JPS61227166A - スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツトInfo
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- JPS61227166A JPS61227166A JP6616685A JP6616685A JPS61227166A JP S61227166 A JPS61227166 A JP S61227166A JP 6616685 A JP6616685 A JP 6616685A JP 6616685 A JP6616685 A JP 6616685A JP S61227166 A JPS61227166 A JP S61227166A
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- bismuth
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、スパッタリング用のビスマスまたはビスマ
ス含有ターゲットに関する。 −「従来の技術」 一般にターゲットを用いてスパッタリングを行なう場合
には、ターゲットに発生する多量の熱を逃がすために、
ターゲットをバッキングプレート（銅製冷却板）にろう
付け接合するようにしている。
ス含有ターゲットに関する。 −「従来の技術」 一般にターゲットを用いてスパッタリングを行なう場合
には、ターゲットに発生する多量の熱を逃がすために、
ターゲットをバッキングプレート（銅製冷却板）にろう
付け接合するようにしている。
ターゲットがビスマス（旧）またはビスマス合金（例え
ば、Ｂｏａｔｓ％Ｂｉ ・４０ａｔｍ％Ｓｅ）の場合、
これらは熱衝撃に弱いので、インジウム（Ｉｎ）および
Ｉｎ系金属もしくはｊｉ（Ｓｎ）およびＳｎ系金属など
の低融点ろう材を使わなければならない。
ば、Ｂｏａｔｓ％Ｂｉ ・４０ａｔｍ％Ｓｅ）の場合、
これらは熱衝撃に弱いので、インジウム（Ｉｎ）および
Ｉｎ系金属もしくはｊｉ（Ｓｎ）およびＳｎ系金属など
の低融点ろう材を使わなければならない。
「９発明が解決しようとする問題点」
上記のように、ビスマスまたはビスマス含有ターゲツト
材の場合、ＩｎおよびＩｎ系金属もしくはＳｎおよびＳ
ｎ系金属のろう材によりバッキングプレートに接合すれ
ば、ターゲットを損ねることなく接合を行なうことがで
きるが、上記ろう材は、ろう付け時およびスパッタリン
グ時にターゲット中に浸透、拡散（この性質を、本明細
書においては、固相溶解性と称す）しやすく浸透、拡散
の結果、ターゲットの品質が損なわれてしまうという問
題が発生していた。
材の場合、ＩｎおよびＩｎ系金属もしくはＳｎおよびＳ
ｎ系金属のろう材によりバッキングプレートに接合すれ
ば、ターゲットを損ねることなく接合を行なうことがで
きるが、上記ろう材は、ろう付け時およびスパッタリン
グ時にターゲット中に浸透、拡散（この性質を、本明細
書においては、固相溶解性と称す）しやすく浸透、拡散
の結果、ターゲットの品質が損なわれてしまうという問
題が発生していた。
この発明は、上記問題を解決するためになされたもので
、ろう材のターゲット内への浸透、拡散を防止すること
ができ、放熱率の向上を図ることができるスパッタリン
グ用ビスマスまたはビスマス含有ターゲットを提供する
ことを目的とする。
、ろう材のターゲット内への浸透、拡散を防止すること
ができ、放熱率の向上を図ることができるスパッタリン
グ用ビスマスまたはビスマス含有ターゲットを提供する
ことを目的とする。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、上記の目的を達成するために、ビスマスま
たはビスマス含有ターゲットのバッキングプレートに対
する接合面に、ビスマスまたはビスマス合金に対する固
相溶解性が低く、かつ熱伝導性の高い金属からなる被覆
層を５μｍないし３００μ■厚に形成したものである。
たはビスマス含有ターゲットのバッキングプレートに対
する接合面に、ビスマスまたはビスマス合金に対する固
相溶解性が低く、かつ熱伝導性の高い金属からなる被覆
層を５μｍないし３００μ■厚に形成したものである。
「作用」
上記構成によれば、ターゲット本体に対するろう材の浸
透、拡散を防止することができ、しかもターゲット本体
からバッキングプレートへの伝達熱量の増大を図って、
ターゲット本体の剥離を防止することができる等の効果
が得られる。
透、拡散を防止することができ、しかもターゲット本体
からバッキングプレートへの伝達熱量の増大を図って、
ターゲット本体の剥離を防止することができる等の効果
が得られる。
「実施例」
以下、この発明の一実施例について第１図および第２図
を参照して説明する。なお、第１図はこの発明に係るビ
スマスまたはビスマス含有ターゲットの拡大断面図、第
２図はその平面図である。
を参照して説明する。なお、第１図はこの発明に係るビ
スマスまたはビスマス含有ターゲットの拡大断面図、第
２図はその平面図である。
第１図に示すように、このビスマスまたはビスマス含有
ターゲットｌは、ビスマス（Ｂｉ）またはビスマス合金
（例えば、６０ａｔｍ％Ｂｉ ・４０ａｔｍ％Ｓｅ）か
らなるターゲット本体２と、このターゲット本体２のバ
ッキングプレートＡ側の面に形成された被覆層３とから
構成されている。なお、図中符号Ｂはターゲットｌをバ
ッキングプレートＡに接合するためのろう層であって、
その材質としては、ｉｎおよびＩｎ系金属もしくはＳｎ
およびＳｎ系金属が用いられている。
ターゲットｌは、ビスマス（Ｂｉ）またはビスマス合金
（例えば、６０ａｔｍ％Ｂｉ ・４０ａｔｍ％Ｓｅ）か
らなるターゲット本体２と、このターゲット本体２のバ
ッキングプレートＡ側の面に形成された被覆層３とから
構成されている。なお、図中符号Ｂはターゲットｌをバ
ッキングプレートＡに接合するためのろう層であって、
その材質としては、ｉｎおよびＩｎ系金属もしくはＳｎ
およびＳｎ系金属が用いられている。
前記被覆層３は、ろう層Ｂを構成する金属がターゲット
本体２に浸透、拡散するのを防止すると同時に、ターゲ
ット１からバッキングプレートＡへの伝達熱量の増大も
図るためのものであって、ビスマスまたはビスマス合金
に対する同相溶解性が低く、かつ熱伝導性の良い銅（Ｃ
ｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（
Ａｌ１）、金（Ａｕ）等の金属およびそれらの合金から
構成されている。この被覆層３の厚さは、従来のターゲ
ットと同様にスパッタ出力に応じて決定されるが、その
層厚は５〜３００μｍに設定されている。これは層厚を
５μｍより薄くした場合には、ろう材のターゲット本体
２への浸透、拡散を防止し得なくなるおそれがあり、他
方厚みを３００μｍより厚くした場合には、例えば、ス
パッタ出力を５Ｗ／ｃｍ”以上にしたときにターゲラ２
の温度が゛上昇し、実用に供し得なくなることがあるか
らである。なお、被覆層３の形成法としては、イオンブ
レーティング法、蒸着法、スパッタリング法あるいはメ
ッキ法等がある。
本体２に浸透、拡散するのを防止すると同時に、ターゲ
ット１からバッキングプレートＡへの伝達熱量の増大も
図るためのものであって、ビスマスまたはビスマス合金
に対する同相溶解性が低く、かつ熱伝導性の良い銅（Ｃ
ｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（
Ａｌ１）、金（Ａｕ）等の金属およびそれらの合金から
構成されている。この被覆層３の厚さは、従来のターゲ
ットと同様にスパッタ出力に応じて決定されるが、その
層厚は５〜３００μｍに設定されている。これは層厚を
５μｍより薄くした場合には、ろう材のターゲット本体
２への浸透、拡散を防止し得なくなるおそれがあり、他
方厚みを３００μｍより厚くした場合には、例えば、ス
パッタ出力を５Ｗ／ｃｍ”以上にしたときにターゲラ２
の温度が゛上昇し、実用に供し得なくなることがあるか
らである。なお、被覆層３の形成法としては、イオンブ
レーティング法、蒸着法、スパッタリング法あるいはメ
ッキ法等がある。
しかして、上記のビスマスまたはビスマス含有ターゲッ
トｌにおいては、ろう層Ｂを構成する金属のターゲット
本体２への浸透、拡散を被覆層３によって防止すること
ができ、しかもこの被覆層３は熱伝達性の高い金属であ
るので、ターゲット本体２からバッキングプレートＡへ
の伝達熱量の増大を図ることができる。
トｌにおいては、ろう層Ｂを構成する金属のターゲット
本体２への浸透、拡散を被覆層３によって防止すること
ができ、しかもこの被覆層３は熱伝達性の高い金属であ
るので、ターゲット本体２からバッキングプレートＡへ
の伝達熱量の増大を図ることができる。
「実験例」
次に、この発明に係るビスマスまたはビスマス含有ター
ゲットの効果を確認するために行なった実験例を示す。
ゲットの効果を確認するために行なった実験例を示す。
この実験では、スパッタ中におけるビスマスまたはビス
マス含有ターゲットのバッキングプレートからの剥離お
よびろう材のターゲット本体への浸透、拡散の有無につ
いて調べた。なお、被覆層を構成する金属としては、銅
を使い、この発明のビスマスターゲットを次のようにし
て製造した。
マス含有ターゲットのバッキングプレートからの剥離お
よびろう材のターゲット本体への浸透、拡散の有無につ
いて調べた。なお、被覆層を構成する金属としては、銅
を使い、この発明のビスマスターゲットを次のようにし
て製造した。
まず、ビスマスターゲット本体（２０３φｘ ５ｔ）お
よび無酸素鋼ターゲット（φ２０３Ｘ ５ｔ）をスパッ
タリング装置内に５０ｍｍ隔てて対向させ、真空排気（
５Ｘ １Ｇ−’Ｔｏｒｒ）で、ビスマスターゲット本体
に除電圧（−６００Ｖ）をかけ、５分間エツチング処理
を施した引き続き、アルゴンガス雰囲気下（５Ｘ １Ｇ
−３Ｔｏｒｒ）で無酸素銅ターゲットに一２５５Ｖ、ビ
スマスターゲット本体に一１００Ｖをかけ、ビスマスタ
ーゲット表面をクリーニングしつつ、その表面に無酸素
鋼の被覆を施した。このようにして製造されたビスマス
ターゲットを銅製のバッキングプレート（２５０φｘ
１０ ｔ）にろう材としてＩｎ−８ｎ合金を用いてろう
付けした。
よび無酸素鋼ターゲット（φ２０３Ｘ ５ｔ）をスパッ
タリング装置内に５０ｍｍ隔てて対向させ、真空排気（
５Ｘ １Ｇ−’Ｔｏｒｒ）で、ビスマスターゲット本体
に除電圧（−６００Ｖ）をかけ、５分間エツチング処理
を施した引き続き、アルゴンガス雰囲気下（５Ｘ １Ｇ
−３Ｔｏｒｒ）で無酸素銅ターゲットに一２５５Ｖ、ビ
スマスターゲット本体に一１００Ｖをかけ、ビスマスタ
ーゲット表面をクリーニングしつつ、その表面に無酸素
鋼の被覆を施した。このようにして製造されたビスマス
ターゲットを銅製のバッキングプレート（２５０φｘ
１０ ｔ）にろう材としてＩｎ−８ｎ合金を用いてろう
付けした。
そして、同様の方法にて表に示されるビスマス含有ター
ゲット（２０３φｘ ５ｔ）に被覆層を形成させ、続い
て銅製のバッキングプレート（２５０φＸ ｌ０ｔ）に
ろう付けした。
ゲット（２０３φｘ ５ｔ）に被覆層を形成させ、続い
て銅製のバッキングプレート（２５０φＸ ｌ０ｔ）に
ろう付けした。
実験の結果は、次の通りである。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のスパッタリング用ビス
マスまたはビスマス含有ターゲットによれば、ターゲッ
ト本体のバッキングプレートに対する接合面に、ビスマ
スまたはビスマス合金との固相溶解性が低く、かつ熱伝
達性の高い金属からなる被覆層を形成したものであるの
で、ターゲット本体に対するろう材の浸透、拡散を防止
することができ、しかもターゲット本体からバッキング
プレートへの伝達熱量の増大を図って、ターゲット本体
の剥離を防止することができる等の効果が得られる。
マスまたはビスマス含有ターゲットによれば、ターゲッ
ト本体のバッキングプレートに対する接合面に、ビスマ
スまたはビスマス合金との固相溶解性が低く、かつ熱伝
達性の高い金属からなる被覆層を形成したものであるの
で、ターゲット本体に対するろう材の浸透、拡散を防止
することができ、しかもターゲット本体からバッキング
プレートへの伝達熱量の増大を図って、ターゲット本体
の剥離を防止することができる等の効果が得られる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、第１
図はその拡大断面図、第２図はその平面図である。 ｌ・・・・・・ビスマスまたはビスマス含有ターゲット
、２・・・・・・ターゲット本体、 ３・・・・・・被覆層、 Ａ・・・・・・バッキングプレート、 Ｂ・・・・・・ろう層。
図はその拡大断面図、第２図はその平面図である。 ｌ・・・・・・ビスマスまたはビスマス含有ターゲット
、２・・・・・・ターゲット本体、 ３・・・・・・被覆層、 Ａ・・・・・・バッキングプレート、 Ｂ・・・・・・ろう層。
Claims (1)
- バッキングプレートにろう付け接合されて用いられるス
パッタリング用ビスマスまたはビスマス含有ターゲット
であって、前記バッキングプレートに対する接合面に、
ビスマスに対し固相溶解性の低い金属からなる被覆層が
５μｍないし３００μｍ厚に形成されていることを特徴
とするスパッタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ
ーゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6616685A JPS61227166A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6616685A JPS61227166A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227166A true JPS61227166A (ja) | 1986-10-09 |
| JPH0368947B2 JPH0368947B2 (ja) | 1991-10-30 |
Family
ID=13307990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6616685A Granted JPS61227166A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | スパツタリング用ビスマスまたはビスマス含有タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267261A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP5026611B1 (ja) * | 2011-09-21 | 2012-09-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6616685A patent/JPS61227166A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02267261A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-11-01 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP5026611B1 (ja) * | 2011-09-21 | 2012-09-12 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
| KR101271846B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2013-06-07 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 적층 구조체 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0368947B2 (ja) | 1991-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |