JPH0437082A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0437082A JPH0437082A JP2143201A JP14320190A JPH0437082A JP H0437082 A JPH0437082 A JP H0437082A JP 2143201 A JP2143201 A JP 2143201A JP 14320190 A JP14320190 A JP 14320190A JP H0437082 A JPH0437082 A JP H0437082A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- grating
- chip
- light
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Links
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
半導体レーザの光出力は周囲温度などにより容易に変動
する。その光出力を一定に保つために、パッケージ内部
に内蔵されたモニター用フォトダイオードでレーザの光
出力を検出して、ＡＰＣ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｏｗ
ｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ）回路により光出力が一定になる
ように制御している。
する。その光出力を一定に保つために、パッケージ内部
に内蔵されたモニター用フォトダイオードでレーザの光
出力を検出して、ＡＰＣ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｏｗ
ｅｒ ｃｏｎｔｒｏｌ）回路により光出力が一定になる
ように制御している。
第２図に従来の半導体レーザの光出力検出方法の一例を
示す。半導体レーザチップ１はＳｉサブマウント２の上
にボンディングされている。Ｓｉサブマウント２は、金
属板３上に接着されたヒートシンク４の上にボンディン
グされている。モニター用フォトダイオード５は金属板
３上に主導体レーザチップ１の後端面と対向して配置し
である。
示す。半導体レーザチップ１はＳｉサブマウント２の上
にボンディングされている。Ｓｉサブマウント２は、金
属板３上に接着されたヒートシンク４の上にボンディン
グされている。モニター用フォトダイオード５は金属板
３上に主導体レーザチップ１の後端面と対向して配置し
である。
半導体レーザの光出力は前端面からだけではなく、後端
面からも一部出射されるので、この光をモニター用フォ
トダイオードで検出することにより、半導体レーザの光
出力を制御することができる。
面からも一部出射されるので、この光をモニター用フォ
トダイオードで検出することにより、半導体レーザの光
出力を制御することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では次のような問題が
あった。第２図に示されるように、パッケージの構造上
、モニター用フォトダイオード５へは半導体レーザチッ
プ１の出射光の半分程度しか入射せず、光量の損失が大
きい。また、モニター用フォトダイオード５への入射光
は発散光であり、フォトダイオード５の端の部分に当た
るので、フォトダイオード５の応答の遅れなども生じゃ
すい。
あった。第２図に示されるように、パッケージの構造上
、モニター用フォトダイオード５へは半導体レーザチッ
プ１の出射光の半分程度しか入射せず、光量の損失が大
きい。また、モニター用フォトダイオード５への入射光
は発散光であり、フォトダイオード５の端の部分に当た
るので、フォトダイオード５の応答の遅れなども生じゃ
すい。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するために本発明の半導体レーザ装置は
、反射型グレーティングを有するヒートシンク上に半導
体レーザチップが取付けられ、この半導体レーザチップ
から出射され、グレーティングにより反射された光が到
達する位置にモニター用フォトダイオードが配置された
ことを特徴としている。
、反射型グレーティングを有するヒートシンク上に半導
体レーザチップが取付けられ、この半導体レーザチップ
から出射され、グレーティングにより反射された光が到
達する位置にモニター用フォトダイオードが配置された
ことを特徴としている。
作用
上記構成により、半導体レーザの後端面からの出射光を
、反射型グレーティングにより、モニター用フォトダイ
オードの中心部分に入射させることができ、光量の損失
なく、効率的な光出力モニターをすることができる。
、反射型グレーティングにより、モニター用フォトダイ
オードの中心部分に入射させることができ、光量の損失
なく、効率的な光出力モニターをすることができる。
実施例
本発明の一実施例について、図面を用いて説明する。
第１図は本実施例の構成を示す。厚さ１００μｍ。
大きさ２５０Ａｔｍｘ３００μｍの半導体レーザチップ
１が、厚さ１４０μｍ、大きさ１．０ｍＸ１．２膿のサ
ブマウント２上に、その前端面の位置がサブマウント２
の端部の位置に一致するようにボンディングされている
。このサブマウント２は金属板３上に接着されたヒート
シンク４上にボンディングされている。また、モニター
用フォトダイオード５が金属板３上に半導体レーザチッ
プ１の後端面と対向して配置されている。サブマウント
２の材質はＳｉで、その表面の半導体レーザチップ１後
端面側の部分に反射型グレーティング６が形成しである
。このグレーティング６のパターンは、半導体レーザチ
ップ１の後端面側出射点とモニター用フォトダイオード
５の中心点とを２光源としたときに生ずる干渉パターン
の形状となるように決定し、フォトリソグラフィおよび
エツチングの技術を用いて形成する。
１が、厚さ１４０μｍ、大きさ１．０ｍＸ１．２膿のサ
ブマウント２上に、その前端面の位置がサブマウント２
の端部の位置に一致するようにボンディングされている
。このサブマウント２は金属板３上に接着されたヒート
シンク４上にボンディングされている。また、モニター
用フォトダイオード５が金属板３上に半導体レーザチッ
プ１の後端面と対向して配置されている。サブマウント
２の材質はＳｉで、その表面の半導体レーザチップ１後
端面側の部分に反射型グレーティング６が形成しである
。このグレーティング６のパターンは、半導体レーザチ
ップ１の後端面側出射点とモニター用フォトダイオード
５の中心点とを２光源としたときに生ずる干渉パターン
の形状となるように決定し、フォトリソグラフィおよび
エツチングの技術を用いて形成する。
上記実施例の作用について説明する。半導体レーザチッ
プ１の後端面からの出射光のうちサブマウント２に当た
った光は反射型グレーティングにより、回折をする。グ
レーティングのパターンを実施例で述べたように決定す
ることにより、回折された光はモニター用フォトダイオ
ードの中心部分に入射させることができ、光量の損失な
（、効率的な光出力モニターをすることができる。
プ１の後端面からの出射光のうちサブマウント２に当た
った光は反射型グレーティングにより、回折をする。グ
レーティングのパターンを実施例で述べたように決定す
ることにより、回折された光はモニター用フォトダイオ
ードの中心部分に入射させることができ、光量の損失な
（、効率的な光出力モニターをすることができる。
発明の効果
上記のように、本発明の半導体レーザ装置は、反射型グ
レーティングを有するヒートシンク上に半導体レーザチ
ップが取付けられ、この半導体レーザチップから出射さ
れ、グレーティングにより反射された光が到達する位置
にモニター用フォトダイオードが配置されているので、
半導体レーザチップ端面からの出射光をモニター用フォ
トダイオードの中心部分に入射させ、光量の損失なく、
効率的な光出力モニターをすることができる。
レーティングを有するヒートシンク上に半導体レーザチ
ップが取付けられ、この半導体レーザチップから出射さ
れ、グレーティングにより反射された光が到達する位置
にモニター用フォトダイオードが配置されているので、
半導体レーザチップ端面からの出射光をモニター用フォ
トダイオードの中心部分に入射させ、光量の損失なく、
効率的な光出力モニターをすることができる。
第１図は本発明にかかる半導体装置の一実施例の構成を
示す図、第２図は従来の半導体レーザの構成の一例を示
す図である。 ｌ・・・・・・半導体レーザチップ、２・・・・・・サ
ブマウント、３・・・・・・金属板、４・・・・・・ヒ
ートシンク、５・・・・・・モニター用フォトダイオー
ド。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ４１＆オ及 及Ｈ’ｌｌ’？’し一九ン７゛
示す図、第２図は従来の半導体レーザの構成の一例を示
す図である。 ｌ・・・・・・半導体レーザチップ、２・・・・・・サ
ブマウント、３・・・・・・金属板、４・・・・・・ヒ
ートシンク、５・・・・・・モニター用フォトダイオー
ド。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 ４１＆オ及 及Ｈ’ｌｌ’？’し一九ン７゛
Claims (1)
- 反射型グレーティングを有するヒートシンク上に半導体
レーザチップが取付けられ、前記半導体レーザチップか
ら出射され、前記グレーティングにより反射された光が
到達する位置にモニター用フォトダイオードが配置され
た半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143201A JPH0437082A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2143201A JPH0437082A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0437082A true JPH0437082A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15333229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2143201A Pending JPH0437082A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0437082A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018193551A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2143201A patent/JPH0437082A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018193551A1 (ja) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | 三菱電機株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
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