JPH02264759A - 新規なキノリン誘導体およびその塩 - Google Patents

新規なキノリン誘導体およびその塩

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JPH02264759A
JPH02264759A JP1085458A JP8545889A JPH02264759A JP H02264759 A JPH02264759 A JP H02264759A JP 1085458 A JP1085458 A JP 1085458A JP 8545889 A JP8545889 A JP 8545889A JP H02264759 A JPH02264759 A JP H02264759A
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成田 弘和
Yozo Todo
藤堂 洋三
Jun Nitta
純 新田
Hiroyasu Takagi
高木 宏育
Fumihiko Iino
飯野 文彦
Mikako Miyajima
宮島 三香子
Yoshikazu Fukuoka
福岡 義和
Isamu Saikawa
才川 勇
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、−数式 [式中、R1は水素原子またはカルボキシル保護基を:
R2はハロゲン原子、アルコキシ基、保護されていても
よいヒドロキシル基、保護されていてもよいアミノ基、
保護されていてもよい低級アルキルアミノ基またはジー
低級アルキルアミノ基を、R3は水素原子、低級アルキ
ル基、保護されていてもよいアミノ基、保護されていて
もよい低級アルキルアミノ基、ジー低級アルキルアミノ
基、保護されていてもよいカルボキシル基、保護されて
いてもよいアミン低級アルキル基、保護されていてもよ
い低級アルキルアミノ低級アルキル基、ジー低級アルキ
ルアミノ低級アルキル基および保護されていてもよいヒ
ドロキシ低級アルキル基から選ばれる1つ以上の基を:
R4は置換されていてもよい低級アルキル、低級アルケ
ニル、シクロアルキルまま たはアリール基を;X およびX2はハロゲン原子を示
す。」 で表わされる新規なキノリン誘導体およびその塩に関す
る。
本発明の目的は、グラム陰性菌およびグラム陰性菌、と
りわけ抗生物質耐性菌に対して強力な抗菌作用を発揮す
るとともに、経口的または非経口的投与により高い血中
濃度を示し、かつ安全性が高いなどの優れた性質を有す
る一般式[I]で表わされる新規なキノリン誘導体およ
びその塩を提供することにある。
[従来の技術] 従来、キノロン系合成抗菌剤としてノルフロキサシン、
エノキサシン、オフロキサシンなどが広く臨床で用いら
れているが、抗菌力においていまだ不十分な面が見られ
る。
[発明が解決しようとする課題] そのため、グラム陰性菌およびグラム陰性菌、とりわけ
抗生物質耐性菌に対しても有効で広範囲の抗菌スペクト
ルを有すると同時に、溶解性に優れ、高い血中濃度を示
し、かつ中枢系への作用のないなど安全性の高い合成抗
菌剤の開発が望まれていた。
[課題を解決するための手段] このような状況下において、本発明者らは鋭意研究を行
った結果、−数式[I]のキノリン誘導体およびその塩
が、上記の目的を連成することを見出し、本発明を完成
するに至った。
なお、本明細書において特にことわらないがぎり、ハロ
ゲン原子とは、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子またはヨウ素原子などを;アルキル基とは、たとえ
ば、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、インブチル、se叶アブチルtert−ブチ
ル、ペンチル、ヘキシルまたはオクチルなどのCアルキ
ル基を:低1〜10 級アルキル基とは、たとえば、上記したアルキル基のう
ちCアルキル基を;低級アルケニル1〜5 基とは、たとえば、ビニル、アリル、1−プロペニルま
たは1−ブテニルなどのCアルケニ2〜5 ル基を:アルコキシ基とは、たとえば、−〇−アルキル
基(アルキル基は、上記したC   アル1〜10 キル基を示す。)を;アリール基とは、たとえば、フェ
ニルまたはナフチルなどの基を;低級アルキルアミノ基
とは、たとえば、メチルアミン、エチルアミノまたはプ
ロピルアミノなどのCア1〜5 ルキルアミノ暴をニジー低級アルキルアミノ基とは た
とえば、ジメチルアミノなどのジーCアルキルアミノ基
を;アミノ低級アルキ1〜5 ル基とは、たとえば、アミノメチル、アミノエチルまた
はアミノプロピルなどのアミノ−C1〜5アルキル基を
:低級アルキルアミノ低級アルキル基とは、たとえば、
メチルアミノメチル、メチルアミノエチル、エチルアミ
ンメチル、メチルアミノプロピルまたはプロピルアミン
エチルなどのCアルキルアミノ−Cアルキル基を; 1〜5         1〜5 ジ一低級アルキルアミノ低級アルキル基とは、たとえば
、ジメチルアミンメチル、ジエチルアミノメチル、ジエ
チルアミノエチルまたはジメチルアミノプロピルなどの
ジーCアルキルアミノ1〜5 −Cアルキル基を:ヒドロキシ低級アルキ1〜5 ル基とは、たとえば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエ
チルまたはヒドロキシプロピルなどのヒドロキシ−〇 
  アルキル基を:ハロゲノ低級71〜5 ルキル基とは、たとえば、クロロメチル、ブロモメチル
、ジクロロメチル、トリクロロメチル、クロロエチル、
ジクロロエチル、トリクロロエチルまたはクロロプロピ
ルなどのハロゲノ−C1〜5アルキル とえば、−CO−O−アルキル基(アルキル基は、上記
したC1〜1oアルキル基を示す。)を;アシルアミノ
基とは、たとえば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、
プロピオニルアミノまたはブチリルアミノなどの01〜
4アシルアミノ基をニアシルオキシ基とは、たとえば、
ホルミルオキシ、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ
またはブチリルオキシなどのC   アシルオキシ基を
;シフ1〜4 0アルキル蟇とは、たとえば、シクロプロピル、シクロ
ブチル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルなどのC
   シクロアルキル基をそれぞれ3〜6 意味する。
以下に、本発明の詳細な説明する。
−数式[I]のキノリン誘導体およびその塩において、
R4における置換基としては、ハロゲン原子;シアノ基
:カルボキシル基;ヒドロキシル基;アミノ基;アルキ
ル基;アルコキシ基:アルコキシ力ルボニル基;アリー
ル基ニジクロアルキル基;アシルアミノ基ニアシルオキ
シ基;低級アルケニル基;ハロゲノ低級アルキル基:低
級アルキルアミノ%:およびジ−低級アルキルアミノ基
などが挙げられ、R4はこれら一種以上の置換基で置換
されていてもよい。
カルボキシル保護基としては、たとえば、接触還元、化
学的還元もしくはその他の緩和な条件で処理することに
より脱離するエステル形成基;生体内において容易に脱
離するエステル形成基;または水もしくはアルコールで
処理することにより容易に脱離する有機シリル、有機リ
ンもしくは有機スズ基などの特開昭59−80665号
に記載されたカルボキシル保護基などが挙げられる。
アミノ基、低級アルキルアミノ基、アミン低級アルキル
基および低級アルキルアミノ低級アルキル基の保畏基と
しては、通常当該分野で使用される保護基が挙げられ、
たとえば、ホルミル、アセチル、ベンジルおよび特開昭
59−80665号に記載された通常のアミノ保護基な
どが挙げられる。
ヒドロキシル基およびヒドロキシ低級アルキル基の保8
基としては、通常当該分野で使用される保ff1%が挙
げられ、たとえば、水またはアルコールで処理すること
により容易に脱離する有機シリル基並びにホルミル、ア
セチルおよびベンジルなどの特開昭59− 80665
号に記載された通常のヒドロキシル保護基などが挙げら
れる。
−数式[I]のキノリン誘導体の塩としては、通常知ら
れているアミノ基などの塩基性基またはヒドロキシルも
しくはカルボキシル基などの酸性基における塩を挙げる
ことができる。塩基性基にあける塩としては、たとえば
、塩酸、臭化水素酸もしくは硫酸などの鉱駿との塩;酒
石酸、ギ酸、クエン酸、1〜リクロロ酢駿もしくはトリ
フルオロ酢酸などの有機カルボン酸との塩:またはメタ
ンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−1〜ルエンス
ルホン酸、メシチレンスルホン酸もしくはナフタレンス
ルホン酸などのスルホン酸との塩を、また、酸性基にお
ける塩としては、たとえば、ナI〜リウムもしくはカリ
ウムなどのアルカリ金属との塩:カルシウムもしくはマ
グネシウムなどのアルカリ土類金属との塩:アンモニウ
ム塩;またはトリメチルアミン、1−リエチルアミン、
トリブチルアミン、ピリジン、N,N−ジメチルアニリ
ン、N−メチルピペリジン、N−メチルモルホリン、ジ
エチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、プロ力イン、
ジベンジルアミン、N−ベンジル−β−フェネチルアミ
ン、1−エフエナミンもしくはN。
N′−ジベンジルエチレンジアミンなどの含窒素有機塩
基との塩を挙げることができる。
また、−数式[11のキノリン誘導体およびその塩にお
いて、異性体(たとえば、光学異性体、幾何異性体、互
変異性体など)が存在する場合、本発明は、それらすべ
ての異性体を包含し、また、溶媒和物、水和物およびす
べての結晶形を包含する。
つぎに、−数式[I]のキノリン誘導体およびその塩の
製造法について説明する。
−数式[ilのキノリン誘導体およびその塩は、自体公
知の方法を組み合わせることによって得ることができる
が、たとえば、以下に示す製造ルートにしたがって製造
することができる。
(以下余白) [Iblまたはその塩 [IC]またはその塩 [式中、R、R、R、X  およびX2は前記したと同
様の意味を:R1aはR1と同様のカルボキシル保護基
を二R2aはR2と同様のハロゲン原子を:R2bはR
2と同様のアルコキシまたは保護されていてもよいヒド
ロキシル基を;R2°はR2と同様の保護されていても
よいアミノ、保護されていてもよい低級アルキルアミノ
またはジー低級アルキルアミノ基を示す。」−数式[n
]、[I[1]、[IV]、[V]、[VI]、[VI
コ、[Iaコ、[Iblおよび[IC]の化合物の塩と
しては、−数式CI]の化合物の塩で説明したと同様の
塩が挙げられる。
ついで、本発明化合物の製造法を前述の製造ルートにし
たがってざらに詳細に説明する。
(1)  −数式fI[l]の化合物またはその塩は、
−数式[I[]の化合物またはその塩を通常当該分野で
使用されるケトエステル化反応に付すことによって得る
ことができる。
1)  たとえば、−数式[II]の化合物またはその
塩のカルボキシル基を塩化チオニルなどのハロゲン化剤
で酸ハライドに誘導した後、マロン酸ジエステルのナト
リウムまたはエトキシマグネシウムなどの金属塩と反応
させ、含水溶媒中、叶トルエンスルホン酸またはトリフ
ルオロ酢酸を用いて部分的にカルボキシル保護基を脱離
および脱炭酸反応に付すことによって、−数式[I[I
]の化合物またはその塩に誘導することができる。
酸ハライドとマロン酸ジエステルの金属塩との反応で使
用される溶媒としては、反応に悪影響をおよぼさないも
のであれば特に限定されないが、たとえば、ベンゼン、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素類ニジオ
キサン、テトラヒドロフランおよびジエチルエーテルな
どのエーテル類:塩化メチレン、クロロホルムおよびジ
クロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類:並びにN。
N−ジメチルホルムアミドおよびN、N−ジメチルアセ
1〜アミドなどのアミド類などが挙げられ、また、これ
らの溶媒を一種または二種以上混合して使用してもよい
マロン酸ジエステルの金属塩の使用量は、−数式[II
]の化合物の酸ハライドに対して、等モル以上、好まし
くは、1〜3倍モルである。
この反応は、通常、−50〜100℃で、5分〜30時
間実施すればよい。
(iil  別法として、たとえば、アンゲバンテ・ヘ
ミ・インターナショナル・エデイジョン・イン・イン’
j ’) ツシュ(Angew、Chem、Int、E
d、Enc+1. )第18巻、第72頁(1979年
)に記載の方法に準じて、−数式[■]の化合物または
その塩のカルボキシル基を、たとえば、N、N−一カル
ボニルジイミダゾールで活性酸アミドに誘導した後、マ
ロン酸モノエステルのマグネシウム塩と反応させ、−数
式[1]の化合物またはその塩を得ることもできる。
活性酸アミドとマロン酸モノエステルのマグネシウム塩
との反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をお
よぼざないものであれば特に限定されないが、具体的に
は前述の(1) (i)と同様の溶媒が挙げられる。
N、N”−カルボニルジイミダゾールおよびマロン酸モ
ノエステルのマグネシウム塩の使用量は、−数式[n]
の化合物またはその塩に対して、それぞれ等モル以上、
好ましくは、1〜2倍モルでおる。
この反応は、通常、0〜100℃、好ましくは、10〜
80℃で、5分〜30時間実施すればよい。
(2) (i>  −数式[V]の化合物またはその塩
は、−数式[I11]の化合物またはその塩に、無水酢
酸中、オルトギ酸メチルまたはオルトギ酸エチルを反応
させた後、−数式[IV]の化合物またはその塩を反応
させることによって得ることができる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をお
よぼさないものであれば特に限定されないが、たとえば
、ベンゼン、1〜ルエンおよびキシレンなどの芳香族炭
化水素類;ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソー
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテルおよびジメ
チルセロソルブなどのエーテル頌:メタノール、エタノ
ールおよびプロパツールなどのアルコール類;塩化メチ
レン、クロロホルムおよびジクロロエタンなどのハロゲ
ン化炭化水素類:N、N−ジメチルホルムアミドおよび
N、N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;並びに
ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類などが挙げ
られ、また、これらの溶媒を一種または二種以上混合し
て使用してもよい。
オルトギ酸メチルまたはオルトギ酸エチルの使用量は、
−数式[I[1]の化合物またはその塩に対して、それ
ぞれ等モル以上、好ましくは、約1〜10倍モルである
この反応は、通常、0〜150℃、好ましくは、50〜
150℃で、20分〜50時間実施すればよい。
ついで、−数式[IV]の化合物またはその塩を反応さ
せるには、この−数式[IV]の化合物またはその塩を
一般式[I11]の化合物またはその塩に対して、等モ
ル以上使用し、通常、0〜100℃、好ましくは、10
〜60℃で、20分〜30時間実施すればよい。
(11)別法として、−数式[I[1]の化合物または
その塩に、N、N−ジメチルホルムアミドジメチルアセ
タールまたはN、N−ジメチルホルムアミドジエチルア
セタールなどのアセタール類を反応させた後、−数式[
IV]の化合物またはその塩を反応させて、−数式[V
]の化合物またはその塩へ誘導することもできる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をあ
よぼざないものであれば特に限定されないが、具体的に
は前述の(2) (i)と同様の溶媒が挙げられる。
アセタール類の使用量は、−数式[I[1]の化合物ま
たはその塩に対して、等モル以上、好ましくは、約1.
0〜5.0倍モルである。
この反応は、通常、0〜100℃、好ましくは、50〜
85℃で、20分〜50時間実施すればよい。
ついで、−数式[IV]の化合物またはその塩を反応さ
せるには、この−数式[IV]の化合物またはその塩を
一般式[1[[]の化合物またはその塩に対して、等モ
ル以上使用し、通常、0〜100°C1好ましくは、1
0〜60℃で、20分〜30時間実施すればよい。
得られた一般式[V]の化合物またはその塩は、単離せ
ずに、そのままつきの反応に用いてもよい。
(3)  −数式[Ia]の化合物またはその塩は、−
数式[VIの化合物またはその塩を、フッ化塩もしくは
mWの存在下または不存在下に閉環反応に付すことによ
って得ることができる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をお
よぼさない溶媒であれば特に限定されないが、たとえば
、N、N−ジメチルホルムアミドおよびN、N−ジメチ
ルアセトアミドなどのアミド類ニジオキサン、アニソー
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテルおよびジメ
チルセロソルブなどのエーテル類;並びにジメチルスル
ホキシドなどのスルホキシド類などが挙げられ、ま、た
、これらの溶媒を一種または二種以上混合して使用して
もよい。
この反応で必要に応じて用いられるフッ化塩としては、
たとえば、フッ化ナトリウムまたはフッ化カリウムなど
が挙げられ、所望に応じて用いられる塩基どしては、た
とえば、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、カリウム
tert−ブ1−キシドまたは水素化ナトリウムなどが
挙げられ、それらの使用量は、−数式[VIの化合物ま
たはその塩に対して、それぞれ等モル以上、好ましくは
、1.0〜1.5倍モルでおる。
この反応は、通常、0〜180℃で、5分〜30時間実
施すればよい。
(4)  −数式[Ib]の化合物またはその塩は、塩
基の存在下または不存在下、−数式CIaEの化合物ま
たはその塩に、−数式[VI]のアルコール類またはそ
の塩を反応させることによって得ることができる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をお
よぼさない溶媒であれば特に限定されないが、たとえば
、ベンゼン、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化
水素類;ジオキサン、テトラヒドロフランおよびジエチ
ルエーテルなどのエーテル類;塩化メチレン、クロロホ
ルムおよびジクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素類
;アセトニトリルなどのニトリル類;並びにN、N−ジ
メチルホルムアミドおよびN、N−ジメチルアセトアミ
ドなどのアミド類などが挙げられ、また、これらの溶媒
を一種または二種以上混合して使用してもよい。
また、この反応で所望に応じて用いられる34.lとし
ては、たとえば、ナトリウム、カリウム、カリウムte
rt−ブトキシドまたは水素化ナトリウムなどが挙げら
れる。
一般式[Vl]のアルコール類またはその塩および所望
に応じて用いられる塩基の使用」は、−数式[工a]の
化合物またはその塩に対して、それぞれ等モル以上であ
る。
この反応は、通常、0〜150℃で、10分〜20時間
実施すればよい。
(5)  −数式[11の化合物またはその塩は、塩基
の存在下または不存在下、−数式[Ia]の化合物また
はその塩に一般式[VI[]のアミン類またはその塩を
反応させることによって得ることができる。
この反応で使用される溶媒としては、反応に悪影響をお
よぼさないものであれば特に限定されないが、たとえば
、前述の(4)と同様の溶媒が争げられる。
また、この反応で必要に応じて用いられる塩基としては
、たとえば、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチル
アミン、1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]ウン
デク−7−エン(DBU>、ピリジン、カリウムter
t−ブトキシド、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムまたは
水系化ナトリウムなどの有機または無機塩基が挙げられ
る。
−数式[vIiのアミン類またはその塩の使用量は、−
数式[ia]の化合物またはその塩に対して、好ましく
は、2〜10倍モルでおるが、塩基を適宜使用すること
によって一般式[VH]のアミン類またはその塩の使用
量を減らすことができる。
この反応は、通常、O〜150′Q、好ましくは、15
〜100°Cで、5分〜30時間実施すればよい。
上でjホへた製造法にあける一般式[II]、[l11
1、[IV]、[Vコ、[Vl] オヨヒ[VI[] 
ノを合物において、異性体(たとえば、光学異性体、幾
何異性体、互変異性体など)が存在する場合、これらす
べての異性体を使用することができ、また、溶媒和物、
水和物およびすべての結晶形を使用することができる。
一般式[nl、[I11]、[IV]、[V]、[VI
]および[VI]の化合物において、アミノ基、ヒドロ
キシル基またはカルボキシル基を有する化合物は、あら
かじめこれらの基を通常の保mlで保護しておき、反応
後、必要に応じて自体公知の方法でこれらの保護基を脱
離することもできる。
また、−数式[I]の化合物またはその塩を、たとえば
、酸化反応、還元反応、転位反応、置換反応、ハロゲン
化反応、脱水反応および加水分解反応などの自体公知の
方法に付すことによって、またはそれらを適宜組み合わ
せることによって、他の一般式[I]の化合物またはそ
の塩に変換することができる。
なお、本発明化合物を製造するための原料である一般式
[nlの化合物またはその塩は、新規化合物であり、自
体公知の方法を組み合わせることによって得ることがで
きるが、たとえば、つぎに示す製造ルー1へにしたがっ
て製造することができる。
(以下余白) [ffC]またはその1! 1   1a   2a   1 「式中、R、R、R、X  およびX2は前記したと同
様の意味を有し;RlbはR1と同様のカルボキシル保
護基を;R3aは水素原子またはR3と同様の保護され
ていてもよいアミン、保護されていてもよい低級アルキ
ルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、保護されていても
よいアミノ低級アルキル、保護されていてもよい低級ア
ルキルアミノ低級アルキル、ジ低級アルキルアミノ低級
アルキルもしくは保護されていてもよいヒドロキシ低級
アルキル基を:R3bはRと同様の低級アルキル基を;
R30は水素原子またはR3と同様の低級アルキル基を
示す。」−数式[IX]、[X]まタハ[XVI] (
7)化合物もしくはそれらの塩において、2つのRlb
は同一または異なっていてもよい。
一般式[■]、[IX]、[Xi ]、[X[]、[刈
]、[習]、[XV]、[X Vl ]、[X Vl 
]、[IIa]、[■b]およヒ[I[c](7)化合
物ノ塩としては、−数式[I]の化合物の塩で説明した
と同様の塩が挙げられる。
また、−数式[IX]および[XI]の化合物の活性メ
チレンの塩としては、たとえば、ナトリウム、カリウム
またはリチウムなどのアルカリ金属との塩が挙げられる
ついで、−数式[II]の化合物またはその塩の製造法
を前述の製造ルートにしたがってざらに詳細に説明する
一般式[■]の化合物またはその塩を米国特許第3.5
90.036号に記載の方法に準じて、−数式[IX]
の化合物またはその塩と反応させることによって、−数
式[X]の化合物またはその塩に誘導し、これを通常の
方法によって、脱保護および脱炭酸反応を行い、ついで
、カルボキシル保護基を導入することによって、−数式
[XI]の化合物またはその塩に誘導することができる
これをケーミシエ・ベリヒテ(Chem、 t3er、
 )第99巻、第2407頁(1966年)に記載の方
法に準じて、−数式[x1]の化合物またはその塩に誘
導することができる。
ざらに、−数式[XI[]の化合物またはその塩をジア
ゾアルカンと反応させることによって、−数式[X1l
l]の化合物またはその塩に誘導することができる。
一般式[IIalの化合物またはその塩は、−数式[冷
]の化合物またはその塩を、脱保護反応、還元反応、ア
ミノ化反応、クルチウス(CurtiUS)反応もしく
はアルキル化反応などの自体公知の反応に付すことによ
って、またはこれらの反応を適宜組み合せることによっ
て得ることができる。
−数式[IIb]の化合物ま・たはその塩は、−数式[
XI[]の化合物またはその塩を、通常の方法により、
脱保護および脱炭酸反応に付すことによって、−数式[
XV]の化合物またはその塩に誘導し、ついで、これを
ジアゾアルカンと1.3−双極子付加反応を行い、ざら
に加熱層窒素反応させることによって得ることができる
また、別法として一般式[IIb]の化合物またはその
塩は、通常の方法によって、−数式[XI]の化合物も
しくはその塩または一般式[XI]の化合物もしくはそ
の塩を水素化ナトリウムなどのj温基存在下に、ヨウ化
トリメチルスルホキソニウムと反応させ、−数式E店]
の化合物またはその塩に誘導し、ついで、これを通常の
脱保護および脱炭酸反応に付しても得ることができる。
−数式[XV]の化合物またはその塩を臭素化または塩
素化反応に付した後、たとえば、1.8−ジアザビシク
ロ−[5,4,0]ウンデク−7−エン(DBU>など
の塩基を作用させ、ついで、−数式[IX]の化合物ま
たはその塩を反応させ、−数式[X Vl ]の化合物
またはその塩に誘導し、ついで、これを通常の脱保護お
よび脱炭酸反応に付し、ざらに、カルボキシル保ff1
lを導入することによって、−数式[X VI ]の化
合物またはその塩に誘導することができる。ざらに、−
数式[X Vl ]の化合物またはその塩を、脱保護反
応、還元反応、アミノ化反応、クルチウス反応もしくは
アルキル化反応などの自体公知の反応に付すことによっ
て、またはこれらの反応を適宜組み合わせることによっ
て、−数式[IIalの化合物またはその塩を得ること
ができる。
上で述べた製造法における一般式[■]、[IX]、[
X]、[X1]、[X[]、[Xl]、[XM]、[X
V]、[X Vl ]および[XVI](7)化合物に
おいて、異性体くたとえば、光学異性体、幾何異性体、
互変異性体など)が存在する場合、これらすべての異性
体を使用することができ、また、溶媒和物、水和物およ
びすべての結晶形を使用することができる。
ざらに、−数式[■]、[X]、[XI]、[X1]、
[XI]、[)IN]、[店]、[X VI ]および
[X VI ]の化合物において、アミノ基、ヒドロキ
シル基またはカルボキシル基を有する化合物は、あらか
じめこれらの基を通常の保護基で保護しておき、反応後
、必要に応じて自体公知の方法でこれらの保護基を脱離
することもできる。
このようにして得られた一般式[I]の化合物およびそ
の塩は、抽出、晶出、カラムクロマトグラフィーなどの
常法にしたがって単離精製することができる。
本発明化合物を医薬として用いる場合、通常製剤化に使
用される賦形剤、担体および希釈剤などの製剤助剤を適
宜混合してもよく、これらは常法により、錠剤、カプセ
ル剤、散剤、シロップ剤、細粒剤、顆粒剤、乳剤、懸濁
剤、乳剤、液剤、粉体製剤、坐剤、軟青剤または注射剤
などの形態で経口または非経口で投与することができる
。また投与方法、投与量および投与回数は患者の年齢、
体重および症状に応じて適宜選択することができ、通常
成人に対しては、経口または非経口(たとえば、注射、
点滴、直腸部位への投与など)的投与ニヨリ、1日、o
、i 〜ioo m5iK9を1回から数回に分割して
投与すればよい。
つぎに、本発明の代表的化合物についての薬理作用につ
いて述べる。
1、抗菌作用 試験方法 日本化学療法学会標準法Uケモテラビー(CHEMOT
HERAPY)第29巻、第1号、第76〜79頁(1
981年)]にしたがい、ハート・インフュージョン・
ブロース(Heart Infusion broth
)(米研化学社製)で37°Cl2O時間培養し、菌量
を106個/成に調整した菌液1白金耳を、被検化合物
を含むハートインフュージョン・アガー(HeartI
nfLISiOn a!1llar)培地(米研化学社
製)に接種し、37°Cで20時間培養した後、菌の発
育の有無を観察し、菌の発育が阻止された最少濃度をも
ってMIC(埒/ml)とした。
その結果を表−1に示す。
表−1中のR、RおよびR4は、それぞれつぎの式 で表わされる化合物の置換基を示す。
:発明の効果] 以上の結果から、本発明化合物は、優れた抗菌作用を発
揮することが容易に理解できる。
[実施例] つぎに本発明化合物の製造法を具体的に参考例および実
施例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
なお、溶離液における混合比は、すべて容量比であり、
また、カラムクロマトグラフィーにおける担体は、キー
ゼルゲル60、アート、 7734(にieselge
l 60、Art、7734 (メルク社製)を用いた
また、以下に使用される略号はつぎの意味を有する。
Me;メチル Et:エチル Φ;フェニル Z;ベンジルオキシカルボニル また、文中および表中の[]は、再結晶溶媒を示す。
参考例1 60%水素化ナトリウム10.29@N、N−ジメチル
ホルムアミド500 rnlに懸濁させ、氷冷下、マロ
ン酸ジーtert−ブチルエステル55.09を1時間
を要して滴下し、同温度で10分間撹拌した後、ペンタ
フルオロ安息香酸メチルエステル48.09を加え、室
温で2時間撹拌する。反応液を水11および酢酸エチル
400 mの混合溶媒に加え、6N塩鍍でpH3に調整
した後、有機層を分取する。分取した有機層を水および
飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物を
トリフルオロ酢酸150dに溶解させ、室温で20時間
撹拌する。減圧下に反応液を濃縮した後、得られた残留
物にジエチルエーテル200威および水600 miを
加え、有機層を分取する。分取した有機層を水および飽
和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にト
ルエン50m!!を加え、1.5時間速流する。
減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物にn−へキサ
ンを加えて結晶を戸取すれば、4−カルボキシメチル−
2,3,5,6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステ
ル31.3g(収率55.5%)を得る。
IR(KBr)cm−1ニジc=o 1735.172
0(sh)参考例2 4−カルボキシメチル−2,3,5,6−テトラフルオ
ロ安息香酸メチルエステル31.39をジエチルエーテ
ル5(7に溶解させ、室温でジフェニルジアゾメタン−
石油エーテル溶液を赤色が消失しなくなるまで滴下する
。析出結晶をi月収すれば、4−ジフェニルメトキシカ
ルボニルメチル−2゜3.5.6−テトラフルオロ安息
香酸メチルエステル48.69(収率95.7%)を得
る。
)R(にBr)ca−1: シ1730C=0 参考例3 4−ジフェニルメトキシカルボニルメチル−2゜3.5
.6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル48.6
9をN、N−ジメチルホルムアミド486dに溶解させ
、バラホルムアルデヒド3.5旬およびナトリウムメチ
ラート61mgを加えた後、室温で2時間撹拌する。反
応液に酢酸エチル300 m1aよび水800 rdを
加え、有演層を分取する。分取した有機層を水および飽
和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物をカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液;1−ルエン:酢酸エ
チル=10:1)で精製すれば、4−(1−ジフェニル
メトキシカルボニル−2−ヒドロキシエチル)−2,3
゜5.6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル35
.0y (収率67.0%)を得る。
IRに−ト) cm” ニジ  1735C=O 参考例4 4−(1−ジフェニルメトキシカルボニル−2−ヒドロ
キシエチル)−2,3,5,6−テトラフルオロ安息香
酸メチルエステル35.09を塩化メチレン175dに
溶解させ、水冷下、メタンスルホニルクロリド7.9g
を加えた後、トリエチルアミン16.8SFを10分間
を要して滴下し、同温度で1時間撹拌する。反応液に水
200 mを加え、2N塩酸でpH1に調整した後、有
機層を分取する。分取した有機層を水および飽和食塩水
で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させる
。減圧下に溶媒を留去すれば、4−(1−ジフェニルメ
トキシカルボニルビニル)−2,3,5,6−テトラフ
ルオロ安息香酸メチルエステル33.09 (収率97
.9%)を得る。
IRに−ト) cm−1: v   1730C:O 参考例5 4−(1−ジフェニルメトキシカルボニルビニル)−2
,3,5,6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル
3.2gをアニソール15dに溶解させ、トリフルオロ
酢酸15dを加えた後、空温で1時間撹拌する。減圧下
に反応液を濃縮し、得られた残留物にn−ヘキサン20
威を加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液でpH7,5
に調整した後、水層を分取する。分取した水層に酢酸エ
チル50m1を加え、6N塩酸でpH1に調整した後、
有機層を分取する。
分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を
留去すれば、4−(1−力ルボキシビニル)−2,3,
5,6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル1.9
 g (収率95.0%)を得る。
IR(KBr)cm−1; v  1730.1695
C=O 参考例6 4−(1−カルボキシビニル 6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル3.09を
N,N−ジメチルホルムアミド2(7に溶解させ、13
0〜140℃で1.5時間撹拌する。減圧下に反応液を
濃縮し、得られた残留物をカラムクロマトグラフィー(
溶離液;トルエン:n−ヘキサン=1:1)で精製すれ
ば、2,3,5.6−テトラフルオロ−4−ビニル安息
香酸メチルエステル2、0 9 (収率79.1%)を
得る。
II(にート) cm−1;ν  1740C=O 参考例7 2、3,5.6−テトラフルオロ−4−ビニル安息香酸
メチルエステル2.03をジエチルエーテル10mlに
溶解させ、水冷下、N−メチル−N−ニトロソウレア3
.0gからiJl製した、ジアゾメタン−ジエチルエー
テル溶液を加えた後、空温で2時間撹拌する。減圧下に
反応液を濃縮し、得られた残留物をギシレン15dに溶
解させ、1時間遠流する。減圧下に溶媒を留去すれば、
4−シクロプロピル−2.3,5.6−テトラフルオロ
安息香酸メチルエステル2.1 9 (収率99.1%
)を得る。
IRにート) cm−’ : v   1735C=O 参考例8 60%水素化ナトリウム3.73をN,N−ジメチルホ
ルムアミド330 mに懸濁させ、水冷下、ヨウ化トリ
メチルスルホキソニウム20. 2 gを加え、至どで
1時間撹拌した後、4−(1−ジフェニルメトキシカル
ボニルビニル)−2.3,5.6−テ1〜ラフルオロ安
息香酸メチルエステル33.09を加え、同温度で2時
間撹拌する。反応液に酢酸エチル300 rIIlおよ
び水900 mlを加え、2NWIでl)81に調整し
た後、有機層を分取する。分取した有機層を水および飽
和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物をカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液;トルエン)で精製す
れば、4−(1−ジフェニルメトキシカルボニルシクロ
プロピル)−2.3,5.6−テトラフルオロ安息香酸
メチルエステル22.5g(収率66、1%)を得る。
IR にート) cm−1: v   1735C=O 参考例9 4−(1−ジフェニルメトキシカルボニルシクロプロピ
ル)−2.3.5.6−テトラフルオロ安息香酸メチル
エステル22. 5 9をアニソール60mlに溶解さ
せ、トリフルオロ酢酸807を加えた後、空温で2時間
撹拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物に
n−ヘキサンを加えて結晶を沼取すれば、4− (1−
カルボキシシクロプロピル)−2.3,5.6−テトラ
フルオロ安息香酸メチルエステル12.7g(収率88
.8%)を得る。
IR (KBr)cm−’ : v  1γ45.16
90C=O 参考例10 4−(1−カルボキシシクロプロピル)−2。
3、5.6−テ1〜ラフルオロ安息香酸メチルエステル
500 1n9をバーナー直火で約20秒間反応させ、
脱炭酸を完結させる。得られた残留物をカラムクロマト
グラフィー(溶離液:トルエン)で精製すれば、4−シ
クロプロピル−2,3,5,6−テトラフルオロ安息香
酸メチルエステル210 mg (収率49.5%)を
得る。
この化合物の物性は、参考例7で得られたものと一致し
た。
参考例11 4−(1−カルボキシシクロプロピル)−2゜3.5.
6−テトラフルオロ安息香酸メチルエステル9.0gを
N、N−ジメチルホルムアミド90ml1に溶解させ、
水冷下、クロル炭酸エチル4.0gおよびトリエチルア
ミン3.7gを加えた後、同温度で30分間撹拌する。
ついで、水冷下、アジ化ナトリウム2.69を加え、同
温度で1時間撹拌する。
反応液に酢酸エチル150 dcl:iよび水300m
1を加え、2N塩酸でpH1に調整した後、有機層を分
取する。
分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した後
、無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を
留去し、得られた残留物をジオキサン90威およびベン
ジルアルコール8.19の混合溶媒に溶解させ、1時間
還流する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物を
カラムクロマトグラフィー(溶離液:トルエン)で精製
すれば、4−(1−ベンジルオキシカルボニルアミノシ
クロプロピルル 香酸メチルエステル10.69 (収率86.9%)を
得る。
IR(にBr) cm−1ニジ 1740, 1700
C:O 参考例12 4−(1−ベンジルオキシカルボニルアミノシクロプロ
ピル)−2.3,5.6−テトラフルオロ安息香酸メチ
ルエステル1.8gをメタノール14ばおよびジオキサ
ン1h12の混合溶媒に溶解させ、1N水酸化ナトリウ
ム水溶液14dを加えた後、空温で1時間撹拌する。反
応液に水50miを加え、2N塩酸でpH1に調整した
後、酢酸エチル50mlを加え、有機層を分取する。分
取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留
去し、得られた残留物にn−ヘキサンを加えて結晶をン
月収すれば、4−(1−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノシクロプロピル ルオロ安息香酸1.7 (j (収率97.7%)を得
る。
IR(KBr) cm−1: シ1735C:O 同様にして、つぎの化合物を得る。
04−シクロプロピル−2.3,5.6−テトラフルオ
ロ安息香酸 IR(にBr) cm−1; シ1705C:O 参考例13 (1)4−(1−ベンジルオキシカルボニルアミノシク
ロプロピル)−2.3.5.6−テトラフルオロ安息香
M1.50(jに塩化チオニル4.669およびN,N
−ジメチルホルムアミド0.1dを加え、40〜50℃
で1時間撹拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた
残留物をトルエン20mに溶解させる。
(2) 60%水素化ナトリウム470 mgを無水テ
トラヒドロフラン10dに懸濁させ、水冷下、tert
−ブチル=エチル=マロナート2.20gを15分間を
要して)西下した後、同温度で20分間撹拌する。つい
で、反応液を一20℃に冷却し、同温度で(i)で得ら
れたトルエン溶液を10分間を要して滴下し、−20〜
−10°Cで30分間撹拌する。反応液に酢酸エチル2
0dおよび水20dを加え、2N塩酸でDtllに調整
した後、有機層を分取する。分取した有機層を水および
飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥させる。減圧下に溶媒を留去した後、得られた残留
物にトリフルオロ酸110dを加え、空温で12時間攪
拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物に酢
酸エチル20dおよび水20mlを加え、有機層を分取
する。分取した有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、水および飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られ
た残留物をカラムクロマトグラフィー(溶離液;トルエ
ン:酢酸エチル=20:1)で精製すれば、4−(1−
ベンジルオキシカルボニルアミノシクロプロピル)−2
.3,5.6−チトラフルオロベンゾイル酢酸エチルエ
ステル1.56!? (収率87.6%)を得る。
IR(KBr) cm−’ ; シ1710C=O 同様にして、つぎの化合物を得る。
O4−シフ鼾プロピルー2.3,5.6−チトラフルオ
ロベンゾイル酢酸エチルエステルIRに−ト>cm−1
v   1745.1705C=0 参考例14 4−シクロプロピル−2,3,5,6−テ1〜ラフルオ
ロベンゾイル酢酸エチルエステル480 m’jをベン
ゼン5mlに溶解させ、N、N−ジメチルホルムアミド
ジメチルアセタール845 R9を加えた後、30分間
還流する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物を
エタノール2.5miに溶解させ、シクロプロピルアミ
ンioomgを加えた後、空温で12時間撹拌する。減
圧下に反応液を濃縮し、得られた残留物をカラムクロマ
トグラフィー(溶離液:トルエン:酢酸エチル=20:
1)で精製すれば、2−(4−シクロプロピル−2,3
,5,6−チトラフルオロベンゾイル)−3−シクロプ
ロピルアミノアクリル酸エチルエステル500 mg(
収率85.4%)を得る。
IR(KBr) cm−1ニジ  1685C=O 同様にして、表−2の化合物を得る。
なお、表−2中のR4およびR5は、それぞれ、つぎの
式で表わされる化合物の置換基を示す。
(以下余白) 表−2 実施例1 2−(4−シクロプロピル−2,3,5,6−チトラフ
ルオロベンゾイル)−3−シクロプロピルアミノアクリ
ル酸エチルエステル50(lyをN。
N−ジメチルホルムアミド5mに溶解させ、炭酸カリウ
ム220m3を加えた後、70〜80°Cで30分間撹
拌する。反応液を酢酸エチル50mf!および水50m
1の混合溶媒に加え、2N塩酸でI)R2に調整した後
、有機層を分取する。分取した有機層を水および飽和食
塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥さ
せる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にジエチ
ルエーテルを加えて結晶をン月収すれば、1,7−シシ
クロプロピルー5.6.8−トリフルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸エチルエ
ステル450mg(収率95,1%)を得る。
IR(KBr) cm−1ニジ 1725,1685C
=O 同様にして、表−3の化合物を得る。
なお、表−3中のRおよびR5は、それぞれ、つぎの式
で表わされる化合物の置換基を示す。
表−3 実施例2 1.7−シシクロブロビルー5.6.8−トリフルオロ
−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボ
ン酸エチルエステル 水酸化ナトリウム水溶液4.5 d,エタノール4.5
dおよびジオキサン4.5rR1を加え、空温で1時間
撹拌する。反応液に水50dおよびクロロホルム50d
を加え、2N@酸でpH2に調整した後、有機層を分取
する。分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄
した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に
溶媒を留去し、得られた残留物にジエチルエーテルを加
えて結晶を罎取すれば、1、7−シシクロプロピルー5
.6.8−トリフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキ
ソ−3−キノリンカルボン@400 ml (収率96
□6%)を得る。
融点;202〜204℃[エタノール−メタノール] IR(KBr) cm” : シ1725C:O NHR(CDCl2 )  δ1直; 0、90〜1.50(8N,m)、1.80 〜2.4
0(111,m)。
3、 60 〜4. 30(1■, m)、 8. 7
3(IH, s)。
14、 15(IH, s) 同様にして、表−4の化合物を得る。
なあ、表−4中のR4およびR5は、それぞれ、つぎの
式で表わされる化合物の置換基を示す。
(以下余白) 表−4 実施例3 ベンジルアルコール801nlをN、N−ジメチルホル
ムアミド1dに溶解させ、水冷下、60%水素化ナトリ
ウム30m91を加えた後、室温で30分間撹拌する。
ついで、水冷下、1,7−シシクロプロピルー5.6.
8−トリフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3
−キノリンカルボンM50IIIgを加え、室温で30
分間撹拌する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた残留
物にクロロホルム20dおよび水20IIIiを加え、
2N塩酸でpH1に調整した後、有機層を分取する。分
取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留
去し、得られた残留物にジエチルエーテルを加えて結晶
をン月収すれば、5−ベンジルオキシ−1,7−シシク
ロプロピルー6.8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ−
4−オキソ−3−キノリンカルボン酸35mg(収率5
5.0%)を得る。
IR(に8r) cm−’ ; シt730C:O 同様にして、表−5の化合物を得る。
なお、表−5中のRおよびR5は、それぞれ、つどの式
で表わされる化合物の置換基を示す。
(以下余白) 表−5 実施例4 1.7−シシクロプロピルー5.6.8−トリフルオロ
−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボ
ン酸50mgをN、N−ジメチルホルムアミド1dに懸
濁させ、ベンジルアミン70rriを加えた後、90〜
100℃で2時間撹拌する。反応液に酢酸エチル10d
および水10rdlを加え、2N塩酸でpH2に調整し
た後、有機層を分取する。分取した有機層を水および飽
和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物にジ
エチルエーテルを加えて結晶をン月収すれば、5−ベン
ジルアミノ−1,7−シシクロプロビルー6.8−ジフ
ルオロ−1,4−ジヒドロ−4=オキソ−3−キノリン
カルボン酸40mg (収率63.0%)を得る。
IR(にBr) cm−1; v  1735C=O 同様にして、表−6の化合物を得る。
なお、表−6中のRおよびR5は、それぞれ、つぎの式
で表わされる化合物の置換基を示す。
表−6 実施例5 7−(1−ベンジルオキシカルボニルアミノシクロプロ
ピル)−1−(4−ベンジルオキシフェニル)−5,6
,8−トリフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−
3−キノリンカルボン酸エチルエステル18071I!
FをN、N−ジメチルホルムアミド2dに溶解させ、ベ
ンジルアミン240m1を加えた後、70〜80℃で2
時間撹拌する。反応液に酢酸20dおよび水2Mを加え
、2N塩酸でp112に調整した後、有機層を分取する
。分取した有機層を水および飽和食塩水で順次洗浄した
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させる。減圧下に溶媒
を留去し、得られた残留物をカラムクロマトグラフィー
(溶離液:トルエン:酢酸エチル−10:1)で精製す
れば、5−ベンジルアミノ−7−(1−ベンジルオキシ
カルボニルアミノシクロプロピル)−1−(4−ベンジ
ルオキシフェニル)−6,8−ジフルオロ−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸エチルエ
ステル110m3(収率53,8%)を得る。
IR(KBr) cm−1ニジ 1715C=O 実施例6 5−ベンジルオキシ−1,7−シシクロプロピルー6.
8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−
キノリンカルボンf125mgを酢酸10m1に懸濁さ
せ、5%パラジウム−炭素30mgを加えた後、常圧空
温で、水素気流中、2時間撹拌する。
反応液をi濾過した後、減圧下に炉液を濃縮し、得られ
た残留物にジエチルエーテルを加えて結晶をン月収すれ
ば、1,7−シシクロプロピル−6.8−ジフルオロ−
5−ヒドロキシ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−
キノリンカルボン酸191ng(収率97.3%)を得
る。
融点;205〜209℃[エタノール]IR(にBr)
 crn−1: v  1730C=O NMR(CDCl2 >δ値; 0、80〜1.50(8H,m)、 1.70〜2.4
0(IH,m) 。
3、70〜4.30(1M、 m) 。
8、78(IH,s) 、 12.67(1H,s)、
 13. tO(1M、 s)同様にして、表−7の化
合物を得る。
なお、表−7中のR4は、つぎの式で表わされる化合物
の置換基を示す。
(以下余白) !I−7 実施例7 5−アミノ−7−シクロプロピル−6,8−ジフルオロ
−1−(4−メトキシメトキシフェニル)−1,4−ジ
ヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボンf136m
gにジオキサン2mI!および6N塩酸21nlを加え
、60℃で30分間撹拌する。減圧下に反応液を濃縮し
、得られた残留物に酢酸エチル20m!!および水10
ハを加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で1)87に
調整した後、有機層を分取する。分取した有機層を水お
よび飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留
物にジエチルエーテルを加えて結晶を戸数すれば、5−
アミノ−7−シクロプロピル−6,8−ジフルオロ−1
−(4−ヒドロキシフェニル)−1,4−ジヒドロ−4
−オキソ−3−キノリンカルボンM28mg (収率8
7.0%)を得る。
融点;>280℃ IR(にBr) cm” : v   1715C:0 N)IR(CDCI3+ds −D)isO)δ値;0
.70〜1.50(4H,m)、1.50〜2.20(
18,m)。
2、40(2)1. bs)。
6.70〜7.40(4H,m) 、 8.43(IH
,s)。
9.25(1M、bs)、14.50(IH,bs)実
施例8 5−ベンジルアミノ−7−(1−ベンジルオキシカルボ
ニルアミノシクロプロピル)−1−シクロプロピル−6
,8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3
−キノリンカルボン@9omgを酢酸61rIiに溶解
させ、5%パラジウム−炭素100ffiJを加えた後
、常圧室温で、水素気流中、3時間撹拌する。反応液を
濾過した後、減圧下に炉液を濃縮し、得られた残留物に
クロロホルム5dおよび6N塩酸5dを加え、水層を分
取する。分取した水層にクロロホルム20dおよびメタ
ノール4mlを加え、1N水酸化す1〜リウム水溶液で
p117に調整した後、有機層を分取する。分取した有
機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥させる。減圧下に溶媒を留去し、得られた残留物
にクロロホルムを加えて結晶を炉取すれば、5−アミノ
−7−(1−7ミノシクロプロビル)−1−シクロプロ
ピル−6,8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オ
キソ−3−キノリンカルボン酸4omg (収率74゜
2%)を得る。
融点:>280℃ IR(にBr) crt−1: l/  1710C=
O NHR(dl−TEA)δ値; 1.10〜2.20(8N、m)、4.00〜4.60
(IN、m)9.22(10,s) 実施例9 5−ベンジルオキシ−7−(1−ベンジルオキシカルボ
ニルアミノシクロプロピル)−1−シクロプロピル−6
,8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ−4−オキソ−3
−キノリンカルボン酸95mgを酢酸4dに溶解させ、
5%パラジウム−炭素1oomgを加えた後、常圧室温
で、水素気流中、1.5時間撹拌する。反応液を沼過し
た後、減圧下にン戸液を濃縮し、得られた残留物に2N
塩酸1mを加える。減圧下に反応液を濃縮し、得られた
残留物にクロロホルムを加えて結晶を戸取すれば、7−
(1−アミノシクロプロピル)−1−シクロプロピル−
6,8−ジフルオロ−5−ヒドロキシ−1,4−ジヒド
ロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸の塩酸塩47
mfj (収率74.4%)を得る。
融点;250〜253℃(分解) 〔6N@酸−イツブロバノール] IR(に8r) cm−1: v  1715C=O NHR(dl −丁FA)  δ値; 1、10〜2.20(8H,m) 、 3.90〜4.
50(IH,m) 。
9、09(IH,S) 同様にして、表−8の化合物を得る。
なお、表−8中のR2およびR4は、それぞれ、つぎの
式で表わされる化合物の置換基を示す。
(以下余白) 実施例10 5−ベンジルアミノ−7−(1−ベンジルオキシカルボ
ニルアミノシクロプロピル)−1−(4−ベンジルオキ
シフェニル)−6,8−ジフルオロ−1,4−ジヒドロ
−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸エチルエステル
100mgを酢M10dに溶解させ、5%パラジウム−
炭素100myを加えた後、常圧空温で、水素気流中、
3時間撹拌する。
反応液を濾過した後、減圧下に炉液を濃縮し、得られた
残留物をカラムクロマトグラフィー(溶離液;クロロホ
ルム:エタノール=15 : 1 )で精製すれば、5
−アミノ−7−(1−アミノシクロプロピル)−6,8
−ジフルオロ−1−(4−ヒドロキシフェニル)−1,
4−ジヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸エ
チルエステル25m3(収率43.9%)を得る。
IR(にBr) cm−1: シ1725C=0 実施例11 5−アミノ−7−(1−アミノシクロプロピル)−6,
8−ジフルオロ−1−(4−ヒドロキシフェニル)−1
,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸
エチルエステル20mgを6N塩酸1mlに溶解させ、
30分間遠流する。減圧下に反応液を濃縮し、得られた
残留物にジエチルエーテルを加えて結晶を戸取すれば、
5−アミノ−7−(1−アミノシクロプロピル)−6,
8−ジフルオロ−1−(4−ヒドロキシフェニル)−1
,4−ジヒドロ−4−オキソ−3−キノリンカルボン酸
の塩酸塩15mLj(収率73.5%)を得る。
融点;265〜270℃(分解) IR(KBr) cm’″1ニジ 1705C=O NHR(D20)δ値; 1.10〜1.70(4H,m)、6.80〜7.60
(411,m)。
8.54(1M、s)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 「式中、R^1は水素原子またはカルボキシル保護基を
    ;R^2はハロゲン原子、アルコキシ基、保護されてい
    てもよいヒドロキシル基、保護されていてもよいアミノ
    基、保護されていてもよい低級アルキルアミノ基または
    ジ−低級アルキルアミノ基を;R^3は水素原子、低級
    アルキル基、保護されていてもよいアミノ基、保護され
    ていてもよい低級アルキルアミノ基、ジ−低級アルキル
    アミノ基、保護されていてもよいカルボキシル基、保護
    されていてもよいアミノ低級アルキル基、保護されてい
    てもよい低級アルキルアミノ低級アルキル基、ジ−低級
    アルキルアミノ低級アルキル基および保護されていても
    よいヒドロキシ低級アルキル基から選ばれる1つ以上の
    基を;R^4は置換されていてもよい低級アルキル、低
    級アルケニル、シクロアルキルまたはアリール基を;X
    ^1およびX^2はハロゲン原子を示す。」 で表わされるキノリン誘導体およびその塩。
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