JPH02265620A - 窒素弗化物含有排ガスの処理方法 - Google Patents
窒素弗化物含有排ガスの処理方法Info
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- JPH02265620A JPH02265620A JP1084891A JP8489189A JPH02265620A JP H02265620 A JPH02265620 A JP H02265620A JP 1084891 A JP1084891 A JP 1084891A JP 8489189 A JP8489189 A JP 8489189A JP H02265620 A JPH02265620 A JP H02265620A
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- waste gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒素弗化物含有排ガスの処理方法に関する。更
に詳しくは、窒素弗化物を含有する排ガスを窒化ホウ素
（ＯＮ）と接触させた後、更に引き続いて有機溶媒と接
触させて、含有する窒素弗化物を無害化する方法に関す
る。
に詳しくは、窒素弗化物を含有する排ガスを窒化ホウ素
（ＯＮ）と接触させた後、更に引き続いて有機溶媒と接
触させて、含有する窒素弗化物を無害化する方法に関す
る。
三弗化窒素（ＮＦｉ）ガスは超ＬＳＩ製造の際のドライ
エツチングガス、ＣｖＤ装置のクリーニングガスあるい
は化学レーザーの弗素源等として、近年特に注目されて
いる有用なガスである。
エツチングガス、ＣｖＤ装置のクリーニングガスあるい
は化学レーザーの弗素源等として、近年特に注目されて
いる有用なガスである。
ＮＦ、ガスは常温では物理的、化学的に安定なガスであ
るが、熱、紫外線、電気放電等の条件下では分解し、分
解生成物として四弗化二窒素（Ｎｚｐ４）、二弗化二窒
素（ｌｈＦ２）、六弗化二窒素（ＮｔＦａ）等の窒素弗
化物が生成する。
るが、熱、紫外線、電気放電等の条件下では分解し、分
解生成物として四弗化二窒素（Ｎｚｐ４）、二弗化二窒
素（ｌｈＦ２）、六弗化二窒素（ＮｔＦａ）等の窒素弗
化物が生成する。
しかして、ＮＦｓガスを上記用途に使用した場合には、
排ガス中にはこれ等の各窒素弗化物の外に未分解のＮＦ
ｓ も含有している。
排ガス中にはこれ等の各窒素弗化物の外に未分解のＮＦ
ｓ も含有している。
ＮＦ、ガスは許容濃度が１０１）り面の毒性ガスであり
、その分解生成物である上記窒素弗化物中には、ＮＦｆ
ｆより更に毒性が強く、かつ爆発性に富むＮｚＦａやｓ
ｇｐｘ等のガスが含まれている。
、その分解生成物である上記窒素弗化物中には、ＮＦｆ
ｆより更に毒性が強く、かつ爆発性に富むＮｚＦａやｓ
ｇｐｘ等のガスが含まれている。
従って、ＮＦｓガスを超ＬＳＩ製造用ガス等として有効
に使用するためには、排ガス中に含有するこれらの有害
な窒素弗化物を、経済的に許容濃度以下まで除去し無害
化することが不可欠である。
に使用するためには、排ガス中に含有するこれらの有害
な窒素弗化物を、経済的に許容濃度以下まで除去し無害
化することが不可欠である。
排ガス中の窒素弗化物を無害化する方法として従来は、
（１）炭化水素を燃焼させたバーナー炎中に排ガスを。
送入する方法。
（２）排ガスを高温の単体炭素と接触させる方法。
（Ｊ、Ｍａｓｓｏｎｎａ ｅｔ、ａｌ、Ａｎｇｅｗ、ｃ
ｈｅｍ、７８，３３６（１９６６））（３）排ガス中の
ＮＦｓを塩化アルミニウム、塩化鉄、塩化クロム、臭化
アルミニウム、臭化鉄、臭化クロム等の金属ハロゲンと
反応させる方法（特開昭６１−３５８３０公報）。
ｈｅｍ、７８，３３６（１９６６））（３）排ガス中の
ＮＦｓを塩化アルミニウム、塩化鉄、塩化クロム、臭化
アルミニウム、臭化鉄、臭化クロム等の金属ハロゲンと
反応させる方法（特開昭６１−３５８３０公報）。
（４）排ガス中のＮｈを銅、ビスマス、砒素、アンチモ
ン、鋼鉄等の金属と反応させる方法。
ン、鋼鉄等の金属と反応させる方法。
等が知られている。
しかしながら、（１）の方法では窒素弗化物の分解によ
り弗化水素（ＨＰ）及び窒素酸化物が生成するため、引
き続きこれらの生成物の処理を必要とするが、この処理
が煩雑であるという問題がある。
り弗化水素（ＨＰ）及び窒素酸化物が生成するため、引
き続きこれらの生成物の処理を必要とするが、この処理
が煩雑であるという問題がある。
（２）の方法においては、窒素酸化物と単体炭素を反応
させて窒素（Ｎりガスと四弗化炭素（ＣＦ、）ガスに完
全に分解するというものであるが、この分解を完全に行
なうためには５００℃以上の高温を必要とするので、場
合によっては上記反応が暴走し、爆発の危険を伴うとい
う問題がある。
させて窒素（Ｎりガスと四弗化炭素（ＣＦ、）ガスに完
全に分解するというものであるが、この分解を完全に行
なうためには５００℃以上の高温を必要とするので、場
合によっては上記反応が暴走し、爆発の危険を伴うとい
う問題がある。
（３）の方法では、ハロゲン交換反応により生成する金
属弗化物が金属ハロゲン化物の表面に皮膜を形成するの
で、反応効率が悪く、従って、処理後の排ガス中の窒素
弗化物の残存率が増加するという問題がある。また上記
金属ハロゲン化物の表面に形成された皮膜は、一部剥離
して反応器内に蓄積したりして、付属する配管等を閉塞
しトラブルの原因ともなる。また上記反応により塩素（
Ｃ１ｇ）ガスや臭素（Ｂｒｇ）ガス等が発生するので、
これが除去のための処理を必要とするという問題もある
。
属弗化物が金属ハロゲン化物の表面に皮膜を形成するの
で、反応効率が悪く、従って、処理後の排ガス中の窒素
弗化物の残存率が増加するという問題がある。また上記
金属ハロゲン化物の表面に形成された皮膜は、一部剥離
して反応器内に蓄積したりして、付属する配管等を閉塞
しトラブルの原因ともなる。また上記反応により塩素（
Ｃ１ｇ）ガスや臭素（Ｂｒｇ）ガス等が発生するので、
これが除去のための処理を必要とするという問題もある
。
（４）の方法を採用する場合は、使用する金属は空気に
曝露されていて、その表面に薄い酸化物の皮膜を形成し
ているので、予めこれを還元処理する必要がある。もし
該還元処理を省略した場合には、排ガスと金属との接触
温度を高くせざるを得す、また極めて有害で反応性に冨
む二弗化酸素（ＯＦｇ）ガスが発生する等の問題がある
。
曝露されていて、その表面に薄い酸化物の皮膜を形成し
ているので、予めこれを還元処理する必要がある。もし
該還元処理を省略した場合には、排ガスと金属との接触
温度を高くせざるを得す、また極めて有害で反応性に冨
む二弗化酸素（ＯＦｇ）ガスが発生する等の問題がある
。
本発明者等は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた
結果、窒素弗化物含有排ガスを特定の温度でＢＮと接触
させた後、有機溶媒と接触させればＯＦ、等の毒性の強
いガスを副生ずることなく、安全かつ簡便に長時間連続
的に上記徘ガスが無害化されることを見い出し、本発明
を完成するに至ったものである。
結果、窒素弗化物含有排ガスを特定の温度でＢＮと接触
させた後、有機溶媒と接触させればＯＦ、等の毒性の強
いガスを副生ずることなく、安全かつ簡便に長時間連続
的に上記徘ガスが無害化されることを見い出し、本発明
を完成するに至ったものである。
即ち本発明の窒素化合物含有排ガスの処理方法は、該排
ガスを１００〜６００℃の範囲の温度においてＢＮと接
触させた後、引き続いて有機溶媒と接触させることを特
徴とするものである。
ガスを１００〜６００℃の範囲の温度においてＢＮと接
触させた後、引き続いて有機溶媒と接触させることを特
徴とするものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は、上記の通り窒素化合物含有排ガスを、１００
〜６００℃の範囲の温度でＢＮと接触反応させた後、有
機溶媒と接触させて、含有する窒素弗化物を除去する方
法である。
〜６００℃の範囲の温度でＢＮと接触反応させた後、有
機溶媒と接触させて、含有する窒素弗化物を除去する方
法である。
本発明においては、窒素化合物含有排ガスとＢＮとの接
触は通常、例えばカラム等からなる反応容器にＢＮを充
填し、これに上記排ガスを通気する方法で実施される。
触は通常、例えばカラム等からなる反応容器にＢＮを充
填し、これに上記排ガスを通気する方法で実施される。
従って、本発明に使用する８Ｎは排ガスの通気による飛
散を防止するため、粒状または顆粒状のものが好ましい
、また、錠剤化されたＢＮも好適に使用可能である。
散を防止するため、粒状または顆粒状のものが好ましい
、また、錠剤化されたＢＮも好適に使用可能である。
本発明で使用するＢＮは、その結晶形状については特に
限定はなく、何れの形状のものでも使用可能であるが、
その中でも六方晶ＢＮ（ｈ−ＢＮ）が下記の理由により
好ましい。
限定はなく、何れの形状のものでも使用可能であるが、
その中でも六方晶ＢＮ（ｈ−ＢＮ）が下記の理由により
好ましい。
即ち、ｈ−８Ｎは他の結晶形状のものに比べて、排ガス
との接触温度が低くても窒素弗化物の分解率が高く、か
つ安価であるからである。
との接触温度が低くても窒素弗化物の分解率が高く、か
つ安価であるからである。
本発明においては、排ガスとＢＮとの接触により、排ガ
ス中の窒素熱化物とＢＮは上記温度において容易に反応
して、三弗化ホウ素（Ｏｈ）と窒素（Ｎｔ）を生成する
。この反応をＮｈを例として、示せば、下記（１）式の
通りである。
ス中の窒素熱化物とＢＮは上記温度において容易に反応
して、三弗化ホウ素（Ｏｈ）と窒素（Ｎｔ）を生成する
。この反応をＮｈを例として、示せば、下記（１）式の
通りである。
８Ｎ ＋ ＮＦｓ ” ＢＦｓ ＋ Ｎｔ −・
・・・・・−・（１）しかして生成したＢｈの沸点は一
１００℃、Ｎｚの沸点は一１９６℃と何れも気体である
。
・・・・・−・（１）しかして生成したＢｈの沸点は一
１００℃、Ｎｚの沸点は一１９６℃と何れも気体である
。
従って、従来公知の方法の如く、上記反応による生成物
がＢＨの表面に皮膜を形成することはないので、上記反
応は連続的に良好に維持されるのである。
がＢＨの表面に皮膜を形成することはないので、上記反
応は連続的に良好に維持されるのである。
本発明においては、窒素弗化物含有排ガスとＢＮとの接
触温度は１００〜６００℃の範囲で実施する必要があり
、好ましくは２００〜４００℃である。接触温度が１０
０℃未満の温度では、（１）式に示す反応の進行が大幅
に低下するので、長時間の接触時間を要するか、あるい
は反応容器を大きくする必要があるので、何れも不都合
である。
触温度は１００〜６００℃の範囲で実施する必要があり
、好ましくは２００〜４００℃である。接触温度が１０
０℃未満の温度では、（１）式に示す反応の進行が大幅
に低下するので、長時間の接触時間を要するか、あるい
は反応容器を大きくする必要があるので、何れも不都合
である。
逆に、上記接触温度が６００℃を越える場合は、反応容
器の材質を配慮する必要が生じ、また、熱エネルギーの
損失でもあるので不都合である。
器の材質を配慮する必要が生じ、また、熱エネルギーの
損失でもあるので不都合である。
本発明の方法において、（Ｌ）式の反応は上記の温度に
おいて速やかに進行するので、窒素弗化物含有排ガスと
ＢＮとの接触時間は短くてよく、ｌＯ〜２０秒程度で十
分であるが、念のため通常３０〜６０秒程度の時間で実
施される。
おいて速やかに進行するので、窒素弗化物含有排ガスと
ＢＮとの接触時間は短くてよく、ｌＯ〜２０秒程度で十
分であるが、念のため通常３０〜６０秒程度の時間で実
施される。
かくして処理された排ガスは、次いでこれを反応容器の
系外に導き、有機溶媒と後記する方法によって接触させ
て、上記ＢＮとの接触により生成したＢＦｆｆを除去し
た後大気放出される。
系外に導き、有機溶媒と後記する方法によって接触させ
て、上記ＢＮとの接触により生成したＢＦｆｆを除去し
た後大気放出される。
本発明では有機溶媒は、上記ＢＮとの接触により生成し
たＢＰ、を溶解するか、あるいはＢＦ、と付加化合物ま
たは複合化合物を生成し得るものであれば、何れも使用
できる。また、ＢＦ２と反応して有害ガスを発生しない
ものも使用可能である。
たＢＰ、を溶解するか、あるいはＢＦ、と付加化合物ま
たは複合化合物を生成し得るものであれば、何れも使用
できる。また、ＢＦ２と反応して有害ガスを発生しない
ものも使用可能である。
このような有機溶媒を列記すると、メチルアルコール（
ＣＨ！ＯＨ） 、エチルアルコール（ＣＪｓＯＨ）、プ
ロピルアルコール（Ｃ３Ｈ？ＯＲ） 、ブチルアルコー
ル（Ｃ４Ｈ！ＯＨ）、オクチルアルコール（Ｃｓｌ（＋
ＪＨ） 、エチレングリコール（（ｃａｎｏｎ）ｚ）
、アリルアルコール（ＣコＨ，ＯＨ） 、プロパギルア
ルコール（ＣＪｓＯＨ）、ベンジルアルコール（ＣＪｉ
ＣＨｔＯＨ）等のアルコール類、メチルエーテル〔（Ｃ
）１．）！０〕、エチルエーテル（（ＣＪｓ）ｇＯ）
、メチルエチルエーテル（ＣＨ！０Ｃｔｌｌｓ）、ｎ−
ブチルエーテル（（Ｃ４ＨＪ□０〕等のエーテル類、メ
チルアミン（ＣＨ３ＮＨｚ） 、エチルアミン（Ｃ＊１
ＩｓＮＨｆ）、プロピルアミン（ＣＪ）ＮＨｚ） 、エ
タノールアミン（Ｎ）ＩｚＣｆｂＣＦＩ意ＯＨ）等のア
ミン類、蟻酸（ｌ（ＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨｚＣＯＯＨ
） 、フェノール（ＣＪｓＯＨ）等の有機ｒｌｌＢ、ベ
ンゼン（Ｃ６）１６）、ジクロルベンゼン（Ｃ！）！、
ＣＩり 、クロロホルム（ＣＨＣＩｓ） 、四塩化炭素
（ＣＣＩ４）、二硫化炭素（Ｃ５ｔ）テトラヒドロフラ
ン（Ｃ４ＨＩＯ） 、ピリジン（ＣｓＨｓＮ） 、ピペ
リジン（ＣｓＨ＋＋Ｎ）等の化合物が挙げられる。
ＣＨ！ＯＨ） 、エチルアルコール（ＣＪｓＯＨ）、プ
ロピルアルコール（Ｃ３Ｈ？ＯＲ） 、ブチルアルコー
ル（Ｃ４Ｈ！ＯＨ）、オクチルアルコール（Ｃｓｌ（＋
ＪＨ） 、エチレングリコール（（ｃａｎｏｎ）ｚ）
、アリルアルコール（ＣコＨ，ＯＨ） 、プロパギルア
ルコール（ＣＪｓＯＨ）、ベンジルアルコール（ＣＪｉ
ＣＨｔＯＨ）等のアルコール類、メチルエーテル〔（Ｃ
）１．）！０〕、エチルエーテル（（ＣＪｓ）ｇＯ）
、メチルエチルエーテル（ＣＨ！０Ｃｔｌｌｓ）、ｎ−
ブチルエーテル（（Ｃ４ＨＪ□０〕等のエーテル類、メ
チルアミン（ＣＨ３ＮＨｚ） 、エチルアミン（Ｃ＊１
ＩｓＮＨｆ）、プロピルアミン（ＣＪ）ＮＨｚ） 、エ
タノールアミン（Ｎ）ＩｚＣｆｂＣＦＩ意ＯＨ）等のア
ミン類、蟻酸（ｌ（ＣＯＯＨ）、酢酸（ＣＨｚＣＯＯＨ
） 、フェノール（ＣＪｓＯＨ）等の有機ｒｌｌＢ、ベ
ンゼン（Ｃ６）１６）、ジクロルベンゼン（Ｃ！）！、
ＣＩり 、クロロホルム（ＣＨＣＩｓ） 、四塩化炭素
（ＣＣＩ４）、二硫化炭素（Ｃ５ｔ）テトラヒドロフラ
ン（Ｃ４ＨＩＯ） 、ピリジン（ＣｓＨｓＮ） 、ピペ
リジン（ＣｓＨ＋＋Ｎ）等の化合物が挙げられる。
これらの有機溶媒のうち、ＣＪｈ、Ｃ１Ｈ４Ｃｌ□、Ｃ
ｕＣｌ２ 、ＣＣＩｇ、ＣＳ、等はＢＦ３を単に溶解す
るのみであるが、エーテル類、アミン類、有機酸類、テ
トラヒドロフラン、ピリジン、ピペリジン等の化合物は
ｓｐｓと反応して複合化合物を生成する。アルコール類
はＢＰｘを単に溶解するかまたはＢＦｆｆと複合化合物
を生成する。
ｕＣｌ２ 、ＣＣＩｇ、ＣＳ、等はＢＦ３を単に溶解す
るのみであるが、エーテル類、アミン類、有機酸類、テ
トラヒドロフラン、ピリジン、ピペリジン等の化合物は
ｓｐｓと反応して複合化合物を生成する。アルコール類
はＢＰｘを単に溶解するかまたはＢＦｆｆと複合化合物
を生成する。
尚、上記排ガスと有機溶媒との接触温度は、通常、常温
付近で実施される。また、接触時の排ガスの圧力も特に
限定はな（、常圧付近が操作が簡便であるので好ましい
。
付近で実施される。また、接触時の排ガスの圧力も特に
限定はな（、常圧付近が操作が簡便であるので好ましい
。
上記排ガスと有機溶媒の接触の形態としては、ガススフ
ラッパーを使用し、有機溶媒を該ガススフラッパーの頂
部からスプレーしながら、排ガスを向流で該有機溶媒と
接触させるか、あるいは有機溶媒を満たした槽の中に排
ガスを吹き込み、バブリングさせる等の方法が簡便であ
るので好ましい。
ラッパーを使用し、有機溶媒を該ガススフラッパーの頂
部からスプレーしながら、排ガスを向流で該有機溶媒と
接触させるか、あるいは有機溶媒を満たした槽の中に排
ガスを吹き込み、バブリングさせる等の方法が簡便であ
るので好ましい。
かくして処理された排ガスは、窒素弗化物の濃度が許容
濃度１０ｐｐｍ以下まで除去され無害化されているので
、そのまま大気放出することができるのである。また、
ＢＮとの接触により生成したＢＦ３も、上記の有機溶媒
との接触により、実質的に完全に除去されるのである。
濃度１０ｐｐｍ以下まで除去され無害化されているので
、そのまま大気放出することができるのである。また、
ＢＮとの接触により生成したＢＦ３も、上記の有機溶媒
との接触により、実質的に完全に除去されるのである。
尚、本発明で対象とする窒素弗化物含有排ガス中の、該
窒素弗化物の濃度は特に限定はなく、例えば１００％の
Ｎｈガスでも、本発明の方法により容易に許容濃度以下
に無害化されるのである。
窒素弗化物の濃度は特に限定はなく、例えば１００％の
Ｎｈガスでも、本発明の方法により容易に許容濃度以下
に無害化されるのである。
更に付言するならば、ＣｖＤ装置のクリーニングガスや
ドライエツチングガスとして、フロンガスＲ−１３（モ
ノクロロトリフルオロメタン）、フロンガスＲ−１４（
テトラフルオロメタン）、フロンガスＲ−２３（トリフ
ルオロメタン）、フロンガスＲ−１１５（モノクロロペ
ンタフルオロエタン）、フロンガスＲ−１１６（ヘキサ
フルオロエタン）、フロンガスＲ−２１８（オクタフル
オロプロパン）、等の各種フロンガス、あるいは四弗化
ケイ素（Ｓ！Ｆ、）等のガスも使用される場合がある。
ドライエツチングガスとして、フロンガスＲ−１３（モ
ノクロロトリフルオロメタン）、フロンガスＲ−１４（
テトラフルオロメタン）、フロンガスＲ−２３（トリフ
ルオロメタン）、フロンガスＲ−１１５（モノクロロペ
ンタフルオロエタン）、フロンガスＲ−１１６（ヘキサ
フルオロエタン）、フロンガスＲ−２１８（オクタフル
オロプロパン）、等の各種フロンガス、あるいは四弗化
ケイ素（Ｓ！Ｆ、）等のガスも使用される場合がある。
従って、本発明で処理する窒素弗化、物含有排ガス中に
は、これら各種フロンガスや５ｉＦａガスも含有してい
る場合があるが、本発明においてはこれらのガスが含有
されていても、何ら影響なく窒素弗化物は除去されるの
で差し支えない。
は、これら各種フロンガスや５ｉＦａガスも含有してい
る場合があるが、本発明においてはこれらのガスが含有
されていても、何ら影響なく窒素弗化物は除去されるの
で差し支えない。
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
内径２５ｍｍ、高さ２００鴎麟のステンレス鋼製カラム
に粒状のｈ−ＢＮを充填（充填高さ１７０１１１１）
した後、外部からヒーターにより加熱しカラム内温度を
２５０〜２６０°Ｃに維持した。しかる後、ＮＦ、ｌガ
ス（純度９９．９９容量％以上）をＩＯＮ ｆｆｉ ／
ｈの流量で上記カラムに通気し、上記温度で２４時間連
続的に処理を行なった。
に粒状のｈ−ＢＮを充填（充填高さ１７０１１１１）
した後、外部からヒーターにより加熱しカラム内温度を
２５０〜２６０°Ｃに維持した。しかる後、ＮＦ、ｌガ
ス（純度９９．９９容量％以上）をＩＯＮ ｆｆｉ ／
ｈの流量で上記カラムに通気し、上記温度で２４時間連
続的に処理を行なった。
しかる後、上記で処理されたガスを、引き続き、内径２
００ｍｍ 、高さ１０００−園のガススフラッパー式洗
浄塔の塔底に導き、塔頂よりＣＪｈを３４！／ｓｉｎの
流量でスプレーし、向流によってガスの洗浄を行なった
。塔頂より排出されたガスをガスクロマトグラフィーに
て経時的に分析した結果は、排出ガスの主成分はＮオで
、ＮＦｓの濃度は１ ｐｐｍ以下であった。また、８Ｎ
との接触により生成したＢＦ、は検出されず、ガス中の
Ｎｈは極めて良好に除去されていることが判る。
００ｍｍ 、高さ１０００−園のガススフラッパー式洗
浄塔の塔底に導き、塔頂よりＣＪｈを３４！／ｓｉｎの
流量でスプレーし、向流によってガスの洗浄を行なった
。塔頂より排出されたガスをガスクロマトグラフィーに
て経時的に分析した結果は、排出ガスの主成分はＮオで
、ＮＦｓの濃度は１ ｐｐｍ以下であった。また、８Ｎ
との接触により生成したＢＦ、は検出されず、ガス中の
Ｎｈは極めて良好に除去されていることが判る。
また、ＢＮとの接触により処理されたガスも２時間毎に
ガスクロマトグラフィーで分析したが、その結果はＮＦ
ｓの濃度は１ｐｐ−以下であり、Ｎｈは極めて良好に分
解されていることが判る。
ガスクロマトグラフィーで分析したが、その結果はＮＦ
ｓの濃度は１ｐｐ−以下であり、Ｎｈは極めて良好に分
解されていることが判る。
実施例２
実施例１で使用したカラムに、粒状のｈ−ＢＮを充填（
充填高さは実施例１と同じ）した後、Ｎｈ濃度４０容置
％、ＮｔＰｔ濃度２容量％、Ｎ２濃度５８容量％の組成
のガスを、実施例１と同様にＩＯＮ ｆｉ ／ｈの流量
で通気してガスの処理を２４時間行なった。（ただし、
カラム内温度は２００〜２１０℃に保持）しかる後、上
記で処理されたガスを引き続き実施例１で使用した洗浄
塔の塔底に導き、塔頂よりＣＨ３０Ｈを３ｉノｆｆ１ｉ
ｎの流量でスプレーして、ガスの洗浄を行なった。
充填高さは実施例１と同じ）した後、Ｎｈ濃度４０容置
％、ＮｔＰｔ濃度２容量％、Ｎ２濃度５８容量％の組成
のガスを、実施例１と同様にＩＯＮ ｆｉ ／ｈの流量
で通気してガスの処理を２４時間行なった。（ただし、
カラム内温度は２００〜２１０℃に保持）しかる後、上
記で処理されたガスを引き続き実施例１で使用した洗浄
塔の塔底に導き、塔頂よりＣＨ３０Ｈを３ｉノｆｆ１ｉ
ｎの流量でスプレーして、ガスの洗浄を行なった。
塔頂より排出されたガスを、実施例１と同様にガスクロ
マトグラフィーで分析した結果は、排出ガスの主成分は
Ｎ２であり、ＮＦ３の濃度はＩＩ）９１１以下、Ｎｚｈ
及びＢＰ、は検出されず、ガス中の窒素弗化物は極めて
良好に除去されていることが判る。
マトグラフィーで分析した結果は、排出ガスの主成分は
Ｎ２であり、ＮＦ３の濃度はＩＩ）９１１以下、Ｎｚｈ
及びＢＰ、は検出されず、ガス中の窒素弗化物は極めて
良好に除去されていることが判る。
実施例３
実施例１で使用したカラムに、ｈ−ＢＮにかえてウルツ
絋ＢＮを充填し、またカラム内の温度を３５０°Ｃに変
更した以外は、実施例１と全く同一の条件にてＮＦｓガ
スの処理を行ない、しかる後、実施例１と全く同一の条
件で、上記で処理されたガスの洗浄を行なった。洗浄後
のガスをガスクロマトグラフィーで分析した結果は、実
施例１と同様に排出ガスの主成分はＮ！であり、ＮＦｓ
の濃度は１ ｐｐｍ以下と、ＮＦｓは極めて良好に除去
されていることが判る。
絋ＢＮを充填し、またカラム内の温度を３５０°Ｃに変
更した以外は、実施例１と全く同一の条件にてＮＦｓガ
スの処理を行ない、しかる後、実施例１と全く同一の条
件で、上記で処理されたガスの洗浄を行なった。洗浄後
のガスをガスクロマトグラフィーで分析した結果は、実
施例１と同様に排出ガスの主成分はＮ！であり、ＮＦｓ
の濃度は１ ｐｐｍ以下と、ＮＦｓは極めて良好に除去
されていることが判る。
実施例４
内径２００＋ｕ＋ 、高さ５００１のタンクに（ＣＪｓ
） ｔ。
） ｔ。
（液面の高さ３０ｈｍ）を入れ、該タンクの底部に設け
られたバブリング管（分散管）に、実施例１と全（同様
の方法でＢＮで処理されたガスを導き、バブリングさせ
てガスの洗浄を行なった。洗浄後のガスをガスクロマト
グラフィーで分析した結果は、実施例Ｉと同様に排出ガ
スの主成分はＮｔであり、ＮＰｓの濃度はＩ ｌ１ｌ）
１１以下と、Ｎｈは捲めて良好に除去されていることが
判る。
られたバブリング管（分散管）に、実施例１と全（同様
の方法でＢＮで処理されたガスを導き、バブリングさせ
てガスの洗浄を行なった。洗浄後のガスをガスクロマト
グラフィーで分析した結果は、実施例Ｉと同様に排出ガ
スの主成分はＮｔであり、ＮＰｓの濃度はＩ ｌ１ｌ）
１１以下と、Ｎｈは捲めて良好に除去されていることが
判る。
実施例５
実施例４で使用したタンクに（ＣＪｓＯ） 衾０に変え
てＣｇｌｌｓＮＨｇを使用した以外は、実施例４と同様
に排ガスの洗浄を行なった。洗浄後のガスをガスクロマ
トグラフィーで分析した結果は、実施例２と同様に排出
ガスの主成分はＮ、であり、ＮＦｓの濃度はＩ ９９ｍ
以下と、ＮＦｓは極めて良好に除去されていることが判
る。
てＣｇｌｌｓＮＨｇを使用した以外は、実施例４と同様
に排ガスの洗浄を行なった。洗浄後のガスをガスクロマ
トグラフィーで分析した結果は、実施例２と同様に排出
ガスの主成分はＮ、であり、ＮＦｓの濃度はＩ ９９ｍ
以下と、ＮＦｓは極めて良好に除去されていることが判
る。
以上詳細に説明した如く、本発明は窒素弗化物を含有す
る排ガスをＢＮと特定の温度で接触させる、あるいは、
該接触させた排ガスを引き続いて有機溶媒と接触させる
という簡便な方法である。
る排ガスをＢＮと特定の温度で接触させる、あるいは、
該接触させた排ガスを引き続いて有機溶媒と接触させる
という簡便な方法である。
本発明の方法で処理された排ガスは、含有する有害な窒
素弗化物が実施例に示す如く、実質的に完全に除去され
ているので、そのまま大気中に放出しても安全であり、
環境上に何ら悪影響を及ぼすことはないのである。
素弗化物が実施例に示す如く、実質的に完全に除去され
ているので、そのまま大気中に放出しても安全であり、
環境上に何ら悪影響を及ぼすことはないのである。
また、本発明の方法は上記のような方法であるので、極
めて効率よく、かつ経済的に排ガス中の窒素弗化物を無
害化することができる。従って、本発明はＮＦ２の用途
拡大に寄与することは勿論、ひいては、半導体の製造等
の産業に極めて大きく貢献するものである。
めて効率よく、かつ経済的に排ガス中の窒素弗化物を無
害化することができる。従って、本発明はＮＦ２の用途
拡大に寄与することは勿論、ひいては、半導体の製造等
の産業に極めて大きく貢献するものである。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- １）窒素弗化物を含有する排ガスを１００〜６００℃の
範囲の温度において窒化ホウ素と接触させた後、引き続
いて有機溶媒と接触させることを特徴とする窒素弗化物
含有排ガスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084891A JPH02265620A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 窒素弗化物含有排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1084891A JPH02265620A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 窒素弗化物含有排ガスの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265620A true JPH02265620A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13843375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1084891A Pending JPH02265620A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 窒素弗化物含有排ガスの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003053137A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-25 | Japan Pionics Co Ltd | 有害ガスの浄化方法 |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1084891A patent/JPH02265620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003053137A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-25 | Japan Pionics Co Ltd | 有害ガスの浄化方法 |
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