JPH02266930A - 電気素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の判用分野〉 本発明は、基板上にスピンコートされた、膜厚５０〜１
０００人の平滑かつ均質な高分子絶縁層を有する電気素
子に関する。

〈従来の技術〉 バリスタ、サイリスタ、ダイオード、フォトダイオード
、発光ダイオード、トランジスタ及びそれらを集積して
なるＬＳＩ等は、基本的にＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎ５
ｕｌａｔｏｒ／Ｍｅｔａｌ　：金属／絶縁体／金属）。

Ｍ　Ｉ　Ｓ　（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ／Ｓａ
ｓ＋１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　：金属／絶縁体７半導体）
　、　Ｍ　Ｓ　（Ｍｅｔａｌ／Ｓｅｍ１ｃｏｒ＋ｄｕｃ
ｔｏｒ　：金属７半導体冨ショットキー素子）、 ＳＩＳ（Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ／Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ／Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）等の構造に分類さ
れる。このうち絶縁層（以下工層と略す）を必要とする
ＭＩＭ、ＭＩＳ、ＳＩＳ索子に関しては、通常アルミニ
ウム又はベリリウム等の基板やシリコン基板表面を薄く
酸化して金属酸化物及び／又はＳｉＯ□絶縁層を形成さ
せ１次いで対向電極を設ける方法が機業されている。し
かしながらこの方法は上記以外の金属及び／又は半導体
基板には適用できず、特に化金物半導体を含めたＳｉ以
外の半導体を用いる場合には、ダイオード、フォトダイ
オード、発光ダイオード、電界効果トランジスタ等の応
用ｓｍの広いＭＩＳ型素子への適用ができないという欠
点がある。従って有機化合物のＩ＠縁性薄膜篭、１層で
用いることができれば、すべての組み合わせが可能とな
る。

その際、用いる絶縁性薄膜は５０〜１０００人の膜厚で
あり、しかも平滑かつ均質である二とが要求さ九る。

ところで、分子配向の揃った、平滑且つ均質な高分子超
薄膜の作成法の一つにラングミュア−プロジェット法（
以下ＬＢ法と略す）が知られている。

該ＬＢ法は、有機分子を有機溶媒により希薄溶液とし２
次いで清浄な水面上に展開して、溶媒が蒸散した後に残
る気体膜を平面方向に圧縮して分子が密にバッキングさ
れた固体膜を形成し、しかる後に固体基板表面に固体膜
を移し取り、累積させる方法であって、この結果形成さ
れる基板上の薄膜をＬＢ膜と称する〔（例えば、文献に
、Ｂ。

Ｂｌｏｄｇｅｔｔ、Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｅ、、５
５，１００７（１９３５）を参照）、罠、Ｆｕｋｕｄａ
他、Ｊ、Ｃｏ１１ｏｉｄ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ　Ｓｃｉ
、５４，４３０（１９７６）］　、　ＬＢ膜の特長は１
分子オーダーの超薄膜から、積層を繰返すことにより任
意の厚みの累積膜まで作成でき、かつ分子配向の揃った
平滑・均質な膜であることにある。従ってＬＢ膜は１種
々のエレクトロニクス用材料として期待され、炭素数１
６以上の直鎖脂肪酸ないしそのアルカリ土類金属塩、カ
ドニウム塩のＬＢ膜化は広く検討されている【たとえば
、福田清成、中原弘雄著、化学総ａ４０＜分子集合体＞
　ｐ、１１２−１０４．ｔ９８３］　、　シかしながら
、エムらの脂肪酸ないしその金属塩のＬＢ膜は力学強度
、耐熱性等に乏しく実用的でないという欠点がある。そ
こで重合性脂肪酸をＬＢ膜化してから重合処雇を施すか
、あるいは水面上で重合してからＬＢ膜化する方法が考
案されているが、該重合法では、重合時に膜のひきつり
やクラックの形成が甚だしく、基板への移し取りが極め
て困難である。

一方、高分子を用いてＬＢ膜を作成しておき、これを基
板に累積していく方法が考えられるが。

一般の高分子は、希薄溶液に於いてさえも糸まり状の集
合状態を有し、水面状に展開したときに気体膜状態にな
らずＬＢ膜化が困難であり９例外的にポリペプチドやポ
リフマレートを用いることにより高分子鎖が棒状構造と
なりＬＢ膜を作ることが報告されている［Ｊ、Ｈ，Ｍｃ
ａｌｅａｒ他、Ｓｙｍｐｏｓｉｕｓｏｎ　ＶＬＳＩ　Ｔ
ａｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＤｉｇｅＳｔ　ｏｆ　ｔｅｃｈ、
Ｐａｐａｒ、８２（１９８１Ｌ　　Ｋ、Ｓｈｉｇｅｈａ
ｒａ　　他、　Ｊ、ム鳳ｅｒ、ｃｈｅｓ＋、ｓｏｃ、。

１２３７　Ｖｏｌ、１０９．（１９ｇ？）］　。

更に電気素子に絶縁層を設けるために、基板上に合成高
分子の溶液をスピンコートすることなどが試みられてい
るが、超薄膜に求めらる性能として、耐熱温度は少なく
とも２００℃以上であり。

熱的にも化学的に安定で、耐湿性や機械的・電気的特性
に優れたものでなければならず、これらの要求を満足す
る高分子は限られ１例えば、ポリイミド、ポリエーテル
スルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、
ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンテレフタレート
等が知られている。スピンコート法による超薄膜の製造
法では、前記高分子を有機溶媒に溶かして希薄溶液を作
成し、スピンコートした後溶媒な蒸発させて絶縁膜を作
るのであるが、例えばポリイミドやポリスルホンを溶か
すジメチルアセトアミドやＮ−メチルピロリドン等の溶
媒は、極性溶媒でしかも高沸点溶媒であるため、蒸発速
度が遅く、超薄膜中に残存する可能性が高いという欠点
がある。またポリマー溶液の粘度は比較的高く、均一で
しかも平滑な膜を電気素子中に作成するにはかなりの技
術を要するのが実状である。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は１機械的・化学的及び熱的耐久性に優れ
、且つ分子配向性を有する高分子絶縁層を含む電気素子
を提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 本発明によれば、基板と、フマル酸ジエステル重合体の
溶液をスピンコート法により前記基板上に形成してなる
膜厚５ｏ〜１０００人の高分子絶縁層と、電極とを有す
る電気素子であって、前記フマル酸ジエステル重合体が
、下記一般式（式中、Ｒ８及びＲ１は同−若しくは具な
る基を表わし、Ｒ２及びＲ１の少なくとも一方の基は炭
素数３〜１２の枝分れアルキル基、炭素数３〜１２のシ
クロアルキル基、炭素数３〜１４の環構造の置換基を有
する炭素数２〜６の置換アルキル基、前記環構造の置換
基を有する炭素数３〜１０の置換シクロアルキル基又は
シロキサン系炭化水素基を表わし、前記枝分れアルキル
基、前記シクロアルキル基、前記置換アルキル基、前記
置換シクロアルキル基及び前記シロキサン系炭化水素基
にはへテロ原子が含まれていてもよく、またハロゲン原
子で置換されていてもよい、）にて示されるフマル酸ジ
エステルの繰返し単位を含むことを特徴とす電気素子が
提供される。

以下本発明を更に詳細に説明する。

本発明において、電気素子とは、例えばｒ金属／高分子
絶縁層／金属」のＭＩＭ構造、「金属／高分子絶縁層７
半導体」のＭＩＳ構造、「半導体／高分子絶縁層／半導
体ｊのＳ工Ｓ構造等を有するものであり、前記金属及び
半導体の一方が基板を、他方が電極を表わす。

本発明では下記一般式 にて示されるフマル識ジエステルの繰返し単位を含有す
るフマル酸ジエステル重合体を高分子絶縁層を構成する
ための成分として用いる０式中、Ｒ３及びＲ３は同−若
しくは異なる基を表わし、Ｒ１及びＲ８の少なくとも一
方の基は炭素数３〜１２の枝分九アルキル基、炭素数３
〜１２のシクロアルキル基、炭素数３〜１４の環構造の
置換基を有する炭素数２〜６の置換アルキル基、前記環
構造の置換基を有する炭素数３〜１０の置換シクロアル
キル基又はシロキサン糸炭化水素表表す。

前記枝分れアルキル基、前記シクロアルキル基、前記置
換アルキル基、前記置換シクロアルキル基及びシロキサ
ン系炭化水素基には窒素原子、酸素原子、リン原子、イ
オウ原子等のへテロ原子が含まれていてもよく、またハ
ロゲン原子で置換されていてもよいａＲｌ及びＲ８の一
方の基のみが上記炭化水素基の場合、他方の基は炭素数
１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキ
ル基であるのが望ましい、前記一般式で表わされる繰返
し単位を有するフマル酸ジエステル重合体は。

例えばジエチルフマレート、ジイソプロピルフマレート
、ジー５ａｏ−ブチルフマレート、ジーｔａｒｔ−ブチ
ルフマレート、イソプロピル−ｎ　−アミルフマレート
、ｔａｒｔ−ブチル−５ａｏ−ブチルフマレート、ｔｅ
ｒｔ−ブチルイソアミルフマレート、イソプロピル−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフマレート等のジアルキルフマレート；
ジシクロペンチルフマレート、ジシクロへキシルフマレ
ート。

ジシクロへブチルフマレート、シクロペンチル−シクロ
へキシルフマレート等のジシクロアルキルフマレート；
イソプロピル−シクロヘキシルフマレート等のアルキル
シクロアルキルフマレート；ジフェニルフマレート、ジ
ベンジルフマレート等のジアリールフマレート、イソプ
ロピル−フェニルフマレート、ｔａｒｔ−ブチルベンジ
ルフマレート等のアルキルアリールフマレート；ジトリ
メチルシリルフマレート、イソプロピル−トリス（トリ
メチルシロキシ）シリルプロピルフマレート、ｔｅｒｔ
−ブチル−トリス（トリメチルシロキシ）シリルプロピ
ルフマレート等の各種アルキルシロキサニルフマレート
；シクロアルキルシロキサニルフマレート等のアリール
シロキサニルフマレート類；ジトリフルオロエチルフマ
レート。

ジヘキサフルオロイソプロビルフマレート、シバ−フル
オロブチルエチルフマレート、ジパーフルオロオクチル
エチルフマレート等の各種のフルオロアルキルフマレー
ト；イソプロピル−ヘキサフルオロイソプロピルフマレ
ート、イソプロピル−パーフルオロオクチルエチルフマ
レート、ｔｅｒｔ−ブチル−パーフルオロオクチルエチ
ルフマレート等のアルキルフルオロアルキルフマレート
；アリールフルオロアルキルフマレート、ビスークロロ
イソプロピルルフマレート等の単独重合体又は共重合体
、更には、前記フマル酸ジエステル重合体を構成するフ
マル酸ジエステルと、スチレン、α−メチルスチレン、
酢酸ビニル、安息香酸ビニル、ビニルピリジン、ビニル
エーテル類、アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸エ
ステル類等の公知のラジカル重合性七ツマ−との共重合
体等を挙げることができる。

本発明において、前記フマル酸ジエステル重合体の分子
量は、高分子絶縁層の機械的強度及び化学的安定性を鑑
みると、１００００〜１００００００、特に２００００
〜５ｏｏｏｏｏの範囲であるのが好ましい。

また本発明の電気素子に用いる高分子絶縁層は、膜厚５
０〜１０００人とする必要がある。

本発明において、前記高分子絶縁層の成分であるフマル
酸ジエステル重合体を製造するには１通常のラジカル重
合法を好ましく用いることができる０重合に際し用いら
れる重合開始剤としては、１０時間半減期温度が１２０
℃以下の有機過酸化物及びアゾ化合物の１種又は２種以
上を好ましく用いることができ、該重合開始剤としては
、過酸化ベンゾイル、ジイソプロピルペルオキシカーボ
ネート、ｔａｒｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキ
サノエート％ｔｅｒｔ−プチルペルオキシピパレート、
ｔ・ｒｔ−ブチルペルオキシジイソブチレート、過識化
ラウロイル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられ
る０重合開始剤の使用量としては原料量ツマー１００重
量部に対して１０重量部以下が好ましく、さらに好まし
くは５重量部以下である。

本発明に用いるフマル酸ジエステル重合体中には、少な
くとも前記一般式で表わされるフマル酸ジエステルの繰
返し単位を６０モル％以上含有するのが好ましい、また
得られるフマル酸ジエステル重合体のガラス転移温度（
Ｔｇ）は、２００℃以上であるのが望ましい。

本発明において、前記フマル酸ジエステル重合体を高分
子絶縁層とするには、まず該フマル酸ジエステル重合体
を、汎用の有機溶媒、例えばクロロホルム、二醜化エチ
レン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベンゼン等に
溶解し、フマル酸ジエステル重合体の溶液を調製するの
であるが、例えば高濃度溶液又は高沸点溶媒の溶液を用
いると、高分子絶縁層とする際に、表面平滑度、均質性
等を制御できないばかりでなく、溶媒蒸発が遅くなり溶
剤の残留の危険性があるので、前記有機溶媒を用いるの
が好ましく、特にクロロホルムが望ましい、また、フマ
ル酸ジエステル重合体の溶液濃度は、フマル酸ジエステ
ル重合体０．５〜２０−／−を含む溶液とするのが好ま
しく、特に好ましくは、０．５〜１０■／−１更に好ま
しくは０．５〜３■／−の範囲に調製することにより。

フマル酸ジエステル重合体の溶液を得ることができる０
次に前記フマル酸ジエステル重合体の溶液奄スピンコー
ト法により、高分子絶縁層を形成するのであるが、ここ
でスピンコート法とは、回転する基板上に、溶液を滴下
し、薄膜を製造する方法であり、ｍ液の濃度、基板の回
転数、溶剤の沸点等により膜厚を制御する方法である。

本発明では、前記フマル酸ジエステル重合体の溶液をス
ピンコート法にて、膜厚５０〜１０００人の超薄膜とす
るために、スピンコーターの回転数を１０００〜１５０
００程度とするのが好ましい、また膜厚は、作業温度に
よっても若干変化するが、前記各条件の下では、通常１
０〜３６℃程度の作業温度でスピンコートすることによ
り所望の高分子絶縁層を製造することができる。

本発明において、前記入ピンコート法に用いる基板は、
前記高分子絶縁層の均質性及び平滑性に影響を及ぼす恐
れがあるが、通常肉眼Ｉ！ｌ！察で研磨痕跡が認められ
ない程度のミラー表面であれば十分である。前記基板と
しては、例えばＡ１、Ｓｉ、Ｇｅｍ、　Ｎｉ％Ｆａ、　
Ｇｏ、　Ｃｕ、　Ｐｔ、　Ａｕ、希土類金属、金属酸化
物及び金属酸化物半導体１例えばＳ　ｉ　Ｏ，、Ｎｉ０
１ＳｎＯ，、Ｉｎ、Ｏ，、インジウムスズネサガラス、
酸化スズネサガラス（以下ＮＥＳＡと略す）、化合物半
導体、例えば、ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウ
ムリン、カルコゲン類、例えばセレン化亜鉛、硫化亜鉛
などの遷移金属セレン化物、硫化物、Ｗ０３系カルコゲ
ニド、ｖＯ□系カルコゲニド、ポリカーボネート、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン等により調製される基板を用いる・ことができるが必
ずしもこれらに限定されるものではなく、導電性又は半
導体物質であればよい。

本発明においては、前記スピンコート法により得られる
基板を有する高分子絶縁層上に、前記基板と同様な導電
体又は半導体の電極を例えば真空状態、高周波スパッタ
リング、イオンビームスパッタリング、分子線エピタキ
シー等の方法を用いて設置することにより、目的の電気
素子とすることができる。

〈発明の効果〉 本発明の電気素子は、力学強度、耐熱性、耐候性、透明
性、絶縁性、体質性等に優れたフマル酸ジエステル重合
体を有する高分子絶縁層を使用しているため、金属、半
導体の全ての材料系を基板とする電気素子に適用可能で
あり１次のような分野に利用することができる。

（１）　Ｍ　Ｉ　Ｍ　（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎ５ｕｌａｔｏ
ｒ／Ｍｅｔａｌ）型素子、すなわち、バリスタ、サイリ
スタなど。

（２）　Ｍ　Ｉ　Ｓ　（Ｍｅｔａｌ／Ｉｎ５ｕｌａｔｏ
ｒ／Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型素子、すなわちダ
イオード、フォトダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ
）など。

（３）　　Ｓ　　Ｉ　　Ｓ　　（ｐ−５ｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ／Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ／ｎ−５ａｍｉｃｏｎ
ｄｕｃｎ−５ａ型素子、即ちダイオード、フォトダイオ
ード、発光ダイオード（ＬＥＤ）など。

〈実施例〉 以下本発明を、実施例、参考例により更に詳細に説明す
るが本発明はこれらに限定されるものではない。

皇］口１Ｌ ジイソプロピルフマレートをガラスアンプル中に１０．
とり、ラジカル重合開始剤として、アゾビスイソブチロ
ニトリルを０．１．添加し、次にアンプル内を窒素置換
および脱気をくり返した後密封し、４０℃で４８時間塊
状重合を行なった。

重合後内容物をベンゼンに溶解し、大量のメタノールに
投入してポリマーを沈殿させ、炉別し十分メタノール洗
浄を行なった後、減圧乾燥しで、分子量２３５０００の
ポリ（ジイソプロピルフマレート）（以下ＰＤＩＰＦと
略す）を得た。

１１丘よ ガラス基板４上に厚さ２３００人のＩＴＯ（インジウム
チンオキシド、激化インジウム、酸化スズ）（１０オー
ム／ａ１）の透明基板２を設けた後、該透明基板２上に
参考例１で調製したＰＤｉ　ＰＦのクロロホルム（ＣＨ
Ｃ１つ）溶液（３■／７２）を回転数４９００でスピン
コートして１００人の薄膜１を形成した。さらにアルミ
ニウムを蒸着し、電極３を設けてＭＩＭ型の素子（ＩＴ
Ｏ／ＰＤｉＰＦ／Ａｌ）を作成した。得られたＭＩＭ型
素子・をｉｎ　５ｉｔｕで真空下（１０−“ｔ　ｏ　ｒ
　ｒ）において電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測定した。

得られたＭＩＭ型の素子の模式図を第１図に、Ｊ−Ｖ特
性を測定した。

得られたＭＩＭ型の素子の模式図を第１図に、Ｊ−Ｖ特
性を第２図に示す。

叉ｌ五ｌ ガラス基板上に厚さ２３００人のＩＴＯ（インジウムチ
ンオキシド、激化インジウム、醸化スズ）（１０オーム
／ｃｉ）の透明基板を設けた後、該透明基板上に参考例
１で調製したＰＤｉＰＦのクロロホルム（ＣＨＣｌ、）
溶液（Ｓ■／−）を回転数４９００でスピンコートして
２００人の薄膜を形成した。さらに金を蒸着し、電極を
設けてＭＩＭ型の素子（ＩＴＯ／ＰＤｉＦ’Ｆ／Ａｕ　
）を作成し空気下で電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測定し
た。その結果を第３図に示す。

失直握旦 ガラス基板上に厚さ２３００人のＩＴＯ（インジウムチ
ンオキシド、酸化インジウム、酸化スズ）（１０オーム
／ａ１）の透明基板を設けた後、該透明基板上に参考例
１で調製したＰＤｉＰＦのクロロホルム（ＣＨＣｌ、）
溶液（６■／−）を回転数５０００でスピンコートして
３００人の薄膜を形成した。さらに金を蒸着し、電極を
設けてＭＩＭ型の素子（ＩＴＯ／ＰＤｉＰＦ／Ａｕ　）
を作成し空気下で電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測定した
。その結果を第４図に示す。

去１１」− ガラス基板上に厚さ２３００人のＩＴＯ（インジウムチ
ンオキシド、酸化インジウム、酸化スズ）（１０オーム
／ａＩ）の透明基板を設けた後、該透明基板上に、ポリ
ジシクロへキシルフマレート（ＰＤｃＨＦ）（分子量１
７４０００）のクロロ＊）ＬｔＡ　（ＣＨＣｌ、）＠液
（３ｍ／ｄ）を回転数４９００でスピンコートして１５
０Ａの薄膜を形成した。さらに金を蒸着し、電極を設け
てＭＩＭ型の素子（ＩＴＯ／ＰＤｉＰＦ／Ａｕ　’Ｊを
作成し空気下で電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測定した。

その結果第４図に示す特性と同様な特性が得られた。

１１Ｊ− ガラス基板上に厚さ２３００人のＩＴＯ（インジウムチ
ンオキシド、酸化インジウム、酸化スズ）（１０オーム
／−）の透明基板を設けた後、該透明基板上に、ポリジ
ｔａｒｔ−ブチルフマレート（ＰＤｔＢＦ）（分子量２
５８０００）のクロロホルム（ＣＨＣｌ、）溶液（５■
／−）を回転数４９００でスピンコートして２００人の
薄膜を形成した。さらに金を蒸着し、電極を設けてＭＩ
Ｍ型の素子（ＩＴＯ／ＰＤｉＰＦ／Ａｕ）を作成し空気
下で電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測定した。その結果第
４図に示す特性と同様な特性が得られた。

裏直五立二上ｌ 実施例２と同様に、ただしＰＤｉＰＦの代わりにポリイ
ソプロピル−ｔａｒｔ−ブチルフマレート（ＰｉＰ／１
ＢＦ）、ポリイソプロピル−ｎ−アミルフマレート（Ｐ
ｉ　Ｐ／ＡｍＦ）　、ポリーｔａｒｔ−ブチルー８６０
−ブチルフマレート（ＰｔＢ／５ＢＦ）、ポリビスクロ
ロイソプロピルフマレート（ＰＢＣＩ　ＰＦ）　、ポリ
ーｔａｒｔ−ブチルイソアミルフマレート（ＰｔＢ／ｉ
ＡｍＦ）、ポリイソプロピルへキサフルオロイソプロピ
ルフマレート（Ｐ　ｉ　Ｐ　／　Ｆ＊　ｌ　Ｐ　Ｆ　）
−ポリイソプロピル−パーフルオロオクチルエチルフマ
レート（Ｐ　ｉ　Ｐ　／　Ｆａｔ　Ｆ　）　、ポリｔｅ
ｒｔ−ブチルーパーフルオロオクチルエチルフマレート
（ｐｔＢ　／　Ｆｉ、　Ｆ　）を用いて、表１に示す各
条件で基板上に高分子絶縁層を設けた。さらに金または
アルミニウムを蒸着し、電極を設けてＭＩＭ型の素子（
ＩＴＯ／ＰＤＲＦ／＾１）又は（ＩＴＯ／ＰＤＲＦ／Ａ
ｌ）を作成し、空気下で電流−電圧（Ｊ−Ｖ）特性を測
定したところ、第４図と同様の結果が得られた１表１に
１条件及び高分子絶縁層の膜厚を示す。

【図面の簡単な説明】

第１Ｉ！ｌは実施例１で製造したＭＩＭ型素子の模式図
、第２図は実施例で製造したＭＩＭ！！素子の電流−電
圧特性を示すグラフ、第３図は実施例２で製造した素子
の電流−電圧特性を示すグラフ。 第４図は実施例３で製造した素子の電流−電圧特性を示
すグラフである。 １・・ＰＤｉＰＦの薄膜、２・・ＩＴＯの透明基板、３
・・電極、４・・ガラス基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板と、フマル酸ジエステル重合体の溶液をスピンコー
   ト法により前記基板上に形成してなる膜厚５０〜１００
   ０Åの高分子絶縁層と、電極とを有する電気素子であっ
   て、前記フマル酸ジエステル重合体が、下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は同一若しくは異なる基を表
   わし、Ｒ＿１及びＲ＿２の少なくとも一方の基は炭素数
   ３〜１２の枝分れアルキル基、炭素数３〜１２のシクロ
   アルキル基、炭素数３〜１４の環構造の置換基を有する
   炭素数２〜６の置換アルキル基、前記環構造の置換基を
   有する炭素数３〜１０の置換シクロアルキル基又はシロ
   キサン系炭化水素基を表わし、前記枝分れアルキル基、
   前記シクロアルキル基、前記置換アルキル基、前記置換
   シクロアルキル基及び前記シロキサン系炭化水素基には
   ヘテロ原子が含まれていてもよく、またハロゲン原子で
   置換されていてもよい。）にて示されるフマル酸ジエス
   テルの繰返し単位を含むことを特徴とする電気素子。