JPH02263151A - 電位差型ハロゲンイオン検知装置 - Google Patents
電位差型ハロゲンイオン検知装置Info
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003176 water-insoluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes
- G01N27/3335—Ion-selective electrodes or membranes the membrane containing at least one organic component
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハロゲンイオンの検知のための電位差型装置
に関し、好ましくは溶液中のある種のハロゲンイオンの
濃度を、溶液中に存在しろる他のハロゲンイオン又は尿
酸の如き他の物質の重大な妨害(干渉)を受けないで短
時間で決定するために使用されうる電極の如きハロゲン
イオン感知装置に関する。
に関し、好ましくは溶液中のある種のハロゲンイオンの
濃度を、溶液中に存在しろる他のハロゲンイオン又は尿
酸の如き他の物質の重大な妨害(干渉)を受けないで短
時間で決定するために使用されうる電極の如きハロゲン
イオン感知装置に関する。
ハロゲン化銀(特に塩化銀)層と電気化学的に接触して
いる銀層を含むイオン−感知電極は、周知である。銀/
塩化銀電極に関する報告は、例えば、米国特許第3.5
02.560号;第3,591.482号;及び第3.
856.649号並びにリサーチデイスクロージ+−[
(Research Disclosure) N(
L161131161巻。
いる銀層を含むイオン−感知電極は、周知である。銀/
塩化銀電極に関する報告は、例えば、米国特許第3.5
02.560号;第3,591.482号;及び第3.
856.649号並びにリサーチデイスクロージ+−[
(Research Disclosure) N(
L161131161巻。
9月、 1977年1に見出される。
かかる電極は、参照電極として並びに水溶液中の塩素イ
オンを検知するための感知電極としても有用である。し
かし、銀/塩化銀電極により溶液中の塩素イオン濃度を
決定するために塩素イオン活量を決定する際、該決定に
おける重大な誤差またはバイアス(偏り)が、電極と接
触しうる溶液中の他の物質、例えば臭素イオン、尿酸又
は他の低分子量物質の存在により生起されうる。
オンを検知するための感知電極としても有用である。し
かし、銀/塩化銀電極により溶液中の塩素イオン濃度を
決定するために塩素イオン活量を決定する際、該決定に
おける重大な誤差またはバイアス(偏り)が、電極と接
触しうる溶液中の他の物質、例えば臭素イオン、尿酸又
は他の低分子量物質の存在により生起されうる。
米国特許第3.591.482号には、塩素イオンの通
過を許し、一方で電極が劣化するのを保護するためアル
キルメタアクリレート層により被覆されている銀/塩化
銀電極について述べられている。
過を許し、一方で電極が劣化するのを保護するためアル
キルメタアクリレート層により被覆されている銀/塩化
銀電極について述べられている。
アールピーバック(R,P、 Buck)は、生物学上
のシステムにおける測定用のISEの効能および制限(
(Virtues and Lim1tations
of ISE forMeasurements in
Biological Systms)完全講座、P
roc、 Avalyst 、 Diu、 Chem
、Soc 611月1977年332頁ないし334頁
)で、種々の表明コーチングを有するイオン−選択性電
極について論議している。
のシステムにおける測定用のISEの効能および制限(
(Virtues and Lim1tations
of ISE forMeasurements in
Biological Systms)完全講座、P
roc、 Avalyst 、 Diu、 Chem
、Soc 611月1977年332頁ないし334頁
)で、種々の表明コーチングを有するイオン−選択性電
極について論議している。
米国特許第3.979.274号は、過酸化水素活量を
測定する白金電極の如き酵素電極が、尿酸または他の低
分子量物質の如き物質の妨害に遭遇しうろことを認めて
いる。該特許は、過酸化水素の通過を許し、他の物質の
通過を妨げるために酵素製剤(enzyme prep
aration)によっていっしょに結合された二層を
含む積層保護被膜について述べている。核層の一層はセ
ルロースエステル、シリコーンゴム、またはメチルメタ
アクリレートを有している。
測定する白金電極の如き酵素電極が、尿酸または他の低
分子量物質の如き物質の妨害に遭遇しうろことを認めて
いる。該特許は、過酸化水素の通過を許し、他の物質の
通過を妨げるために酵素製剤(enzyme prep
aration)によっていっしょに結合された二層を
含む積層保護被膜について述べている。核層の一層はセ
ルロースエステル、シリコーンゴム、またはメチルメタ
アクリレートを有している。
被覆電極に関する他の特許としては、例えば米国特許第
3,694,163号および米国特許第3,912,6
14号がある。
3,694,163号および米国特許第3,912,6
14号がある。
しかしながら、前記した従来技術の現状に鑑み、他の物
質による妨害を防ぐために被覆層を利用する装置であっ
て、そこにおいて被覆層は割合に薄く(例えば1〜8ミ
クロン)、その結果、分析されるべき溶液と装置を接触
せしめた後、比較的短い時間内(例えば5分以内)で正
確な分析をすることのできる、溶液中のハロゲンイオン
を検知するためのハロゲンイオン検知装置がなお要望さ
れている。
質による妨害を防ぐために被覆層を利用する装置であっ
て、そこにおいて被覆層は割合に薄く(例えば1〜8ミ
クロン)、その結果、分析されるべき溶液と装置を接触
せしめた後、比較的短い時間内(例えば5分以内)で正
確な分析をすることのできる、溶液中のハロゲンイオン
を検知するためのハロゲンイオン検知装置がなお要望さ
れている。
従って、本発明は、例えばBr −(即ち、クロライド
がハロゲンイオンとして検知される場合)、尿酸等の1
又はそれ以上の低分子量種による妨害が実質的になく、
上記した好ましい性能;すなわち、血清の如き溶液中の
ハロゲンイオン濃度(例えば塩素濃度)を、例えば該装
置を該溶液の一部と接触後5分以内に決定する性能を有
するハロゲンイオン検知用電位差型装置を提供すること
を目的とするものである。
がハロゲンイオンとして検知される場合)、尿酸等の1
又はそれ以上の低分子量種による妨害が実質的になく、
上記した好ましい性能;すなわち、血清の如き溶液中の
ハロゲンイオン濃度(例えば塩素濃度)を、例えば該装
置を該溶液の一部と接触後5分以内に決定する性能を有
するハロゲンイオン検知用電位差型装置を提供すること
を目的とするものである。
本発明に従えば、(1)ハロゲンイオン濃度に関連する
電位差測定をなすための手段と電気化学的に接触したハ
ロゲン化銀の層、および(2)ハロゲン化銀の該層上に
重ねられたハロゲンイオン透過性の被覆層を含んでなる
、溶液中のハロゲンイオンを検知するための電位差型装
置であって、該ハロゲンイオン透過性の被覆層が、約1
ないし約8ミクロン厚であり、そして本質的に、(a)
セルロースエステル; (b) 下記の構造式 (式中R1は水素またはメチルであり;Rtは水素、−
R’ −OH(式中、R3は炭素ら独立に選ばれる))
; を有する少なくとも一種のモノマーの45重景%ないし
100重景%を重合せしめたポリマー;並びに(C)
ゼラチン、ハロゲン化銀/ゼラチンエマルジョンおよ
び酸の混合物、 からなる群より選ばれた組成物を含んでなる電位差型装
置が提供される。
電位差測定をなすための手段と電気化学的に接触したハ
ロゲン化銀の層、および(2)ハロゲン化銀の該層上に
重ねられたハロゲンイオン透過性の被覆層を含んでなる
、溶液中のハロゲンイオンを検知するための電位差型装
置であって、該ハロゲンイオン透過性の被覆層が、約1
ないし約8ミクロン厚であり、そして本質的に、(a)
セルロースエステル; (b) 下記の構造式 (式中R1は水素またはメチルであり;Rtは水素、−
R’ −OH(式中、R3は炭素ら独立に選ばれる))
; を有する少なくとも一種のモノマーの45重景%ないし
100重景%を重合せしめたポリマー;並びに(C)
ゼラチン、ハロゲン化銀/ゼラチンエマルジョンおよ
び酸の混合物、 からなる群より選ばれた組成物を含んでなる電位差型装
置が提供される。
本発明に係る電位差型ハロゲンイオン検知装置のような
装置は、例えばリサーチデイスクロージ+ (Re
search Disclosure ) No、16
113.161巻、9月、 1977年に記述されるタ
イプの電極の如きハロゲンイオン濃度に関する電位差測
定をなすための手段を含みうる。銀層は、ハロゲン化銀
(例えば塩化銀)の層と電気化学的に接触し、該ハロゲ
ン化銀上にハロゲンイオン透過性の被覆層が重ねられて
いる。
装置は、例えばリサーチデイスクロージ+ (Re
search Disclosure ) No、16
113.161巻、9月、 1977年に記述されるタ
イプの電極の如きハロゲンイオン濃度に関する電位差測
定をなすための手段を含みうる。銀層は、ハロゲン化銀
(例えば塩化銀)の層と電気化学的に接触し、該ハロゲ
ン化銀上にハロゲンイオン透過性の被覆層が重ねられて
いる。
あるいは、本発明によって提供される装置は、その上に
二酸化珪素層を重ねたn−およびp−タイプのシリコン
支持体を含む。二酸化珪素層は、ハロゲン化銀(例えば
、塩化銀)の層と電気化学的に接触し、該ハロゲン化銀
層上にハロゲンイオン透過性の被覆層が重ねられている
。
二酸化珪素層を重ねたn−およびp−タイプのシリコン
支持体を含む。二酸化珪素層は、ハロゲン化銀(例えば
、塩化銀)の層と電気化学的に接触し、該ハロゲン化銀
層上にハロゲンイオン透過性の被覆層が重ねられている
。
本発明において使用されるハロゲンイオン透過性の被覆
層は、被覆層の所望の厚さに従って変化するある拡散係
数および透過性パラメーターに合致しているのが好まし
い。例えば、層の厚さが増加するにつれて拡散係数は増
加するはずであるし、層の厚さが減少するにつれて、透
過度は減少するはずである。それ故、約1〜8ミクロン
の厚み(乾燥厚)を有するイオン透過性の被覆層が提供
される。この層は、検知されるハロゲンイオンに関し少
なくとも2.5 X 10− ” crM / sec
の拡散係数を有し、そしてハロゲンイオンの正確な検知
を妨害する物質に対し2 X 10−”c+fl /
sec未満の透過度を有する。これらの性質は、放射性
トレーサー、誘電率、イオン−選択性電極等の如き公知
の技術によって決定される。
層は、被覆層の所望の厚さに従って変化するある拡散係
数および透過性パラメーターに合致しているのが好まし
い。例えば、層の厚さが増加するにつれて拡散係数は増
加するはずであるし、層の厚さが減少するにつれて、透
過度は減少するはずである。それ故、約1〜8ミクロン
の厚み(乾燥厚)を有するイオン透過性の被覆層が提供
される。この層は、検知されるハロゲンイオンに関し少
なくとも2.5 X 10− ” crM / sec
の拡散係数を有し、そしてハロゲンイオンの正確な検知
を妨害する物質に対し2 X 10−”c+fl /
sec未満の透過度を有する。これらの性質は、放射性
トレーサー、誘電率、イオン−選択性電極等の如き公知
の技術によって決定される。
リサーチディスクロージ+ −(Research D
is−closure) No、16113.161巻
、9月、1977年に記述されるタイプの電極要素は、
−例として、銀の金網、箔または支持薄層の如き銀の層
を溶融ハロゲン化銀の溶液に浸すことを含む多くの周知
技術を用いて調製されうる。好ましい態様によれば銀−
ハロゲン化銀電極は適当な支持体、好ましくは絶縁性の
高分子量のフィルム上に銀を真空蒸着し、次いで銀層の
表面層をハロゲン化銀に化学的に変えることによって製
造される。
is−closure) No、16113.161巻
、9月、1977年に記述されるタイプの電極要素は、
−例として、銀の金網、箔または支持薄層の如き銀の層
を溶融ハロゲン化銀の溶液に浸すことを含む多くの周知
技術を用いて調製されうる。好ましい態様によれば銀−
ハロゲン化銀電極は適当な支持体、好ましくは絶縁性の
高分子量のフィルム上に銀を真空蒸着し、次いで銀層の
表面層をハロゲン化銀に化学的に変えることによって製
造される。
一般に、金属を金属ハライドに化学的に変える技術には
、金属(この場合銀であるが)の表面を形成されるべき
ハロゲン化物の塩の溶液で、所望の変成を起こさせるの
に十分な時間および温度で曝露または接触させることが
含まれる。この種類の化学的変成の典型的条件は周知で
あり、簡単かつ好ましい技術例は、前述のリサーチディ
スクロージャー (Research Disclos
ure) 161巻に見出されうる。該電極を調製する
ための他の有用な技術は米国特許節3,591,482
号;第3.502,560号;及び第3,806,43
9号に記述されている。これらの全ての文献における教
示は、主としてワイヤー電極の調製に向けられているが
、ここで述べられる電極は、前述のリサーチディスクロ
ージャー(Research Disclosure)
161巻に記述される如く、高分子量の支持体の薄い
フィルムでも作製される。
、金属(この場合銀であるが)の表面を形成されるべき
ハロゲン化物の塩の溶液で、所望の変成を起こさせるの
に十分な時間および温度で曝露または接触させることが
含まれる。この種類の化学的変成の典型的条件は周知で
あり、簡単かつ好ましい技術例は、前述のリサーチディ
スクロージャー (Research Disclos
ure) 161巻に見出されうる。該電極を調製する
ための他の有用な技術は米国特許節3,591,482
号;第3.502,560号;及び第3,806,43
9号に記述されている。これらの全ての文献における教
示は、主としてワイヤー電極の調製に向けられているが
、ここで述べられる電極は、前述のリサーチディスクロ
ージャー(Research Disclosure)
161巻に記述される如く、高分子量の支持体の薄い
フィルムでも作製される。
あるいは、銀および塩化銀間の適当な電気化学的接触が
成就されうる限り、塩化銀の不連続の層が銀層上に被覆
される。
成就されうる限り、塩化銀の不連続の層が銀層上に被覆
される。
ハライド層厚に対する銀層の実質的な比のいかなるもの
をもっても銀−ハロゲン化銀の界面を得ることは可能で
あるがハロゲン化銀の十分緻密な層を保証する好ましい
態様において、ハライド層は、銀の全体の厚さの少なく
とも10%に等しい。
をもっても銀−ハロゲン化銀の界面を得ることは可能で
あるがハロゲン化銀の十分緻密な層を保証する好ましい
態様において、ハライド層は、銀の全体の厚さの少なく
とも10%に等しい。
特に好ましい態様によると、約10〜20%厚の銀層が
化学的な変成技術を用いて塩化銀に転換せられる。
化学的な変成技術を用いて塩化銀に転換せられる。
本発明の好ましいハロゲンイオン透過性の被覆層組成物
は、 (a) セルロースエステル〔混合エステルを含む、
例えば、セルロースアセテートブチレート、セルロース
アセテートプロピオネート、加水分解されたセルロース
アセテートブチレート(好ましくは水酸基を約6.4〜
8.3%有する)〕;(6口下記の構造式 (式中R1は水素またはメチルであり;R2は水素、−
R” −OH(式中、R3は炭素に選ばれる)); を有する少なくとも一種のモノマーの45〜100重量
%を重合せしめたポリマー;および (C) ゼラチン、ハロゲン化銀/ゼラチンエマルジ
ョンおよび酸の混合物、 から選ばれる。
は、 (a) セルロースエステル〔混合エステルを含む、
例えば、セルロースアセテートブチレート、セルロース
アセテートプロピオネート、加水分解されたセルロース
アセテートブチレート(好ましくは水酸基を約6.4〜
8.3%有する)〕;(6口下記の構造式 (式中R1は水素またはメチルであり;R2は水素、−
R” −OH(式中、R3は炭素に選ばれる)); を有する少なくとも一種のモノマーの45〜100重量
%を重合せしめたポリマー;および (C) ゼラチン、ハロゲン化銀/ゼラチンエマルジ
ョンおよび酸の混合物、 から選ばれる。
前述の好ましい拡散および透過性の基準に合致する好ま
しい組成物のいくつかの特別な例は、(a) アセチ
ル含量的36.5〜40.0重量%を有する酢酸セルロ
ース; ら) ポリ (アクリルアミドーコーメタクリル酸)(
重量比:45155) ; (C) ポリ (メチルアクリルアミドーコーメタク
リル酸)(重量比:50150) 。
しい組成物のいくつかの特別な例は、(a) アセチ
ル含量的36.5〜40.0重量%を有する酢酸セルロ
ース; ら) ポリ (アクリルアミドーコーメタクリル酸)(
重量比:45155) ; (C) ポリ (メチルアクリルアミドーコーメタク
リル酸)(重量比:50150) 。
(ロ)ポリ(メタアクリルアミド−ツー2−オキシエチ
ルメタアクリレートーコーメタアクリル酸−ツー2−ア
セトアセトキシエチルメタアクリレート)(重量比:
28/28/34/10) ;(e) ポリ(メタ
アクリル酸); (f) ポリ(アクリル酸);および(6) ポリ(
2−オキシエチルアクリレート)を含む。
ルメタアクリレートーコーメタアクリル酸−ツー2−ア
セトアセトキシエチルメタアクリレート)(重量比:
28/28/34/10) ;(e) ポリ(メタ
アクリル酸); (f) ポリ(アクリル酸);および(6) ポリ(
2−オキシエチルアクリレート)を含む。
本発明の被覆層に対する特に有用で最も好ましい成分は
酢酸セルロースである。上記の拡散および透過性の基準
に合致するため、酢酸セルロースはアセチル含量的36
.5〜40.0%を有すべきであり、被覆層の厚さは、
アセチル含量に依り約7.6〜1.3ミクロンにあるべ
きである。約36.5%以下のアセチル含量を有する酢
酸セルロースは水溶液に溶解する傾向にあり、一方、約
40%以上のアセチル含量を有する酢酸セルロースは、 非常な疎水性を有しているので好ましい、比較的に短い
応答時間を与えることができない。酢酸セルロースのア
セチル含量に依り、酢酸セルロースの最上層の好ましい
ミクロン厚を決定する実験式: 好ましい厚さ=73.3− (1,8) X (アセチ
ル含量%)である。これらの酢酸セルロースの有利な点
は、急速に、例えば5分以内またはそれより短かい時間
内で、ハロゲンイオンの検知を行うことができることに
ある。
酢酸セルロースである。上記の拡散および透過性の基準
に合致するため、酢酸セルロースはアセチル含量的36
.5〜40.0%を有すべきであり、被覆層の厚さは、
アセチル含量に依り約7.6〜1.3ミクロンにあるべ
きである。約36.5%以下のアセチル含量を有する酢
酸セルロースは水溶液に溶解する傾向にあり、一方、約
40%以上のアセチル含量を有する酢酸セルロースは、 非常な疎水性を有しているので好ましい、比較的に短い
応答時間を与えることができない。酢酸セルロースのア
セチル含量に依り、酢酸セルロースの最上層の好ましい
ミクロン厚を決定する実験式: 好ましい厚さ=73.3− (1,8) X (アセチ
ル含量%)である。これらの酢酸セルロースの有利な点
は、急速に、例えば5分以内またはそれより短かい時間
内で、ハロゲンイオンの検知を行うことができることに
ある。
しかしながら、セルロースエステル、例えば酢酸セルロ
ースをハロゲンイオン透過性の被覆層として用いる場合
、電極の応答時間(すなわち、電極が、安定した、読み
やすい状態に達するのに必要とされる時間)の実質的な
延長を生起しうるようなある変化が、エージングの際、
発生しうるということは着目されるべきである。
ースをハロゲンイオン透過性の被覆層として用いる場合
、電極の応答時間(すなわち、電極が、安定した、読み
やすい状態に達するのに必要とされる時間)の実質的な
延長を生起しうるようなある変化が、エージングの際、
発生しうるということは着目されるべきである。
それ故、保存期限が重要な考慮点であり酢酸セルロース
が選択された被覆層である場合、セルロースエステル被
覆層に、約2〜6個の水酸基を有するポリオールを添加
することによって保存期間を延長することは有利である
。
が選択された被覆層である場合、セルロースエステル被
覆層に、約2〜6個の水酸基を有するポリオールを添加
することによって保存期間を延長することは有利である
。
有用なポリオールには、ジオール、トリオール、ポリエ
チレングリコール、アルコキシポリエチレングリコール
およびポリプロピレングリコールが含まれる。ジオール
の内で、好ましい物質は炭素原予約4〜10の鎖長を有
する。有用なジオールの例には、エチレングリコール、
1,2−プロパンジオール;1,3−ブタンジオール;
1,5−ベンタンジオール;2,5−ヘキサンジオール
;2−エチル−1,3−ヘキサンジオール;1.7−ヘ
ブタンジオール;1,8−オクタンジオール:l、10
−デカンジオール;および1,14−テトラデカンジオ
ールが含まれる。有用なトリオールにはグリセロール;
1.3.6−ヘキサンドリオール;および1.2.4−
ブタントリオールが含まれる。ポリエチレングリコール
の内で、約100および約6,000の間の分子量を有
するグリコールが有効であることが見出された。約20
0および約600の間の分子量を有するポリエチレング
リコールは最も好ましい。メトキシポリエチレングリコ
ールの如きアルコキシポリエチレングリコールも有効で
ある。ポリプロピレングリコールの内で、約1.100
以下の分子量を有するグリコールは特に好ましい。使用
されるポリオールの濃度は、層を形成するために使用さ
れるエステル、層厚の如きファクターに依存して巾広く
変化する;しかじ、層の約1〜15重量%の間のポリオ
ール濃度が最も有用かつ実際的であり従ってかかる濃度
が好まれる。
チレングリコール、アルコキシポリエチレングリコール
およびポリプロピレングリコールが含まれる。ジオール
の内で、好ましい物質は炭素原予約4〜10の鎖長を有
する。有用なジオールの例には、エチレングリコール、
1,2−プロパンジオール;1,3−ブタンジオール;
1,5−ベンタンジオール;2,5−ヘキサンジオール
;2−エチル−1,3−ヘキサンジオール;1.7−ヘ
ブタンジオール;1,8−オクタンジオール:l、10
−デカンジオール;および1,14−テトラデカンジオ
ールが含まれる。有用なトリオールにはグリセロール;
1.3.6−ヘキサンドリオール;および1.2.4−
ブタントリオールが含まれる。ポリエチレングリコール
の内で、約100および約6,000の間の分子量を有
するグリコールが有効であることが見出された。約20
0および約600の間の分子量を有するポリエチレング
リコールは最も好ましい。メトキシポリエチレングリコ
ールの如きアルコキシポリエチレングリコールも有効で
ある。ポリプロピレングリコールの内で、約1.100
以下の分子量を有するグリコールは特に好ましい。使用
されるポリオールの濃度は、層を形成するために使用さ
れるエステル、層厚の如きファクターに依存して巾広く
変化する;しかじ、層の約1〜15重量%の間のポリオ
ール濃度が最も有用かつ実際的であり従ってかかる濃度
が好まれる。
本発明の被覆層の特別な適用方法は、勿論、下層のAg
/AgC/!または他の電極の物質的形状に大きく依存
する。それ故、Ag/Ag Cn電極がワイヤー電極で
ある場合、被覆層を適用する最も簡単な方法は浸漬法又
はスプレー法である。下層の電極が、上記したリサーチ
ディスクロージャー (Research Discl
osure) 161巻に記述される如く、平らな型で
ある場合、積層の如き他の技術も使用されうるが、被覆
技術における当業者にとって周知の技術により被覆層を
形成することは有利である。
/AgC/!または他の電極の物質的形状に大きく依存
する。それ故、Ag/Ag Cn電極がワイヤー電極で
ある場合、被覆層を適用する最も簡単な方法は浸漬法又
はスプレー法である。下層の電極が、上記したリサーチ
ディスクロージャー (Research Discl
osure) 161巻に記述される如く、平らな型で
ある場合、積層の如き他の技術も使用されうるが、被覆
技術における当業者にとって周知の技術により被覆層を
形成することは有利である。
被覆法を適用する場合、被覆層は、一般に、適当な溶剤
に構成成分の溶液を形成すること、該溶液を電極を適用
すること、次いで乾燥条件下に溶剤を除去することによ
って通常形成される。
に構成成分の溶液を形成すること、該溶液を電極を適用
すること、次いで乾燥条件下に溶剤を除去することによ
って通常形成される。
酢酸セルロースの如き水−不溶性のポリマーに対する有
用な溶剤には、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
アセテート、メタノールのアセトン混合物、2−エトキ
シエタノール、又はジアセトンアルコール、およびジク
ロロメタン:メタノール(重量比90 : 10)が含
まれる。
用な溶剤には、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
アセテート、メタノールのアセトン混合物、2−エトキ
シエタノール、又はジアセトンアルコール、およびジク
ロロメタン:メタノール(重量比90 : 10)が含
まれる。
トリトン(Triton)χ−100〔ロームアンドハ
ース社(Rohm and Haas Co)より商業
的に入手可能〕の如き界面活性剤も、良好な被覆特性を
得るため適宜、溶液中に含められる。
ース社(Rohm and Haas Co)より商業
的に入手可能〕の如き界面活性剤も、良好な被覆特性を
得るため適宜、溶液中に含められる。
前述の如く、本発明の他の電位差型装置において、ハロ
ゲン化銀層が、電界効果電位差型装置を得るため二酸化
珪素/シリコンの如き半導体下地上に真空蒸着されうる
。この適用において述べられたタイプの被覆層は、ベル
グヴエルト(Bergveld)により記述される如<
(P、 Bergveld、 IEEE Trans
、。
ゲン化銀層が、電界効果電位差型装置を得るため二酸化
珪素/シリコンの如き半導体下地上に真空蒸着されうる
。この適用において述べられたタイプの被覆層は、ベル
グヴエルト(Bergveld)により記述される如<
(P、 Bergveld、 IEEE Trans
、。
Biomed、、 Eng、、 19. [1970]
)およびアール、ピーバックら(R,P、 Buck
et al AnalyticalChemistr
、 49巻No、1412月1977年2315頁)に
より記述される如く塩素もしくは臭素イオンに鋭敏な、
例えばイオン選択性電界効果トランジスターの如き電界
効果トランジスターへの適用に有用である。臭素もしく
は塩素−選択性のトランジスターの場合、かかる電界効
果トランジスターは、ハロゲン化銀層に試験中のサンプ
ルを適用する際、p−またはn−チャンネルを決定する
ために適当にドープされたシリコン表面に接触してゲー
トを形成するために例えば二酸化珪素上に被覆された臭
化銀または塩化銀の如き不溶性塩の層を含みうる。
)およびアール、ピーバックら(R,P、 Buck
et al AnalyticalChemistr
、 49巻No、1412月1977年2315頁)に
より記述される如く塩素もしくは臭素イオンに鋭敏な、
例えばイオン選択性電界効果トランジスターの如き電界
効果トランジスターへの適用に有用である。臭素もしく
は塩素−選択性のトランジスターの場合、かかる電界効
果トランジスターは、ハロゲン化銀層に試験中のサンプ
ルを適用する際、p−またはn−チャンネルを決定する
ために適当にドープされたシリコン表面に接触してゲー
トを形成するために例えば二酸化珪素上に被覆された臭
化銀または塩化銀の如き不溶性塩の層を含みうる。
ここで述べられるハロゲンイオン透過性の被覆層は、分
析下の溶液中に存在する妨害イオンの効果を抑制するた
めにハロゲン化銀層上に被覆される。特に、本発明にお
けるハロゲンイオン透過性の被覆層は、特にハロゲンイ
オン濃度の決定における妨害を減少する。尿酸、硫黄−
含有および窒素含有化合物、他の低分子量化合物および
タンパク質の如き大分子による妨害と同様に、他のハロ
ゲン化物による(例えば、塩化物が測定される際の臭化
物による等)妨害は、かかる被覆層を用いることによっ
て非常に減少させ得るか又は完全に除去させ得る。
析下の溶液中に存在する妨害イオンの効果を抑制するた
めにハロゲン化銀層上に被覆される。特に、本発明にお
けるハロゲンイオン透過性の被覆層は、特にハロゲンイ
オン濃度の決定における妨害を減少する。尿酸、硫黄−
含有および窒素含有化合物、他の低分子量化合物および
タンパク質の如き大分子による妨害と同様に、他のハロ
ゲン化物による(例えば、塩化物が測定される際の臭化
物による等)妨害は、かかる被覆層を用いることによっ
て非常に減少させ得るか又は完全に除去させ得る。
本発明で用いる被覆層、また、脆いハロゲン化銀層の摩
耗に対し物理的保護を提供する。
耗に対し物理的保護を提供する。
以下の実施例において、平らな、乾式検知Ag/Ag
Cj2電極を、前述のリサーチディスクロージャー (
Research Disclosure) 161巻
に述べられる如く調製し、次いである場合少量の界面活
性剤を含有する溶剤から、種々のハロゲンイオン透過性
被覆層の組成物によって被覆する。
Cj2電極を、前述のリサーチディスクロージャー (
Research Disclosure) 161巻
に述べられる如く調製し、次いである場合少量の界面活
性剤を含有する溶剤から、種々のハロゲンイオン透過性
被覆層の組成物によって被覆する。
セルロースエステルが好ましく用いられるこれらの実施
例において、さらに詳しくは以下の手順(工8) が用いられる: 銀/塩化銀電極が、ポリ(エチレンテレフタレート)支
持体上に銀層を真空蒸着することによって調製された。
例において、さらに詳しくは以下の手順(工8) が用いられる: 銀/塩化銀電極が、ポリ(エチレンテレフタレート)支
持体上に銀層を真空蒸着することによって調製された。
銀層の表面は、重クロム酸および塩化カリウムの浴に約
22℃の温度下30秒間浸漬することによって塩化銀に
転化された。
22℃の温度下30秒間浸漬することによって塩化銀に
転化された。
セルロースエステルを、アセトンまたはメチルエチルケ
トンの如き適当な溶剤に溶解し、10重景%となした。
トンの如き適当な溶剤に溶解し、10重景%となした。
該溶液を約6%に希釈し、次いでポリオール(セルロー
スエステルの1〜15重景%)を添加した。少量の界面
活性剤もまた、被覆助材として添加されうる。次いで該
溶液は、適当な被覆条件下で被覆された。特に言及しな
い限り、被覆条件は以下の如くであった:露点28’F
(−2,2°C)、乾球温度110°F(43,3°
C)で8分間、130°F(54,4°C)で4分間お
よび180°F(82°C)で4分間。
スエステルの1〜15重景%)を添加した。少量の界面
活性剤もまた、被覆助材として添加されうる。次いで該
溶液は、適当な被覆条件下で被覆された。特に言及しな
い限り、被覆条件は以下の如くであった:露点28’F
(−2,2°C)、乾球温度110°F(43,3°
C)で8分間、130°F(54,4°C)で4分間お
よび180°F(82°C)で4分間。
性能試験が、示差形式および絶対形式の両方で行なわれ
た。
た。
示差形式において、リサーチディスクロージャ(Res
earch Disclosure) Nα1576
7.157巻(1977年、5月)に説明されるように
、参照電極と試験溶液を連結する繊維橋(fiber
bridge)を使用して、得られた銀/塩化銀電極を
試験した。
earch Disclosure) Nα1576
7.157巻(1977年、5月)に説明されるように
、参照電極と試験溶液を連結する繊維橋(fiber
bridge)を使用して、得られた銀/塩化銀電極を
試験した。
試験溶液は、NaBr、 KBr 、尿酸ナトリウム、
又は尿酸を混合した貯蔵ヒト血清プールがらなっていた
。混合したヒト血清および未混合ヒト血清間の測定され
た電位差(Δemf )はバイアスの大きさとしてmV
で測定され、そしてパーセントバイアスとして表わされ
た。そのパーセントバイアスは、ネルンスティアン(N
ernstian )応答に一致すると仮定して、△e
mfの〔−4〕倍に等しい。3分の時間が終点として選
ばれた。
又は尿酸を混合した貯蔵ヒト血清プールがらなっていた
。混合したヒト血清および未混合ヒト血清間の測定され
た電位差(Δemf )はバイアスの大きさとしてmV
で測定され、そしてパーセントバイアスとして表わされ
た。そのパーセントバイアスは、ネルンスティアン(N
ernstian )応答に一致すると仮定して、△e
mfの〔−4〕倍に等しい。3分の時間が終点として選
ばれた。
絶対型式において、被覆した銀/塩化銀電極が、参照電
極として、ベックマンのナトリウムイオン−検知ガラス
電極、M I −401(マイクロエレクトロニクス(
Microelectronics)社製)を用いてセ
ル中直接電位差滴定法により試験された。試験溶液は、
KBr又は尿酸のどちらかを混合した貯蔵ヒト血清のプ
ールよりなった。混合ヒト血清および未混合ヒト血清間
の測定電位定(Δemf )はバイアスの大きさとして
mVで表わされた。電極の応答時間は、電位が定常状態
、すなわち一定割合で続く状態に達した時のその時間が
選ばれた。
極として、ベックマンのナトリウムイオン−検知ガラス
電極、M I −401(マイクロエレクトロニクス(
Microelectronics)社製)を用いてセ
ル中直接電位差滴定法により試験された。試験溶液は、
KBr又は尿酸のどちらかを混合した貯蔵ヒト血清のプ
ールよりなった。混合ヒト血清および未混合ヒト血清間
の測定電位定(Δemf )はバイアスの大きさとして
mVで表わされた。電極の応答時間は、電位が定常状態
、すなわち一定割合で続く状態に達した時のその時間が
選ばれた。
全ての試験は、特に説明のない限り、周囲状態(35〜
50%RH,21〜23℃)下で行なわれた。
50%RH,21〜23℃)下で行なわれた。
皿上・・・Br−および尿酸の妨害を減する種々の被の
の 一連の塩素イオン−検知電極を上に説明した如く調製し
た。各々の電極は、被覆層を有しない対照電極を除いて
、異った組成からなる。次いで、電極を、混合ヒト血清
および未混合ヒト血清について示差型で試験した。測定
は、血清溶液が被覆層と接触した2分後に行った。第1
表に掲げられる結果より、試験された全ての被覆層の組
成物は臭素および尿酸による妨害を滅じていることがわ
かる。酢酸セルロース(アセチル含量36.5〜40.
0%)はこの点に関して最も有効であった。上に説明さ
れた拡散および透過性の基準に適合しない種々のポリマ
ー被覆層が同様に試験され、バイアスの重大な減少は見
られなかった。これらには、ポリ酢酸ビニル、アガロー
ス、ポリ塩化ビニルおよびポリ(ビニルピロリドン)が
含まれる。
の 一連の塩素イオン−検知電極を上に説明した如く調製し
た。各々の電極は、被覆層を有しない対照電極を除いて
、異った組成からなる。次いで、電極を、混合ヒト血清
および未混合ヒト血清について示差型で試験した。測定
は、血清溶液が被覆層と接触した2分後に行った。第1
表に掲げられる結果より、試験された全ての被覆層の組
成物は臭素および尿酸による妨害を滅じていることがわ
かる。酢酸セルロース(アセチル含量36.5〜40.
0%)はこの点に関して最も有効であった。上に説明さ
れた拡散および透過性の基準に適合しない種々のポリマ
ー被覆層が同様に試験され、バイアスの重大な減少は見
られなかった。これらには、ポリ酢酸ビニル、アガロー
ス、ポリ塩化ビニルおよびポリ(ビニルピロリドン)が
含まれる。
(λ3)
fl・・・Br−および尿酸の妨害を減するゲル/塩の
例1におけると同様に2個の電極を準備した。
一つは、被覆層を有しない裸の対照電極であり、他の一
つは、以下の混合物(1)〜(4)を含んでなる被覆層
を有する:すなわち、 (1) ビス(ビニルスルホニルメチル)エーテル0
.075 g/rdで硬化した5g/nfの脱イオン化
したゼラチン (2)pAg4〜5.6で粒径0.15〜0.6ミクロ
ンを有する塩化銀およびゼラチンの1:1重量混合物を
含んでなる5g/rdの塩化銀エマルジョン; (3) 7.5 mM/rrfのフタル酸カリウム(
少量のリン酸二水素カリウムまたは硝酸をも使用可能)
;および (4) 0.025 g/r+(のトリトンX−10
0(界面活性剤)。
つは、以下の混合物(1)〜(4)を含んでなる被覆層
を有する:すなわち、 (1) ビス(ビニルスルホニルメチル)エーテル0
.075 g/rdで硬化した5g/nfの脱イオン化
したゼラチン (2)pAg4〜5.6で粒径0.15〜0.6ミクロ
ンを有する塩化銀およびゼラチンの1:1重量混合物を
含んでなる5g/rdの塩化銀エマルジョン; (3) 7.5 mM/rrfのフタル酸カリウム(
少量のリン酸二水素カリウムまたは硝酸をも使用可能)
;および (4) 0.025 g/r+(のトリトンX−10
0(界面活性剤)。
これらの混合物を、pH4,7で溶液から被覆した。2
個の電極に関する示差型検査法 例3・・・酢酸セルロース被覆層の厚さおよびアセチル
4 の 一連の塩素イオン選択性電極を、すでに述べたように酢
酸セルロースの被覆層の厚さおよび酢酸セルロースのア
セチル含量を変化させつつ、アセトンから塗布して調製
した。被覆しない電極も対照として利用するため準備し
た。混合および未混合ヒト血清のプールについて絶対型
で電極を検査した。電位が定常状態に達するすなわち、
一定割合で続くその時間を、電極の応答時間として選択
した。第■表に掲げる結果は、アセチル含量および厚さ
が酢酸セルロース被覆層による応答時間および妨害の減
少の好ましい組合わせを得ることに関し、相互関係にあ
ることを示している。
個の電極に関する示差型検査法 例3・・・酢酸セルロース被覆層の厚さおよびアセチル
4 の 一連の塩素イオン選択性電極を、すでに述べたように酢
酸セルロースの被覆層の厚さおよび酢酸セルロースのア
セチル含量を変化させつつ、アセトンから塗布して調製
した。被覆しない電極も対照として利用するため準備し
た。混合および未混合ヒト血清のプールについて絶対型
で電極を検査した。電位が定常状態に達するすなわち、
一定割合で続くその時間を、電極の応答時間として選択
した。第■表に掲げる結果は、アセチル含量および厚さ
が酢酸セルロース被覆層による応答時間および妨害の減
少の好ましい組合わせを得ることに関し、相互関係にあ
ることを示している。
伍土・・・Cl−およびBr−のセルロースおよび酢セ
ルロース の の 濃淡電池の一区画内にハロゲンイオンを存在させ、第二
の区画内には水を存在せしめることによって(この際両
区画は試験される層によって分離されるが)、セルロー
スおよび酢酸セルロース(アセチル含量37.6%)層
を通過する塩素イオンおよび臭素イオンの透過度を決定
した。第■表中の得られたデーターより、セルロースは
、塩素イオン選択装置で臭素の妨害を減するための本発
明による有効な被覆層に対する透過性の基準に合致セス
、一方酢酸セルロース(37,6%アセチル含量)は該
基準に合致していることがわかる。
ルロース の の 濃淡電池の一区画内にハロゲンイオンを存在させ、第二
の区画内には水を存在せしめることによって(この際両
区画は試験される層によって分離されるが)、セルロー
スおよび酢酸セルロース(アセチル含量37.6%)層
を通過する塩素イオンおよび臭素イオンの透過度を決定
した。第■表中の得られたデーターより、セルロースは
、塩素イオン選択装置で臭素の妨害を減するための本発
明による有効な被覆層に対する透過性の基準に合致セス
、一方酢酸セルロース(37,6%アセチル含量)は該
基準に合致していることがわかる。
1・・・メチルメタアクリレートおよび酢酸セルロース
を入んでなる の この例において、本発明における被覆層(酢酸セルロー
ス−39,5%、アセチル含量−3ミクロン厚)でコー
トした銀/塩化銀電極(2)を、ネフ(Neff)の米
国特許第3,591,482号(メチルメタアクリレ−
1−−25ミクロン厚)に開示される被覆層でコートし
た類似の電極(3)と比較した。メチルメタアクリレー
トの6.3 ミクロン厚の電極被覆層4(本発明によっ
て規定される厚みの範囲にある)も試験した。未被覆の
銀/塩化銀電極(1)を対照の電極として使用した。前
に説明した如く電極を調製し次いで参照電極としてM
l−401を用いて、100および160mMのCI!
、−を含有する溶液中で試験した。
を入んでなる の この例において、本発明における被覆層(酢酸セルロー
ス−39,5%、アセチル含量−3ミクロン厚)でコー
トした銀/塩化銀電極(2)を、ネフ(Neff)の米
国特許第3,591,482号(メチルメタアクリレ−
1−−25ミクロン厚)に開示される被覆層でコートし
た類似の電極(3)と比較した。メチルメタアクリレー
トの6.3 ミクロン厚の電極被覆層4(本発明によっ
て規定される厚みの範囲にある)も試験した。未被覆の
銀/塩化銀電極(1)を対照の電極として使用した。前
に説明した如く電極を調製し次いで参照電極としてM
l−401を用いて、100および160mMのCI!
、−を含有する溶液中で試験した。
各溶液中の各電極に対する時間に対する電位のプロット
が添付図面の第1図に示される。電極(3)に対する電
位は、不十分な応答時間(5分を超える)を示しつつ、
非常に高かったので許容時間内でプロットすることは不
可能であった。電極(4)の応答は測定可能ではあるが
、許容時間中非常に定まらず使用不可能であった。電極
(4)のプロットは、許容時間内で100mMの塩素イ
オン溶液に対する電位よりも160mMの塩素イオン溶
液に対するより高い電位を高した。これは電極(1)お
よび(2)に対するプロットによって示されるごとき正
しい関係とは全く逆である。電極(4)に対するプロッ
トは、10分よりも長い時間でついには互いに交互した
(図示せず)。
が添付図面の第1図に示される。電極(3)に対する電
位は、不十分な応答時間(5分を超える)を示しつつ、
非常に高かったので許容時間内でプロットすることは不
可能であった。電極(4)の応答は測定可能ではあるが
、許容時間中非常に定まらず使用不可能であった。電極
(4)のプロットは、許容時間内で100mMの塩素イ
オン溶液に対する電位よりも160mMの塩素イオン溶
液に対するより高い電位を高した。これは電極(1)お
よび(2)に対するプロットによって示されるごとき正
しい関係とは全く逆である。電極(4)に対するプロッ
トは、10分よりも長い時間でついには互いに交互した
(図示せず)。
これらの結果より、ネッフ(Neff)によって教示さ
れる如きメチルメタアクリレートの被覆層は本発明の実
施には有効でないことがわかる。
れる如きメチルメタアクリレートの被覆層は本発明の実
施には有効でないことがわかる。
1・・・ポリオールを有するおよび有しない、セルロー
スセスチルで被覆したCl−電極の応Ag’の化学的変
換のプロセスによって製造される塩素電極を、39.4
%のアセチル含量を有する酢酸セルロース(3g/n(
)並びに塗布助材としてポリジメチルおよびポリメチル
フェニンシロキサン((DC−510、ダウコーニング
(DowCorning )社(米国ミシガン州ミツド
ランド)製)の混合物(0,03g / if )を、
すでに説明した如く被覆した。ポリエチレングリコール
400 (0,15g/ホ)(すなわち、酢酸セルロ
ースの5%範囲)を酢酸セルロース配合物に対し加えら
れた点を除いて、第二の電極を同様に被覆した。被覆し
た電極が上に説明した如き新しい状態の際10〜160
mMCI!−(イオン強度はNaNOsによる160
に等しい)の塩素イオン濃度を用いて該電極を評価した
。
スセスチルで被覆したCl−電極の応Ag’の化学的変
換のプロセスによって製造される塩素電極を、39.4
%のアセチル含量を有する酢酸セルロース(3g/n(
)並びに塗布助材としてポリジメチルおよびポリメチル
フェニンシロキサン((DC−510、ダウコーニング
(DowCorning )社(米国ミシガン州ミツド
ランド)製)の混合物(0,03g / if )を、
すでに説明した如く被覆した。ポリエチレングリコール
400 (0,15g/ホ)(すなわち、酢酸セルロ
ースの5%範囲)を酢酸セルロース配合物に対し加えら
れた点を除いて、第二の電極を同様に被覆した。被覆し
た電極が上に説明した如き新しい状態の際10〜160
mMCI!−(イオン強度はNaNOsによる160
に等しい)の塩素イオン濃度を用いて該電極を評価した
。
第2図(対照電極の使用)および第3図(本発明の電極
使用)は、二つの電極の電位−時間のレスポンスを示し
ている。ポリエチレングリコールを含存する電極は、対
照電極よりもより早い応答時間(電位はより早く安定化
する)並びに3分での塩素イオン濃度30mMよりも小
さい溶液の正確な読みを与えるネルンスティアン(Ne
rnstian )傾斜に近い傾斜を与える。ポリエチ
レングリコールを有しない電極は、5分後ですら一定の
電位を示さなかった。
使用)は、二つの電極の電位−時間のレスポンスを示し
ている。ポリエチレングリコールを含存する電極は、対
照電極よりもより早い応答時間(電位はより早く安定化
する)並びに3分での塩素イオン濃度30mMよりも小
さい溶液の正確な読みを与えるネルンスティアン(Ne
rnstian )傾斜に近い傾斜を与える。ポリエチ
レングリコールを有しない電極は、5分後ですら一定の
電位を示さなかった。
LL・・・ポリオールを有するおよび有しない、調製の
およびエージング の の 例6において説明した如き電極を、調製後および105
°Cで10分間加熱後において、100mMCj!−(
N a N U 3によるイオン強度160に等しい)
の100μβ滴で試験した。(加熱は、インキューベー
ション又はエージングを偽装滴に加速する)さらにポリ
オールを有する電極は第4・a図および第4b図に示さ
れた如く、調製後でより早い応答時間を与えそして加熱
により応答時間のより少ない変化を示す。
およびエージング の の 例6において説明した如き電極を、調製後および105
°Cで10分間加熱後において、100mMCj!−(
N a N U 3によるイオン強度160に等しい)
の100μβ滴で試験した。(加熱は、インキューベー
ション又はエージングを偽装滴に加速する)さらにポリ
オールを有する電極は第4・a図および第4b図に示さ
れた如く、調製後でより早い応答時間を与えそして加熱
により応答時間のより少ない変化を示す。
1・・・ポリオールの添加によるCl−電極の保持に
る8 A6例6において述べられた二つの電極および2.5−
ヘキサンジオール(0,15g/TTf)を含むほかは
、同様の方法で調製した第三の電極を、相対湿度(RH
)(15%ないし80%)および温度(25,6°Cな
いし48.9°C)の種々の条件下で4週間インキュベ
ートした。
る8 A6例6において述べられた二つの電極および2.5−
ヘキサンジオール(0,15g/TTf)を含むほかは
、同様の方法で調製した第三の電極を、相対湿度(RH
)(15%ないし80%)および温度(25,6°Cな
いし48.9°C)の種々の条件下で4週間インキュベ
ートした。
上述の如く試験を行った際、ポリオールを有しない電極
(対照電極)は、以下の順で応答時間を示した。
(対照電極)は、以下の順で応答時間を示した。
15χRH/25.6℃く50χRH/25.6°Cく
50χRH/48.9℃く80χRH/25.6°C(
2,5分 く3分 <5.5分 く〜
15分)しかし、ポリオールを添加した際、15%およ
び50%RH/25.6’Cの両方は1.5分以下で応
答し、50%RH/4B、9°Cは3分以下で応答し、
80%RH/25.6°Cは約10分で応答した。これ
らの結果より、ポリオールの添加は電極の崩壊を減少せ
しめることがわかる。
50χRH/48.9℃く80χRH/25.6°C(
2,5分 く3分 <5.5分 く〜
15分)しかし、ポリオールを添加した際、15%およ
び50%RH/25.6’Cの両方は1.5分以下で応
答し、50%RH/4B、9°Cは3分以下で応答し、
80%RH/25.6°Cは約10分で応答した。これ
らの結果より、ポリオールの添加は電極の崩壊を減少せ
しめることがわかる。
B、80%RH/25.6°Cでインキュベートされた
電極を、周囲条件下で5日間再平衡せしめその後上述の
如き試験を行った。第5図および第6図に示されるよう
に、ポリオールを含む電極において回復は相当に早かっ
た。第5図は再平衡前であり、第6図は再平衡後である
。ポリオールを添加すると、電極は湿度および温度の変
動条件に対して感度が悪くなる。
電極を、周囲条件下で5日間再平衡せしめその後上述の
如き試験を行った。第5図および第6図に示されるよう
に、ポリオールを含む電極において回復は相当に早かっ
た。第5図は再平衡前であり、第6図は再平衡後である
。ポリオールを添加すると、電極は湿度および温度の変
動条件に対して感度が悪くなる。
1・・・Br−および尿酸等の如き妨害物(inter
ferants)に対するポリオールの効臭素イオン、
尿酸等の如き低分子量の物質は、イオン選択性電極を用
いて血清中の塩素イオンの決定における妨害物である。
ferants)に対するポリオールの効臭素イオン、
尿酸等の如き低分子量の物質は、イオン選択性電極を用
いて血清中の塩素イオンの決定における妨害物である。
妨害物のレベルが高い時は、50%程の高い誤差(バイ
アス)が起こる。
アス)が起こる。
これらの妨害物質に対する感度は、上にのべた如きセル
ロースエステル物質の薄い厚で電極を被覆することによ
って著しく減少せられる。セルロース配合物にポリオー
ルを添加しても、この保護は著しくは変わらない。そし
て、該添加は実際、エージングされた電極について高い
再生産性を与える。
ロースエステル物質の薄い厚で電極を被覆することによ
って著しく減少せられる。セルロース配合物にポリオー
ルを添加しても、この保護は著しくは変わらない。そし
て、該添加は実際、エージングされた電極について高い
再生産性を与える。
表V表に掲げられるように、三つの電極をBr−および
尿酸を加えた血清のプールについて検査し、そして、そ
れぞれから得られたバイアス(パーセント)を計算した
。
尿酸を加えた血清のプールについて検査し、そして、そ
れぞれから得られたバイアス(パーセント)を計算した
。
第V表に示されるように、11週間後の酢酸セルロース
被覆電極(A)の再生産性は他のものと比較して非常に
低い。先に述べた如く、これは、ニージンクされた酢酸
セルロース−被覆電極の遅い応答に起因する。第■表は
、11週後の電極の各々を用いてなされた4回反復の試
験において得られたバイアス(mV)を示す。
被覆電極(A)の再生産性は他のものと比較して非常に
低い。先に述べた如く、これは、ニージンクされた酢酸
セルロース−被覆電極の遅い応答に起因する。第■表は
、11週後の電極の各々を用いてなされた4回反復の試
験において得られたバイアス(mV)を示す。
裸−3,7−4,4−4,4−3,6
A 2.4 −3.9 2.6
−4.OB −1,9−1,7−2,1、−
1,6く 峙 lfi・・・ポリオールを有するおよび有しない5週後
の の 例9で説明した如く調製した5個の電極を、第■表に示
される如(被覆した。これらの電極を、周囲条件(35
〜50%RH121〜23’C)下で5週間保持し、続
いてそれらの各々を、ヒト血清測定器の3つの塩素レベ
ルを用いて測定した。プールされた血清対照を検定し、
次いでバイアス(mEq/1)を測定された曲線より計
算した。第7図および第8図は、対照の電極およびポリ
エチレングリコール(MW 400)を含む電極につ
いてプロットされた曲線をそれぞれ示す。対照の電極は
、より低いC!−濃度での電極の緩慢な応答時間の故に
、曲線中の重要な不適合を示した。
−4.OB −1,9−1,7−2,1、−
1,6く 峙 lfi・・・ポリオールを有するおよび有しない5週後
の の 例9で説明した如く調製した5個の電極を、第■表に示
される如(被覆した。これらの電極を、周囲条件(35
〜50%RH121〜23’C)下で5週間保持し、続
いてそれらの各々を、ヒト血清測定器の3つの塩素レベ
ルを用いて測定した。プールされた血清対照を検定し、
次いでバイアス(mEq/1)を測定された曲線より計
算した。第7図および第8図は、対照の電極およびポリ
エチレングリコール(MW 400)を含む電極につ
いてプロットされた曲線をそれぞれ示す。対照の電極は
、より低いC!−濃度での電極の緩慢な応答時間の故に
、曲線中の重要な不適合を示した。
(りン
第1図は、各溶液中の各電極に対する時間−電位曲線を
示す図表であり、 第2図は、対照電極を使用した場合の電位−時間のレス
ポンスを示す図表であり、 第3図は、本発明における電極を使用した場合の電位−
時間のレスポンスを示す図表であり、第4a図は、本発
明における電極の新しい状態での電位−時間のレスポン
スを示す図表であり、第4b図は、本発明における電極
のエージング後の電位−時間のレスポンスを示す図表で
あり、第5図は、ポリオールを含む電極の再平衡前にお
ける電位−時間のレスポンスを示す図表であり、第6図
は、ポリオールを含む電極の再平衡後における電位−時
間のレスポンスを示す図表であり、第7図は、対照の電
極について濃度−電位の関係を示す図表であり、 第8図はポリエチレングリコールを含む電極について濃
度−電位の関係を示す図表である。 ヒ’j ul u uI Lj 謂・Cつ (
N (N −− 田
示す図表であり、 第2図は、対照電極を使用した場合の電位−時間のレス
ポンスを示す図表であり、 第3図は、本発明における電極を使用した場合の電位−
時間のレスポンスを示す図表であり、第4a図は、本発
明における電極の新しい状態での電位−時間のレスポン
スを示す図表であり、第4b図は、本発明における電極
のエージング後の電位−時間のレスポンスを示す図表で
あり、第5図は、ポリオールを含む電極の再平衡前にお
ける電位−時間のレスポンスを示す図表であり、第6図
は、ポリオールを含む電極の再平衡後における電位−時
間のレスポンスを示す図表であり、第7図は、対照の電
極について濃度−電位の関係を示す図表であり、 第8図はポリエチレングリコールを含む電極について濃
度−電位の関係を示す図表である。 ヒ’j ul u uI Lj 謂・Cつ (
N (N −− 田
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(1)ハロゲンイオン濃度に関連する電位差測定を
なすための手段と電気化学的に接触したハロゲン化銀の
層、および(2)ハロゲン化銀の該層上に重ねられたハ
ロゲンイオン透過性の被覆層を含んでなる、溶液中のハ
ロゲンイオンを検知するための電位差型装置であって、 該ハロゲンイオン透過性の被覆層が、約1ないし約8ミ
クロン厚であり、そして本質的に、(a)セルロースエ
テスル; (b)下記の構造式 ▲数式、化学式、表等があります▼ {式中R^1は水素またはメチルであり; R^2は水素、−R^3−OH(式中、R^3は炭素原
子数1ないし5を有するアルキルである)または▲数式
、化学式、表等があります▼(式中、R^4およびR^
5は水素および炭素原子数1ないし5のアルキルからな
る基から独立に選ばれる)}; を有する少なくとも一種のモノマーの45重量%ないし
100重量%を重合せしめたポリマー;並びに(c)ゼ
ラチン、ハロゲン化銀/ゼラチンエマルジョンおよび酸
の混合物、 からなる群より選ばれた組成物を含んでなることを特徴
とする電位差型装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US956527 | 1978-10-31 | ||
| US956526 | 1978-10-31 | ||
| US05/956,527 US4199412A (en) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Halide ion-selective devices and method |
| US05/956,526 US4199411A (en) | 1978-10-31 | 1978-10-31 | Halide ion-selective devices and methods of determining halides |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54140022A Division JPS6050300B2 (ja) | 1978-10-31 | 1979-10-31 | ハロゲンイオンの検知用電位差型装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263151A true JPH02263151A (ja) | 1990-10-25 |
| JPH0643984B2 JPH0643984B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=27130377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1270532A Expired - Lifetime JPH0643984B2 (ja) | 1978-10-31 | 1989-10-11 | 電位差型塩素イオン検知装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0010802B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0643984B2 (ja) |
| DE (1) | DE2964432D1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57211056A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrode for detection of halogen ion |
| DE102007049013A1 (de) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG | Sensor mit Langzeitstabilität für Bio-Prozesse |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497517A (ja) * | 1972-05-26 | 1974-01-23 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3563874A (en) * | 1967-10-02 | 1971-02-16 | Orion Research | Halide-sensitive electrochemical electrodes and method of making same |
| FI51742C (fi) * | 1975-06-13 | 1977-03-10 | Datex Oy | "Solid State" tyyppinen ioniselektiivinen elektrodi ja sen valmistusme netelmä. |
| DE2722617C2 (de) * | 1976-05-19 | 1983-10-20 | Eastman Kodak Co., 14650 Rochester, N.Y. | Ionenselektive Elektrode und Verwendung derselben |
-
1979
- 1979-10-18 EP EP19790200599 patent/EP0010802B1/en not_active Expired
- 1979-10-18 DE DE7979200599T patent/DE2964432D1/de not_active Expired
-
1989
- 1989-10-11 JP JP1270532A patent/JPH0643984B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS497517A (ja) * | 1972-05-26 | 1974-01-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2964432D1 (en) | 1983-02-03 |
| EP0010802B1 (en) | 1982-12-29 |
| EP0010802A1 (en) | 1980-05-14 |
| JPH0643984B2 (ja) | 1994-06-08 |
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