JPH02260487A

JPH02260487A - 波長安定型半導体レーザ装置

Info

Publication number: JPH02260487A
Application number: JP7991589A
Authority: JP
Inventors: Masaru Ogawa; 勝小川
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1989-03-30
Publication date: 1990-10-23

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉この発明は、干渉計測の分野やホログラム応用分野など
で利用される波長安定型半導体レーザ装置に関する。

〈従来の技術〉一般に、半導体レーザ装置は、第２図（こ示すように、
チップをマウントするためのステム１３上に、半導体レ
ーザダイオードチップ（以Ｔ、ｒＬＤｊと称す月１とこ
の後方にホトダイオードチップ（以下、ｒＰＤＪと称す
）１２とを備えて、ＬＤｌｌから後方へ出射する光＋５
の一部１５ａ（図中に斜線で示す）をＰＤ１２で受光し
モニタすることによって、ＬＤＩＩから前方へ出射する
光１４の光出力を制御するものが多い。

従来、安定したレーザ波長が要求される干渉計測の分野
やホログラム応用分野において、波長安定型半導体レー
ザ装置として、特に第３図に示すようなものが使用され
ている。この波長安定型半導体レーザ装置は、ステム２
３上に、萌端にＬＤ２１とこのＬＤ２１の後方にＰＤ２
２を備えると共に、上記ＬＤ２１とＰＤ２２との間であ
って上記ＬＤ２１の後方に臂開面２６ａを有するＧａＡ
ｓチップ２６を備えている。上記ＬＤ２１の後端面２１
ａと上記ＧａＡｓチップ２６の臂開面２６ａとを互いに
平行に対向させて外部共振器２７を構成し、この外部共
振器の動作に適するように上記二つの面２１ａ、２６ａ
の間隔を５０〜６０μ貫としている。

そして、上記ＬＤ２１から後方へ出射した光２５のうち
大部分２５ｂを上記外部共振器２７で共振Ｒ３を起こさ
せて、レーザ発振の軸モードを安定させ、レーザ波長を
安定させる一方、後方へ出射した光２５のうち上記臂開
面２６ａ以外の方向へ出射した光の一部２５ａをＰＤ２
２で受光してモニタして、ＬＤ２１から前方へ出射する
光２４の出力を制御するようにしている。

〈発明が解決しようとする課題〉ところで、上記従来の波長安定型半導体レーザ装置は、
ＬＤ２１から後方へ出射する光２５の大部分２５ｂを上
記ＧａＡｇチップ２６の臂開面２６ａで遮って、レーザ
発振に費やすため、このＧａＡｓチップ２６の後方へ通
過する光は少量となる。このため、ＰＤ２２に捕捉され
る光２５ａ（第３図中に斜線で示す部分）は極く少量と
なる。したがって、上記ＰＤ２２のモニタ電流が極めて
小さくなって、上記ＬＤ２１から前方へ出射する光２４
の光出力を制御するのが難しいという問題がある。

そこで、この発明の目的は、外部共振器を備えてレーザ
波長を安定させると共に十分なモニタ電流を得ることが
できる波長安定型半導体レーザ装置を提供することにあ
る。

く課題を解決するための手段〉上記目的を達成するために、この発明は、半導体レーザ
ダイオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの
間に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安
定させるようにした波長安定型半導体レーザ装置におい
て、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチ
ップの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上に設
けた反射膜とからなることを特徴としている。

く作用〉半導体レーザダイオードチップ（ＬＤ）の後端面と受光
チップ（ＰＤ）の受光面上に設けた反射膜の表面とを互
いに平行に対向させた場合、上記ＬＤチップから後方へ
出射する光のうち、これらの面に垂直な角度で出射する
先は、これらの面間で軸モードの光共振を起こし、広範
囲の周囲温度においてレーザ波長が安定することになる
。

また、ＬＤ、ＰＤ間にこれらと別体の部材を設けて外部
共振器を構成するのではなく、上記ＬＤの後端面と上記
ＰＤの受光面上に設けた反射膜とにより外部共振器を構
成しているため、上記ＬＤから後方へ出射する光は、別
体の部材に遮られることがない。さらに、上記ＬＤの後
端面と上記ＰＤの受光面上に設けた反射膜との距離を外
部共振器の動作に適する５０〜６０μ肩とした場合、従
来の場合に比してＬＤ、ＰＤ間の距離が近くなって、Ｐ
Ｄに捕捉されずに逃げてしまう光の部分がなくなる。し
たがって、上記ＬＤから後方へ出射する光は、すべて反
射膜を設けた上記受光面へ照射されることになる。この
ため、上記反射膜が、照射された光のうち大部分を反射
し、一部のみを透過する場合であっても、このＰＤのモ
ニタ電流は、上記ＬＤから前方へ出射する光の出力を制
御するのに十分な値となる。

〈実施例〉以下、この発明の波長安定型半導体レーザ装置を図示の
実施例により詳細に説明する。

第１図に示すように、この発明の波長安定型半導体レー
ザ装置は、チップをマウントするためのステム３上に、
曲端にＬＤＩと、このＬＤＩの後方に受光チップとして
ＰＤ２とを備えている。このＰＤ２の受光面２ａ上にア
ルミナとアモルファスシリコンとの多層膜かもなり反射
率９０％、透過率ｌＯ％の反射膜６を設けている。上記
ＬＤＩの後端面１ａと上記反射膜６の表面６ａとを互い
に平行に対向させて、レーザ発振用の外部共振器７を構
成し、この外部共振器７の動作に適するように上記二つ
の面１　ａ、　６　ａの間隔を５０〜６０μｌとしてい
る。

そして、動作する際は、ＬＤＩから後方へ出射した光の
うち、大部分（９０％）が反射されて、上記後端面１ａ
および表面６ａに垂直な光は、これらの面１　ａ、　６
　ａ間で軸モードの光共振Ｒ，を起こし、広範囲の周囲
温度においてレーザ波長を安定させることができる。

また、ＬＤＩとＰＤ２との間に、これらと別体の部材を
設けて外部共振器を構成するのではなく、」−記ＬＤＩ
の後端面１ａと上記Ｐ　Ｄ　２の受光面２゜上に設けた
反射膜６とから外部共振器７を構成しているため、上記
ＬＤＩから後方へ出射する光５は、別体の部材に遮られ
ることがない。また、上記ＬＤＩの後端面１ａと上記Ｐ
Ｄ２の受光面２ａＪ：に設けた反射膜６の表面６ａとの
距離を外部共振器の動作に適する５０〜６０μｌとして
いるので、従来の場合に比してＬＤＩ、ＰＤ２の距離が
近くなって、ＰＤ２の後方へ捕捉されずに逃げてしまう
光がなくなる。したがって、上記ＬＤＩから後方へ出射
する光５は、すべて反射膜６を設けた」二足受光而２ａ
へ照射されることになる。このため、上記反射膜６の透
過率が１０％であっても、このＰＤ２のモニタ電流は、
上記ＬＤＩから前方へ出射する光４を制御するのに十分
な値となる。

なお、上記受光チップはホトダイオードデツプＰＤ２と
したがこれに限られるものではなく、他のタイプの受光
チップでし良い。

〈発明の効果〉以上より明らかなように、この発明は、半導体レーザダ
イオードチップとこの後方のモニタ用受光チップとの間
に、外部共振器を備えて、レーザ発振の軸モードを安定
させるようにした波長安定型半導体レーザ装置において
、上記外部共振器は、上記半導体レーザダイオードチッ
プの後端面と上記モニタ用受光チップの受光面上に設け
た反射膜とからなるので、レーザ波長を安定させると共
に十分なモニタ電流を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の波長安定型半導体レーザ装置の一実
施例を示す断面図、第２図は一般の半導体レーザ装置を
示す断面図、第３図は従来の波長安定型レーザ装置を示
す断面図である。１．１１．２１＝−ＬＤ、Ｉａ−ＬＤの後端面、２、Ｉ
　２，２２−ＰＤ、２ａ−受光面、３．１３．２３・・
・ステム、４．１４．２４・・・前方への反射光、５．１５．２５
・・・後方への出射光、６・・・反射膜、６ａ・・・反
射膜の表面、７．２７・・・外部共振器。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体レーザダイオードチップとこの後方のモニ
タ用受光チップとの間に、外部共振器を備えて、レーザ
発振の軸モードを安定させるようにした波長安定型半導
体レーザ装置において、上記外部共振器は、上記半導体
レーザダイオードチップの後端面と上記モニタ用受光チ
ップの受光面上に設けた反射膜とからなることを特徴と
する波長安定型半導体レーザ装置。