JPH0783134B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH0783134B2 JPH0783134B2 JP19040487A JP19040487A JPH0783134B2 JP H0783134 B2 JPH0783134 B2 JP H0783134B2 JP 19040487 A JP19040487 A JP 19040487A JP 19040487 A JP19040487 A JP 19040487A JP H0783134 B2 JPH0783134 B2 JP H0783134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- type region
- photoelectric conversion
- conversion device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、カメラ等のオート・フォーカス・システムと
して使用する光電変換装置に関するものである。
して使用する光電変換装置に関するものである。
（従来の技術） 第４図（ａ）は従来の光電変換装置の平面図、第４図
（ｂ）は第４図（ａ）の光電変換装置の中央縦断面図
で、１はｎ形の半導体基板、２は半導体基板１と同一の
導電形、即ちｎ形の第１の導電形領域で、この第１の導
電形領域２は半導体基板１の上に設けられている。３及
び４は半導体基板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形
の矩形の第２の導電形領域で、この第２の導電形領域３
及び４は、所定の幅の分離帯５を介して対向し、且つ、
その分離帯５が、入射スポット光の走査方向〔第４図
（ａ）においてＡ−Ａ線方向〕に対して直角になるよう
に、第１の導電形領域２の表面に配設されている。
（ｂ）は第４図（ａ）の光電変換装置の中央縦断面図
で、１はｎ形の半導体基板、２は半導体基板１と同一の
導電形、即ちｎ形の第１の導電形領域で、この第１の導
電形領域２は半導体基板１の上に設けられている。３及
び４は半導体基板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形
の矩形の第２の導電形領域で、この第２の導電形領域３
及び４は、所定の幅の分離帯５を介して対向し、且つ、
その分離帯５が、入射スポット光の走査方向〔第４図
（ａ）においてＡ−Ａ線方向〕に対して直角になるよう
に、第１の導電形領域２の表面に配設されている。
このように構成された従来例では、入射スポット光をＡ
−Ａ線方向に走査すると、入射スポット光の移動に伴っ
て第２の導電形領域３及び４からそれぞれ第５図に示す
ような出力信号が出力される。
−Ａ線方向に走査すると、入射スポット光の移動に伴っ
て第２の導電形領域３及び４からそれぞれ第５図に示す
ような出力信号が出力される。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、光電変換装置における出力信号の変化は、第
２の導電形領域３及び４に入射する入射スポット光の面
積の変化に比例するため、従来の光電変換装置では、入
射スポット光を走査したときの出力信号が連続的に変化
せず、而も、分離帯５を介しての出力信号の変化を第２
の導電形領域３の出力信号と第２の導電形領域４の出力
信号との比で読み出す方法を採っているので、直線性の
優れた変化領域の幅が狭くなって、３の信号と４の信号
との交点の検出精度が低下するため、演算回路等の周辺
回路が複雑になって、オート・フォーカス・システムの
製造原価が高くなると共に、オート・フォーカス・シス
テムの応答速度が遅くなるという問題があった。
２の導電形領域３及び４に入射する入射スポット光の面
積の変化に比例するため、従来の光電変換装置では、入
射スポット光を走査したときの出力信号が連続的に変化
せず、而も、分離帯５を介しての出力信号の変化を第２
の導電形領域３の出力信号と第２の導電形領域４の出力
信号との比で読み出す方法を採っているので、直線性の
優れた変化領域の幅が狭くなって、３の信号と４の信号
との交点の検出精度が低下するため、演算回路等の周辺
回路が複雑になって、オート・フォーカス・システムの
製造原価が高くなると共に、オート・フォーカス・シス
テムの応答速度が遅くなるという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、広
い範囲で連続的に変化し、而も直線性に優れた出力信号
を出力する光電変換装置を提供することを目的としてい
る。
い範囲で連続的に変化し、而も直線性に優れた出力信号
を出力する光電変換装置を提供することを目的としてい
る。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、半導体基板に設けた第１の導電形領域と、光
で走査したときに信号を出力する出力変換領域が矩形に
なるようにして第１の導電形領域に設けた第２の導電形
領域と、光の走査幅軌跡に対して直接的に傾斜した状態
で交差するように出力変換領域の一方の対角線に沿って
設けて、出力変換領域を対称形に２分した分離帯とから
なるものである。
で走査したときに信号を出力する出力変換領域が矩形に
なるようにして第１の導電形領域に設けた第２の導電形
領域と、光の走査幅軌跡に対して直接的に傾斜した状態
で交差するように出力変換領域の一方の対角線に沿って
設けて、出力変換領域を対称形に２分した分離帯とから
なるものである。
（作 用） 本願発明の光電変換装置を入射光で横方向に走査する
と、第２の導電形領域の面積が連続的に変化して、第２
の導電形領域に入射する入射光の面積も連続的に変化す
るので、広い範囲で連続的に変化し、而も直線性に優れ
た出力信号が得られる。
と、第２の導電形領域の面積が連続的に変化して、第２
の導電形領域に入射する入射光の面積も連続的に変化す
るので、広い範囲で連続的に変化し、而も直線性に優れ
た出力信号が得られる。
（実施例） 第１図（ａ）は本発明の一実施例における一具体例の平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一具体例の中央縦
断面図で、第４図（ａ）及び（ｂ）の符号と同一符号の
ものは同一部分を示しており、又、６及び７は半導体基
板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形の三角形の第２
の導電形領域で、この第２の導電形領域６及び７は、所
定の幅の分離帯５を介して対向し、且つ、その分離帯５
が、入射スポット光の走査方向〔第１図（ａ）において
Ａ−Ａ線方向〕に対して直線的に傾斜するように、第１
の導電形領域２の表面に配設されている。そして、第２
の導電形領域６及び７の出力変換領域は矩形であり、入
射スポット光の走査幅（ｙ方向）軌跡と交差する分離帯
５は出力変換領域の一方の対角線に沿って設けられてい
る。
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一具体例の中央縦
断面図で、第４図（ａ）及び（ｂ）の符号と同一符号の
ものは同一部分を示しており、又、６及び７は半導体基
板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形の三角形の第２
の導電形領域で、この第２の導電形領域６及び７は、所
定の幅の分離帯５を介して対向し、且つ、その分離帯５
が、入射スポット光の走査方向〔第１図（ａ）において
Ａ−Ａ線方向〕に対して直線的に傾斜するように、第１
の導電形領域２の表面に配設されている。そして、第２
の導電形領域６及び７の出力変換領域は矩形であり、入
射スポット光の走査幅（ｙ方向）軌跡と交差する分離帯
５は出力変換領域の一方の対角線に沿って設けられてい
る。
このように構成された本実施例において、例えば第２の
導電形領域６及び７の寸法ｘ及びｙが3.0mm×1.0mm、分
離帯５の幅が15μｍの光電変換装置を、直径が1mmの入
射スポット光でＡ−Ａ線方向に走査すると、第２図に示
すように、第２の導電形領域６の出力信号は直線的に減
少し、第２の導電形領域７の出力信号は逆に直線的に増
加する特性が得られると共に、出力変換領域の幅が広く
なる。
導電形領域６及び７の寸法ｘ及びｙが3.0mm×1.0mm、分
離帯５の幅が15μｍの光電変換装置を、直径が1mmの入
射スポット光でＡ−Ａ線方向に走査すると、第２図に示
すように、第２の導電形領域６の出力信号は直線的に減
少し、第２の導電形領域７の出力信号は逆に直線的に増
加する特性が得られると共に、出力変換領域の幅が広く
なる。
第３図（ａ）は本発明の一実施例における他の具体例の
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の他の具体例の中
央縦断面図で、第４図（ａ）及び（ｂ）の符号と同一符
号のものは同一部分を示しており、又、８及び９は半導
体基板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形の三角形に
近似した台形状の第２の導電形領域で、この第２の導電
形領域８及び９は、所定の幅の分離帯５を介して対向
し、且つ、その分離帯５が、入射スポット光の走査方向
〔第３図（ａ）においてＡ−Ａ線方向〕に対して直線的
に傾斜するように、第１の導電形領域２の表面に配設さ
れている。そして、第２の導電形領域６及び７の出力変
換領域は矩形であり、入射スポット光の走査幅（ｙ方
向）軌跡と交差する分離帯５は出力変換領域の一方の対
角線に沿って設けられている。
平面図、第３図（ｂ）は第３図（ａ）の他の具体例の中
央縦断面図で、第４図（ａ）及び（ｂ）の符号と同一符
号のものは同一部分を示しており、又、８及び９は半導
体基板１の導電形と異なる導電形、即ちｐ形の三角形に
近似した台形状の第２の導電形領域で、この第２の導電
形領域８及び９は、所定の幅の分離帯５を介して対向
し、且つ、その分離帯５が、入射スポット光の走査方向
〔第３図（ａ）においてＡ−Ａ線方向〕に対して直線的
に傾斜するように、第１の導電形領域２の表面に配設さ
れている。そして、第２の導電形領域６及び７の出力変
換領域は矩形であり、入射スポット光の走査幅（ｙ方
向）軌跡と交差する分離帯５は出力変換領域の一方の対
角線に沿って設けられている。
このように構成された本実施例において、例えば第２の
導電形領域８及び９の寸法ｘ及びｙが3.0mm×1.0mm、分
離帯５の幅が20μｍの光電変換装置を、直径が1mmの入
射スポット光でＡ−Ａ線方向に走査すると、第２図に示
すように、第２の導電形領域８の出力信号は直線的に減
少し、第２の導電形領域９の出力信号は逆に直線的に増
加する特性が得られると共に、出力変換領域の幅が広く
なる。
導電形領域８及び９の寸法ｘ及びｙが3.0mm×1.0mm、分
離帯５の幅が20μｍの光電変換装置を、直径が1mmの入
射スポット光でＡ−Ａ線方向に走査すると、第２図に示
すように、第２の導電形領域８の出力信号は直線的に減
少し、第２の導電形領域９の出力信号は逆に直線的に増
加する特性が得られると共に、出力変換領域の幅が広く
なる。
尚、分離帯５の形状を、凸凹にしたり、階段状にしたり
しても、第２図のような特性が得られるのは言うまでも
ない。
しても、第２図のような特性が得られるのは言うまでも
ない。
又、第２の導電形領域の形状を、三角形に近似した矩形
にしても、同様の効果があることは言うまでもない。
にしても、同様の効果があることは言うまでもない。
更に、本発明の具体例では、半導体基板及び第１の導電
形領域をｎ形に、第２の導電形領域をｐ形にした例で説
明したが、半導体基板及び第１の導電形領域をｐ形に、
第２の導電形領域をｎ形にしても、同様の効果が得られ
る。
形領域をｎ形に、第２の導電形領域をｐ形にした例で説
明したが、半導体基板及び第１の導電形領域をｐ形に、
第２の導電形領域をｎ形にしても、同様の効果が得られ
る。
（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、本発明の光電変換装置
を入射光で走査すると、直線性に優れた出力信号が広い
範囲で得られるので、２つの第２の導電形領域からそれ
ぞれ出力される信号の交点の検出精度が向上して、高分
解能なオート・フォーカス・システムが容易に実現でき
ると共に、演算回路等の周辺回路が簡素化されて、製造
原価が安く、且つ、応答速度の早いオート・フォーカス
・システムを容易に実現できるという効果がある。
を入射光で走査すると、直線性に優れた出力信号が広い
範囲で得られるので、２つの第２の導電形領域からそれ
ぞれ出力される信号の交点の検出精度が向上して、高分
解能なオート・フォーカス・システムが容易に実現でき
ると共に、演算回路等の周辺回路が簡素化されて、製造
原価が安く、且つ、応答速度の早いオート・フォーカス
・システムを容易に実現できるという効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における一具体例の平
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一具体例の中央縦
断面図、第２図は本発明の一実施例における具体例を入
射光で走査したときの出力信号図、第３図（ａ）は本発
明の一実施例における他の具体例の平面図、第３図
（ｂ）は第３図（ａ）の他の具体例の中央縦断面図、第
４図（ａ）は従来の光電変換装置の平面図、第４図
（ｂ）は第４図（ａ）の光電変換装置の中央縦断面図、
第５図は従来の光電変換装置を入射光で走査したときの
出力信号図である。 １……半導体基板、２……第１の導電形領域、５……分
離帯、3,4,6,7,8,9……第２の導電形領域。
面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の一具体例の中央縦
断面図、第２図は本発明の一実施例における具体例を入
射光で走査したときの出力信号図、第３図（ａ）は本発
明の一実施例における他の具体例の平面図、第３図
（ｂ）は第３図（ａ）の他の具体例の中央縦断面図、第
４図（ａ）は従来の光電変換装置の平面図、第４図
（ｂ）は第４図（ａ）の光電変換装置の中央縦断面図、
第５図は従来の光電変換装置を入射光で走査したときの
出力信号図である。 １……半導体基板、２……第１の導電形領域、５……分
離帯、3,4,6,7,8,9……第２の導電形領域。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に設けた第１の導電形領域と、 光で走査したときに信号を出力する出力変換領域が矩形
になるようにして前記第１の導電形領域に設けた第２の
導電形領域と、 前記光の走査幅軌跡に対して直線的に傾斜した状態で交
差するように前記出力変換領域の一方の対角線に沿って
設けて、前記出力変換領域を対称形に２分した分離帯と が具備されていることを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19040487A JPH0783134B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19040487A JPH0783134B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6436088A JPS6436088A (en) | 1989-02-07 |
| JPH0783134B2 true JPH0783134B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16257581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19040487A Expired - Lifetime JPH0783134B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783134B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2717839B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-02-25 | 松下電子工業株式会社 | 光半導体装置 |
| JP4220058B2 (ja) | 1998-06-30 | 2009-02-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体位置検出器 |
| JP4605419B2 (ja) * | 2000-08-30 | 2011-01-05 | 株式会社トプコン | 光束位置検出装置 |
| JP6542095B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-07-10 | コーデンシ株式会社 | 受光装置及び位置検出装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2394683A1 (fr) * | 1977-06-17 | 1979-01-12 | Renault | Dispositif d'enrichissement du melange air-essence dans un carburateur de moteur |
| JPS6166917A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Canon Inc | 距離検出用受光素子 |
| JPS62123784A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JPH067052B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1994-01-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | ２分割形半導体位置検出器 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP19040487A patent/JPH0783134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6436088A (en) | 1989-02-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0431231B2 (ja) | ||
| JPH0783134B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US4543489A (en) | Solid state image sensor | |
| JPS6341226B2 (ja) | ||
| JPS5990466A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US5311006A (en) | Infrared photodetector formed by array of semiconductor elements shaped to have increased electron diffusion area | |
| JP3297947B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| TW408230B (en) | Enhanced-light-collection-efficiency sensor | |
| JP2545801B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| US5502300A (en) | Compound optically tipped detectors | |
| KR102439210B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| JPH022165A (ja) | イメージセンサ | |
| KR20010018318A (ko) | 고체 촬상 소자 | |
| JP3260495B2 (ja) | 光位置検出用半導体装置 | |
| JPS6057716B2 (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| JPH05259431A (ja) | Ｃｃｄ素子 | |
| JPH07113983A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2885563B2 (ja) | 光検知素子 | |
| JPS6266758A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS58207767A (ja) | 一次元固体撮像装置 | |
| JPS62169476A (ja) | 受光ダイオ−ドアレ− | |
| JPH04103169A (ja) | 電荷転送撮像装置 | |
| JPH04218962A (ja) | イメージセンサ | |
| JP2524708Y2 (ja) | ポジションセンサ | |
| JPH02265273A (ja) | 一次元イメージセンサ |