JPH02263567A - 気相はんだ付け方法 - Google Patents
気相はんだ付け方法Info
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- JPH02263567A JPH02263567A JP8418989A JP8418989A JPH02263567A JP H02263567 A JPH02263567 A JP H02263567A JP 8418989 A JP8418989 A JP 8418989A JP 8418989 A JP8418989 A JP 8418989A JP H02263567 A JPH02263567 A JP H02263567A
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- Japan
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- temperature
- container
- electronic components
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はプリント配線板等にクリームはんだを介して搭
載した電子部品を、リフローはんだ付けする気相はんだ
付け方法および装置に関する。
載した電子部品を、リフローはんだ付けする気相はんだ
付け方法および装置に関する。
この発明は、プリント配線板にクリームはんだを介して
搭載した電子部品をリフローはんだ付けする気相はんだ
付け方法および装置において、電子部品の温度を温度検
出手段で検出し、温度制御手段により電子部品を最適な
温度プロファイルで加熱し、電子部品の熱衝撃やチップ
立ちを防止するようにしたものである。 【従来の技術ｌ 従来の気相はんだ付け方法に使用する装置は、第２図に
示すように、はんだの融点以上の沸点を有する一次液体
８と前記融点以下の沸点を有する二次液体７とが、容器
１の下部に設けたヒータ１４の上面より高く混入されて
いる。一次液体８と二次液体７がヒータ１４にて加熱さ
れると、沸点の低い二次液体７の飽和蒸気（以下二次蒸
気という）が先に発生し、容器ｌの中を上昇して二次蒸
気層４が形成される。容器ｌの上部に取付けられた冷却
コイル２に接触した二次蒸気は凝縮し、液体となって受
皿３に落下し、パイプ１７を通って二次液供給装置１６
に入り、制御装置１５の信号によって容器ｌヘパイブ１
８を通して戻される。さらに加熱され一次液体８が沸点
まで上昇すると、一次液体８の飽和蒸気（以下一次蒸気
と、いう）が発生し、容器１の中央に取付けられた冷却
コイル５によって凝縮されるまで上昇し、一次蒸気層６
が形成される。はんだ付けされるために加熱しなければ
ならないプリント配線板９等を載せるトレイ１３は、チ
ェーン１２を介して昇降装置１１に吊着されている。制
御装置１５は予め設定された加熱条件に基づき、容器ｌ
の一次蒸気層６、二次蒸気層４内に、トレイ１３を搬入
、保持、搬出するよう昇降装置を制御する。このような
構造の気相はんだ付け装置が知られている０例えば持分
５３−４０９３４号公報にこのような従来の気相はんだ
付け方法および構造が開示されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、従来の気相はんだ付け方法および装置は、二次
液体７の供給量、冷却コイル５に流動する液体の温度又
は量、ヒータのジュール熱の変化により、一次蒸気と二
次蒸気の混合された層の形成および温度分布は変動する
。 予熱工程において前記混合された層を用いるため、温度
プロファイル制御の代用特性として、予熱位置と予熱時
間をどのように設定しても、従来方法では、予熱温度が
低い電子部品は一次蒸気層６に搬入されたとき熱衝撃を
受けて電子部品の信頼性が低下し、予熱温度の上昇が急
なときははんだが溶融してチップ立ちしたり、前記熱衝
撃を発生するという欠点があった。 そこでこの発明は、従来のこのような欠点を解決するた
め、電子部品を最適な温度プロファイルで加熱し、熱衝
撃やチップ立ちを防止する気相はんだ付け方法および装
置を提供することを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題を解決するために、この発明は、電子部品の実
装に用いる気相はんだ付け方法および装置において、は
んだ付けするためにトレイ１３に載せた電子部品の温度
を検出する温度検出手段と、前記温度をはんだ付けに最
適な温度プロファイルに制御する温度制御手段により構
成し、前配電子部品の熱衝撃やチップ立ちを防止するよ
うにしたものである。 （作用１ 上記のように構成された気相はんだ付け装置は、はんだ
付けするために加熱される電子部品の温度を温度検出手
段で検出し、温度制御手段により予め設定されたはんだ
付けに最適な温度プロファイルと前記温度を比較し、そ
の温度差に応じて予熱位置を温度分布の高い一次蒸気層
又は温度分布の低い二次蒸気層側へ補正するため、前記
温度プロファイルで加熱させることができるのである。 ［実施例］ 以下に、この発明の実施例を図面にもとづいて説明する
。第１図は本発明の気相はんだ付け方法に使用するため
の装置の一実施例である。第１図に示すように、はんだ
の融点以上の沸点を有する一次液体８と前記融点以下の
沸点を有する二次液体７とが、容器１の下部に設けたヒ
ータ１４の上面より高（混入されている。一次液体８と
二次液体７がヒータ１４にて加熱されると、沸点の低い
二次液体７の二次蒸気が先に発生し、容器１の中を上昇
して二次蒸気層４が形成される。容器１の上部に取付け
られた冷却コイル２に接触した二次蒸気は凝縮し、液体
となって受皿３に落下し、バイブ１７を通って二次液供
給装置１６に入り、制御装置１５の信号によって容器ｌ
ヘパイブ１８を通して戻される。さらに加熱され一次液
体８が沸点まで上昇すると、一次液体８の一次蒸気が発
生し、容器１の中央に取付けられた冷却コイル５によっ
て凝縮されるまで上昇し、一次蒸気層６が形成される。 はんだ付けするために加熱しなければならないプリント
配線板９等を載せるトレイ１３は、チェーン１２を介し
て昇降装置１１に吊着されている。制御装置１５は、予
め設定された加熱条件に基づき、容器１の一次蒸気層６
、二次蒸気層４内にトレイ１３を搬入、保持、搬出する
信号を昇降装置１１と温度制御手段１９に送る。温度制
御手段１９は、前記プリント配線板９の温度を温度検出
手段２０にて感知し、予め設定されたはんだ付けに最適
な温度プロファイルと比較し、温度差に応じて、前記ト
レイ１３の保持されている位置の補正信号や加熱および
冷却の終了信号を制御装置１１に送り、昇降装置１１を
作動させている。 第３図は温度検出手段２０の一実施例を示す側面図であ
る。第３図に示すように、プリント配線板９の温度を検
出する温度センサ２１は、クリップ２２によって前記プ
リント配線板９に挟着されている。 第４図は温度制御手段１９の一実施例をブロック図にし
たものである。第４図に示すように、温度センサ２１の
出力はアンプ２６により増幅し、コンパレータ２７に入
力されている。制御装置１５から出力される制御信号は
、インターフェイス２５からマイクロプロセッサ２３に
入力される。前記マイクロプロセッサ２３は、メモリ２
４に記録された温度プロファイルのデータを制御信号に
応じて読み出し、Ｄ／Ａ変換器２８に出力する。前記Ｄ
／Ａ変換器２８に入力された温度のデジタル信号は、ア
ナログ信号に変換され、前記コンパレータ２７に入力さ
れている前記温度センサ２１のアナログ信号と比較され
、温度差に対応したアナログ信号となってＡ／Ｄ変換器
２９に入力される。前記マイクロプロセッサ２３は、前
記Ａ／Ｄ変換器２９でデジタル信号に変換された温度差
を読み取り、予熱位置の補正量に演算して、補正信号を
出力し、さらに予熱、加熱、冷却工程における各設定温
度に達したときには、各工程の終了信号をインターフェ
イス２５を介して制御装置に出力している。 以上のように構成された装置を用いた気相はんだ付け方
法について説明する。第５図は温度制御手段の作動を示
すフローチャートである。第５図において、ＰＬ−ＰＩ
３はフローチャートの各ステップを示している。第５図
に示すように、Ｐ２で温度制御手段の起動又は停止を確
め、起動のときはＰ３以下を実行し、停止のときは温度
制御を停止する。Ｐ３ではんだ付けするために加熱され
る電子部品等が、予熱位置に搬入、保持されたことを確
める。予熱位置に保持されると、ＰＩ３で予め設定され
たサンプリングの時間に達したか確める。ＰＩ３でタイ
ムアツプ後の前記電子部品等の温度が予熱温度に達した
か確める６予熱部度以下のときは、ＰＩ３で温度プロフ
ァイルのサンプリングタイムにおける設定温度と比較し
、温度差が許容値以上にプラスになっているが確める。 前記温度がプラスになっている場合は、ＰＬ６で予熱位
置を上昇側に補正する。前記温度差がマイナスになって
いるかをＰＬ７で確める。マイナスを確認した場合は、
予熱位置を下降側に補正する。 前記温度差が許容値以内のときは、予熱位置はそのまま
保持し、予熱温度に上昇するまで前記電子部品等の温度
はサンプリングして比較、補正等を続ける。予熱温度ま
で上昇すると前記電子部品等は、ＰＬ４で加熱位置に搬
入、保持される。 Ｐ４で加熱位置に保持されたことを確め、Ｐ８で加熱温
度まで上昇したことを確認し、Ｐ９で保持時間を確かめ
る。前記加熱温度と保持時間を達成すると、ＰＩＯで前
記電子部品等は加熱位置から冷却位置（二次蒸気層４）
に上昇する。 冷却工程は、Ｐ５で前記電子部品等の冷却位置に搬入、
保持されたか確め、Ｐ６で設定されている冷却温度まで
前記電子部品等の温度が低下したかを確める。前記冷却
温度に達するとＰ７によって冷却位置から定位置まで前
記電子部品等は上昇し、停止する。 上記方法によれば予熱位置となっている一次蒸気と二次
蒸気の混合された層の温度分布が、変動しても安定した
温度プロファイルではんだ付けすることができる。さら
に設定温度まで加熱又は冷却されると次工程に移るため
、はんだ付けの処理時間が短縮される。 ［発明の効果］ この発明は、以上説明したように、電子部品の実装に用
いる気相はんだ付け方法および装置において、はんだ付
けするために加熱される電子部品の温度を検出する温度
検出手段と、前記温度をはんだ付けに最適な温度プロフ
ァイルに制御する温度制御手段により構成することによ
り、一次蒸気と二次蒸気の混合した層の形成と温度分布
、被加熱物の温度や熱容量の変動に対しても前記電子部
品は最適な温度プロファイルではんだ付けされるため、
前記電子部品の熱衝撃による信頼性の低下や、予熱温度
の変動によるチップ立ちを防止する効果がある。
搭載した電子部品をリフローはんだ付けする気相はんだ
付け方法および装置において、電子部品の温度を温度検
出手段で検出し、温度制御手段により電子部品を最適な
温度プロファイルで加熱し、電子部品の熱衝撃やチップ
立ちを防止するようにしたものである。 【従来の技術ｌ 従来の気相はんだ付け方法に使用する装置は、第２図に
示すように、はんだの融点以上の沸点を有する一次液体
８と前記融点以下の沸点を有する二次液体７とが、容器
１の下部に設けたヒータ１４の上面より高く混入されて
いる。一次液体８と二次液体７がヒータ１４にて加熱さ
れると、沸点の低い二次液体７の飽和蒸気（以下二次蒸
気という）が先に発生し、容器ｌの中を上昇して二次蒸
気層４が形成される。容器ｌの上部に取付けられた冷却
コイル２に接触した二次蒸気は凝縮し、液体となって受
皿３に落下し、パイプ１７を通って二次液供給装置１６
に入り、制御装置１５の信号によって容器ｌヘパイブ１
８を通して戻される。さらに加熱され一次液体８が沸点
まで上昇すると、一次液体８の飽和蒸気（以下一次蒸気
と、いう）が発生し、容器１の中央に取付けられた冷却
コイル５によって凝縮されるまで上昇し、一次蒸気層６
が形成される。はんだ付けされるために加熱しなければ
ならないプリント配線板９等を載せるトレイ１３は、チ
ェーン１２を介して昇降装置１１に吊着されている。制
御装置１５は予め設定された加熱条件に基づき、容器ｌ
の一次蒸気層６、二次蒸気層４内に、トレイ１３を搬入
、保持、搬出するよう昇降装置を制御する。このような
構造の気相はんだ付け装置が知られている０例えば持分
５３−４０９３４号公報にこのような従来の気相はんだ
付け方法および構造が開示されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、従来の気相はんだ付け方法および装置は、二次
液体７の供給量、冷却コイル５に流動する液体の温度又
は量、ヒータのジュール熱の変化により、一次蒸気と二
次蒸気の混合された層の形成および温度分布は変動する
。 予熱工程において前記混合された層を用いるため、温度
プロファイル制御の代用特性として、予熱位置と予熱時
間をどのように設定しても、従来方法では、予熱温度が
低い電子部品は一次蒸気層６に搬入されたとき熱衝撃を
受けて電子部品の信頼性が低下し、予熱温度の上昇が急
なときははんだが溶融してチップ立ちしたり、前記熱衝
撃を発生するという欠点があった。 そこでこの発明は、従来のこのような欠点を解決するた
め、電子部品を最適な温度プロファイルで加熱し、熱衝
撃やチップ立ちを防止する気相はんだ付け方法および装
置を提供することを目的としている。 ［課題を解決するための手段］ 上記問題を解決するために、この発明は、電子部品の実
装に用いる気相はんだ付け方法および装置において、は
んだ付けするためにトレイ１３に載せた電子部品の温度
を検出する温度検出手段と、前記温度をはんだ付けに最
適な温度プロファイルに制御する温度制御手段により構
成し、前配電子部品の熱衝撃やチップ立ちを防止するよ
うにしたものである。 （作用１ 上記のように構成された気相はんだ付け装置は、はんだ
付けするために加熱される電子部品の温度を温度検出手
段で検出し、温度制御手段により予め設定されたはんだ
付けに最適な温度プロファイルと前記温度を比較し、そ
の温度差に応じて予熱位置を温度分布の高い一次蒸気層
又は温度分布の低い二次蒸気層側へ補正するため、前記
温度プロファイルで加熱させることができるのである。 ［実施例］ 以下に、この発明の実施例を図面にもとづいて説明する
。第１図は本発明の気相はんだ付け方法に使用するため
の装置の一実施例である。第１図に示すように、はんだ
の融点以上の沸点を有する一次液体８と前記融点以下の
沸点を有する二次液体７とが、容器１の下部に設けたヒ
ータ１４の上面より高（混入されている。一次液体８と
二次液体７がヒータ１４にて加熱されると、沸点の低い
二次液体７の二次蒸気が先に発生し、容器１の中を上昇
して二次蒸気層４が形成される。容器１の上部に取付け
られた冷却コイル２に接触した二次蒸気は凝縮し、液体
となって受皿３に落下し、バイブ１７を通って二次液供
給装置１６に入り、制御装置１５の信号によって容器ｌ
ヘパイブ１８を通して戻される。さらに加熱され一次液
体８が沸点まで上昇すると、一次液体８の一次蒸気が発
生し、容器１の中央に取付けられた冷却コイル５によっ
て凝縮されるまで上昇し、一次蒸気層６が形成される。 はんだ付けするために加熱しなければならないプリント
配線板９等を載せるトレイ１３は、チェーン１２を介し
て昇降装置１１に吊着されている。制御装置１５は、予
め設定された加熱条件に基づき、容器１の一次蒸気層６
、二次蒸気層４内にトレイ１３を搬入、保持、搬出する
信号を昇降装置１１と温度制御手段１９に送る。温度制
御手段１９は、前記プリント配線板９の温度を温度検出
手段２０にて感知し、予め設定されたはんだ付けに最適
な温度プロファイルと比較し、温度差に応じて、前記ト
レイ１３の保持されている位置の補正信号や加熱および
冷却の終了信号を制御装置１１に送り、昇降装置１１を
作動させている。 第３図は温度検出手段２０の一実施例を示す側面図であ
る。第３図に示すように、プリント配線板９の温度を検
出する温度センサ２１は、クリップ２２によって前記プ
リント配線板９に挟着されている。 第４図は温度制御手段１９の一実施例をブロック図にし
たものである。第４図に示すように、温度センサ２１の
出力はアンプ２６により増幅し、コンパレータ２７に入
力されている。制御装置１５から出力される制御信号は
、インターフェイス２５からマイクロプロセッサ２３に
入力される。前記マイクロプロセッサ２３は、メモリ２
４に記録された温度プロファイルのデータを制御信号に
応じて読み出し、Ｄ／Ａ変換器２８に出力する。前記Ｄ
／Ａ変換器２８に入力された温度のデジタル信号は、ア
ナログ信号に変換され、前記コンパレータ２７に入力さ
れている前記温度センサ２１のアナログ信号と比較され
、温度差に対応したアナログ信号となってＡ／Ｄ変換器
２９に入力される。前記マイクロプロセッサ２３は、前
記Ａ／Ｄ変換器２９でデジタル信号に変換された温度差
を読み取り、予熱位置の補正量に演算して、補正信号を
出力し、さらに予熱、加熱、冷却工程における各設定温
度に達したときには、各工程の終了信号をインターフェ
イス２５を介して制御装置に出力している。 以上のように構成された装置を用いた気相はんだ付け方
法について説明する。第５図は温度制御手段の作動を示
すフローチャートである。第５図において、ＰＬ−ＰＩ
３はフローチャートの各ステップを示している。第５図
に示すように、Ｐ２で温度制御手段の起動又は停止を確
め、起動のときはＰ３以下を実行し、停止のときは温度
制御を停止する。Ｐ３ではんだ付けするために加熱され
る電子部品等が、予熱位置に搬入、保持されたことを確
める。予熱位置に保持されると、ＰＩ３で予め設定され
たサンプリングの時間に達したか確める。ＰＩ３でタイ
ムアツプ後の前記電子部品等の温度が予熱温度に達した
か確める６予熱部度以下のときは、ＰＩ３で温度プロフ
ァイルのサンプリングタイムにおける設定温度と比較し
、温度差が許容値以上にプラスになっているが確める。 前記温度がプラスになっている場合は、ＰＬ６で予熱位
置を上昇側に補正する。前記温度差がマイナスになって
いるかをＰＬ７で確める。マイナスを確認した場合は、
予熱位置を下降側に補正する。 前記温度差が許容値以内のときは、予熱位置はそのまま
保持し、予熱温度に上昇するまで前記電子部品等の温度
はサンプリングして比較、補正等を続ける。予熱温度ま
で上昇すると前記電子部品等は、ＰＬ４で加熱位置に搬
入、保持される。 Ｐ４で加熱位置に保持されたことを確め、Ｐ８で加熱温
度まで上昇したことを確認し、Ｐ９で保持時間を確かめ
る。前記加熱温度と保持時間を達成すると、ＰＩＯで前
記電子部品等は加熱位置から冷却位置（二次蒸気層４）
に上昇する。 冷却工程は、Ｐ５で前記電子部品等の冷却位置に搬入、
保持されたか確め、Ｐ６で設定されている冷却温度まで
前記電子部品等の温度が低下したかを確める。前記冷却
温度に達するとＰ７によって冷却位置から定位置まで前
記電子部品等は上昇し、停止する。 上記方法によれば予熱位置となっている一次蒸気と二次
蒸気の混合された層の温度分布が、変動しても安定した
温度プロファイルではんだ付けすることができる。さら
に設定温度まで加熱又は冷却されると次工程に移るため
、はんだ付けの処理時間が短縮される。 ［発明の効果］ この発明は、以上説明したように、電子部品の実装に用
いる気相はんだ付け方法および装置において、はんだ付
けするために加熱される電子部品の温度を検出する温度
検出手段と、前記温度をはんだ付けに最適な温度プロフ
ァイルに制御する温度制御手段により構成することによ
り、一次蒸気と二次蒸気の混合した層の形成と温度分布
、被加熱物の温度や熱容量の変動に対しても前記電子部
品は最適な温度プロファイルではんだ付けされるため、
前記電子部品の熱衝撃による信頼性の低下や、予熱温度
の変動によるチップ立ちを防止する効果がある。
第１図は、この発明の一実施例を示す気相はんだ付け方
法に使用するための装置の断面図、第２図は、従来の気
相はんだ付け装置の断面図、第３図は、この発明にかか
る温度検出手段の側面図、第４図は、この発明にかかる
温度制御手段のブロック図、第５図は、この発明にかか
る温度制御手段の作動を示すフローチャートである。 ｌ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １１ ・ １２ ・ １３ ・ ｌ ４ ・ １５ ・ ｌ ６ ・ ｌ ７ ・ ｌ ８ ・ ｌ ９ ・ ２０ ・ ２ ｌ ・ 容器 冷却コイル 受皿 二次蒸気層 冷却コイル 一次蒸気層 二次液体 一次液体 プリント配線板 昇降装置 チェーン トレイ ヒータ 制御装置 二次液供給装置 パイプ パイプ 温度制御手段 温度検出手段 温度センサ ２２ ・ ２３ ・ ２４ ・ ２５ ・ ２６ ・ ２７ ・ ２８ ・ ２９ ・ クリップ マイクロプロセッサ メモリ インターフェイス アンプ コンパレータ Ｄ／Ａ変換器 Ａ／Ｄ変換器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第１図 第２図 本発明のテ昆贋検出手没のｆ口°１面図第３図 壜戻制即手没のフ゛ロツ７ｒ２ 裏４図
法に使用するための装置の断面図、第２図は、従来の気
相はんだ付け装置の断面図、第３図は、この発明にかか
る温度検出手段の側面図、第４図は、この発明にかかる
温度制御手段のブロック図、第５図は、この発明にかか
る温度制御手段の作動を示すフローチャートである。 ｌ ・ ２ ・ ３ ・ ４ ・ ５ ・ ６ ・ ７ ・ ８ ・ ９ ・ １１ ・ １２ ・ １３ ・ ｌ ４ ・ １５ ・ ｌ ６ ・ ｌ ７ ・ ｌ ８ ・ ｌ ９ ・ ２０ ・ ２ ｌ ・ 容器 冷却コイル 受皿 二次蒸気層 冷却コイル 一次蒸気層 二次液体 一次液体 プリント配線板 昇降装置 チェーン トレイ ヒータ 制御装置 二次液供給装置 パイプ パイプ 温度制御手段 温度検出手段 温度センサ ２２ ・ ２３ ・ ２４ ・ ２５ ・ ２６ ・ ２７ ・ ２８ ・ ２９ ・ クリップ マイクロプロセッサ メモリ インターフェイス アンプ コンパレータ Ｄ／Ａ変換器 Ａ／Ｄ変換器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助第１図 第２図 本発明のテ昆贋検出手没のｆ口°１面図第３図 壜戻制即手没のフ゛ロツ７ｒ２ 裏４図
Claims (3)
- （１）はんだの融点以上の沸点を有する一次液体と、前
記融点以下の沸点を有する二次液体を容器に混入し、沸
点まで加熱して飽和蒸気を発生させ、容器の上部に沸点
の低い二次蒸気層、下部に沸点の高い一次蒸気層を形成
し、プリント配線板にクリームはんだを介して搭載した
電子部品を前記容器の中に入れ、前記電子部品等に接触
した飽和蒸気を凝縮させ、潜熱ではんだを溶融して接合
する気相はんだ付け方法において、潜熱で加熱しはんだ
付けされる電子部品等の温度を温度検出手段で検出し、
はんだ付けに最適な温度プロファイルとして設定された
温度との差に応じて、潜熱の発生量を加減する温度制御
手段により、前記電子部品等を前記温度プロファイルで
加熱することを特徴とする気相はんだ付け方法。 - （２）前記温度制御手段として、加熱するために前記容
器の飽和蒸気内に保持されている前記電子部品等の予熱
位置を制御することを特徴とする請求項（１）記載の気
相はんだ付け方法。 - （３）前記容器と、前記一次蒸気層と、前記二次蒸気層
と、前記容器内の一次蒸気層および二次蒸気層の中に、
はんだ付けされる電子部品等を搬入、保持、搬出させる
昇降装置と、加熱される電子部品等の温度を検出する温
度検出手段と、前記温度をはんだ付けに最適な温度プロ
ファイルとして規定された温度との差に応じて、潜熱の
発生量を加減する温度制御手段と、前記一次蒸気層、二
次蒸気層の形成および前記昇降装置を制御する制御装置
とを備えていることを特徴とする気相はんだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084189A JPH0679766B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 気相はんだ付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084189A JPH0679766B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 気相はんだ付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263567A true JPH02263567A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0679766B2 JPH0679766B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=13823527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084189A Expired - Lifetime JPH0679766B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 気相はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0679766B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998041352A1 (de) * | 1997-03-14 | 1998-09-24 | Asscon Systemtechnik Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung von werkstücken mit heissem dampf |
| JP2010153656A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tdk-Lambda Corp | 半田付け装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63154261A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-27 | Fujitsu Ltd | 気相半田付け装置 |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP1084189A patent/JPH0679766B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63154261A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-27 | Fujitsu Ltd | 気相半田付け装置 |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO1998041352A1 (de) * | 1997-03-14 | 1998-09-24 | Asscon Systemtechnik Elektronik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur wärmebehandlung von werkstücken mit heissem dampf |
| JP2010153656A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Tdk-Lambda Corp | 半田付け装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0679766B2 (ja) | 1994-10-12 |
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