JPH02260680A - 波長安定型半導体レーザ装置 - Google Patents
波長安定型半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02260680A JPH02260680A JP8237689A JP8237689A JPH02260680A JP H02260680 A JPH02260680 A JP H02260680A JP 8237689 A JP8237689 A JP 8237689A JP 8237689 A JP8237689 A JP 8237689A JP H02260680 A JPH02260680 A JP H02260680A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- chip
- light
- wavelength
- external resonator
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、干渉計測の分野やホログラム応用分野など
で利用される波長安定型半導体レーザ装置に関する。
で利用される波長安定型半導体レーザ装置に関する。
〈従来の技術〉
従来、安定したレーザ波長が要求される干渉計測の分野
やホログラム応用分野において、波長安定型半導体レー
ザ装置として、第２図に示すようなものが使用されてい
る。この波長安定型半導体レーザ装置は、ステム２３上
に、前端に半導体レーザダイオードチップ（以下、ｒＬ
ＤＪと称す）２１とこのＬＤ２１の後方にホトダイオー
ドチップ（以下、ｒＰＤＪと称す）２２を備えると共に
、上記しＤ２１とＰＤ２２との間であって上記ＬＤ２１
の後方に臂開面２６ａを有するＧａＡｓチップ２６を備
えている。上記ＬＤ２１の後端面２１ａと上記ＧａＡｓ
チップ２６の臂開面２６ａとを互いに平行に対向させて
外部共振器２７を構成し、この外部共振器の動作に適す
るように上記二つの面２１ａ。
やホログラム応用分野において、波長安定型半導体レー
ザ装置として、第２図に示すようなものが使用されてい
る。この波長安定型半導体レーザ装置は、ステム２３上
に、前端に半導体レーザダイオードチップ（以下、ｒＬ
ＤＪと称す）２１とこのＬＤ２１の後方にホトダイオー
ドチップ（以下、ｒＰＤＪと称す）２２を備えると共に
、上記しＤ２１とＰＤ２２との間であって上記ＬＤ２１
の後方に臂開面２６ａを有するＧａＡｓチップ２６を備
えている。上記ＬＤ２１の後端面２１ａと上記ＧａＡｓ
チップ２６の臂開面２６ａとを互いに平行に対向させて
外部共振器２７を構成し、この外部共振器の動作に適す
るように上記二つの面２１ａ。
２６ａの間隔を５０〜６０μｌとしている。そして、上
記ＬＤ２１から後方へ出射した光２５のうち大部分２５
ｂを上記外部共振器２７で共振を起こさせて、レーザ発
振の軸モードを安定させ、レーザ波長を安定させる一方
、後方へ出射した光２５のうち上記臂開面２６ａ以外の
方向へ出射した光の一部２５ａをＰＤ２２で受光してモ
ニタして、ＬＤ２１から前方へ出射する光２４の出力を
制御するようにしている。
記ＬＤ２１から後方へ出射した光２５のうち大部分２５
ｂを上記外部共振器２７で共振を起こさせて、レーザ発
振の軸モードを安定させ、レーザ波長を安定させる一方
、後方へ出射した光２５のうち上記臂開面２６ａ以外の
方向へ出射した光の一部２５ａをＰＤ２２で受光してモ
ニタして、ＬＤ２１から前方へ出射する光２４の出力を
制御するようにしている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上記従来の波長安定型半導体レーザ装置は、
ＬＤ２１から後方へ出射する光２５の大部分２５ｂを上
記ＧａＡｓチップ２６の臂開面２６ａで遮って、レーザ
発振に費やすため、このＧａＡｓチップ２６の後方へ通
過する光は少量となる。このため、ＰＤ２２に捕捉され
る光２５ａが少量となり、したがって、上記ＰＤ２２の
モニタ電流が小さくなって、上記ＬＤ２１から前方へ出
射する光２４の光出力を制御するのが難しいという問題
がある。
ＬＤ２１から後方へ出射する光２５の大部分２５ｂを上
記ＧａＡｓチップ２６の臂開面２６ａで遮って、レーザ
発振に費やすため、このＧａＡｓチップ２６の後方へ通
過する光は少量となる。このため、ＰＤ２２に捕捉され
る光２５ａが少量となり、したがって、上記ＰＤ２２の
モニタ電流が小さくなって、上記ＬＤ２１から前方へ出
射する光２４の光出力を制御するのが難しいという問題
がある。
特に、第２図中に破線で示すように、ＧａＡｓチップ２
６の高さが高い場合、上記後方へ通過する光が極めて小
さくなって、光出力を制御するのが不可能となる。一方
、ＧａＡｓチップ２６の高さがＬＤ２１のレーザ光出射
箇所よりも低い場合、ＬＤ２１から後方へ出射する光が
もとに戻らず、外部共振器２７が役割を果たさなくなる
。
６の高さが高い場合、上記後方へ通過する光が極めて小
さくなって、光出力を制御するのが不可能となる。一方
、ＧａＡｓチップ２６の高さがＬＤ２１のレーザ光出射
箇所よりも低い場合、ＬＤ２１から後方へ出射する光が
もとに戻らず、外部共振器２７が役割を果たさなくなる
。
そこで、この発明の目的は、外部共振器を備えてレーザ
波長を安定させると共に十分なモニタ電流を得ることが
できる波長安定型半導体レーザ装置を提供することにあ
る。
波長を安定させると共に十分なモニタ電流を得ることが
できる波長安定型半導体レーザ装置を提供することにあ
る。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために、この発明は、半導体レーザ
ダイオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの
間に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安
定させるようにした波長安定型半導体レーザ装置におい
て、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチ
ップの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上の一
部に設けた反射膜とからなることを特徴としている。
ダイオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの
間に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安
定させるようにした波長安定型半導体レーザ装置におい
て、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチ
ップの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上の一
部に設けた反射膜とからなることを特徴としている。
〈作用〉
半導体レーザダイオードチップ（ＬＤ）の後端面と受光
チップ（ＰＤ）の受光面上の一部に設けた反射膜の表面
とを互いに平行に対向させた場合、上記ＬＤチップから
後方へ出射する光のうち、これらの面に垂直な角度で出
射する光は、これらの面間で軸モードの光共振を起こし
、広範囲の周囲温度においてレーザ波長が安定すること
になる。
チップ（ＰＤ）の受光面上の一部に設けた反射膜の表面
とを互いに平行に対向させた場合、上記ＬＤチップから
後方へ出射する光のうち、これらの面に垂直な角度で出
射する光は、これらの面間で軸モードの光共振を起こし
、広範囲の周囲温度においてレーザ波長が安定すること
になる。
また、ＬＤ、ＰＤ間にこれらと別体の部材を設けて外部
共振器を構成するのではなく、上記ＬＤの後端面と上記
ＰＤの受光面上に設けた反射膜とにより外部共振器を構
成しているため、上記ＬＤから後方へ出射する光は、別
体の部材に遮られることがない。したがって、上記ＬＤ
から後方へ出射する光は、すべて反射膜を設けた上記受
光面へ照射されることになる。このため、上記反射膜に
よって反射される一部を除く残りの大部分を上記ＰＤが
捕捉することになって、このＰＤのモニタ電流は、上記
ＬＤから前方へ出射する光の出力を制御するのに十分な
値となる。
共振器を構成するのではなく、上記ＬＤの後端面と上記
ＰＤの受光面上に設けた反射膜とにより外部共振器を構
成しているため、上記ＬＤから後方へ出射する光は、別
体の部材に遮られることがない。したがって、上記ＬＤ
から後方へ出射する光は、すべて反射膜を設けた上記受
光面へ照射されることになる。このため、上記反射膜に
よって反射される一部を除く残りの大部分を上記ＰＤが
捕捉することになって、このＰＤのモニタ電流は、上記
ＬＤから前方へ出射する光の出力を制御するのに十分な
値となる。
〈実施例〉
以下、この発明の波長安定型半導体レーザ装置を図示の
実施例により詳細に説明する。
実施例により詳細に説明する。
第１図に示すように、この発明の波長安定型半導体レー
ザ装置は、チップをマウントするためのステム３上に、
前端にＬＤＩと、このＬＤＩの後方に受光チップとして
ＰＤ２とを備えている。このＬＤＩは、前方および後方
にそれぞれ約３５゜ＸＩＯｏの広がりをもったレーザ光
を出射することができる。また、このＰＤ２の受光面２
ａ上の一部に、上記ＬＤＩのレーザ光出射箇所と略同じ
高さに反射膜６を設けている。上記ＬＤＩの後端面１ａ
と上記反射膜６の表面６ａとを互いに平行に対向させて
、レーザ発振用の外部共振器７を構成し、この外部共振
器７の動作に適するように上記二つの面１ａ、６ｇの間
隔を５０〜６０μ次としている。
ザ装置は、チップをマウントするためのステム３上に、
前端にＬＤＩと、このＬＤＩの後方に受光チップとして
ＰＤ２とを備えている。このＬＤＩは、前方および後方
にそれぞれ約３５゜ＸＩＯｏの広がりをもったレーザ光
を出射することができる。また、このＰＤ２の受光面２
ａ上の一部に、上記ＬＤＩのレーザ光出射箇所と略同じ
高さに反射膜６を設けている。上記ＬＤＩの後端面１ａ
と上記反射膜６の表面６ａとを互いに平行に対向させて
、レーザ発振用の外部共振器７を構成し、この外部共振
器７の動作に適するように上記二つの面１ａ、６ｇの間
隔を５０〜６０μ次としている。
そして、動作する際は、ＬＤＩから後方へ出射した光の
うち、大部分（９０％）が反射されて、上記後端面１ａ
および表面６ａに垂直な光は、これらの面１ａ、６ａ間
で軸モードの光共振を起こし、広範囲の周囲温度におい
てレーザ波長を安定させることができる。
うち、大部分（９０％）が反射されて、上記後端面１ａ
および表面６ａに垂直な光は、これらの面１ａ、６ａ間
で軸モードの光共振を起こし、広範囲の周囲温度におい
てレーザ波長を安定させることができる。
また、ＬＤＩとＰＤ２との間に、これらと別体の部材を
設けて外部共振器を構成するのではなく、上記ＬＤＩの
後端面１ａと上記ＰＤ２の受光面２ａ上に設けた反射膜
６とから外部共振器７を構成しているため、上記ＬＤＩ
から後方へ出射する光５は、別体の部材に遮られること
がない。したがって、上記ＬＤＩから後方へ出射する光
５は、すべて反射膜６を設けた上記受光面２ａへ照射さ
れることになる。このため、照射された光のうち、上記
反射膜６によって反射される一部分を除く残りの大部分
を上記ＰＤ２が捕捉することになって、このＰＤ２のモ
ニタ電流は、上記ＬＤＩから前方へ出射する光４を制御
するのに十分な値となる。
設けて外部共振器を構成するのではなく、上記ＬＤＩの
後端面１ａと上記ＰＤ２の受光面２ａ上に設けた反射膜
６とから外部共振器７を構成しているため、上記ＬＤＩ
から後方へ出射する光５は、別体の部材に遮られること
がない。したがって、上記ＬＤＩから後方へ出射する光
５は、すべて反射膜６を設けた上記受光面２ａへ照射さ
れることになる。このため、照射された光のうち、上記
反射膜６によって反射される一部分を除く残りの大部分
を上記ＰＤ２が捕捉することになって、このＰＤ２のモ
ニタ電流は、上記ＬＤＩから前方へ出射する光４を制御
するのに十分な値となる。
なお、上記受光チップはホトダイオードチップＰＤ２と
したがこれに限られるものではなく、他のタイプの受光
チップでも良い。
したがこれに限られるものではなく、他のタイプの受光
チップでも良い。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明は、半導体レーザダ
イオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの間
に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安定
させるようにした波長安定型半導体レーザ装置において
、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチッ
プの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上に設け
た反射膜とからなるので、レーザ波長を安定させると共
に十分なモニタ電流を得ることができる。
イオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの間
に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安定
させるようにした波長安定型半導体レーザ装置において
、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチッ
プの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上に設け
た反射膜とからなるので、レーザ波長を安定させると共
に十分なモニタ電流を得ることができる。
第１図はこの発明の波長安定型半導体レーザ装置の一実
施例を示す断面図、第２図は従来の波長安定型レーザ装
置を示す断面図である。 １ 、２１−−・Ｌ ＤＸｌ ａ＝−Ｌ Ｄの後端面、
２ 、２２−Ｐ Ｄ 、 ２ ａ−−−受光面、３．２
３・・・ステム、４．２４・・・前方への反射光、５．
２５・・・後方への出射光、６・・反射膜、６ａ・・・
反射膜の表面、７．２７・・・外部共振器。
施例を示す断面図、第２図は従来の波長安定型レーザ装
置を示す断面図である。 １ 、２１−−・Ｌ ＤＸｌ ａ＝−Ｌ Ｄの後端面、
２ 、２２−Ｐ Ｄ 、 ２ ａ−−−受光面、３．２
３・・・ステム、４．２４・・・前方への反射光、５．
２５・・・後方への出射光、６・・反射膜、６ａ・・・
反射膜の表面、７．２７・・・外部共振器。
Claims (1)
- （１）半導体レーザダイオードチップとこの後方のモニ
タ用受光チップとの間に、外部共振器を備えて、レーザ
発振の軸モードを安定させるようにした波長安定型半導
体レーザ装置において、上記外部共振器は、上記半導体
レーザダイオードチップの後端面と上記モニタ用受光チ
ップの受光面上の一部に設けた反射膜とからなることを
特徴とする波長安定型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237689A JPH02260680A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 波長安定型半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8237689A JPH02260680A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 波長安定型半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260680A true JPH02260680A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13772866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8237689A Pending JPH02260680A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 波長安定型半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260680A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8237689A patent/JPH02260680A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004008548A1 (ja) * | 2002-07-11 | 2004-01-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | 半導体光源装置 |
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