JPH02260A - 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 - Google Patents
液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子Info
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- JPH02260A JPH02260A JP63039459A JP3945988A JPH02260A JP H02260 A JPH02260 A JP H02260A JP 63039459 A JP63039459 A JP 63039459A JP 3945988 A JP3945988 A JP 3945988A JP H02260 A JPH02260 A JP H02260A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
のである。
成物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するも
のである。
［従来の技術］
従来の液晶素子としては、例えばエム・シャツ）−（Ｍ
、 ５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリヒ（Ｗ。
、 ５ｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリヒ（Ｗ。
１］ｅｌｆｒｉｃｈ） ’Ｊ、゛アプライド・フィジッ
クス・レターズ″１８巻４号（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 。
クス・レターズ″１８巻４号（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 。
Ｖｏｌ、 １Ｂ、 Ｎｏ、 ４） （１９７１，２，１
５） １２７〜１２８頁の「捩れネマチック液晶の電圧
依存光学挙動」じＶｏｌｔａｇｅ −Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”）に記載されたＴＮ（ツィステッド・ネマチッ
ク）液晶を用いたものが知られている。しかしながら、
このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構
造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問
題点があるため、画素数が制限されていた。また、電界
応答が遅く視野角特性が悪いためにデイスプレィとして
の用途は限定されていた。
５） １２７〜１２８頁の「捩れネマチック液晶の電圧
依存光学挙動」じＶｏｌｔａｇｅ −Ｄｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａＴｗ
ｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ”）に記載されたＴＮ（ツィステッド・ネマチッ
ク）液晶を用いたものが知られている。しかしながら、
このＴＮ液晶は、画素密度を高くしたマトリクス電極構
造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する問
題点があるため、画素数が制限されていた。また、電界
応答が遅く視野角特性が悪いためにデイスプレィとして
の用途は限定されていた。
更に、各画素に薄膜トランジスタによるスイッチング素
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることか難しい問題点がある。
子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示素
子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成す
ることか難しい問題点がある。
このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ
１ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を
有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチックＣ
相（Ｓａｃ”）又はＨ相（ＳｍＨ” ）を有する強誘電
性液晶が用いられる。
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ
１ａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３６７９２４号明細書等）。双安定性を
有する液晶としては、一般に、カイラルスメクチックＣ
相（Ｓａｃ”）又はＨ相（ＳｍＨ” ）を有する強誘電
性液晶が用いられる。
この強誘電性液晶は自発分極を有するために非常に速い
応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態を
発現させることかでき、さらに視野角特性も優れている
ことから、大容量大画面のデイスプレィとして適してい
る。
応答速度を有する上に、メモリー性のある双安定状態を
発現させることかでき、さらに視野角特性も優れている
ことから、大容量大画面のデイスプレィとして適してい
る。
また強誘電性液晶として用いられる材料は不斉炭素を有
しているために、そのカイラルスメクチック相を利用し
た強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学
素子としても使用することかできる。
しているために、そのカイラルスメクチック相を利用し
た強誘電性液晶として使用する以外に、次のような光学
素子としても使用することかできる。
１）液晶状態においてコレステリック・ネマチック相転
移効果を利用するもの〔ジェイ ジェイウィソキ、エイ
アダムス、ダブリュ ハアース「フィジックス レヴ
ユー レターズＪ （Ｊ、 Ｊ。
移効果を利用するもの〔ジェイ ジェイウィソキ、エイ
アダムス、ダブリュ ハアース「フィジックス レヴ
ユー レターズＪ （Ｊ、 Ｊ。
Ｗｙｓｏｋｉ、 Ａ、 Ａｄａｍｓ ａｎｄ Ｗ、 Ｈ
ａａｓ； Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ。
ａａｓ； Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ。
Ｌｅｔｔ、）、 ２０． １０２４ （１９６８）
） 、２）液晶状態においてホワイト・ティラー
形ゲスト・ホスト効果を利用するもの（デー エル ホ
ワイト、ジー エム テエイラー「ジャーナルオブ ア
プライド フィジッスクＪ （Ｄ、 Ｌ、 Ｗｈｉｔｅ
ａｎｄ Ｇ、 Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ； Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、）、 ４５．４７１８（１９７４）） 、
等が知られている。個々の方式についての詳細な説明は
省略するか、表示素子や変調素子として重要である。
） 、２）液晶状態においてホワイト・ティラー
形ゲスト・ホスト効果を利用するもの（デー エル ホ
ワイト、ジー エム テエイラー「ジャーナルオブ ア
プライド フィジッスクＪ （Ｄ、 Ｌ、 Ｗｈｉｔｅ
ａｎｄ Ｇ、 Ｎ、Ｔａｙｌｏｒ； Ｊ、 Ａｐｐｌ、
Ｐｈｙｓ、）、 ４５．４７１８（１９７４）） 、
等が知られている。個々の方式についての詳細な説明は
省略するか、表示素子や変調素子として重要である。
このような液晶の電界応答光学効果を用いる方法におい
ては、液晶の応答性を高めるために極性基を導入するこ
とが好ましいとされている。とくに強誘電性液晶におい
ては、応答速度は自発分極に比例することが知られてお
り、高速化のためには自発分極を増加させることが望ま
れている。このような点から、ピー ケラ−（Ｐ、 Ｋ
ｅｌｌｅｒ）らは、不斉炭素に直接塩素基を導入するこ
とで自発分極を増加させ応答速度の高速化が可能である
ことを示した（シー アール アカデミ−サイエンス（
Ｃ，Ｒ，Ａｃａｄ、 Ｓｃ、 Ｐａｒｉｓ）、 ２８２
Ｃ，６：＋９（１９７６））。
ては、液晶の応答性を高めるために極性基を導入するこ
とが好ましいとされている。とくに強誘電性液晶におい
ては、応答速度は自発分極に比例することが知られてお
り、高速化のためには自発分極を増加させることが望ま
れている。このような点から、ピー ケラ−（Ｐ、 Ｋ
ｅｌｌｅｒ）らは、不斉炭素に直接塩素基を導入するこ
とで自発分極を増加させ応答速度の高速化が可能である
ことを示した（シー アール アカデミ−サイエンス（
Ｃ，Ｒ，Ａｃａｄ、 Ｓｃ、 Ｐａｒｉｓ）、 ２８２
Ｃ，６：＋９（１９７６））。
しかしながら、不斉炭素に導入された塩素基は化学的に
不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶相
の安定性が低下するという欠点を有しており、その改善
が望まれている。
不安定であるうえに、原子半径が大きいことから液晶相
の安定性が低下するという欠点を有しており、その改善
が望まれている。
他方、光学活性を有することを特徴とする光学素子に必
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール銹導体
等が挙げられるのみで、この光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんどなかった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自発
分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなかっ
た。
要な機能性材料は、それ自体光学活性の中間体を経て合
成されることが多いが、従来から用いられる光学活性中
間体としては、２−メチルブタノール、２級オクチルア
ルコール、２級ブチルアルコール、塩化ｐ−（２−メチ
ルブチル）安息香酸、２級フェネチルアルコール、アミ
ノ酸誘導体、ショウノウ誘導体、コレステロール銹導体
等が挙げられるのみで、この光学活性中間体に極性基が
導入されることはほとんどなかった。このためもあって
、不斉炭素原子に直接極性基を導入することにより自発
分極を増加する方法は、余り有効に利用されていなかっ
た。
［発明が解決しようとする課８１
本発明は上記の点に鑑みなされたものである。
すなわち、本発明は不斉炭素原子に直接、安定で且つ双
極子モーメントの大きいシアノ基を導入することにより
極性を高め、液晶の電界応答性を高めた液晶性化合物、
それを少なくとも１種類含有する液晶組成物およびそれ
を使用した液晶素子を提供することを目的とする。
極子モーメントの大きいシアノ基を導入することにより
極性を高め、液晶の電界応答性を高めた液晶性化合物、
それを少なくとも１種類含有する液晶組成物およびそれ
を使用した液晶素子を提供することを目的とする。
本発明はアルキル基の長さを変更することが容易て、こ
のことによりエッチ アーノルド、ザイトシュリフト
フユア フィジカリツシエ シェミー（ｔｌ、 Ａｒ
ｎｏｌｄ、 Ｚ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｈｅｗ、、）
２２６． １４６（１９６４）に示されるように、
液晶状態において発現する液晶相の種類や温度範囲を制
御することが可能な液晶性化合物、それ−を少なくとも
１種類配合成分として含有する液晶組成物およびそれを
使用した液晶素子を提供することを目的とする。
のことによりエッチ アーノルド、ザイトシュリフト
フユア フィジカリツシエ シェミー（ｔｌ、 Ａｒ
ｎｏｌｄ、 Ｚ、 Ｐｈｙｓ、 Ｃｈｅｗ、、）
２２６． １４６（１９６４）に示されるように、
液晶状態において発現する液晶相の種類や温度範囲を制
御することが可能な液晶性化合物、それ−を少なくとも
１種類配合成分として含有する液晶組成物およびそれを
使用した液晶素子を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段１８よび［作用］本発明は
、上述の目的を達成するためになされたものであり、第
一の発明は下記一般式［１］で表わされる液晶性化合物
に係わるものである。
、上述の目的を達成するためになされたものであり、第
一の発明は下記一般式［１］で表わされる液晶性化合物
に係わるものである。
し八
［１］
（式中、Ｒ，は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ２
は炭素原子数２〜ｌＯのアルキル基、Ｘは単結合ま（）
、−■Ｄ−はそれぞれ独立に−σ■−１０，１，２のい
ずれかて且っに＋４２＋ｎが２または３となる数である
。ｃｌは不斉炭素原子を示す） また、第二の発明は、前記一般式［１］で表わされる液
晶性化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とす
る液晶組成物に係わる。
は炭素原子数２〜ｌＯのアルキル基、Ｘは単結合ま（）
、−■Ｄ−はそれぞれ独立に−σ■−１０，１，２のい
ずれかて且っに＋４２＋ｎが２または３となる数である
。ｃｌは不斉炭素原子を示す） また、第二の発明は、前記一般式［１］で表わされる液
晶性化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とす
る液晶組成物に係わる。
さらに、第三の発明は、前記一般式［１］で表ね、され
る液晶性化合物を含有する液晶組成物を使用することを
特徴とする液晶素子に係わる。
る液晶性化合物を含有する液晶組成物を使用することを
特徴とする液晶素子に係わる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の一般式［１］で表わされる液晶性化合物は、好
ましくは本出願人等による特願昭６２−２８３０７９号
および特許願（特願昭 −号、出願臼 昭和６３年２月
２３日、発明の名称 光学活性物質、その製造方法およ
びそれを含む液晶組成物）の明細書に示される下記一般
式［２］の光学活性な中間体から構成される装 ■ −Ｙ−か−ＣＯ−の場合 ■ Ｎ （式中、 Ｒ２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、Ｙは一〇〇−
あるいは−ＣＨ，０−を、Ｃ″ は不斉炭素原子 を示す） 合成工程を以下に例示する。
ましくは本出願人等による特願昭６２−２８３０７９号
および特許願（特願昭 −号、出願臼 昭和６３年２月
２３日、発明の名称 光学活性物質、その製造方法およ
びそれを含む液晶組成物）の明細書に示される下記一般
式［２］の光学活性な中間体から構成される装 ■ −Ｙ−か−ＣＯ−の場合 ■ Ｎ （式中、 Ｒ２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、Ｙは一〇〇−
あるいは−ＣＨ，０−を、Ｃ″ は不斉炭素原子 を示す） 合成工程を以下に例示する。
は、
前記定義の通りである。
以上の様にして得られる化合物の代表例を以下に示す。
Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）本発明の液晶
組成物は、前記−紋穴［１］で表わされる液晶性化合物
を少なくとも１種類配合成分として含有するものである
。
ルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）本発明の液晶
組成物は、前記−紋穴［１］で表わされる液晶性化合物
を少なくとも１種類配合成分として含有するものである
。
上記液晶組成物のうち下記の式（１）〜（１３）て示さ
れるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自発
分極を増大させることか可能であり、応答速度を改善す
ることかできるので好ましい。
れるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自発
分極を増大させることか可能であり、応答速度を改善す
ることかできるので好ましい。
このような場合においては、本発明の一般式［１］で示
される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合て使用する
ことか望ましい。
される液晶性化合物を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合て使用する
ことか望ましい。
Ｐ−へキシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−ク
ロルプロピルシンナメート （ＨＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−デ
シロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチ
ル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ（：Ｃ）Ｐ
−テトラデシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭ
ＢＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミ
ノ−２−メチルプチルーα−クロロシンナメート （Ｏ
ＯＢＡＭＢＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ
′−アミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメー
ト４−へキシルオキシフェニル−４−（２”−メチルブ
チル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−（２″
−メチルブチル）フェニル−４−（４’−メチルヘキシ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−オクチル
オキシフェニル−４−（２”−メチルブチル）ビフェニ
ル−４′−カルボキシレート４−へブチルフェニル−４
−（４″−メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボ
キシレートまた、本発明の一般式［１］で表わされる光
学活性な液晶性化合物を、下記の式（１４）〜（１８）
で示されるような、それ自体はカイラルでないスメクチ
ック液晶に配合することにより、強誘電性液晶として使
用可能な液晶組成物が得られる。
ロルプロピルシンナメート （ＨＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−デ
シロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチ
ル−α−シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢ（：Ｃ）Ｐ
−テトラデシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−
メチルブチル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭ
ＢＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミ
ノ−２−メチルプチルーα−クロロシンナメート （Ｏ
ＯＢＡＭＢＣＣ）Ｐ−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ
′−アミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメー
ト４−へキシルオキシフェニル−４−（２”−メチルブ
チル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−（２″
−メチルブチル）フェニル−４−（４’−メチルヘキシ
ル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−オクチル
オキシフェニル−４−（２”−メチルブチル）ビフェニ
ル−４′−カルボキシレート４−へブチルフェニル−４
−（４″−メチルヘキシル）ビフェニル−４′−カルボ
キシレートまた、本発明の一般式［１］で表わされる光
学活性な液晶性化合物を、下記の式（１４）〜（１８）
で示されるような、それ自体はカイラルでないスメクチ
ック液晶に配合することにより、強誘電性液晶として使
用可能な液晶組成物が得られる。
この場合、−紋穴［１］で示される本発明の液晶性化合
物を、得られる液晶組成物の０．１〜９９重量％、特に
１〜９０重量％で使用することが好ましい。
物を、得られる液晶組成物の０．１〜９９重量％、特に
１〜９０重量％で使用することが好ましい。
このような液晶組成物は、本発明の液晶性化合物の含有
量に応じで、これに起因する大きな自発分極を得ること
ができる。
量に応じで、これに起因する大きな自発分極を得ること
ができる。
ＣａＨｒ ｔｏ３Ｃ００＋ ０ＣｓＨｒ ５（４−ノニ
ルオキシフェニル）−４′−オクチルオキシビフェニル
−４−カルボキシレート ２−（４’−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジン ４．４′−デシルオキシアゾキシベンゼン２−（４’−
へキシルオキシフェニル）−５−（４−へキシルオキシ
フェニル）ピリミジンｃ、ｏ、、０３ｃｏｏ＋０ＣｓＨ
ｔ＋ ４′−ペンチルオキシフェニル−４− オクチルオキシベンゾエート ５８℃ ６４℃ ６６℃ ８５℃Ｃｒｙｓ
ｔ、−−−−−）Ｓ＋ａＣ−−一一一）ＳｓＡ −一
ン Ｎ −一一一−）Ｉｓｏ。
ルオキシフェニル）−４′−オクチルオキシビフェニル
−４−カルボキシレート ２−（４’−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジン ４．４′−デシルオキシアゾキシベンゼン２−（４’−
へキシルオキシフェニル）−５−（４−へキシルオキシ
フェニル）ピリミジンｃ、ｏ、、０３ｃｏｏ＋０ＣｓＨ
ｔ＋ ４′−ペンチルオキシフェニル−４− オクチルオキシベンゾエート ５８℃ ６４℃ ６６℃ ８５℃Ｃｒｙｓ
ｔ、−−−−−）Ｓ＋ａＣ−−一一一）ＳｓＡ −一
ン Ｎ −一一一−）Ｉｓｏ。
ここで、記号は、それぞれ以下の相を示す。
Ｃｒｙｓｔ、 ：結晶相、 ＳｍＡ ：スメク
チツクＡ相、ＳｍＢ ：スメクチツクＢ相、 Ｓａｃ
：スメクチ・ンクＣ相、Ｎ：ネマチック相、 ｌｓ
ｏ、：等吉相。
チツクＡ相、ＳｍＢ ：スメクチツクＢ相、 Ｓａｃ
：スメクチ・ンクＣ相、Ｎ：ネマチック相、 ｌｓ
ｏ、：等吉相。
［実施例］
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
下記工程１）、 ２）、 ３）によりｐ−（ｐ−デシル
オキシビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２−シ
アノ−２−メチルヘキシルを合成した。
オキシビフェニルカルボニルオキシ）安息香酸−２−シ
アノ−２−メチルヘキシルを合成した。
工程１）
ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシ
ルの合成 アセトキシ安息香酸３６０ｍｇ （２１Ｍ）と塩化チオ
ニル４ｍｊ）を２時間加熱環流した後、過剰の塩化チオ
ニルを減圧て留去し、生成した酸塩化物に、（÷）−２
−シアノ−２−メチルヘキサノール２８２ｍｇ（２＋ｓ
Ｍ）とトリエチレンジアミン４４８１ｇ（４履Ｍ）を乾
燥ベンゼン５ｒｍＩ！に溶かしたものを加え、５０℃で
２時間加熱攪拌した。さらに水素化ナトリウム９４１ｇ
（４ｍＭ）を乾燥ベンゼン２ｍ１Ｊに溶かして加え、２
時間加熱還流を行なった。反応終了後、室温にて放冷し
、ＩＮ塩酸８ｆｆｌＮ、蒸留水２０ｍＡ’を加えた。有
機層を分離し、水層をエーテル抽出したものを加え蒸留
水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
ルの合成 アセトキシ安息香酸３６０ｍｇ （２１Ｍ）と塩化チオ
ニル４ｍｊ）を２時間加熱環流した後、過剰の塩化チオ
ニルを減圧て留去し、生成した酸塩化物に、（÷）−２
−シアノ−２−メチルヘキサノール２８２ｍｇ（２＋ｓ
Ｍ）とトリエチレンジアミン４４８１ｇ（４履Ｍ）を乾
燥ベンゼン５ｒｍＩ！に溶かしたものを加え、５０℃で
２時間加熱攪拌した。さらに水素化ナトリウム９４１ｇ
（４ｍＭ）を乾燥ベンゼン２ｍ１Ｊに溶かして加え、２
時間加熱還流を行なった。反応終了後、室温にて放冷し
、ＩＮ塩酸８ｆｆｌＮ、蒸留水２０ｍＡ’を加えた。有
機層を分離し、水層をエーテル抽出したものを加え蒸留
水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。
これを溶媒留去して、薄層クロマトグラフィー（展開溶
媒：酢酸エチル：塩化チオニル−１＝１４）を用いて精
製して光学活性ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２
−メチルヘキシル３４５１ｇを得た（収率５６．９％）
。
媒：酢酸エチル：塩化チオニル−１＝１４）を用いて精
製して光学活性ｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ−２
−メチルヘキシル３４５１ｇを得た（収率５６．９％）
。
工程２）
ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシ
ルの合成 工程ｌ）で得られたｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ
−２−メチルヘキシル４８２１］ｇ（１，６−Ｍ）を乾
燥エーテル１．５ｍｉ’に溶かしたものに、ベンジルア
ミン１８８ｓ＋ｇ （１，６ｍＭ）をエーテル１■２に
溶かして加え、室温で２４時間攪拌した。反応終了後、
溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィー（展開溶媒：酢
酸エチル：塩化メチレン＝１：５）を用いて精製し。
ルの合成 工程ｌ）で得られたｐ−アセトキシ安息香酸２−シアノ
−２−メチルヘキシル４８２１］ｇ（１，６−Ｍ）を乾
燥エーテル１．５ｍｉ’に溶かしたものに、ベンジルア
ミン１８８ｓ＋ｇ （１，６ｍＭ）をエーテル１■２に
溶かして加え、室温で２４時間攪拌した。反応終了後、
溶媒を留去し、薄層クロマトグラフィー（展開溶媒：酢
酸エチル：塩化メチレン＝１：５）を用いて精製し。
ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシ
ル３３９ｍｇを得た（収率７３．７％）。
ル３３９ｍｇを得た（収率７３．７％）。
工程３）
ｐ−（ｐ−デシルオキシビフェニルカルボニルオキシ）
安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルの合成デシル
オキシビフェニルカルボン酸２１］ｍｇ（１，１８ｓＭ
）と塩化チオニル２．５ｍＲを２時間加熱還流した後、
過剰の塩化チオニルを減圧留去した。生成したこの酸塩
化物の中に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル トリエチレンジアミン２６３ｍｇ （２．３６ｍＭ）を
乾燥ベンゼン５ｍｌに溶かして加え、５０℃で２時間加
熱攪拌した．さらに、水素化ナトリウム５６．５ｍｇ（
２．３６＋ｓＭ）を乾燥ベンゼン２噛ｐの溶液として加
え、２時間加熱還流した．反応終了後、室温まで放冷し
、ＩＮ塩酸を５ ＠Ｌ蒸留水１２■ｐを加え、エーテル
を用いて抽出した．このエーテル溶液を硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去し，薄層クロマトグラフィーによ
り精製した（展開溶媒；ベンゼン：塩化メチレン−１：
３）、ｐ−（ｐ−デシルオキシビフェニルカルボニルオ
キシ）安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルが収量
２３０謙ｇ，収率３２．１％で得られた．［αｌｏ−４
．６°（ｃｌ，塩化メチレン） 相転移温度（”Ｃ） 実施例２ ２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ ｐ− （ ５−
ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）］の合成乾燥さ
せたフラスコに（−）−２−シアノ−２−メチルヘキサ
ン酸（ ［Ｑ１０−６．１５°（ｃｌ，メタノール）
） １５５朧ｇ（１ｍＭ）と塩化チオニル２ｓｆを入し
、窒素下で２時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニル
を減圧下に留去し、生成した酸塩化物に、５−ｎ−デシ
ル−２−ピリミジルフェノール３１；！１ｍｇ（１膳Ｍ
）とトリエチレンジアミン２４０朧ｇ （２ｍＭ）を乾
燥ベンゼン２．５■２に溶かした溶液を加え，５０℃で
２時間反応させた．さらに、水素化ナトリウム８０ｍｇ
（２ｍＭ）を乾燥ベンゼンに溶かして加え、２時間反
応させた．反応終了後、室温まで冷やし、ＩＮ塩酸、蒸
留水を加えて，エーテルで抽出した。
安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルの合成デシル
オキシビフェニルカルボン酸２１］ｍｇ（１，１８ｓＭ
）と塩化チオニル２．５ｍＲを２時間加熱還流した後、
過剰の塩化チオニルを減圧留去した。生成したこの酸塩
化物の中に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸２−シアノ−２−
メチルヘキシル トリエチレンジアミン２６３ｍｇ （２．３６ｍＭ）を
乾燥ベンゼン５ｍｌに溶かして加え、５０℃で２時間加
熱攪拌した．さらに、水素化ナトリウム５６．５ｍｇ（
２．３６＋ｓＭ）を乾燥ベンゼン２噛ｐの溶液として加
え、２時間加熱還流した．反応終了後、室温まで放冷し
、ＩＮ塩酸を５ ＠Ｌ蒸留水１２■ｐを加え、エーテル
を用いて抽出した．このエーテル溶液を硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を留去し，薄層クロマトグラフィーによ
り精製した（展開溶媒；ベンゼン：塩化メチレン−１：
３）、ｐ−（ｐ−デシルオキシビフェニルカルボニルオ
キシ）安息香酸２−シアノ−２−メチルヘキシルが収量
２３０謙ｇ，収率３２．１％で得られた．［αｌｏ−４
．６°（ｃｌ，塩化メチレン） 相転移温度（”Ｃ） 実施例２ ２−シアノ−２−メチルヘキサン酸［ ｐ− （ ５−
ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）］の合成乾燥さ
せたフラスコに（−）−２−シアノ−２−メチルヘキサ
ン酸（ ［Ｑ１０−６．１５°（ｃｌ，メタノール）
） １５５朧ｇ（１ｍＭ）と塩化チオニル２ｓｆを入し
、窒素下で２時間加熱還流した後、過剰の塩化チオニル
を減圧下に留去し、生成した酸塩化物に、５−ｎ−デシ
ル−２−ピリミジルフェノール３１；！１ｍｇ（１膳Ｍ
）とトリエチレンジアミン２４０朧ｇ （２ｍＭ）を乾
燥ベンゼン２．５■２に溶かした溶液を加え，５０℃で
２時間反応させた．さらに、水素化ナトリウム８０ｍｇ
（２ｍＭ）を乾燥ベンゼンに溶かして加え、２時間反
応させた．反応終了後、室温まで冷やし、ＩＮ塩酸、蒸
留水を加えて，エーテルで抽出した。
このエーテル層を硫酸ナトリウムで乾燥後，溶媒を留去
し、薄層クロマトグラフィーにより精製した（展開溶媒
：塩化メチレン）、２−シアノ−２−メチルヘキサン酸
［ ｐ− ’（ ５．−ｎ−デシル−２−ピリミジルフ
ェニル）］が収ｉ５９ｍｇ，収率１ｊ．３％て得られ。
し、薄層クロマトグラフィーにより精製した（展開溶媒
：塩化メチレン）、２−シアノ−２−メチルヘキサン酸
［ ｐ− ’（ ５．−ｎ−デシル−２−ピリミジルフ
ェニル）］が収ｉ５９ｍｇ，収率１ｊ．３％て得られ。
［α］。−３．５°（ｃｌ，塩化メチレン）、融点３８
〜４３℃を示した。
〜４３℃を示した。
実施例３
下記反応工程１）、 ２）によりｐ−（５−ｎ−デシル
−２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘ
キシルエーテルを合成した。
−２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘ
キシルエーテルを合成した。
工程ｌ）
ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキシ
ルの合成 （÷）−２−シアノ−２−メチＪしへキサノール（［α
］ ｏ’＋ ０．６６°（ｃ １．８２３，エーテル）
） ５３５ｍｇ（３．８１Ｍ）と乾燥ピリジン９１］
ｍｇ （１］．４ｍＭ）を室温で攪拌しながら、これに
ｐ−トルエンスルホラ酸りロリド７２４Ｂ （３．８１
］Ｍ）を加え、７時間反応させた。
ルの合成 （÷）−２−シアノ−２−メチＪしへキサノール（［α
］ ｏ’＋ ０．６６°（ｃ １．８２３，エーテル）
） ５３５ｍｇ（３．８１Ｍ）と乾燥ピリジン９１］
ｍｇ （１］．４ｍＭ）を室温で攪拌しながら、これに
ｐ−トルエンスルホラ酸りロリド７２４Ｂ （３．８１
］Ｍ）を加え、７時間反応させた。
反応終了後、これに２Ｎ塩酸３■２を加えた後，ジエチ
ルエーテルで抽出した．この有機層を少量の２Ｎ塩酸お
よび蒸留水で洗浄してから硫酸ナトリウムで乾燥させ、
溶媒を減圧留去した．これをシリカゲルカラムクロマト
グラム（展開溶媒：塩化メチレン）を用いて精製し，７
４８−ｇのｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メ
チルヘキシルを得た．（収率６３．３％ ） 工程２） ｐ− （ ５−ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）
２−シアノ−２−メチルヘキシルエーテルの合成水素化
ナトリウム２８ｍｇ （０．７％Ｍ）にジメチルホルム
アミド１．５ ｍＩｌを加え攪拌しておき、これにｐ−
（ ５−ｎ−デシル−２−ピリミジル）フェノール２
２０■ｇ （０．７％Ｍ）を加え、１０分間攪拌した．
さらにｐ−）ルエンスルホン酸２ーシアノー２ーメチル
ヘキシル２１８ｍｇ （０．７噛Ｍ）をジメチルホルム
アミドと共に加え、１００℃で６時間加熱攪拌した．反
応終了後、溶媒留去してから蒸留水を加えジエチルエー
テルで抽出した．有機層を蒸留水て洗浄してから硫酸ナ
トリウムを用いて乾燥した．溶媒留去後、薄層クロマト
グラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレン＝１：
５）により精製し１４９１ｇのｐ−（５−ｎ−デシル−
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを得た。収率４８．８％、［α］ 、”
−１，４７（ｃ １．４９４．塩化メチレン）、融点４
３℃であった。
ルエーテルで抽出した．この有機層を少量の２Ｎ塩酸お
よび蒸留水で洗浄してから硫酸ナトリウムで乾燥させ、
溶媒を減圧留去した．これをシリカゲルカラムクロマト
グラム（展開溶媒：塩化メチレン）を用いて精製し，７
４８−ｇのｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メ
チルヘキシルを得た．（収率６３．３％ ） 工程２） ｐ− （ ５−ｎ−デシル−２−ピリミジルフェニル）
２−シアノ−２−メチルヘキシルエーテルの合成水素化
ナトリウム２８ｍｇ （０．７％Ｍ）にジメチルホルム
アミド１．５ ｍＩｌを加え攪拌しておき、これにｐ−
（ ５−ｎ−デシル−２−ピリミジル）フェノール２
２０■ｇ （０．７％Ｍ）を加え、１０分間攪拌した．
さらにｐ−）ルエンスルホン酸２ーシアノー２ーメチル
ヘキシル２１８ｍｇ （０．７噛Ｍ）をジメチルホルム
アミドと共に加え、１００℃で６時間加熱攪拌した．反
応終了後、溶媒留去してから蒸留水を加えジエチルエー
テルで抽出した．有機層を蒸留水て洗浄してから硫酸ナ
トリウムを用いて乾燥した．溶媒留去後、薄層クロマト
グラフィー（展開溶媒；ヘキサン：塩化メチレン＝１：
５）により精製し１４９１ｇのｐ−（５−ｎ−デシル−
２−ピリミジルフェニル）２−シアノ−２−メチルヘキ
シルエーテルを得た。収率４８．８％、［α］ 、”
−１，４７（ｃ １．４９４．塩化メチレン）、融点４
３℃であった。
実施例４
下記反応工程１）、 ２）、 ３）により（−） −４
−（４’−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸 ４−
（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオキシ）フェニ
ルエステルを合成した。
−（４’−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸 ４−
（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオキシ）フェニ
ルエステルを合成した。
工程１）
（＋）−ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メチ
ルヘキシルの合成 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール（［α］
４３５−１．９°（ｃ ２．３９３．塩化メチレン）
）５３５ｍｇ （３，８＋５ｌＡ）と乾燥ピリジン９１
］１ｍｇ（１］，４ａＭ）を室温で攪拌しながら、これ
にｐ−トルエンスルホン酸クロリド７２４ｍｇ （３，
８＋ａＭ）を加え、７時間反応させた。反応終了後、２
Ｍ塩酸６ｍＲを加えた後、エーテルで抽出した。この有
機層を少量の２Ｍ塩酸および蒸留水で洗浄してから硫酸
ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。これを薄
層クロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：塩化メチ
レン＝１＝５）で精製し、７４８ｍｇの（÷）ｐ−トル
エンスルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た
。（収率６３．３％） ［ａ］、＋１０．７°（ｃ ２．１８２．ベンゼン）工
程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェノールの合成。
ルヘキシルの合成 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール（［α］
４３５−１．９°（ｃ ２．３９３．塩化メチレン）
）５３５ｍｇ （３，８＋５ｌＡ）と乾燥ピリジン９１
］１ｍｇ（１］，４ａＭ）を室温で攪拌しながら、これ
にｐ−トルエンスルホン酸クロリド７２４ｍｇ （３，
８＋ａＭ）を加え、７時間反応させた。反応終了後、２
Ｍ塩酸６ｍＲを加えた後、エーテルで抽出した。この有
機層を少量の２Ｍ塩酸および蒸留水で洗浄してから硫酸
ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。これを薄
層クロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：塩化メチ
レン＝１＝５）で精製し、７４８ｍｇの（÷）ｐ−トル
エンスルホン酸２−シアノ−２−メチルヘキシルを得た
。（収率６３．３％） ［ａ］、＋１０．７°（ｃ ２．１８２．ベンゼン）工
程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェノールの合成。
（＋）−ｐ−トルエンスルホン酸２−シアノ−２−メチ
ルヘキシル４８０Ｂ（１，６＋＊Ｍ）、ハイドロキノン
３５７Ｂ（：１．２ｓＭ） 、 ｎ−ブタノール１．５
＋ａｉ）を窒素下で攪拌しながら、これに水酸化ナトリ
ウム８：１．３Ｂ（２，１ｍＭ）をｎ−ブタノール（２
，２ｍＭりに溶かしたナトリウムブトキシンドを滴下し
、１２０°Ｃて２０時間加熱攪拌した０反応終了後、飽
和塩化ナトリウム水溶液５曹２を加え、エーテルを抽出
した。エーテル層を蒸留水で洗浄し、硫酸ナトリウムを
用いて乾燥した後、溶媒留去することにより粗生成物２
９６■ｇを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開
溶媒：塩化メチレン）で精製し、（−）−ｐ−（２−シ
アノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール８１．３
曹ｇを得た。（収率１９．１％） ［α］。−１，８°（ｃ Ｏ，８：１６．ベンゼン）工
程３） （−） −４−（４’−ｎ−デシルオキシフェニル）安
息香酸 ４−（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオ
キシ）フェニルエステルの合成。
ルヘキシル４８０Ｂ（１，６＋＊Ｍ）、ハイドロキノン
３５７Ｂ（：１．２ｓＭ） 、 ｎ−ブタノール１．５
＋ａｉ）を窒素下で攪拌しながら、これに水酸化ナトリ
ウム８：１．３Ｂ（２，１ｍＭ）をｎ−ブタノール（２
，２ｍＭりに溶かしたナトリウムブトキシンドを滴下し
、１２０°Ｃて２０時間加熱攪拌した０反応終了後、飽
和塩化ナトリウム水溶液５曹２を加え、エーテルを抽出
した。エーテル層を蒸留水で洗浄し、硫酸ナトリウムを
用いて乾燥した後、溶媒留去することにより粗生成物２
９６■ｇを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開
溶媒：塩化メチレン）で精製し、（−）−ｐ−（２−シ
アノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール８１．３
曹ｇを得た。（収率１９．１％） ［α］。−１，８°（ｃ Ｏ，８：１６．ベンゼン）工
程３） （−） −４−（４’−ｎ−デシルオキシフェニル）安
息香酸 ４−（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオ
キシ）フェニルエステルの合成。
４− （４’−ｎ−デシルオキシフェニル）安息香酸１
２１］１ｇ（０，３４■Ｍ）に塩化チオニルｌ履βを加
え、窒素下で２時間加熱量流した。過剰の塩化チオニル
を減圧留去した後、生成した酸塩化物の中にトリエチレ
ンジアミン７６．２ｍｇ （０，６８−Ｍ）と工程２）
で得られた（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキ
シルオキシ）フェノール８１．３ｍｇ （０，３１ｍＭ
）を乾燥ベンゼン２■２と共に加え、ｓｏ”ｃで２時間
加熱攪拌した。次に、水素化ナトリウム１６．３＠ｇ
（０，６８ｍＭ）を乾燥ベンゼンｌ■ｐと共に加え、さ
らに２時間加熱還流した。反応終了後、室温まで放冷し
、２Ｍ塩酸２ｍｊ）を加えてからエーテル抽出した。エ
ーテル層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した後、硫
酸ナトリウムで乾燥してから溶媒留去し、粗生成物２１
７■ｇを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開溶
媒：ヘキサン：塩化メチレン＝１：２）で精製し、（−
） −４−（４’ −ｎ−デシルオキシフェニル）安息
香酸４−（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステル７１．７Ｉ１ｇを得た。（収率３８
．６％） ［ａ ］ ｏ −２，１＠（ｃ Ｏ，８４
０，ベンゼン）相転移温度（”Ｃ） ｂ ［Ｓ３． Ｓ４． Ｓ５はＳｍＡ、 Ｓ園ｃ”以外のス
メクチック相（未同定）］ 実施例５ （リ−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４″−
カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）
フェニルエステルの製造 下記工程ｌ）〜４）に従い（÷）−４−（ｎ−オクチル
オキシビフェニル）−４１−カルボン酸（２−シアノ−
２−メチルへキシルオキシ）フェニルエステルを製造し
た。
２１］１ｇ（０，３４■Ｍ）に塩化チオニルｌ履βを加
え、窒素下で２時間加熱量流した。過剰の塩化チオニル
を減圧留去した後、生成した酸塩化物の中にトリエチレ
ンジアミン７６．２ｍｇ （０，６８−Ｍ）と工程２）
で得られた（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキ
シルオキシ）フェノール８１．３ｍｇ （０，３１ｍＭ
）を乾燥ベンゼン２■２と共に加え、ｓｏ”ｃで２時間
加熱攪拌した。次に、水素化ナトリウム１６．３＠ｇ
（０，６８ｍＭ）を乾燥ベンゼンｌ■ｐと共に加え、さ
らに２時間加熱還流した。反応終了後、室温まで放冷し
、２Ｍ塩酸２ｍｊ）を加えてからエーテル抽出した。エ
ーテル層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した後、硫
酸ナトリウムで乾燥してから溶媒留去し、粗生成物２１
７■ｇを得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開溶
媒：ヘキサン：塩化メチレン＝１：２）で精製し、（−
） −４−（４’ −ｎ−デシルオキシフェニル）安息
香酸４−（２’−シアノ−２′−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステル７１．７Ｉ１ｇを得た。（収率３８
．６％） ［ａ ］ ｏ −２，１＠（ｃ Ｏ，８４
０，ベンゼン）相転移温度（”Ｃ） ｂ ［Ｓ３． Ｓ４． Ｓ５はＳｍＡ、 Ｓ園ｃ”以外のス
メクチック相（未同定）］ 実施例５ （リ−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４″−
カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）
フェニルエステルの製造 下記工程ｌ）〜４）に従い（÷）−４−（ｎ−オクチル
オキシビフェニル）−４１−カルボン酸（２−シアノ−
２−メチルへキシルオキシ）フェニルエステルを製造し
た。
工程ｌ）
（◆）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メ
チルヘキシル）の製造 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール１．７３
９ｇ（１２，３ｓＭ） （［α］ ｏ−０，９１°、［
α］ ４：１５−２−２゜（ｃ １．１０ ＧＨｚ（：
ム）を乾燥ピリジン２．９６２ｇ （３７，０■Ｍ）と
ともに攪拌しておき、これにｐ−）ルエンスルホン酸ク
ロライド２．５８８ｇ （１３，６ｍＭ）を加え、常温
で７時間攪拌した０反応後、これを２Ｎ塩酸２０■ｌに
徐々に加えてピリジンを除き、これをジエチルエーテル
で抽出し、エーテル層を蒸留水で洗い、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロメタン
２に対してヘキサンｌの混合溶媒を用いて、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、目的物２．６９０
ｇを得た。
チルヘキシル）の製造 （−）−２−シアノ−２−メチルヘキサノール１．７３
９ｇ（１２，３ｓＭ） （［α］ ｏ−０，９１°、［
α］ ４：１５−２−２゜（ｃ １．１０ ＧＨｚ（：
ム）を乾燥ピリジン２．９６２ｇ （３７，０■Ｍ）と
ともに攪拌しておき、これにｐ−）ルエンスルホン酸ク
ロライド２．５８８ｇ （１３，６ｍＭ）を加え、常温
で７時間攪拌した０反応後、これを２Ｎ塩酸２０■ｌに
徐々に加えてピリジンを除き、これをジエチルエーテル
で抽出し、エーテル層を蒸留水で洗い、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロメタン
２に対してヘキサンｌの混合溶媒を用いて、シリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製し、目的物２．６９０
ｇを得た。
収量 ２．６９０ｇ （７０，３％）比旋光度
［α］ ｓａｓ ＋ １２．８” （Ｃ１，１６６ベン
ゼン）［（Ｘ］ ４＊ｓ ＋２６．９” （Ｃ１，１６
Ｂ ベンゼン）工程２） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルベンジルエーテルの製造 ナス型フラスコに６０％水素化ナトリウム１］１．０−
ｇ （２，８ａｌｌ）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗
いベンゼンを除き代りに乾燥Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド４ｍ１）を入れ、ｐ−ヒドロキシベンジルエーテル
４８３ ｍｇ（２，４＠ｌｉ）を加えて発泡しなくなる
まで攪拌した６次いで、（÷）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチフレヘキシル）７１４■ｇ（
２，３層Ｍ）を入れて、１２０℃で２時間半攪拌した０
反応後溶媒を留去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水
素化ナトリウムをつぶし、これをジエチルエーテルで抽
出し、ジエチルエーテル層を少量の蒸留水で洗って硫酸
ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロ
メタン２−に対してヘキサンｌの混合溶媒を用いて、カ
ラムクロマトグラフィーで精製し、目的物６４０Ｂを得
た。
ゼン）［（Ｘ］ ４＊ｓ ＋２６．９” （Ｃ１，１６
Ｂ ベンゼン）工程２） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルベンジルエーテルの製造 ナス型フラスコに６０％水素化ナトリウム１］１．０−
ｇ （２，８ａｌｌ）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗
いベンゼンを除き代りに乾燥Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド４ｍ１）を入れ、ｐ−ヒドロキシベンジルエーテル
４８３ ｍｇ（２，４＠ｌｉ）を加えて発泡しなくなる
まで攪拌した６次いで、（÷）−ｐ−トルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチフレヘキシル）７１４■ｇ（
２，３層Ｍ）を入れて、１２０℃で２時間半攪拌した０
反応後溶媒を留去し、少量の蒸留水を加えて、余剰の水
素化ナトリウムをつぶし、これをジエチルエーテルで抽
出し、ジエチルエーテル層を少量の蒸留水で洗って硫酸
ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去した後、ジクロロ
メタン２−に対してヘキサンｌの混合溶媒を用いて、カ
ラムクロマトグラフィーで精製し、目的物６４０Ｂを得
た。
収 量 ６４０飄ｇ （１］６，１％）
比旋光度 ［α］ ｓａｓ ＋３．３°（ｃ １．１５２ベンゼン
）［α］ ｏ ＋６．８” （ｃ １．１５２ベンゼ
ン）工程３） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェノールの製造 ナス型フラスコに、（÷）−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）フェニルベンジルエーテル６４０
ｍｇ （１，９８層Ｍ）とエタノールコθｍｌを入れて
、４０℃に加熱して良くとかしておき、これにパラジウ
ム活性炭２００■ｇを入れ常圧水添装置に取り付け、そ
して、４０℃で５０．８ｍｊ？水添を行ない、反応後、
ろ紙を用いてパラジウム活性炭を除去して、さらに溶媒
を留去した後ジエチルエーテルで抽出した。
比旋光度 ［α］ ｓａｓ ＋３．３°（ｃ １．１５２ベンゼン
）［α］ ｏ ＋６．８” （ｃ １．１５２ベンゼ
ン）工程３） （＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェノールの製造 ナス型フラスコに、（÷）−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）フェニルベンジルエーテル６４０
ｍｇ （１，９８層Ｍ）とエタノールコθｍｌを入れて
、４０℃に加熱して良くとかしておき、これにパラジウ
ム活性炭２００■ｇを入れ常圧水添装置に取り付け、そ
して、４０℃で５０．８ｍｊ？水添を行ない、反応後、
ろ紙を用いてパラジウム活性炭を除去して、さらに溶媒
を留去した後ジエチルエーテルで抽出した。
エーテル層を少量の蒸留水で洗つた後、硫酸ナトリウム
で乾燥させた。そして溶媒を留去し、酢酸エチル２に対
してヘキサン５の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用いて精製して、目的物３０６＠ｇを得た
。
で乾燥させた。そして溶媒を留去し、酢酸エチル２に対
してヘキサン５の混合溶媒でシリカゲルカラムクロマト
グラフィーを用いて精製して、目的物３０６＠ｇを得た
。
収 量 ３．０６Ｂ （６６，３％）比
旋光度 ［α］ ｓａｓ ＋ ３．４＠（ｃ １．０４８ベンゼ
ン）［α］ ４：ｌＳ ＋ ７．２＠（ｃ １．０４８
ベンゼン）工程４） （÷）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４″
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステルの製造。
旋光度 ［α］ ｓａｓ ＋ ３．４＠（ｃ １．０４８ベンゼ
ン）［α］ ４：ｌＳ ＋ ７．２＠（ｃ １．０４８
ベンゼン）工程４） （÷）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４″
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステルの製造。
ナス型フラスコに、４−（ｎ−オクチルオキシビフェニ
ル）カルボン酸８８ｍｇ （０，２７１Ｍ）と塩化チオ
ニル２ｍｌを入れ、１．５時間加熱還流し、反応後。
ル）カルボン酸８８ｍｇ （０，２７１Ｍ）と塩化チオ
ニル２ｍｌを入れ、１．５時間加熱還流し、反応後。
余剰の塩化チオニルを留去した。さらに乾燥ベンゼンを
加えてこれを留去した。ここにトリエチレンジアミン６
１ｍｇ （０，５４＠ｌｉ）を乾燥ベンゼン１．５−２
と共に加え、次に（＋）−４−（２−シアノ−２−メチ
ルへキシルオキシ）フェノール６３−ｇ （０，２７ｓ
Ｍ）を加え、５０℃で、２時間加熱攪拌した。さらに６
０％水素化ナトリウム２１．８■ｇ （０，５４■Ｍ）
を乾燥ベンゼン１ＩＩｉ）と共に加え、２時間加熱還流
した。反応後常温まで放冷しｌ規定塩酸を少しずつ加え
、余剰の水素化ナトリウムを除去した。これをジエチル
エーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩化ナトリウム
水溶液で洗い、硫醜ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留
去して、ジクロロメタン２に対してヘキサンｌの混合溶
媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製
し、さらにこれをベンゼン０．２−に溶かし、これにヘ
キサン１．０ ｍＢを加え再結晶して目的物５９Ｂを得
た。
加えてこれを留去した。ここにトリエチレンジアミン６
１ｍｇ （０，５４＠ｌｉ）を乾燥ベンゼン１．５−２
と共に加え、次に（＋）−４−（２−シアノ−２−メチ
ルへキシルオキシ）フェノール６３−ｇ （０，２７ｓ
Ｍ）を加え、５０℃で、２時間加熱攪拌した。さらに６
０％水素化ナトリウム２１．８■ｇ （０，５４■Ｍ）
を乾燥ベンゼン１ＩＩｉ）と共に加え、２時間加熱還流
した。反応後常温まで放冷しｌ規定塩酸を少しずつ加え
、余剰の水素化ナトリウムを除去した。これをジエチル
エーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩化ナトリウム
水溶液で洗い、硫醜ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留
去して、ジクロロメタン２に対してヘキサンｌの混合溶
媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製
し、さらにこれをベンゼン０．２−に溶かし、これにヘ
キサン１．０ ｍＢを加え再結晶して目的物５９Ｂを得
た。
収 量 ５９■ｇ （４０，４％）比旋
光度 ［α］ ｓａｓ ＋ １．１° （Ｃ０，８７２（
：ＨＣｆ！３ ）［ａ ］ ４＊ｓ ＋ ３．７
＠ （ｃ ｏ、８７２ ＣＨＣｌ’：＋ ）実施
例６ （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４２
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステルの製造 実施例５の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸の代わりに４−（ｎ−ドデシルオキシ
ビフェニル）カルボン酸２１４ｍｇ（０，５６ｍＭ）を
用い、他は同様の操作を行うことにより、（÷）−４−
（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール
１２９−ｇ（０，５６ｍＭ）と反応させた。得られた粗
生成物をジクロロメタン５に対してヘキサン２の混合溶
媒で分取用薄層クロマトグラフィーを用いて精製し、さ
らにこれにベンゼン０．３ｍｊ）を加えて溶かし、ヘキ
サン２．０ｍｌを追加して再沈殿を行った。
光度 ［α］ ｓａｓ ＋ １．１° （Ｃ０，８７２（
：ＨＣｆ！３ ）［ａ ］ ４＊ｓ ＋ ３．７
＠ （ｃ ｏ、８７２ ＣＨＣｌ’：＋ ）実施
例６ （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４２
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェニルエステルの製造 実施例５の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸の代わりに４−（ｎ−ドデシルオキシ
ビフェニル）カルボン酸２１４ｍｇ（０，５６ｍＭ）を
用い、他は同様の操作を行うことにより、（÷）−４−
（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール
１２９−ｇ（０，５６ｍＭ）と反応させた。得られた粗
生成物をジクロロメタン５に対してヘキサン２の混合溶
媒で分取用薄層クロマトグラフィーを用いて精製し、さ
らにこれにベンゼン０．３ｍｊ）を加えて溶かし、ヘキ
サン２．０ｍｌを追加して再沈殿を行った。
収 量 １４７−ｇ （４４，０％）比
旋光度 ［ａ ］ Ｓａ９ ＋ １．３” （ｃ １．２７４
（：１ＩＣ１’３）［α］ ４３％ ＋３．１” 相転移温度（’Ｃ） 実施例７ （−）−４−ｎ−デシルオキシ安息香酸４’−（２−シ
アノ−２−メチルへキシルオキシ）フェニルエステルの
製造 実施例５の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸の代わりに、４−ｎ−デシルオキシ安
息香酸９１．８Ｂ（０，：＋３履Ｍ）を用い、他は同様
の操作を行い、（−）−４−（２−シアノ−２−メチル
へキシルオキシ）フェノール７８．９■ｇ （０，３■
りと反応させた。得られた粗生成物をジクロロメタン２
に対してヘキサンｌの混合溶媒で分取用薄層クロマトグ
ラフィーを用いて精製し、さらにこれをカラムクロマト
グラフィーを用いて精製し、目的物６９．３ＩＩｇを得
た。
旋光度 ［ａ ］ Ｓａ９ ＋ １．３” （ｃ １．２７４
（：１ＩＣ１’３）［α］ ４３％ ＋３．１” 相転移温度（’Ｃ） 実施例７ （−）−４−ｎ−デシルオキシ安息香酸４’−（２−シ
アノ−２−メチルへキシルオキシ）フェニルエステルの
製造 実施例５の工程４）で４−（ｎ−オクチルオキシビフェ
ニル）カルボン酸の代わりに、４−ｎ−デシルオキシ安
息香酸９１．８Ｂ（０，：＋３履Ｍ）を用い、他は同様
の操作を行い、（−）−４−（２−シアノ−２−メチル
へキシルオキシ）フェノール７８．９■ｇ （０，３■
りと反応させた。得られた粗生成物をジクロロメタン２
に対してヘキサンｌの混合溶媒で分取用薄層クロマトグ
ラフィーを用いて精製し、さらにこれをカラムクロマト
グラフィーを用いて精製し、目的物６９．３ＩＩｇを得
た。
収 量 ６９ｊ＠ｇ （４４，１％）比旋
光度 ［α］ 、、９−２．６” （Ｃ１，０９４ＣＨＣｌ！
３ ）［（Ｘ ］ ４：１５１．６＠（Ｃ１，０９４（
：）ｌｃｉ’３）相転移温度（°Ｃ） Ｃｒｙｓｔ、 Ｉｓｏ。
光度 ［α］ 、、９−２．６” （Ｃ１，０９４ＣＨＣｌ！
３ ）［（Ｘ ］ ４：１５１．６＠（Ｃ１，０９４（
：）ｌｃｉ’３）相転移温度（°Ｃ） Ｃｒｙｓｔ、 Ｉｓｏ。
実施例８
（−）−４−（５−デシル−２−ピリミジル）安息香酸
−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェニル
エステルの製造 実施例５の工程４）における４−（ローオクチルオキシ
ビフェニル）カルボン酸の代わりに、 ４−（５−デシ
ル−２−ピリミジル）安息香酸１０１履ｇ（０，３４膳
Ｍ）を用い、他は同様の操作を行って、（−）−４−（
２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール７
２Ｉ１ｇ（０，：ｌＯｍＭ）を反応させた。
−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェニル
エステルの製造 実施例５の工程４）における４−（ローオクチルオキシ
ビフェニル）カルボン酸の代わりに、 ４−（５−デシ
ル−２−ピリミジル）安息香酸１０１履ｇ（０，３４膳
Ｍ）を用い、他は同様の操作を行って、（−）−４−（
２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール７
２Ｉ１ｇ（０，：ｌＯｍＭ）を反応させた。
これをジクロロメタンでシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製し、さらにこれをヘキサンで洗浄し
、目的物９６１ｇを得た。
フィーを用いて精製し、さらにこれをヘキサンで洗浄し
、目的物９６１ｇを得た。
収 量 ９６ｍｇ （６０，７％）比旋
光度 ［αｌ ５ａ９−１．７＠（Ｃ１，３６２ＣＨＣＲｓ
）［α］ ４：＋ｓ ２．８゜ 実施例９ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸−４−（４’−ｎ−オクチルオキシ）ビフェ
ニルエステルの製造 下記１）〜３）の工程により、（−）−４−（２−シア
ノ−２−メチルへキシルオキシ）安息香酸−４−（４″
−〇−オクチルオキシ）ビフェニルエステルを製造した
。
光度 ［αｌ ５ａ９−１．７＠（Ｃ１，３６２ＣＨＣＲｓ
）［α］ ４：＋ｓ ２．８゜ 実施例９ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸−４−（４’−ｎ−オクチルオキシ）ビフェ
ニルエステルの製造 下記１）〜３）の工程により、（−）−４−（２−シア
ノ−２−メチルへキシルオキシ）安息香酸−４−（４″
−〇−オクチルオキシ）ビフェニルエステルを製造した
。
工程１）
（−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸エチルの製造 ナス型フラスコに６０％水素化ナトリウム１９２．９＠
ｇ （４，８ｍＭ）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗い
。
）安息香酸エチルの製造 ナス型フラスコに６０％水素化ナトリウム１９２．９＠
ｇ （４，８ｍＭ）を入れ、少量の乾燥ベンゼンで洗い
。
さンゼンを除き代りに乾燥Ｎ、トジメチルホルムアミド
４ｍｌを入れ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル６６４■
ｇ（４１Ｍ）を加えて発泡しなくなるまで攪拌した０次
いで、実施例５工程１）と同様の操作により得られた（
−）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メｆ
）Ｌｔ ヘキシル） １２４４ｍｇ（４ｍＭ）を入し
テ、１２０°Ｃで６時間攪拌した０反応後溶媒を留去し
、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素化ナトリウムをつ
ぶし、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル層を
少量の蒸留水て洗って硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶
媒を留去した後、ジクロロメタンを展開溶媒にして、カ
ラムクロマトグラフィーで精製し、目的物８９０■ｇを
得た。（収率７７．０％）工程２） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸の製造 （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸エチル８９０Ｂ（３，１ｍＭ）をスリナスに
入れ、これに水酸化ナトリウム３７２ｍｇ（９，３層Ｍ
）を蒸留水６■Ｐに溶かしたものを加え、さらにメタノ
ール６■２を入れて常温で一晩攪拌した０反応後、溶媒
を留去し２規定塩酸を加えてｐＨｌにする。これをジエ
チルエーテルで抽出した。エーテル層を少量の蒸留水で
洗い、硫酸ナトリウムて乾燥した。
４ｍｌを入れ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル６６４■
ｇ（４１Ｍ）を加えて発泡しなくなるまで攪拌した０次
いで、実施例５工程１）と同様の操作により得られた（
−）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メｆ
）Ｌｔ ヘキシル） １２４４ｍｇ（４ｍＭ）を入し
テ、１２０°Ｃで６時間攪拌した０反応後溶媒を留去し
、少量の蒸留水を加えて、余剰の水素化ナトリウムをつ
ぶし、これをジエチルエーテルで抽出し、エーテル層を
少量の蒸留水て洗って硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶
媒を留去した後、ジクロロメタンを展開溶媒にして、カ
ラムクロマトグラフィーで精製し、目的物８９０■ｇを
得た。（収率７７．０％）工程２） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸の製造 （−）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸エチル８９０Ｂ（３，１ｍＭ）をスリナスに
入れ、これに水酸化ナトリウム３７２ｍｇ（９，３層Ｍ
）を蒸留水６■Ｐに溶かしたものを加え、さらにメタノ
ール６■２を入れて常温で一晩攪拌した０反応後、溶媒
を留去し２規定塩酸を加えてｐＨｌにする。これをジエ
チルエーテルで抽出した。エーテル層を少量の蒸留水で
洗い、硫酸ナトリウムて乾燥した。
溶媒を留去し、粗生成物をＯＪ ａｌｌのベンゼンに溶
かしてから０．５ｍｊ）のヘキサンを加え、冷蔵庫中で
再結晶を行い結晶をろ過し精製物７０７ｍｇを得た。
かしてから０．５ｍｊ）のヘキサンを加え、冷蔵庫中で
再結晶を行い結晶をろ過し精製物７０７ｍｇを得た。
収量 ７０７會ｇ （８７，４％）
比旋光度
［Ｑ ］ ｓａｓ −１，０°（ｃ １．０８０アセト
ン）［α］ ４ｉｓ −２，９°ＣＣ，１，０８０アセ
トン）工程３） （−）−４−（，２−シアノ−２−メチルへキシルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−〇−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、（−）−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）安息香酸１５７■ｇ（０，６ｍＭ
）と塩化チオニル２ｉｌＪを入れ、１．５時間加熱還流
した。
ン）［α］ ４ｉｓ −２，９°ＣＣ，１，０８０アセ
トン）工程３） （−）−４−（，２−シアノ−２−メチルへキシルオキ
シ）安息香酸−４−（４″−〇−オクチルオキシ）ビフ
ェニルエステルの製造 ナス型フラスコに、（−）−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）安息香酸１５７■ｇ（０，６ｍＭ
）と塩化チオニル２ｉｌＪを入れ、１．５時間加熱還流
した。
反応後、余剰の塩化チオニルを留去した。さらに乾燥ベ
ンゼンを加えてこれを留去し、ここにトソエチレンジア
ミン１３５ｍｇ （１，２■Ｍ）を乾燥ベンゼン２ｍＲ
と共に加え１次にｐ−ｎ−オクチルオキシビフェニルカ
ルボン酸１７９Ｂ（０，６■絹）を入れ、５０℃で２時
間加熱攪拌し、さらに６０％水素化ナトリウム４８．２
ｍｇ（１，２ｍＭ）を乾燥ベンゼン１］ｇと共に加え、
２時間加熱還流した０反応後常温まで放冷し１規定塩酸
を少しずつ加え、余剰の水素化ナトリウムを除去し、こ
れをジエチルエーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去して、ジクロロメタンでシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにエ
タノール２ｍｊ）を用いて再結晶をして目的物を得た。
ンゼンを加えてこれを留去し、ここにトソエチレンジア
ミン１３５ｍｇ （１，２■Ｍ）を乾燥ベンゼン２ｍＲ
と共に加え１次にｐ−ｎ−オクチルオキシビフェニルカ
ルボン酸１７９Ｂ（０，６■絹）を入れ、５０℃で２時
間加熱攪拌し、さらに６０％水素化ナトリウム４８．２
ｍｇ（１，２ｍＭ）を乾燥ベンゼン１］ｇと共に加え、
２時間加熱還流した０反応後常温まで放冷し１規定塩酸
を少しずつ加え、余剰の水素化ナトリウムを除去し、こ
れをジエチルエーテルで抽出して、エーテル層を飽和塩
化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を留去して、ジクロロメタンでシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれにエ
タノール２ｍｊ）を用いて再結晶をして目的物を得た。
収量 １３７１ｇ （４２，２％）
比旋光度
［α］ ｓａｓ −１，１°（ｃ １．０９６ Ｃｌ
１ＣＲ３）［α］ ４３！ｌ −２，４゜ 実施例１０ （◆）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸−４−（４″−〇−デシルオキシ）ビフェニ
ルエステルの製造 （リ−ｐ−）ルエンスルホン酸−２−シアノ−２−メチ
ルヘキシルを原料に用い、実施例９の工程１）、 ２）
と同様の操作により得られた（＋）−４−（２−シアノ
−２−メチルへキシルオキシ）安息香酸１５３層ｇ（０
，５９ｓＭ）とｐ−ｎ−デシルオキシビフェニルカルボ
ン酸１９２−ｇ（０，５９−Ｍ）を実施例９の工程３）
と同様の方法で反応させた。得られた粗生成物をジクロ
ロメタン２に対してヘキサンｌの混合溶媒でシリカゲル
カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれ
にエタノール２ｏ＋ｊ）を用いて再結晶を行ない目的物
１６３謹ｇを得た。
１ＣＲ３）［α］ ４３！ｌ −２，４゜ 実施例１０ （◆）−４−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）安息香酸−４−（４″−〇−デシルオキシ）ビフェニ
ルエステルの製造 （リ−ｐ−）ルエンスルホン酸−２−シアノ−２−メチ
ルヘキシルを原料に用い、実施例９の工程１）、 ２）
と同様の操作により得られた（＋）−４−（２−シアノ
−２−メチルへキシルオキシ）安息香酸１５３層ｇ（０
，５９ｓＭ）とｐ−ｎ−デシルオキシビフェニルカルボ
ン酸１９２−ｇ（０，５９−Ｍ）を実施例９の工程３）
と同様の方法で反応させた。得られた粗生成物をジクロ
ロメタン２に対してヘキサンｌの混合溶媒でシリカゲル
カラムクロマトグラフィーを用いて精製し、さらにこれ
にエタノール２ｏ＋ｊ）を用いて再結晶を行ない目的物
１６３謹ｇを得た。
収 量 １６：１］１ｇ （４８，６％）比
旋光度 ［ｃｔ］ ４３％ ＋１．９°（ｃ ２．３８ Ｃｌ
ＩＣ１’ｉ ）相転移温度（０Ｃ） ７２ 、 １０７ １］１実施
例１］ （リー５−ｎ−オクチル−２−（４−［４−（２−シア
ノ−２−メチルへキシルオキシ）ベンゾイルオキシ］フ
ェニル）ピリミジンの製造 実施例９の工程１）、 ２）と同様の操作を行うことに
より得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへ
キシルオキシ）安息香酸１８３Ｂ（０，７０ｍＭ）と
５−ｎ−オクチル−２−ヒ°リミジルフェノール２２０
−ｇ（０，７０ｍＭ）を実施例９の工程３）と同様の操
作で反応させた。
旋光度 ［ｃｔ］ ４３％ ＋１．９°（ｃ ２．３８ Ｃｌ
ＩＣ１’ｉ ）相転移温度（０Ｃ） ７２ 、 １０７ １］１実施
例１］ （リー５−ｎ−オクチル−２−（４−［４−（２−シア
ノ−２−メチルへキシルオキシ）ベンゾイルオキシ］フ
ェニル）ピリミジンの製造 実施例９の工程１）、 ２）と同様の操作を行うことに
より得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルへ
キシルオキシ）安息香酸１８３Ｂ（０，７０ｍＭ）と
５−ｎ−オクチル−２−ヒ°リミジルフェノール２２０
−ｇ（０，７０ｍＭ）を実施例９の工程３）と同様の操
作で反応させた。
得られた粗生成物は酢酸エチルｌに対してヘキサンｌの
混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い
て精製し、さらにこれをエタノールて再結晶し、目的物
２０９ｍｇを得た。
混合溶媒でシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用い
て精製し、さらにこれをエタノールて再結晶し、目的物
２０９ｍｇを得た。
収 量 ２０９ｍｇ （５３，６％）比
旋光度 ［（Ｘ ］ ５ａ９１．０” （ｃ １．００１ ＣＩ
（Ｃ１’３）［α］ ４３５ ２．７” 実施例１２ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエス
テルの製造 下記工程１）〜４）に従い（−）−４−（２−シアノ−
２−メチルペンチルオキシ）安息香酸４−（４″−デシ
ルオキシ）ビフェニルを製造した。
旋光度 ［（Ｘ ］ ５ａ９１．０” （ｃ １．００１ ＣＩ
（Ｃ１’３）［α］ ４３５ ２．７” 実施例１２ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエス
テルの製造 下記工程１）〜４）に従い（−）−４−（２−シアノ−
２−メチルペンチルオキシ）安息香酸４−（４″−デシ
ルオキシ）ビフェニルを製造した。
工程１）
（−）−ｐ−トルエンスルホン酸（２−シアノ−２−メ
チルペンチル）の製造 ナス型フラスコ中て（−）−２−シアノ−２−メチルペ
ンタノール１．３５ｇ（１０，６ｍＭ）を乾燥ピリジン
２．５２ｇ（３１，８ｇＭ）に溶解させた。水浴につけ
塩化ｐ−トルエンスルホニル２．２２ｇ（１］，７ｍＭ
）を加えた後、室温て６時間攪拌した。反応終了後、６
Ｎ塩酸１ｏ１２を加え、ジエチルエーテル１５１ＩＩ！
で３回で抽出した。これを無水硫酸ナトリウムで一晩乾
燥し、溶媒を留去した後、シリカゲル８０ｇ、溶媒とし
てジクロロメタン−ベンゼン（２：１）を用い、カラム
クロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−トル
エンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を
得た。
チルペンチル）の製造 ナス型フラスコ中て（−）−２−シアノ−２−メチルペ
ンタノール１．３５ｇ（１０，６ｍＭ）を乾燥ピリジン
２．５２ｇ（３１，８ｇＭ）に溶解させた。水浴につけ
塩化ｐ−トルエンスルホニル２．２２ｇ（１］，７ｍＭ
）を加えた後、室温て６時間攪拌した。反応終了後、６
Ｎ塩酸１ｏ１２を加え、ジエチルエーテル１５１ＩＩ！
で３回で抽出した。これを無水硫酸ナトリウムで一晩乾
燥し、溶媒を留去した後、シリカゲル８０ｇ、溶媒とし
てジクロロメタン−ベンゼン（２：１）を用い、カラム
クロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ−トル
エンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を
得た。
収 量 ２．５７ｇ （９，１ｍＭ）収
率 ８６％ 比旋光度 ［α］ｏ １５．１°、［α］ ４：１５−：ｌＧ、
３゜（ｃ ｌ ベンゼン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸エチルの製造 窒素雰囲気下で２０ｍ１Ｊスリ付ナス型フラスコに６０
％水素化ナトリウム １７２ｍｇ（４，３ｗＭ）を量り
とり、ベンゼン１ｍｊ）を加え３０秒間攪拌した。静置
して水素化ナトリウムを沈降させ、シリンジを用いてベ
ンゼンを取り除き、ジメチルホルムアミドを４ｍ１）加
えた。そこへ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル０．９９
ｇ（３，６ｍＭ）を加え、水素の発生がおさまるまで攪
拌した。泡が発生しなくなった後、（−）−ｐ−）ルエ
ンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を１
．０３ｇ（３，６■Ｍ）加えて１２０°Ｃで６時間攪拌
した。
率 ８６％ 比旋光度 ［α］ｏ １５．１°、［α］ ４：１５−：ｌＧ、
３゜（ｃ ｌ ベンゼン） 工程２） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸エチルの製造 窒素雰囲気下で２０ｍ１Ｊスリ付ナス型フラスコに６０
％水素化ナトリウム １７２ｍｇ（４，３ｗＭ）を量り
とり、ベンゼン１ｍｊ）を加え３０秒間攪拌した。静置
して水素化ナトリウムを沈降させ、シリンジを用いてベ
ンゼンを取り除き、ジメチルホルムアミドを４ｍ１）加
えた。そこへ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル０．９９
ｇ（３，６ｍＭ）を加え、水素の発生がおさまるまで攪
拌した。泡が発生しなくなった後、（−）−ｐ−）ルエ
ンスルホン酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を１
．０３ｇ（３，６■Ｍ）加えて１２０°Ｃで６時間攪拌
した。
反応後、ジメチルホルムアミドを減圧留去し、蒸留水５
■ｐを加え、エーテル５ＩＩＲで３回で抽出した。これ
を無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させて溶媒を留去した
後、シリカゲル４０ｇ、溶媒にジクロロメタンを用い、
カラムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ
−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸
エチルを得た。
■ｐを加え、エーテル５ＩＩＲで３回で抽出した。これ
を無水硫酸ナトリウムで一晩乾燥させて溶媒を留去した
後、シリカゲル４０ｇ、溶媒にジクロロメタンを用い、
カラムクロマトグラフィーによって精製し、（−）−ｐ
−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）安息香酸
エチルを得た。
収 量 ７．１ｇ （２，６ｍＭ）収
率 ７１％ ［αｌｏ −２，４°（ｃ １ジエチルエーテル）工
程３） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸の製造 ナス型フラスコに（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチ
ルペンチルオキシ）安息香酸エチル０．７１ｇ（２，６
ｍＭ）とメタノール１３ｔａｌ！を入れ攪拌し、そこへ
水酸化ナトリウム０．４５ｇ（１０，８ｍＭ）を蒸留水
５ｍｌに溶かした水溶液を加え、室温で２２時間攪拌し
た０反応後、メタノールを減圧留去し、３Ｎ塩酸をｐＨ
ｉになるまで加えた。白い結晶が析出してくるので、こ
れを濾過し、デシケータ−中で乾燥させた後、ベンゼン
−ヘキサン混合溶媒で再結晶し目的物を得た。
率 ７１％ ［αｌｏ −２，４°（ｃ １ジエチルエーテル）工
程３） （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸の製造 ナス型フラスコに（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチ
ルペンチルオキシ）安息香酸エチル０．７１ｇ（２，６
ｍＭ）とメタノール１３ｔａｌ！を入れ攪拌し、そこへ
水酸化ナトリウム０．４５ｇ（１０，８ｍＭ）を蒸留水
５ｍｌに溶かした水溶液を加え、室温で２２時間攪拌し
た０反応後、メタノールを減圧留去し、３Ｎ塩酸をｐＨ
ｉになるまで加えた。白い結晶が析出してくるので、こ
れを濾過し、デシケータ−中で乾燥させた後、ベンゼン
−ヘキサン混合溶媒で再結晶し目的物を得た。
収量 ０．４８ｇ （１，９■Ｍ）
収 率 ７５％
比旋光度
［α］。−〇、゛５°、［α］ ４ｚｓ ３．５゜（
ｃ Ｉ ＣＩＩＣｊ’：＋ ’）工程４） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエス
テルの製造 （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸２４０麿ｇ（０，９７ｇＭ）に塩化チオニル
２ｍｆを加えて油浴で８０℃に加熱還流しながら２時間
攪拌した。反応後、ドライ（ｄｒｙ）ベンゼン２ＩＩＲ
を加え溶媒を留去する操作を３回くり返し、塩化チオニ
ル゛をできるだけ除いた。これに、ｄｒｙベンゼン１ｍ
ｊ）にトリエチレンジアミン２１７■ｇ （１，９４ｍ
Ｍ）を溶かし水酸化カリウムで乾燥した溶液にｐ−デシ
ルオキシビフェノール２２０１ｇ（０，９７■Ｍ）を溶
解させ、これを乾燥ベンゼン４ｍｌと共に加えた。これ
を５０℃で２時間攪拌し、次に、６０％水素化ナトリウ
ム４６１ｇ（１，１６ｍＭ）を加え、加熱還流を２時間
行った０反応終了後、反応液を放冷し室温に戻し、３Ｎ
塩酸をｐｉｌになるまて加えた。ベンゼンで抽出し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去し、カラ
ムクロマトグラフィー（移動相：ベンゼン／ヘキサン＝
ｌ／１である混合溶媒）で精製した。
ｃ Ｉ ＣＩＩＣｊ’：＋ ’）工程４） （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸４−（４″−デシルオキシ）ビフェニルエス
テルの製造 （−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸２４０麿ｇ（０，９７ｇＭ）に塩化チオニル
２ｍｆを加えて油浴で８０℃に加熱還流しながら２時間
攪拌した。反応後、ドライ（ｄｒｙ）ベンゼン２ＩＩＲ
を加え溶媒を留去する操作を３回くり返し、塩化チオニ
ル゛をできるだけ除いた。これに、ｄｒｙベンゼン１ｍ
ｊ）にトリエチレンジアミン２１７■ｇ （１，９４ｍ
Ｍ）を溶かし水酸化カリウムで乾燥した溶液にｐ−デシ
ルオキシビフェノール２２０１ｇ（０，９７■Ｍ）を溶
解させ、これを乾燥ベンゼン４ｍｌと共に加えた。これ
を５０℃で２時間攪拌し、次に、６０％水素化ナトリウ
ム４６１ｇ（１，１６ｍＭ）を加え、加熱還流を２時間
行った０反応終了後、反応液を放冷し室温に戻し、３Ｎ
塩酸をｐｉｌになるまて加えた。ベンゼンで抽出し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去し、カラ
ムクロマトグラフィー（移動相：ベンゼン／ヘキサン＝
ｌ／１である混合溶媒）で精製した。
収量 ０．３５ｇ （０，ｆｉ：ｌ鳳Ｍ）収率 ６
５％ 比旋光度 ［α］。−１，０”、 ［α］ ４３５．−、ｏ、４
゜（ｃ Ｉ ＣＨ＊Ｃ１’２） 実施例１３ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニル
エステル□の製造 実施例１２の工程４）のｐ−デシルオキシビフェノール
の代わりにｐ−オクチルオキシビフェノールを用いる以
外は、実施例１２と同様の操作を行うことにより、（−
）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）、
安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニルエ
ステルを得た。
５％ 比旋光度 ［α］。−１，０”、 ［α］ ４３５．−、ｏ、４
゜（ｃ Ｉ ＣＨ＊Ｃ１’２） 実施例１３ （−）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニル
エステル□の製造 実施例１２の工程４）のｐ−デシルオキシビフェノール
の代わりにｐ−オクチルオキシビフェノールを用いる以
外は、実施例１２と同様の操作を行うことにより、（−
）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）、
安息香酸−４−（４″−オクチルオキシ）ビフェニルエ
ステルを得た。
収 率 ５３％
比旋光度
［α１０−０．８°、［α］ ｎｚｓ −０，２゜（ｃ
Ｉ ＣＨＣＲ：＋ ） 実施例１４ （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４１
−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 下記工程ｌ）〜３）に従い（＋）−４−（ｎ−ドデシル
オキシビフェニル）−４″−カルボン酸−（２−シアノ
−２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルを製造
した。
Ｉ ＣＨＣＲ：＋ ） 実施例１４ （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４１
−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 下記工程ｌ）〜３）に従い（＋）−４−（ｎ−ドデシル
オキシビフェニル）−４″−カルボン酸−（２−シアノ
−２−メチルペンチルオキシ）フェニルエステルを製造
した。
工程１）
（◆）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）フェニルベンジルエーテルの製造 実施例５の工程２）の（＋）−ｐ−）ルエンスルホン酸
（２−シアノ−２−メチルヘキシル）の代わりに、実施
例１２の工程１）で得た（−）−ｐ−）ルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を用い、他は実
施例５の工程２）と同様の操作を行うことにより、（◆
）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）フ
ェニルベンジルエーテルを得た。
）フェニルベンジルエーテルの製造 実施例５の工程２）の（＋）−ｐ−）ルエンスルホン酸
（２−シアノ−２−メチルヘキシル）の代わりに、実施
例１２の工程１）で得た（−）−ｐ−）ルエンスルホン
酸（２−シアノ−２−メチルペンチル）を用い、他は実
施例５の工程２）と同様の操作を行うことにより、（◆
）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）フ
ェニルベンジルエーテルを得た。
収率 ８１％
比旋光度
［α］Ｄ＋０．６°、［α］ ４３８ ＋ １．２＠（
ｃ １メタノール） 工程２） （÷）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）フェノールの製造 実施例５の工程３）の（リ−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）フェニルベンジルエーテルの代わ
りに、上記て得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−
メチルペンチルオキシ）フェニルベンジルエーテルを用
い、実施例５の工程３）と同様の操作を行うことにより
、（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェノールを得た。
ｃ １メタノール） 工程２） （÷）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）フェノールの製造 実施例５の工程３）の（リ−４−（２−シアノ−２−メ
チルへキシルオキシ）フェニルベンジルエーテルの代わ
りに、上記て得られた（＋）−４−（２−シアノ−２−
メチルペンチルオキシ）フェニルベンジルエーテルを用
い、実施例５の工程３）と同様の操作を行うことにより
、（＋）−４−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェノールを得た。
収 率 ９７％
比旋光度
［α］、＋０．８°、［α］ ４１５ ＋２．４゜（ｃ
１ベンゼン） 工程３） （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４″
−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 窒素雰囲気下で２０■ｐのスリ付ナス型フラスコにｐ−
ドデシルオキシ−ｐ′−ビフェニルカルボン酸を３８２
ｍｇ（１，ｈＭ）取り、塩化チオニル２ＩＩＲを加えて
油浴て８０°Ｃに加熱還流しながら２時間攪拌した。
１ベンゼン） 工程３） （＋）−４−（ｎ−ドデシルオキシビフェニル）−４″
−カルボン酸−（２−シアノ−２−メチルペンチルオキ
シ）フェニルエステルの製造 窒素雰囲気下で２０■ｐのスリ付ナス型フラスコにｐ−
ドデシルオキシ−ｐ′−ビフェニルカルボン酸を３８２
ｍｇ（１，ｈＭ）取り、塩化チオニル２ＩＩＲを加えて
油浴て８０°Ｃに加熱還流しながら２時間攪拌した。
反応後、ｄｒｙベンゼン２ＩＩＩ！を加え、溶媒を留去
する操作を３回くり返し、塩化チオニルをできるだけ除
いた。これに、乾燥ベンゼン１ｍｌにトリエチレンジア
ミン２２４ｍｇ （２，０ｉＭ）を溶かし水酸化カリウ
ムで乾燥した溶液に（＋）−ｐ−（２−シアノ−２−メ
チルペンチルオキシ）フェノールを溶かし、これを乾燥
ベンゼン４■ｐを用いて加えた。これを５０℃で２時間
攪拌した０反応後、６０％水素化ナトリウム４８ｍｇ（
１，２ｍＭ）を乾燥ベンゼンｌ膿２を用いて加え、８０
℃て加熱還流しながら２時間攪拌した。反応後、３Ｎ塩
酸を加えｐＨ１以下とし、ベンゼンで抽出した。得られ
た溶液は無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相ニ
ジクロロメタン／ベンゼン＝ ｌ／ｌの混合溶媒）で精
製した。
する操作を３回くり返し、塩化チオニルをできるだけ除
いた。これに、乾燥ベンゼン１ｍｌにトリエチレンジア
ミン２２４ｍｇ （２，０ｉＭ）を溶かし水酸化カリウ
ムで乾燥した溶液に（＋）−ｐ−（２−シアノ−２−メ
チルペンチルオキシ）フェノールを溶かし、これを乾燥
ベンゼン４■ｐを用いて加えた。これを５０℃で２時間
攪拌した０反応後、６０％水素化ナトリウム４８ｍｇ（
１，２ｍＭ）を乾燥ベンゼンｌ膿２を用いて加え、８０
℃て加熱還流しながら２時間攪拌した。反応後、３Ｎ塩
酸を加えｐＨ１以下とし、ベンゼンで抽出した。得られ
た溶液は無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を留去し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相ニ
ジクロロメタン／ベンゼン＝ ｌ／ｌの混合溶媒）で精
製した。
収 量 ５１７ｍｇ （０，８１ｍＭ
）収 率 ８９％ 比旋光度 ［α］、＋０．１°、［α］ ４ｚｓ ＋０．７゜（ｃ
Ｉ Ｃｌ１ｚＣｉ’ａ ）実施例１５ （＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェニル）−４１−
カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）
フェニルエステルの製造 実施例１４の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ−
ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例１４と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェ
ニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
）収 率 ８９％ 比旋光度 ［α］、＋０．１°、［α］ ４ｚｓ ＋０．７゜（ｃ
Ｉ Ｃｌ１ｚＣｉ’ａ ）実施例１５ （＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェニル）−４１−
カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ）
フェニルエステルの製造 実施例１４の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ−
ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例１４と同様
の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−デシルオキシビフェ
ニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペ
ンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
［α］Ｄ＋０．２°、［α］ ４３％ ＋０．７゜（ｃ
Ｉ ＣＨ２ＣＲ□） 実施例１６ （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４１
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）フェニルエステルの製造 実施例１４の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例１４と同
様の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビ
フェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチ
ルペンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
Ｉ ＣＨ２ＣＲ□） 実施例１６ （＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビフェニル）−４１
−カルボン酸（２−シアノ−２−メチルペンチルオキシ
）フェニルエステルの製造 実施例１４の工程３）のｐ−ドデシルオキシ−ｐ″−ビ
フェニルカルボン酸の代わりにｐ−デシルオキシ−ｐ″
−ビフェニルカルボン酸を用いる以外は実施例１４と同
様の操作を行ない（＋）−４−（ｎ−オクチルオキシビ
フェニル）−４″−カルボン酸（２−シアノ−２−メチ
ルペンチルオキシ）フェニルエステルを製造した。
［αコ。＋〇、１°、 ［α］ ａ３−、 ＋０．４
゜（ｃ １．５ Ｃ１］２Ｃ１’ｚ ）実施例１２
〜１６に掲げられた液晶性化合物の相転移温度を第１表
に示す。
゜（ｃ １．５ Ｃ１］２Ｃ１’ｚ ）実施例１２
〜１６に掲げられた液晶性化合物の相転移温度を第１表
に示す。
実施例１７
次に、２枚の０．７ｍ＠厚のガラス板を用意し、それぞ
れのガラス板上にＩＴＯ（インジウム チンオキサイド
； Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜を形成し、
電圧印加電極を作成し、さらにこの上に５ｉｎ２を蒸着
させ絶縁層とした。ガラス板上にシランカップリン剤（
信越化学■製ＫＢＵ−６０２） ０．２％イソプロピル
アルコール溶液を回転５１（２０００ｒ、ｐ、＋＊のス
ピードで１５秒間塗布し、表面処理を施した。この後１
２０℃にて２０分間加熱乾゛燥処理を施した。
れのガラス板上にＩＴＯ（インジウム チンオキサイド
； Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）膜を形成し、
電圧印加電極を作成し、さらにこの上に５ｉｎ２を蒸着
させ絶縁層とした。ガラス板上にシランカップリン剤（
信越化学■製ＫＢＵ−６０２） ０．２％イソプロピル
アルコール溶液を回転５１（２０００ｒ、ｐ、＋＊のス
ピードで１５秒間塗布し、表面処理を施した。この後１
２０℃にて２０分間加熱乾゛燥処理を施した。
さらに、表面処理を行なったＩＴＯ膜付きのガラス板上
にポリイミド樹脂前駆体（東し■、５Ｐ−５１０） ２
％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２（ｌＱＯｒ、ｐ
、ｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０
分間、３０Ｇ ”Ｃ加熱縮合焼成処理を施した。
にポリイミド樹脂前駆体（東し■、５Ｐ−５１０） ２
％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２（ｌＱＯｒ、ｐ
、ｍ、のスピンナーで１５秒間塗布した。成膜後、６０
分間、３０Ｇ ”Ｃ加熱縮合焼成処理を施した。
この時の塗膜の膜厚は約７００人であった。
この焼成後の被膜に、アセテート植毛布によるラビング
処理を施した。
処理を施した。
その後、イソプロピルアルコール液で洗浄し、平均粒径
２ＩＬ■のアルミナビーズな一方のガラス板上に散布し
た後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様
にし、接着シール剤（リクソンボンド、チッソ■製）を
用いてガラス板を貼り合わせ、１００℃にて６０分間加
熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚をベレック
位相板によって測定したところ、約２終−でありた。
２ＩＬ■のアルミナビーズな一方のガラス板上に散布し
た後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となる様
にし、接着シール剤（リクソンボンド、チッソ■製）を
用いてガラス板を貼り合わせ、１００℃にて６０分間加
熱乾燥しセルを作成した。このセルのセル厚をベレック
位相板によって測定したところ、約２終−でありた。
次に、実施例１で製造した液晶性化合物Ａと下記構造式
で示される強誘電性液晶化合物日、Ｃを下記の重量部で
混合し、等吉相下均−混合液体状態で、前出の方法で作
成したセル内に注入した。
で示される強誘電性液晶化合物日、Ｃを下記の重量部で
混合し、等吉相下均−混合液体状態で、前出の方法で作
成したセル内に注入した。
等吉相から５℃／ｈで２５℃まで徐冷することにより１
強誘電性液晶素子を作成した。
強誘電性液晶素子を作成した。
化合物Ａ（実施例１）
Ｎ
１０重量部
化合物Ｂ
実施例１７で使用した液晶性化合物Ａを、強誘電性液晶
化合物に含有させなかった他は実施例１７と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定した
。その結果を第３表に示す。
化合物に含有させなかった他は実施例１７と同様の方法
で強誘電性液晶素子を作成し、光学応答速度を測定した
。その結果を第３表に示す。
第 ３ 表
この強誘電性液晶素子を使ってピーク・トウ・ピーク電
圧２０Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して応答速度（
以後、光学応答速度という）を測定した。その結果を第
２表に示す。
圧２０Ｖの電圧印加により、直交ニコル下での光学的な
応答（透過光量変化０〜９０％）を検知して応答速度（
以後、光学応答速度という）を測定した。その結果を第
２表に示す。
第 ２ 表
比較例１
実施例１８
透明電極としてＩＴＯ膜を形成したガラス基板上に、ポ
リイミド樹脂前駆体（東し■製、５Ｐ−５１０）を用い
、スピンナー塗布により成膜した後、３００°Ｃて６０
分間焼成してポリイミド膜を形成した。次に、この被膜
をラビングにより配向処理を行ない、ラビング処理軸が
直交するようにしてセルを作製した（セル間隔８ＪＬ謙
）。
リイミド樹脂前駆体（東し■製、５Ｐ−５１０）を用い
、スピンナー塗布により成膜した後、３００°Ｃて６０
分間焼成してポリイミド膜を形成した。次に、この被膜
をラビングにより配向処理を行ない、ラビング処理軸が
直交するようにしてセルを作製した（セル間隔８ＪＬ謙
）。
上記セルにネマチック液晶組成物〔リクソンＧＲ−６：
ｌ：チッソ■製、ビフェニル液晶混合物〕を注入し、Ｔ
Ｎ（ツィステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏
光顕微鏡で観察したところ、リバースドメイン（しま模
様）が生じていることがわかった。
ｌ：チッソ■製、ビフェニル液晶混合物〕を注入し、Ｔ
Ｎ（ツィステッド・ネマチック）型セルとし、これを偏
光顕微鏡で観察したところ、リバースドメイン（しま模
様）が生じていることがわかった。
前記リクソンＧＲ−６３（９９重量部）に対して、本発
明の実施例２の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶
混合物を用い、上記と同様にしてＴＮセルとして観察し
たところ、リバースドメインはみられず均一性のよいネ
マチック相となっていた。このことから、本発明の液晶
性化合物はリバース・ドメインの防止に有効であること
が認められた。
明の実施例２の液晶性化合物（１重量部）を加えた液晶
混合物を用い、上記と同様にしてＴＮセルとして観察し
たところ、リバースドメインはみられず均一性のよいネ
マチック相となっていた。このことから、本発明の液晶
性化合物はリバース・ドメインの防止に有効であること
が認められた。
実施例１９
下記反応工程１）、２）により（−）−ｐ−ｎ−デシル
オキシ安息香酸ｐ’−（２’−シアノ−２′メチルへキ
シルオキシ）フェニルエステルを合成した。
オキシ安息香酸ｐ’−（２’−シアノ−２′メチルへキ
シルオキシ）フェニルエステルを合成した。
工程１）
（−）−ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ
）フェノールの合成 実施例４の工程１）、２）と同様の方法により（−）−
ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノ
ールを合成した。
）フェノールの合成 実施例４の工程１）、２）と同様の方法により（−）−
ｐ−（２−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノ
ールを合成した。
工程２）
（−）−ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香酸ｐ −（２’−
シアノ−２′メチルへキシルオキシ）フェニルエステル
の合成 ｐ−デシルオキシ安息香酸９１．８＋ｓｇ （０，３３
ｍＭ）に塩化チオニル１ｍｊ）を加え、窒素雰囲気下て
２時間加熱還流させた。反応終了後、過剰の塩化チオニ
ルを減圧留去し、得られた酸塩化物にトリエチレンシア
ミン７３．９Ｉｇ（０，６６■Ｍ）と（−）−ｐ−（２
−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール７８
．９ｍｇ（０，３ｍＭ）を乾燥ベンゼン２ｒａＲと共に
加え５０℃て２時間攪拌し反応させた。
シアノ−２′メチルへキシルオキシ）フェニルエステル
の合成 ｐ−デシルオキシ安息香酸９１．８＋ｓｇ （０，３３
ｍＭ）に塩化チオニル１ｍｊ）を加え、窒素雰囲気下て
２時間加熱還流させた。反応終了後、過剰の塩化チオニ
ルを減圧留去し、得られた酸塩化物にトリエチレンシア
ミン７３．９Ｉｇ（０，６６■Ｍ）と（−）−ｐ−（２
−シアノ−２−メチルへキシルオキシ）フェノール７８
．９ｍｇ（０，３ｍＭ）を乾燥ベンゼン２ｒａＲと共に
加え５０℃て２時間攪拌し反応させた。
次に、水素化ナトリウム１．５９ｍｇ（０，６６＠Ｍ）
を乾燥ベンゼン１ｍｊ）と共に加え、さらに２時間加熱
量流を行った。反応終了後、２Ｎ塩酸２ＩＩ！！を加え
て酸性とし、ジエチルエーテルを用いて抽出した。得ら
れたエーテル溶液は、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムにより乾燥させた後、溶媒を留去し、１８９ｍｇの
粗生成物を得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開
溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝１／２）を用いて精
製し、（−）−ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香ｓｐ’−（
２’−シアノ−２′メチルへキシルオキシ）フェニルエ
ステル６９．３ｍｇを得た。（収率４４．２％） ［αｌｏ ｚ、ａｏ（ｃ １．０９４． ＣｌｌＣｆ
３）相転移温度（’Ｃ） 能となる。
を乾燥ベンゼン１ｍｊ）と共に加え、さらに２時間加熱
量流を行った。反応終了後、２Ｎ塩酸２ＩＩ！！を加え
て酸性とし、ジエチルエーテルを用いて抽出した。得ら
れたエーテル溶液は、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムにより乾燥させた後、溶媒を留去し、１８９ｍｇの
粗生成物を得た。これを薄層クロマトグラフィー（展開
溶媒：ヘキサン／ジクロロメタン＝１／２）を用いて精
製し、（−）−ｐ−ｎ−デシルオキシ安息香ｓｐ’−（
２’−シアノ−２′メチルへキシルオキシ）フェニルエ
ステル６９．３ｍｇを得た。（収率４４．２％） ［αｌｏ ｚ、ａｏ（ｃ １．０９４． ＣｌｌＣｆ
３）相転移温度（’Ｃ） 能となる。
Claims (3)
- （１）下記一般式［１］で表わされる液晶性化合物。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
＿２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、Ｘは単結合ま
たは−Ｏ−、Ｙは−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表
等があります▼または▲数式、化学式、表等があります
▼、Ｚは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼はそれぞれ独立に▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは０、１
、２のいずれかで且つｋ＋ｌ＋ｎが２または３となる数
である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す） - （２）下記一般式［１］で表わされる液晶性化合物を少
なくとも１種類含有することを特徴とする液晶組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
＿２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、Ｘは単結合ま
たは−Ｏ−、Ｙは−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表
等があります▼または▲数式、化学式、表等があります
▼、Ｚは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼はそれぞれ独立に▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは０、１
、２のいずれかて且つｋ＋ｌ＋ｎが２または３となる数
である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す） - （３）下記一般式［１］で表わされる液晶性化合物を含
有する液晶組成物を使用することを特徴とする液晶素子
。 ▲数式、化学式、表等があります▼［１］ （式中、Ｒ＿１は炭素原子数１〜１６のアルキル基、Ｒ
＿２は炭素原子数２〜１０のアルキル基、Ｘは単結合ま
たは−Ｏ−、Ｙは−ＯＣＨ＿２−、▲数式、化学式、表
等があります▼または▲数式、化学式、表等があります
▼、Ｚは単結合、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼はそれぞれ独立に▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼の中から選ばれ、ｋ、ｌ、ｎは０、１
、２のいずれかで且つｋ＋ｌ＋ｎが２または３となる数
である。Ｃ＾＊は不斉炭素原子を示す）
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63039459A JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
| AT88118848T ATE103891T1 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphe verbindung und diese enthaltende fluessigkristalline zusammensetzung. |
| EP88118848A EP0316011B1 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing same |
| DE3888923T DE3888923T2 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Mesomorphe Verbindung und diese enthaltende flüssigkristalline Zusammensetzung. |
| US07/456,198 US5075031A (en) | 1987-11-12 | 1989-12-20 | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-284251 | 1987-11-12 | ||
| JP28425187 | 1987-11-12 | ||
| JP63039459A JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260A true JPH02260A (ja) | 1990-01-05 |
| JP2610467B2 JP2610467B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=26378855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63039459A Expired - Fee Related JP2610467B2 (ja) | 1987-11-12 | 1988-02-24 | 液晶性化合物、それを含有する液晶組成物およびそれを使用した液晶素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5075031A (ja) |
| EP (1) | EP0316011B1 (ja) |
| JP (1) | JP2610467B2 (ja) |
| DE (1) | DE3888923T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064564A (en) * | 1989-12-22 | 1991-11-12 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optically active compound, intermediate therefor, process for producing the intermediate, and liquid-crystal composition |
| CN1315974C (zh) * | 2004-12-24 | 2007-05-16 | 安泰科技股份有限公司 | 自蓄热功能复合体及其制造方法与应用 |
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|---|---|---|---|---|
| DE4030579A1 (de) * | 1990-09-27 | 1992-04-02 | Hoechst Ag | Cyclohexylphenylpyrimidine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in fluessigkristallinen mischungen |
| JP2952053B2 (ja) * | 1991-01-30 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 光学活性化合物、これを含む液晶組成物、およびその使用方法、それを使用した液晶素子、表示装置 |
| JP2952075B2 (ja) * | 1991-06-12 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造法 |
| JP2952141B2 (ja) * | 1993-01-08 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶性化合物、それを含む液晶組成物、及びこれを用いた液晶素子 |
| GB9325438D0 (en) | 1993-12-13 | 1994-02-16 | Secr Defence | Ferroelectric liquid crystal devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01501394A (ja) * | 1986-11-07 | 1989-05-18 | メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | カイラル性または非カイラル性環状化合物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| US4613209A (en) * | 1982-03-23 | 1986-09-23 | At&T Bell Laboratories | Smectic liquid crystals |
| DE3377219D1 (en) * | 1982-11-26 | 1988-08-04 | Hitachi Ltd | Smectic liquid crystal compounds and liquid crystal compositions |
| DE3332692A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Anisotrope verbindungen und fluessigkristallmischungen |
| US4592856A (en) | 1983-11-14 | 1986-06-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Liquid detergent composition |
| JPS60218358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Ajinomoto Co Inc | 液晶 |
| EP0191860B1 (en) * | 1984-06-07 | 1990-04-18 | Seiko Instruments Inc. | Liquid crystal compound |
| FR2567877B1 (fr) * | 1984-07-17 | 1986-11-14 | Thomson Csf | Compose organique a structure chirale, son utilisation dans un melange de cristaux liquides et son procede de fabrication |
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| DE3683062D1 (de) * | 1985-02-08 | 1992-02-06 | Ajinomoto Kk | Auf polyphenyl basierende esterverbindungen und sie enthaltende fluessigkristalline zusammensetzungen. |
| DE3515373A1 (de) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
| DE3518734A1 (de) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Smektische fluessigkristalline phasen |
| DE3667052D1 (en) * | 1985-07-01 | 1989-12-28 | Ajinomoto Kk | Biphenyl carbonic acid ester compounds and liquid crystal composition containing the same |
| US4798680A (en) * | 1985-10-18 | 1989-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optically active compound, process for producing same and liquid crystal composition containing same |
| ATE110368T1 (de) * | 1986-02-17 | 1994-09-15 | Merck Patent Gmbh | Optisch aktive verbindungen. |
| FR2595098B1 (fr) * | 1986-02-28 | 1988-09-16 | Thomson Csf | Cristal liquide ferroelectrique, son procede de fabrication et son utilisation dans un melange de cristaux liquides |
| JPS6322042A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-29 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体 |
| GB8608115D0 (en) * | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Smectic liquid crystal devices |
| ES2019077B3 (es) * | 1986-05-30 | 1991-06-01 | Hoechst Ag | Esteres enantiomorfos de acidos carboxilicos alfa-sustituidos y compuestos hidroxilicos mesogenos y su empleo como material de dotacion en fases de cristal liquido. |
| US4777280A (en) * | 1986-07-01 | 1988-10-11 | University Patents, Inc. | Phenylbenzoate 1-cyanoalkoxy compounds |
| US4695650A (en) * | 1986-09-24 | 1987-09-22 | University Of Colorado Foundation | Liquid crystal compounds and compositions containing same |
| JPS63104949A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-10 | Canon Inc | フルオロアルカン誘導体及びこれを含む液晶組成物及び液晶素子 |
| GB8629322D0 (en) * | 1986-12-08 | 1987-01-14 | Secr Defence | Cyano-terpenoid esters |
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-
1988
- 1988-02-24 JP JP63039459A patent/JP2610467B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-11 EP EP88118848A patent/EP0316011B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-11 DE DE3888923T patent/DE3888923T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-12-20 US US07/456,198 patent/US5075031A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2610467B2 (ja) | 1997-05-14 |
| EP0316011A2 (en) | 1989-05-17 |
| DE3888923D1 (de) | 1994-05-11 |
| EP0316011B1 (en) | 1994-04-06 |
| DE3888923T2 (de) | 1994-08-04 |
| EP0316011A3 (en) | 1991-02-06 |
| US5075031A (en) | 1991-12-24 |
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