
して流れるので、同一構造で光検出器の１種であるホト
トランジスタとしても動作する。そして、素子は高抵抗
層上に形成されているので、同一構造の素子を同一基板
上に複数個形成し、集積化が可能である。
左右のｎ型クラッド層間に電圧を加えると、光入射があ
るとキャリアが発生し、これが左右のクラッド層間を通
して流れるので、同一構造で光検出器の１種であるホト
トランジスタとしても動作する。そして、素子は高抵抗
層上に形成されているので、同一構造の素子を同一基板
上に複数個形成し、集積化が可能である。
また、第４図に示す素子は３端子になっており、２方向
注入型レーザあるいはホトトランジスタとして使用でき
、半絶縁性基板に用いているため他の電子デバイスとモ
ノシックに集積化することが容易である。
注入型レーザあるいはホトトランジスタとして使用でき
、半絶縁性基板に用いているため他の電子デバイスとモ
ノシックに集積化することが容易である。
ところで、第３図に示す従来の横接合型のレーザおよび
ＰＥＮ受光器においては、ウェット方式によりＡＲＭ
Ｇａ＋−＋＋ Ａｓ （０，２≦Ｘ≦０．８）下クラッ
ド層までメサ・エッチングを行い、埋め込み再成長層を
形成するための窪みを形成するが、このとき現れるＡ
１ ｗ Ｇ ａ ＋ −＊ Ａ ｓの表面はＡ１が酸化
され易いために酸化膜で覆われてしまう。
ＰＥＮ受光器においては、ウェット方式によりＡＲＭ
Ｇａ＋−＋＋ Ａｓ （０，２≦Ｘ≦０．８）下クラッ
ド層までメサ・エッチングを行い、埋め込み再成長層を
形成するための窪みを形成するが、このとき現れるＡ
１ ｗ Ｇ ａ ＋ −＊ Ａ ｓの表面はＡ１が酸化
され易いために酸化膜で覆われてしまう。
そこで埋め込み再成長を行う直前に反応炉内でＨＣｌ１
等の反応性ガスを用いて酸化膜の除去を行っていた。こ
の表面Ｃ酸化膜の厚みはエツチングプロセス等に大きく
左右されるので、ガスエツチングで除去する膜厚はプロ
セス毎に調整する必要があった。
等の反応性ガスを用いて酸化膜の除去を行っていた。こ
の表面Ｃ酸化膜の厚みはエツチングプロセス等に大きく
左右されるので、ガスエツチングで除去する膜厚はプロ
セス毎に調整する必要があった。
また、ウェット方式のエツチングでは反応が激し過ぎる
ために、順メサ・エッチング、逆メサ・エッチングに拘
わらず、メサ面（エツチングしたときに現れる面で、埋
め込み再成長層側との間の界面を形成する斜面）単一の
面指数からなる平坦な面に形成することができなかった
。そのために活性層、上下クラッド層を含むストライプ
層と再成長層との間にボイドまたはストレスが生じたり
、再成長直前の気相エツチングが均一にかからないとい
う問題が生じていた。
ために、順メサ・エッチング、逆メサ・エッチングに拘
わらず、メサ面（エツチングしたときに現れる面で、埋
め込み再成長層側との間の界面を形成する斜面）単一の
面指数からなる平坦な面に形成することができなかった
。そのために活性層、上下クラッド層を含むストライプ
層と再成長層との間にボイドまたはストレスが生じたり
、再成長直前の気相エツチングが均一にかからないとい
う問題が生じていた。
第４図に示す構造のレーザおよびホ））ランジスタにつ
いても同様な問題点があった。
いても同様な問題点があった。
本発明は上記課題を解決するためのもので、ストライプ
層と埋め込み再成長層との間にボイドまたはストレスが
生ずるのを防止することができる光半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
層と埋め込み再成長層との間にボイドまたはストレスが
生ずるのを防止することができる光半導体装置及びその
製造方法を提供することを目的とする。
Ｃｒａｍを解決するための手段〕
そのために本発明は、埋め込み再成長層と接するメサ面
が単一の面指数からなること、埋め込み再成長層と接す
るメサ面が、（１００）、（１１０１、（１１Ｌ）面か
らなること、また単結晶基板上にダブルヘテロ構造を有
するエピタキシャル層を気相成長させる工程、メサ・エ
ッチングを行う工程、及び埋め込み再成長を行う工程を
含む光半導体装置の製造方法において、メサ・エッチン
グを気相で行って単一のメサ面を形成すること、メサ・
エッチングを行った後、連続して埋め込み再成長層を形
成すること、気相エツチング用ガスとして、ＨＣＩ、Ｃ
Ｃ１ｘ Ｆｓ 、ＡｓＣＪ！ｓ 、及びＣ１２からなる
群から選ばれた少なくとも１種の塩素系反応性ガスを含
むガスを用いることを特徴とする。
が単一の面指数からなること、埋め込み再成長層と接す
るメサ面が、（１００）、（１１０１、（１１Ｌ）面か
らなること、また単結晶基板上にダブルヘテロ構造を有
するエピタキシャル層を気相成長させる工程、メサ・エ
ッチングを行う工程、及び埋め込み再成長を行う工程を
含む光半導体装置の製造方法において、メサ・エッチン
グを気相で行って単一のメサ面を形成すること、メサ・
エッチングを行った後、連続して埋め込み再成長層を形
成すること、気相エツチング用ガスとして、ＨＣＩ、Ｃ
Ｃ１ｘ Ｆｓ 、ＡｓＣＪ！ｓ 、及びＣ１２からなる
群から選ばれた少なくとも１種の塩素系反応性ガスを含
むガスを用いることを特徴とする。
本発明は、光半導体装置の埋め込み再成長層と接するメ
サ面を単一の面指数のみで形成しているので、ストライ
プ層と埋め込み再成長層との間にボイドまたはストレス
が発生しなくなった。
サ面を単一の面指数のみで形成しているので、ストライ
プ層と埋め込み再成長層との間にボイドまたはストレス
が発生しなくなった。
また、単一の面指数からなるメサ面は、ＭＯＣＶＤ反応
炉内または高真空装置内で塩素系反応性ガス、例えばＨ
Ｃｌ、ＣＣｊ＊ Ｆｓ 、ＡｓＣ１５、またはＣｊ３等
の反応性ガスによるドライエツチング法を用いて形成し
ているので再現性よく形成することができる。
炉内または高真空装置内で塩素系反応性ガス、例えばＨ
Ｃｌ、ＣＣｊ＊ Ｆｓ 、ＡｓＣ１５、またはＣｊ３等
の反応性ガスによるドライエツチング法を用いて形成し
ているので再現性よく形成することができる。
以下、実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の光半導体装置の一実施例の構造を示す
図であり、第３図と同一番号は同一内容を示している。
図であり、第３図と同一番号は同一内容を示している。
光半導体装置としての動作は第３図に示すものと同じで
あるが、本発明においては、埋め込み再成長層と接する
メサ面１１３．１１４が（１００）、（１１０）、（１
１１）のような単一の面指数からなワている点が異なっ
ている。
あるが、本発明においては、埋め込み再成長層と接する
メサ面１１３．１１４が（１００）、（１１０）、（１
１１）のような単一の面指数からなワている点が異なっ
ている。
第１図の素子の製作方法は、まず、半絶縁性ＧａＡｓ基
板（１００）上にＭＯＣＶＤ法で１〜３μｍのアンドー
プＡ １ ｙｒ Ｇ ａ ＋−＋＋ Ａ ｓクラッド層
（０，２＜ｘ＜０．７ ） 、 ３０Å以上且つ１μｍ
以下のＡｊ、Ｇａ、、Ａｓ活性層１０３（０≦ｙ≦０゜
３、かつｘｅｙ）、０．３μｍ以上且つ２μｍ以下のＡ
１ ｍ Ｇ ｍ ｌ−＋＋ Ａ ｓクラッド層１０４
および５０Ａ以上且つ０．１μｍ以下のアンドープＧａ
Ａｓキャップ層を順にエピタキシャル成長させる。次に
ＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの保護層を用いてＨＣｊ
、ＣＣｊ ｓ Ｆ ｓ 、Ａ Ｓ Ｃｊ ｓ 、または
Ｃ１、等の反応性ガスエツチングにより埋め込み再成長
層を形成するための窪みを形成し、その直後にｎ −Ａ
１ ＃ Ｇ ａ ＋−＊ Ａ ｓクラッド層（０，２
≦２≦０．５）およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層を再成
長させる。このようにガスエツチングすることにより、
単一の面指数からなるメサ面を形成することができ、ス
トライブ方向を＜１１０＞に選ぶと、メサ面（１１，１
）が現れる。
板（１００）上にＭＯＣＶＤ法で１〜３μｍのアンドー
プＡ １ ｙｒ Ｇ ａ ＋−＋＋ Ａ ｓクラッド層
（０，２＜ｘ＜０．７ ） 、 ３０Å以上且つ１μｍ
以下のＡｊ、Ｇａ、、Ａｓ活性層１０３（０≦ｙ≦０゜
３、かつｘｅｙ）、０．３μｍ以上且つ２μｍ以下のＡ
１ ｍ Ｇ ｍ ｌ−＋＋ Ａ ｓクラッド層１０４
および５０Ａ以上且つ０．１μｍ以下のアンドープＧａ
Ａｓキャップ層を順にエピタキシャル成長させる。次に
ＭＯＣＶＤ反応炉内でＳｉＮｘの保護層を用いてＨＣｊ
、ＣＣｊ ｓ Ｆ ｓ 、Ａ Ｓ Ｃｊ ｓ 、または
Ｃ１、等の反応性ガスエツチングにより埋め込み再成長
層を形成するための窪みを形成し、その直後にｎ −Ａ
１ ＃ Ｇ ａ ＋−＊ Ａ ｓクラッド層（０，２
≦２≦０．５）およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層を再成
長させる。このようにガスエツチングすることにより、
単一の面指数からなるメサ面を形成することができ、ス
トライブ方向を＜１１０＞に選ぶと、メサ面（１１，１
）が現れる。
第２図は本発明の光半導体装置の他の実施例の構造を示
す図であり、第４図と同一番号は同一内容を示している
。
す図であり、第４図と同一番号は同一内容を示している
。
第２図に示す構造の素子の製作過程は以下の通りである
。
。
Ｃｒドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板の上にＭＯＣＶＤ法に
より高抵抗Ａｊ’ＧａＡｓ層（ＡＩ含有率約０．４．厚
さ約１．５μｍ） 、ｐ型ＧａＡｓ活性層（厚さ約０．
１１ａｍ） 、ｐ型ＡｆＧａＡｓ層（Ａｉ含有率約０．
４．厚さ約１．０μｍ） 、ｐ型ＧａＡｓキャップ層を
エピタキシャル成長させる。次に、ＭＯＣＶＤ反応炉内
でＳｉＮｘの保護膜を用いてＨＣｌ、ＣＣｊ！ ＊ Ｆ
＊ 、Ａ ８ Ｃｊ ｓ ｓまたはＣＩ。
より高抵抗Ａｊ’ＧａＡｓ層（ＡＩ含有率約０．４．厚
さ約１．５μｍ） 、ｐ型ＧａＡｓ活性層（厚さ約０．
１１ａｍ） 、ｐ型ＡｆＧａＡｓ層（Ａｉ含有率約０．
４．厚さ約１．０μｍ） 、ｐ型ＧａＡｓキャップ層を
エピタキシャル成長させる。次に、ＭＯＣＶＤ反応炉内
でＳｉＮｘの保護膜を用いてＨＣｌ、ＣＣｊ！ ＊ Ｆ
＊ 、Ａ ８ Ｃｊ ｓ ｓまたはＣＩ。
等の反応性ガスエツチングにより埋め込み再成長層を形
成するための窪みを形成し、その直後にｎ−ＡＪ！Ｇａ
Ａｓ層ＣＡＲ含有率約０．３５）を埋め込み、さらにｎ
型ＧａＡｓキャップ層を成長させる。
成するための窪みを形成し、その直後にｎ−ＡＪ！Ｇａ
Ａｓ層ＣＡＲ含有率約０．３５）を埋め込み、さらにｎ
型ＧａＡｓキャップ層を成長させる。
次にｎ、ｐ電極を付けた後、それをマスクとしてｎ、ｐ
接合面に接するキャップ層を部分的にエツチングして除
去する。これはキャリアがキャップ層間で再結合するの
を防止するためである。なお、活性層幅は約２μ以下が
望ましい。
接合面に接するキャップ層を部分的にエツチングして除
去する。これはキャリアがキャップ層間で再結合するの
を防止するためである。なお、活性層幅は約２μ以下が
望ましい。
なお、上記実施例では横接合型について説明したが、本
発明は縦接合型にも同様に適用可能であり、その場合は
埋め込み再成長層が高抵抗層となる点が異なるのみでメ
サ面を単一面指数とする点の作用効果は同様である。
発明は縦接合型にも同様に適用可能であり、その場合は
埋め込み再成長層が高抵抗層となる点が異なるのみでメ
サ面を単一面指数とする点の作用効果は同様である。
以上のように本発明によれば、埋め込み構造を有する半
導体レーザ、ＰＩＮ受光器およびホトトランジスタ等の
光半導体装置において、メサ面を単一の面指数のみで形
成しているので、ストライプ層と埋め込み再成長層との
間にボイドまたはストレスが発生しなくなり、キャリア
が活性層に有効に注入され、素子特性も良好なものが得
られ、素子の寿命も長くなる。
導体レーザ、ＰＩＮ受光器およびホトトランジスタ等の
光半導体装置において、メサ面を単一の面指数のみで形
成しているので、ストライプ層と埋め込み再成長層との
間にボイドまたはストレスが発生しなくなり、キャリア
が活性層に有効に注入され、素子特性も良好なものが得
られ、素子の寿命も長くなる。
また、上記の各車−の面指数からなるメサ面をＨＣＩ、
ＣＣ１５Ｆ２ 、ＡｓＣｊ！ｓ 、またはＣＩ、等の塩
素系反応性ガスを含むガスによる気相エツチングに、よ
って形成することにより、従来のウェットプロセスで生
じた酸化膜の除去をする必要がなくなり、再現性よ（形
成することが可崗である。
ＣＣ１５Ｆ２ 、ＡｓＣｊ！ｓ 、またはＣＩ、等の塩
素系反応性ガスを含むガスによる気相エツチングに、よ
って形成することにより、従来のウェットプロセスで生
じた酸化膜の除去をする必要がなくなり、再現性よ（形
成することが可崗である。
第１図は本発明の横注入型半導体レーザ装置の構造を示
す図、第２図は本発明の二方向注入型半導体レーザ装置
の構造を示す図、第３図は従来の横注入型半導体レーザ
装置の構造を示す図、第４図は従来の二方向注入型半導
体レーザ装置の構造を示す図である。 １０１−・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０２．１０４・
・・高抵抗ＡｊＧａＡｓ層、１０３＝−ＧａＡｓ活性層
、１０５・・・ｐ−ＡｊＧａＡｓクラフト層、１Ｇ？・
・・ｎ−ＡｊＧａＡｓクラッド層、ｔｏｅ−ｐ−ＧａＡ
ｓキ＋？ブ層、１０ Ｂ・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層、
１０９．１１０・・・電極。 出 願 人
す図、第２図は本発明の二方向注入型半導体レーザ装置
の構造を示す図、第３図は従来の横注入型半導体レーザ
装置の構造を示す図、第４図は従来の二方向注入型半導
体レーザ装置の構造を示す図である。 １０１−・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１０２．１０４・
・・高抵抗ＡｊＧａＡｓ層、１０３＝−ＧａＡｓ活性層
、１０５・・・ｐ−ＡｊＧａＡｓクラフト層、１Ｇ？・
・・ｎ−ＡｊＧａＡｓクラッド層、ｔｏｅ−ｐ−ＧａＡ
ｓキ＋？ブ層、１０ Ｂ・・ｎ−ＧａＡｓキャップ層、
１０９．１１０・・・電極。 出 願 人
Claims (7)
- （１）埋め込み再成長層と接するメサ面が単一の面指数
からなることを特徴とする光半導体装置。 - （２）前記埋め込み再成長層と接するメサ面が、｛１０
０｝、｛１１０｝、｛１１１｝面からなる請求項１記載
の光半導体装置。 - （３）光半導体装置が横接合型であることを特徴とする
請求項１記載の光半導体装置。 - （４）単結晶基板上にダブルヘテロ構造を有するエピタ
キシャル層を気相成長させる工程、メサ・エッチングを
行う工程、及び埋め込み再成長を行う工程を含む光半導
体装置の製造方法において、メサ・エッチングを気相で
行って単一のメサ面を形成することを特徴とする光半導
体装置の製造方法。 - （５）メサ・エッチングを行った後、連続して埋め込み
再成長層を形成する請求項４記載の光半導体装置の製造
方法。 - （６）気相エッチング用ガスとして、ＨＣｌ、ＣＣｌ＿
２Ｆ＿２、ＡｓＣｌ＿３、及びＣｌ＿２からなる群から
選ばれた少なくとも１種の塩素系反応性ガスを含むガス
を用いることを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - （７）光半導体装置が横接合型であることを特徴とする
請求項４記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08069389A JP3241360B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08069389A JP3241360B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19917399A Division JP3306390B2 (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260586A true JPH02260586A (ja) | 1990-10-23 |
| JP3241360B2 JP3241360B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13725412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08069389A Expired - Fee Related JP3241360B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3241360B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283020A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | Nec Corp | ３―５族化合物半導体のパターン形成方法 |
| JP2013222844A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体素子 |
| WO2018037450A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 富士通株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712579A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Tokyo Inst Of Technol | Buried type semiconductor laser |
| JPS6466988A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-13 | Seiko Epson Corp | Manufacture of semiconductor laser |
| JPH01189185A (ja) * | 1988-01-23 | 1989-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 |
| JPH01202889A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | Nec Corp | 埋め込みヘテロ構造半導体発光素子 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP08069389A patent/JP3241360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5712579A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Tokyo Inst Of Technol | Buried type semiconductor laser |
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| WO2018037450A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-03-01 | 富士通株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
| JPWO2018037450A1 (ja) * | 2016-08-22 | 2019-04-18 | 富士通株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3241360B2 (ja) | 2001-12-25 |
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