JPH02265255A - Probe apparatus system - Google Patents
Probe apparatus systemInfo
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- JPH02265255A JPH02265255A JP1087466A JP8746689A JPH02265255A JP H02265255 A JPH02265255 A JP H02265255A JP 1087466 A JP1087466 A JP 1087466A JP 8746689 A JP8746689 A JP 8746689A JP H02265255 A JPH02265255 A JP H02265255A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、プローブ装置システムに関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a probe device system.
(従来の技術)
近年の半導体製造工程の技術革新により、特定用途向け
の大量のICチップが要求されており、このため多量少
品種生産工程が増加してきている。(Prior Art) Due to recent technological innovations in semiconductor manufacturing processes, large quantities of IC chips for specific applications are required, and as a result, high-volume, low-mix production processes are increasing.
この一方で、ICの高集積化のため半導体ウェハ1枚の
測定時間が長くなり、測定ステージにウェハをロード、
アンロードするためのローダ部の稼動率は低下している
。On the other hand, due to the high integration of ICs, the time required to measure one semiconductor wafer becomes longer, and it takes longer to load the wafer onto the measurement stage.
The operating rate of the loader section for unloading is decreasing.
従来、このようなウェハローダ部の稼動率の低下を防止
するために、一つのローダ部に対して、ウェハを測定す
るための複数のステージ機構を配置したプローブ装置が
提供されている(特開昭57−68043.特開昭57
−115843 、特開昭60−491342.特開昭
61−188238.特開昭81−220349 、特
開昭63−129640 )。Conventionally, in order to prevent such a decrease in the operating rate of the wafer loader section, a probe device has been provided in which a plurality of stage mechanisms for measuring wafers are arranged in one loader section (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 57-68043. Japanese Patent Publication No. 1983
-115843, JP-A-60-491342. Japanese Patent Publication No. 61-188238. JP-A-81-220349, JP-A-63-129640).
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記のような従来のプローブ装置にあっ
ては、2系統の測定ステージ間に単一のローダ部を配設
する場合には問題がないが、実際に測定ステージが3系
統以上となると、単一のローダ部の他に特別なローダ部
を設けなければ、ウェハを3系統目の測定ステージに搬
送することができない。(Problem to be Solved by the Invention) However, in the conventional probe device as described above, there is no problem when a single loader section is disposed between two measurement stages, but in reality When there are three or more measurement stages, the wafer cannot be transferred to the third measurement stage unless a special loader section is provided in addition to the single loader section.
ここで、半導体ウェハの電気的特性検査を行うにあたっ
ては、この検査前にウェハの耐電圧をΔ−1定して、プ
ローブ検査を行う際の選別処理を行ったり、あるいは、
プローブ検査終了後に、検査結果に応じた不良チップへ
のマーキング処理、オープン、ショートパターンのりベ
ア処理等が実行される。このように、プローブ検査前後
の処理をも同一ローダ部よりウェハの供給を行おうとす
る場合には、上記処理はウェハ上の全てのチップに行う
必要がないため比較的スルーブツトが高く、複数台の測
定ステージに対して1台配設すれば足りる。Here, when testing the electrical characteristics of a semiconductor wafer, the withstand voltage of the wafer is determined by Δ-1 before the test, and selection processing is performed when performing a probe test, or
After the probe test is completed, marking processing for defective chips, open processing, short pattern bonding processing, etc. are performed according to the test results. In this way, when trying to supply wafers from the same loader unit for processing before and after probe inspection, the above processing does not need to be performed on all chips on the wafer, so the throughput is relatively high and it is necessary to use multiple machines. It is sufficient to provide one unit for each measurement stage.
このように、ウェハの電気的特性検査及びその前後に要
する処理のためのウェハ供給稼動率を高める場合には、
3系統以上の装置に対してローダ部を共通化する必要が
あったが、従来の構成では実現不能であった。In this way, when increasing the wafer supply operating rate for wafer electrical characteristic inspection and the processing required before and after the inspection,
Although it was necessary to share the loader section for three or more systems, this was not possible with the conventional configuration.
そこで、本発明の目的とするところは、被処理体の電気
的特性検査及びこの検査の前及び/又は後に実施される
処理を、被処理体の供給1回収のための稼動率を高めて
実施できるプローブ装置システムを提供することにある
。Therefore, an object of the present invention is to perform the electrical characteristic inspection of the object to be processed and the processing performed before and/or after this inspection by increasing the operating rate for supplying and collecting the object to be processed. The objective is to provide a probe device system that can.
C発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、被処理体を複数枚収容したキャリアが移動す
る移動路と、
この移動路の途中に複数配設され、上記被処理体の電気
的特性検査を行う複数の測定ステージと、上記移動路の
途中に配設され、上記電気的特性検査の前及び/又は後
に実施される処理を行うための少なくとも一つの処理装
置と、
上記移動路の上記測定ステージ又は処理装置と対向する
位置にて上記キャリアを停止制御し、かつ、この位置で
の被処理体の受け渡し動作を制御する制御手段とを設け
たことを特徴とする。C Configuration of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention includes a moving path along which a carrier containing a plurality of objects to be processed moves, and a plurality of carriers disposed in the middle of this moving path to accommodate the objects to be processed. a plurality of measurement stages that perform electrical property testing; at least one processing device that is disposed midway along the moving path and performs processing that is performed before and/or after the electrical property testing; The present invention is characterized by further comprising a control means for controlling the carrier to stop at a position facing the measurement stage or the processing device on the path and for controlling the transfer operation of the object to be processed at this position.
(作 用)
本発明では、被処理体を収容したキャリアを複数のΔP
I定ステージ及び測定前後に実施される処理装置に対し
て移動可能とし、各停止位置にて被処理体の受け渡しが
可能であるので、キャリアからの被処理体の供給及びキ
ャリアへの被処理体の回収動作を一つのキャリアによっ
て実現でき、その稼動率を大幅に高めることができる。(Function) In the present invention, the carrier containing the object to be processed is
It is movable with respect to the fixed stage and the processing equipment used before and after measurement, and the objects to be processed can be transferred at each stop position, so the objects to be processed can be supplied from the carrier and the objects to be processed can be transferred to the carrier. collection operations can be realized with a single carrier, and its operating rate can be significantly increased.
(実施例)
以下、本発明を適用した一実施例について、図面を参照
して具体的に説明する。(Example) Hereinafter, an example to which the present invention is applied will be specifically described with reference to the drawings.
第1図において、このプローブ装置システムは例えば2
5枚のウェハを水”平状態にて縦方向で所定ピッチ毎に
離間して収容した2つのキャリアカセットをキャリアと
しての移動部10に搭載している。この移動部10は、
移動路であるレール20に沿って移動可能であり、かつ
、そのウェハの出入り口を180度回転できるようにな
っている。また、この移動部10は、例えばこのレール
20の一端に配置されたキャリアストッカ30との間で
キャリアカセットの受け渡しが可能となっている。前記
キャリアストッカ30は多段の棚構造を有し、このプロ
ーブ装置システムでの測定を要するウェハを搭載したキ
ャリアカセットを多数収容している。In FIG. 1, this probe device system includes, for example, two
Two carrier cassettes containing five wafers in a horizontal state spaced apart from each other at a predetermined pitch in the vertical direction are mounted on a moving section 10 serving as a carrier.
It is movable along a rail 20 which is a movement path, and the wafer entrance/exit can be rotated 180 degrees. Furthermore, the moving unit 10 is capable of transferring carrier cassettes to and from a carrier stocker 30 disposed at one end of the rail 20, for example. The carrier stocker 30 has a multi-stage shelf structure, and accommodates a large number of carrier cassettes carrying wafers that need to be measured with this probe system.
前記レール20の例えば両側にはウェハの測定部と、そ
の測定前後に要する処理部とを配設している。すなわち
、レール20の片側に検査系例えば4台のプローバー4
0としてウエハプローバの測定ステージが設けられ、こ
れと反対側には処理系例えばマーキングブローバ50.
VTH用プローバー60.処理系例えばりベア装置70
がそれぞれ1台づつ配設されている。For example, on both sides of the rail 20, a wafer measuring section and a processing section required before and after the measurement are disposed. That is, an inspection system, for example, four probers 4, is installed on one side of the rail 20.
A measurement stage of a wafer prober is provided as a wafer prober 50, and a processing system such as a marking blower 50 is provided on the opposite side.
VTH prober 60. Processing system such as bare device 70
One each is installed.
前記プローバー40は、ウェハを載置してX。The prober 40 places a wafer on it.
Y平面、高さ方向のZ方向及びZ方向の回転方向である
θ方向にそれぞれ移動可能な測定ステージ42を有し、
このステージ42上方には図示しないプローブカード等
の触針が配置され、ウェハ上の各チップの電極パッドと
の接触が可能となっている。なお、各触針はプローバー
40毎に配設された図示しないテスタに接続され、この
テスタより検査信号パターンを送信し、その出力をモニ
タすることで、各種電気的特性検査が可能となっている
。尚、1台のテスタを4台のプローバー40に兼用する
ことも可能である。It has a measurement stage 42 that is movable in the Y plane, in the Z direction of the height direction, and in the θ direction that is the rotation direction of the Z direction,
A stylus such as a probe card (not shown) is arranged above the stage 42, and can make contact with the electrode pads of each chip on the wafer. Note that each stylus is connected to a tester (not shown) provided for each prober 40, and by transmitting a test signal pattern from this tester and monitoring its output, various electrical characteristic tests are possible. . Note that it is also possible to use one tester as four probers 40.
前記プローバー40では、測定ステージ42上にてウェ
ハのプリアライメントが可能であり、その後ステージ4
2を図示しない画像認識機能を上方に有するアライメン
トブリッジ44に移動させ、画像処理によるパターン認
識からファインアライメントを実行可能となっている。In the prober 40, pre-alignment of the wafer is possible on the measurement stage 42, and then the stage 4
2 is moved to an alignment bridge 44 having an image recognition function (not shown) above, and fine alignment can be executed from pattern recognition through image processing.
前記マーキングプローバー50は、同様にマーキングス
テージ52.アライメントブリッジ54を有し、前記各
プローバー40での検査結果に基づき、不良チップへの
マーキングをスクラッチ方式あるいはインクジェット方
式等により実施するものである。The marking prober 50 is also connected to a marking stage 52 . It has an alignment bridge 54, and marks defective chips using a scratch method, an inkjet method, or the like based on the inspection results from each of the probers 40.
前記VTH用プローバー60は、前記プローバ40での
測定前のウェハが所定の耐電圧を有するか否かを検査し
て、測定を要するウェハの選別処理を行うものである。The VTH prober 60 inspects whether or not the wafer has a predetermined withstand voltage before being measured by the prober 40, and performs a process of selecting wafers that require measurement.
この耐電圧測定は、ウェハ上の予め定められた4点又は
5点のチップに対して実施される。This withstand voltage measurement is performed on chips at predetermined four or five points on the wafer.
前記リペア装置70は、前記プローバー40のでの検査
結果に基づき、ビット救済が可能な不良箇所のみをリペ
アするものである。このリペアの内容は大別してショー
トパターンの切断処理及びオープンパターンの接続処理
とである。この種のりベア装置70としては、集束イオ
ンビームを用いて、スパッタガス又は膜生成用ガスを導
入し、ショート箇所をスパッタにより接続し、オープン
箇所をデポジションの付着により接続するものを挙げる
ことができる(特公昭83−25860.月刊Sem1
conductor World 198B、I P9
3〜103参照)。The repair device 70 repairs only defective portions that can be repaired based on the inspection results of the prober 40. The contents of this repair can be roughly divided into short pattern cutting processing and open pattern connection processing. Examples of this type of bare device 70 include one that uses a focused ion beam to introduce sputtering gas or film-forming gas, connects short-circuited areas by sputtering, and connects open areas by deposition. Can be done (Special Publication Publication No. 83-25860.Monthly Sem1
conductor World 198B, I P9
3-103).
前記移動部10のキャリアカセットと、この移動部10
の搬送途上にあるプローバー40等とのウェハの受け渡
しは、ウェハハンドラー80によって行われる。このウ
ェハハンドラー80として、本出願人による先の出願(
特願昭63−234461 )に開示されたものを好適
に採用することができる。A carrier cassette of the moving section 10 and this moving section 10
The wafer handler 80 transfers the wafer to and from the prober 40 and the like that are in the process of being transported. As this wafer handler 80, the previous application by the present applicant (
The method disclosed in Japanese Patent Application No. 63-234461) can be suitably employed.
このウェハハンドラー80は、第2図に示すように、一
対の多関節アーム82.84を、その移動平面が交差す
るように傾斜して配置している。As shown in FIG. 2, this wafer handler 80 has a pair of multi-jointed arms 82, 84 arranged at an angle so that their movement planes intersect.
そして、両端が上記多関節アーム82.84と同一角度
で傾斜する傾斜部86aと、この間に形成された水平部
86bとて構成されたアーム連結部材86が設けられ、
前記傾斜部86a、86aが前記一対の多関節アーム8
2.84の移動端に回転自在に支持されている。そして
、このアーム連結部材86上に、このアーム連結部材8
6の長平方向と直交する方向に沿ってピンセット88が
固着されている。なお、このピンセット88は、その両
端側でウェハWを例えば真空吸着によって支持可能な真
空吸着部88a、88aを有している。Then, an arm connecting member 86 is provided, which has an inclined part 86a whose both ends are inclined at the same angle as the multi-jointed arm 82, 84, and a horizontal part 86b formed between the inclined parts 86a,
The inclined portions 86a, 86a are connected to the pair of multi-joint arms 8.
It is rotatably supported at the moving end of 2.84. Then, on this arm connecting member 86, this arm connecting member 8
Tweezers 88 are fixed along a direction perpendicular to the longitudinal direction of 6. Note that the tweezers 88 have vacuum suction parts 88a, 88a that can support the wafer W by vacuum suction, for example, at both ends thereof.
一方の多関節アーム82は、第1のアーム82aと第2
のアーム82bとから構成され、同様に他方の多関節ア
ーム84も第1アーム84aと第2のアーム84bとか
ら構成され、上記各アームの両端を回転自在とする3関
節(a、b、c)ををする構造となっている。One multi-jointed arm 82 has a first arm 82a and a second arm 82a.
Similarly, the other multi-jointed arm 84 is composed of a first arm 84a and a second arm 84b, and each arm has three joints (a, b, c) that are rotatable at both ends. ).
また、前記第1アーム82a、84aを回転自在に支持
する基台90は、モータ92.ベルト94によって一方
の第1アーム82aを回転駆動し、かつ、基台90自体
が、第2図のθ方向に回転可能であり、かつ、高さ方向
であるZ方向に上下動可能となっている。この結果、ピ
ンセット88は第2図のA、B方向に移動可能であり、
かつ、このピンセット88を回転させ、かつ、上下動可
能としている。Further, the base 90 that rotatably supports the first arms 82a and 84a is connected to a motor 92. One first arm 82a is rotationally driven by a belt 94, and the base 90 itself is rotatable in the θ direction in FIG. 2 and vertically movable in the Z direction, which is the height direction. There is. As a result, the tweezers 88 are movable in directions A and B in FIG.
In addition, the tweezers 88 can be rotated and moved up and down.
次に、このプローブ装置システムの駆動制御系について
第3図を参照して説明する。Next, the drive control system of this probe device system will be explained with reference to FIG.
CPU100は、このシステムの全ての制御を司どるも
のであり、前記キャリアストッカ30内の各キャリアカ
セットのロットの種別1枚数、現在測定中あるいは処理
中のキャリアカセットの内のウェハに関する情報(アラ
イメント情報、測定すべきチップアドレス、不良チップ
アドレス、不良内容等)を記憶、管理している。このC
PU100には下記の゛各種駆動制御部が接続されてい
る。キャリア移動制御部102は、キャリアカセットを
搭載した前記移動部10の駆動、停止を制御する。プロ
ーバー制御部104は、各プローバ−40及びこれと対
向するウェハハンドラー80に対応して4台設けられ、
各プローバー40での測定動作、そのプローバー40に
対するウェハのロード、アンロードを駆動制御する。マ
キレグプローバー制御部106.VTH用プローバー制
御部108及びリペア装置制御部110も、各端末処理
部及びこれに対応するウェハハンドラー80毎の個別的
な動作制御を行うようになっている。The CPU 100 is in charge of all controls of this system, and includes information on the type and number of wafers in each carrier cassette lot in each carrier cassette in the carrier stocker 30, and information on wafers in the carrier cassette currently being measured or processed (alignment information). , chip addresses to be measured, defective chip addresses, defect contents, etc.) are stored and managed. This C
The following various drive control units are connected to the PU 100. The carrier movement control section 102 controls driving and stopping of the moving section 10 on which the carrier cassette is mounted. Four prober control units 104 are provided corresponding to each prober 40 and the wafer handler 80 facing thereto,
It drives and controls the measurement operation of each prober 40 and the loading and unloading of wafers onto that prober 40. Maki leg prober control section 106. The VTH prober control section 108 and the repair device control section 110 are also designed to individually control the operation of each terminal processing section and the corresponding wafer handler 80.
次に、作用について説明する。Next, the effect will be explained.
CPU100の指令を受けたキャリア移動制御部102
の制御に基づき、キャリアストッカ30より移動部10
に同一種類のウェハを搭載した2個のキャリアカセット
が搭載され、この移動部10をまずVTH用プローバー
60と対応する位置まで搬送して停止させる。そして、
このVTH用プローバー60にて、キャリアカセット内
の全てのウェハに対し、予め定められた4〜5点のチッ
プに関する耐電圧の検査を行う。この測定結果はCPU
100に送られ、不良を有するウェハについては以降の
測定から構成される装置が成される。尚、この際のウェ
ハのロード、アンロードは後述する通りである。Carrier movement control unit 102 receives instructions from CPU 100
Based on the control of the carrier stocker 30, the moving unit 10
Two carrier cassettes carrying wafers of the same type are mounted on the moving unit 10, and the moving unit 10 is first transported to a position corresponding to the VTH prober 60 and then stopped. and,
This VTH prober 60 tests the withstand voltage of chips at four to five predetermined points on all wafers in the carrier cassette. This measurement result is
For defective wafers, a system consisting of subsequent measurements is performed. Note that loading and unloading of the wafer at this time will be described later.
次に、上記移動部10を一つのプローバー40と対応す
る位置まで搬送して停止させる。この後、これと対応す
るプローバー制御部104の制御に基づき、移動部10
に搭載されている一方のキャリアカセットからのウェハ
のロード動作が実施される。すなわち、ウェハハンドラ
ー80を上下動してZ方向位置をセットし、その後モー
タ92の駆動によってビンセット88を該ウェハの裏面
まで移動させ、キャリアカセットより浮かせた状態にて
ウェハを取り出す。その後、ウェハハンドラー80を1
80”回転させ、さらにモータ92を駆動してこのウェ
ハを測定ステージ42に搭載することでロード動作が終
了する。Next, the moving section 10 is transported to a position corresponding to one prober 40 and stopped. Thereafter, based on the corresponding control of the prober control section 104, the moving section 10
A wafer loading operation is performed from one of the carrier cassettes mounted on the carrier cassette. That is, the wafer handler 80 is moved up and down to set the Z-direction position, and then the motor 92 is driven to move the bin set 88 to the back surface of the wafer, and the wafer is taken out from the carrier cassette in a floating state. After that, the wafer handler 80 is
The loading operation is completed by rotating the wafer by 80'' and further driving the motor 92 to mount the wafer on the measurement stage 42.
この後、上述したウェハのプリアライメント。After this, pre-align the wafer as described above.
ファインアライメントが実施され、その後、ステージ4
2上のウェハに対して触針を接触し、図示しないテスタ
にて各種電気的特性検査を実施する。Fine alignment is performed, then stage 4
A stylus is brought into contact with the wafer on 2, and various electrical characteristic tests are carried out using a tester (not shown).
この際の不良チップのアドレス及び不良内容は、CPU
100に送られて記憶されることになる。At this time, the address of the defective chip and the details of the defect are determined by the CPU.
100 and will be stored.
これと並行して、2台目以降の各プローバー40に対し
ても同様なウェハロード動作を実行し、各プローバー4
0にて順次測定を開始させる。In parallel with this, a similar wafer loading operation is performed for each of the second and subsequent probers 40, and each prober 4
Measurements are started sequentially at 0.
この際、先に行われた耐電圧測定にて不良と判別された
ウェハのロードは阻止される。At this time, loading of a wafer determined to be defective in the previously performed withstand voltage measurement is prevented.
各プローバー40では、その測定開始タイミングがずれ
ているので、所定時間で終了する一枚のウェハに対する
検査終了時間もそれぞれずれている。従って、移動部1
0は、前記CPU100からの指令を受けるキャリア移
動制御部102の制御に基づき、測定の終了したプロー
バー40と対応する位置に順次移動、停止し、測定の終
了したウェハをキャリアカセット内の基の位置にアンロ
ードすることになる。この際、ビンセット88の両端が
真空吸着部33a、88aとなっているので、次の新た
なウェハを一方の真空吸着部88aにて支持した状態で
、他方の真空吸着部88aにて測定ステージ42より測
定済みウェハを受けとり、このビンセット88を180
@回転することて、即座に新たなウェハをロートするこ
とができ、スルーブツトが向上する。また、移動部10
によって次にウェハの受け渡しを実行するプローバー4
0は予めCPU100によってわかっているので、その
位置にて待機して即座にウェハの受け渡しを実施すれば
、さらにスループットが向上する。Since the measurement start timings of the probers 40 are different from each other, the inspection end times for one wafer, which are completed within a predetermined time, are also different from each other. Therefore, moving part 1
Under the control of the carrier movement control unit 102 which receives commands from the CPU 100, the prober 40 sequentially moves and stops at the position corresponding to the measured wafer, and moves the measured wafer to its original position in the carrier cassette. It will be unloaded to . At this time, since both ends of the bin set 88 are vacuum suction parts 33a and 88a, the next new wafer is supported by one vacuum suction part 88a, and the other vacuum suction part 88a is placed on the measurement stage. The measured wafer is received from 42, and this bin set 88 is transferred to 180.
By rotating, a new wafer can be loaded immediately, improving throughput. In addition, the moving unit 10
The prober 4 then transfers the wafer by
0 is known in advance by the CPU 100, the throughput can be further improved by waiting at that position and immediately transferring the wafer.
一方、測定の終了したウェハは、次に移動部10の移動
によってマーキングプローバー50に搬送され、同様な
ロード動作を実施してプローバー50内にウェハを設定
する。このマーキングプローバー50では、CPU10
0にて記憶している不良チップ位置情報に基づき、この
不良チップに対してのみマーキング動作を実行すること
になる。On the other hand, the wafer whose measurement has been completed is then transferred to the marking prober 50 by the movement of the moving unit 10, and the wafer is set in the prober 50 by performing a similar loading operation. In this marking prober 50, the CPU 10
Based on the defective chip position information stored in 0, the marking operation is executed only for this defective chip.
また、CPU100にてビット救済が可能と判断された
チップを有するウェハについては、同様に移動部10を
リペア装置70に搬送し、ここで上述したビット救済措
置が行われることになる。Further, for wafers having chips for which bit relief is determined by the CPU 100, the moving unit 10 is similarly transported to the repair device 70, where the above-described bit relief measures are performed.
尚、本実施例では4台のプローバー40に対し、マーキ
ングプローバー50及びリペア装置70をそれぞれ1台
づつ配置しているが、これはウェハの歩留まり(例えば
70〜80%)及びマーキング処理時間、ビット救済時
間と、全てのチップに対するプローブ検査時間とを考慮
すると、4二1の台数割合で充分に効率良く稼動するか
らである。In this embodiment, one marking prober 50 and one repair device 70 are arranged for each of the four probers 40, but this is due to the wafer yield (for example, 70 to 80%), marking processing time, and bit rate. This is because, considering the repair time and the probe test time for all chips, a ratio of 421 units will operate sufficiently efficiently.
また、VTH用プローバー60も1台であるが、この検
査も1枚のウェハに付き4〜5点のチップであるので、
プローブ時間に比べれば充分短時間で終了するからであ
る。そして、この移動部10の稼動率が高まるように、
前記CPU100によって移動部10の移動先を指定し
て、キャリアカセット内の全てのウェハに関する測定、
処理等を実施することになる。In addition, although there is only one VTH prober 60, this inspection also requires 4 to 5 chips per wafer, so
This is because it is completed in a sufficiently short time compared to the probe time. In order to increase the operating rate of this moving unit 10,
The CPU 100 specifies the destination of the moving unit 10 and measures all the wafers in the carrier cassette;
Processing etc. will be carried out.
このように、本実施例装置では、移動部10によって複
数のプローバー40およびその測定前後に要する各処理
部に対してキャリアカセット毎ウェハを移動させている
ので、順次測定、処理の終了する各部に対して稼動率良
くウェハの供給1回収動作を行うことができ、各部毎に
ローダ部を設けるものと比較すれば、高価なりリーンル
ーム内に占める装置設置面積が大幅に減少し、かっ、ロ
ーダ部の総数も少なくてよいので、製造設備の大幅なコ
ストダウンを図ることができる。As described above, in the apparatus of this embodiment, since the moving unit 10 moves the wafer in each carrier cassette to the plurality of probers 40 and each processing unit required before and after measurement, the wafer is moved sequentially to each unit where measurement and processing are completed. On the other hand, it is possible to perform wafer supply and retrieval operations with high operating efficiency, and compared to a system with a loader section for each section, it is expensive and the installation area of the equipment in the lean room is significantly reduced. Since the total number of units may be small, it is possible to significantly reduce the cost of manufacturing equipment.
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。Note that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.
例えば、上記実施例では移動部10内にキャリアカセッ
トのみを搭載し、ロード、アンロードのためのウェハハ
ンドラー80を各測定部毎に配設したが、移動部10内
に搬送アームを内蔵するものでも良く、あるいは第4図
に示すように、前記ウェハハンドラー80を各部の配設
位置に亘って移動可能とし、同一ラインに沿っである各
部へのウェハのロード、アンロード動作を−っのウェハ
ハンドラー80によって兼用するものでもよい。For example, in the above embodiment, only the carrier cassette is mounted in the moving unit 10, and a wafer handler 80 for loading and unloading is provided for each measurement unit, but in the embodiment, a transfer arm is built in the moving unit 10. Alternatively, as shown in FIG. 4, the wafer handler 80 may be movable over the placement positions of each part, and the loading and unloading operations of wafers to and from each part along the same line can be performed. The handler 80 may also be used for both purposes.
また、一つのプローブ装置システムに備えられるプロー
バー40及びそのn1定前後の各処理部の数についても
種々の変形実施が可能であり、移動部10を効率良く稼
動できる種々の組み合わせが可能である。Furthermore, various modifications can be made to the number of probers 40 and their respective processing sections before and after the n1 constant that are included in one probe device system, and various combinations that can efficiently operate the moving section 10 are possible.
また、本発明ではキャリアカセットを移動する必要上、
この稼動に伴うゴミの発生が懸念されるが、これは稼動
部分を真空引きし、ウェハの存在する空間に飛散しない
構成とすること等で解決可能である。・
[発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば複数の測定ステー
ジ及びその、111J定の前及び/又は後に実施れさる
処理部への被処理体の供給1回収を、共通のキャリアに
よって実施でき、従って被処理体の供給1回収を行うキ
ャリアの稼動率を大幅に向上でき、特に多量少品種の測
定に好適なプローブ装置システムを提供できる。In addition, in the present invention, since it is necessary to move the carrier cassette,
There is a concern that dust will be generated due to this operation, but this can be solved by evacuating the moving parts and creating a structure that does not scatter dust into the space where the wafer is present. [Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a plurality of measurement stages and the supply and collection of objects to be processed to the processing section performed before and/or after the 111J determination can be performed in a common manner. This can be carried out using a carrier, and therefore the operating rate of the carrier that performs one-time supply and recovery of objects to be processed can be greatly improved, and a probe device system particularly suitable for measuring a large quantity and small number of products can be provided.
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明を適用したプローブ装置システムの一
実施例の概略説明図、
第2図は、第1図中のウェハハンドラーの概略斜視図、
第3図は、第1図の実施例装置の制御系ブロック図、
第4図は、ウェハハンドラーを移動可能とした変形例を
説明するための概略説明図である。
10・・・移動部、20・・・レール、30・・・キャ
リアストッカ、
40・・・プローバー 42・・・測定ステージ、50
・・・マーキングプローバー
60・・・TVH用プローバー
70・・・リペア装置、
80・・・ハンドラー 100・・・制御手段。
代理人 弁理士 井 上 −(他1名)A
\
第
図
第
図[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIG. 1 is a schematic explanatory diagram of an embodiment of a probe device system to which the present invention is applied; FIG. 2 is a schematic perspective view of the wafer handler in FIG. 1; FIG. 3 is a schematic perspective view of the wafer handler in FIG. , a control system block diagram of the embodiment apparatus shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a schematic explanatory diagram for explaining a modification in which the wafer handler is movable. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Moving part, 20... Rail, 30... Carrier stocker, 40... Prober 42... Measurement stage, 50
... Marking prober 60 ... TVH prober 70 ... Repair device, 80 ... Handler 100 ... Control means. Agent Patent attorney Inoue - (1 other person) A \ Figure Figure
Claims (1)
動路と、 この移動路の途中に複数配設され、上記被処理体の電気
的特性検査を行う複数の測定ステージと、上記移動路の
途中に配設され、上記電気的特性検査の前及び/又は後
に実施される処理を行うための少なくとも一つの処理装
置と、 上記移動路の上記測定ステージ又は処理装置と対向する
位置にて上記キャリアを停止制御し、かつ、この位置で
の被処理体の受け渡し動作を制御する制御手段とを設け
たことを特徴とするプローブ装置システム。(1) A moving path along which a carrier containing a plurality of objects to be processed moves; a plurality of measurement stages arranged along the moving path to test the electrical characteristics of the objects to be processed; and the moving path. at least one processing device disposed in the middle of the electrical characteristic test for performing processing to be performed before and/or after the electrical characteristic test; What is claimed is: 1. A probe device system comprising a control means for controlling the stop of the carrier and controlling the transfer operation of the object to be processed at this position.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087466A JPH02265255A (en) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Probe apparatus system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087466A JPH02265255A (en) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Probe apparatus system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265255A true JPH02265255A (en) | 1990-10-30 |
Family
ID=13915674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087466A Pending JPH02265255A (en) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | Probe apparatus system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265255A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510724A (en) * | 1993-05-31 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus and burn-in apparatus |
| US5563520A (en) * | 1992-08-17 | 1996-10-08 | Tokyo Electron Limited | Probe system |
| JP2023122826A (en) * | 2022-02-24 | 2023-09-05 | オムロン株式会社 | Conveying system and method |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123150A (en) * | 1985-10-23 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | Production apparatus |
| JPS6246542A (en) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | Wafer test system |
| JPS6387735A (en) * | 1986-09-30 | 1988-04-19 | Tokyo Electron Ltd | Centralized marking system in wafer testing process |
| JPS63229836A (en) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Nikon Corp | Wafer inspection equipment |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1087466A patent/JPH02265255A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6246542A (en) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | Wafer test system |
| JPS61123150A (en) * | 1985-10-23 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | Production apparatus |
| JPS6387735A (en) * | 1986-09-30 | 1988-04-19 | Tokyo Electron Ltd | Centralized marking system in wafer testing process |
| JPS63229836A (en) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Nikon Corp | Wafer inspection equipment |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563520A (en) * | 1992-08-17 | 1996-10-08 | Tokyo Electron Limited | Probe system |
| US5510724A (en) * | 1993-05-31 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Limited | Probe apparatus and burn-in apparatus |
| JP2023122826A (en) * | 2022-02-24 | 2023-09-05 | オムロン株式会社 | Conveying system and method |
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