JPH02265273A - 一次元イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、ファクシミ’）装置や複写機の密着型イメ
ージセンサとして応用されるタイプの一次元イメージセ
ンサに関し、特に、光導電効果型の受光素子を用いたも
のに関する。

従来の技術 この種−次元イメージセンサの代表的な構成を第・１図
に示している。ガラス等の基板１上に矩形の光導電素子
膜２が多数個直線状に配列形成され、これが受光素子２
の主体となる。各光導電素子膜２の両側端部分にそれぞ
れ接続するようにコンタクト電極３と４がパターン形成
されている（３は共通電極、４は個別電極である）。各
光導電素子膜２の電極３．４と重なっていない長方形部
分（幅Ｗ１長さし）がひとつの画素の受光エリアであり
、これが一定ピツチＰで直線状の配列されている。

画素の配列ピッチＰは主走査方向の要求解像度から決ま
り、配列ピッチＰが決まれば各画素の幅Ｗの上限がおの
ずと決まる。また副走査方向の要求解像度から副走査の
読み取りピッチ（サンプリング間隔）が決まり、それに
合わせて各画素の長さしが設定される。なお各画素の副
Ｗ、長さＬが。

小さすぎると、細線の読みとげしか発生しゃすくなシ、
画質の低下を招くことになる。

発明が解決しようとする課題 従来の一次元イメージセンサにおいては、第５図に示す
ように、光導電素子膜２の電極３，４間を黒画像Ｂが横
断した場合、受光エリア上の黒画像Ｂの占有面積が同図
（ａ）のように小さくても、同図（ｂ）のように犬きく
でも、電極３．４間を横断する高抵抗帯（黒画像Ｂに対
応）が生じるので、電極３，４間の抵抗値は（ａ）（ｂ
）いずれの場合も極めて大きくなり、出力の差は生じな
い。つまり、（ａ）（ｂ）いずれの場合も受光７Ｂ力は
同じにな勺、両方とも同じ黒レベルとして読み取られる
ことになり、このことが読み取り画像の質の低下につな
がっている。

この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、各画素の受光エリア上の黒画像の占有面
積（白黒の割合い）に対応したレベルの出力が得られる
ようにした一次元イメージセンサを提供することにある
。

課題を解決するだめの手段 そこでこの発明では、直線状に配列形成される各受光素
子を次のように構成した。所定形状の光導電素膜の周縁
部をとり囲むように外周電極を形成するとともに、この
光導電素子膜の中央部に島状に電極を形成し、前記外周
電極の内周縁と前記島状電極の外周縁との間のリング状
部分を受光エリアとする。

作用 前記リング状受光エリアがひとつの画素であり、前記外
周電極と前記島状電極との間の抵抗値に応じた受光出力
が取シ出される。

実施例 基板上に多数の受光素子を一定ビノチで直線状に配列形
成するという一次元イメージセンサの基本構成は従来と
同じであり、個々の受光素子の構造に本発明の特徴があ
る。以下ではひとつの受光素子を抽出したかたちで本発
明の詳細な説明する。

第１図は本発明の第１実施例を示している。ガラス等の
基板１０上にＣｄ５−ＣｄＳｅ等の材料からなる光導電
素子膜１１が所定寸法の矩形パターンで形成されている
。この矩形の光導電素子膜１１の外周縁部に一部ｌｉな
るようにこれをとり囲む外周電極１２がパターン形成さ
れている。こり外周ミツ１２はＮｉ　Ｃｒ　＋　Ａｌｌ
からなり、光・、ダミ素子膜１１とオーミック接合して
いる。また、外周電極１２は隣接する複数個の光導電素
子膜１１を相互に接続する共通電極である。

また、光４屯素子膜１１をとり囲む外周電極１２の一部
にはスリット１３が形成されている。

さらに、光導電素子膜１１の中央部表面には、これの矩
形よりひとまわり小さい矩形の島状電極１４が形成され
ており、この島状電極Ｉ４に連続した細い帯状の電極リ
ード部＋４ａが前記ス’）　ｙ　）　１３の部分を通っ
てパターン形成されている。この電極１４もＮｉＣｒ＋
Ａｕからなシ、光導電素子膜１１とオーミック接合して
おり、前記共通電極に対する個別電極となる。

光導電素子膜１１をと９囲む外周電極１２の矩形窓状部
分の内周縁と島状電極１４の矩形の外周縁との間のリン
グ状部分に光導電素子膜１１が露出しており、この部分
がひとつの画素の受光エリアとなる。

この受光エリアの外形寸法は幅Ｗ、長さしであり、この
寸法は前述１−だように主走査および副走査の解像度に
応じて決定することになる。

以上の構成において、前記リング状受光エリアの受光量
に応じて電極１２．１−１間の抵抗値が変化し、それが
受光出力となる。ここで第２図に示すように、ひとつの
画素を黒画像Ｂが横断する場合でも、同図（ａ＞（ｂ）
のようにリング状受光エリアに占める黒画像Ｂの面積が
異なれば、その違いが電極１２．　１４間の抵抗値にも
当然反映し、出力レベルは白黒の割合いに応じて異なる
。

第３図は本発明の第２実施例を示している。第１実施例
（第１図）ではスリット１３によって外周電極】２と島
状電極リード部１４ａとを分離している。

第２実施例ではスリット１３はなく、外周電極１２と島
状電極リード部１４ａとの間に絶縁膜１５を介在させ、
画電極を分離している。

発明の効果 以上詳細に説明したように、この発明に係る一次元イメ
ージセンサでは、各画素の受光素子が光導電素子膜と、
その外周縁をとり囲む外周電極と、光導電素子膜の中央
部に形成された島状電極とからなり、画電極のリング状
の隙間部分が受光エリアとなるので、受光エリアにかか
った画像の白黒の割合いに応じて変化する受光出力が得
られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例の要部である受光素子の平
面図と断面図、第２図は同上実施例の作用効果を説明す
るだめの平面図、第３図は第２実施例の平面図と断面図
、第４図は従来の一次元イメージセンサの平面図、第５
図は従来の問題点を説明するだめの平面図である。 １０・・・基板、１１・・・光導電素子膜、１２・・・
外周電極、１３・・・スリット、１４・・・島状電極、
１４ａ・・・リード部、１５・・・絶縁膜。 代理人の氏名　弁理士　粟野重　孝　ほか１活量 図 第 図 第 図 （Ｑ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に多数の受光素子を直線状に配列形成したもので
   、各受光素子は、所定形状に形成された光導電素膜と、
   この光導電素子膜の周縁部をとり囲むように形成された
   外周電極と、前記光導電素子膜の中央部に島状に形成さ
   れた島状電極とからなり、前記外周電極の内周縁と前記
   島状電極の外周縁との間のリング状部分が受光エリアに
   なっていることを特徴とする一次元イメージセンサ。