JPH02268498A - 多層配線板 - Google Patents
多層配線板Info
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- JPH02268498A JPH02268498A JP1091019A JP9101989A JPH02268498A JP H02268498 A JPH02268498 A JP H02268498A JP 1091019 A JP1091019 A JP 1091019A JP 9101989 A JP9101989 A JP 9101989A JP H02268498 A JPH02268498 A JP H02268498A
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- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明はレーザ照射によって層間配線加工が施される
多層配線板に関するものである。
多層配線板に関するものである。
〔従来の技術Ｊ
近年電子機器の小型化等に伴い、多層ｌ！ｉｉｌ！線板
の導体路の高密度化が要求されている。この高密度化の
一手段として、絶縁層を挾んだ導体配線層間のｔ気的接
続が検討されてきた。
の導体路の高密度化が要求されている。この高密度化の
一手段として、絶縁層を挾んだ導体配線層間のｔ気的接
続が検討されてきた。
第３図（ａ）ｊ （ｂ）は例えば特開昭５９−８４５９
４号公報に示された従来の多層配線板の層間接続の工程
を示す断面図である。第４図は第３図（ａ）を分かりや
すく示した斜視図である。図において、（１）はポリイ
ミド材からなる層間絶縁層、Ｃ２）は鋼材からなる導体
配線層、（３）はＮｄ ：ＹＡＧレーザ、（４）は導体
配線層（２）に設けられたレーザ照射用の窓、（５）￥
１ＹＡＧレーザ（３）の照射によってポリイミド材の層
間絶縁層（１）に形成された炭化領域である。
４号公報に示された従来の多層配線板の層間接続の工程
を示す断面図である。第４図は第３図（ａ）を分かりや
すく示した斜視図である。図において、（１）はポリイ
ミド材からなる層間絶縁層、Ｃ２）は鋼材からなる導体
配線層、（３）はＮｄ ：ＹＡＧレーザ、（４）は導体
配線層（２）に設けられたレーザ照射用の窓、（５）￥
１ＹＡＧレーザ（３）の照射によってポリイミド材の層
間絶縁層（１）に形成された炭化領域である。
窓（４）を通してＹＡＧレーザ（３）を照射すると、ポ
リイミド材からなる層間絶縁層（１）の一部は炭化しこ
の形成された炭化領域（５）によってこれを挾む２つの
導体配線層は電気的に接続される。図３（ａ）図４に図
示したものはいずれも導体配線層（１）に窓（４）を設
けたが、この窓（４）を設けない例も考えられている。
リイミド材からなる層間絶縁層（１）の一部は炭化しこ
の形成された炭化領域（５）によってこれを挾む２つの
導体配線層は電気的に接続される。図３（ａ）図４に図
示したものはいずれも導体配線層（１）に窓（４）を設
けたが、この窓（４）を設けない例も考えられている。
この場合（図示せず）には、まずレーザ出力を増加させ
て、導体配線層（１）を溶断した後、レーザ出力をもと
にもどして、図３（ｂ）に示したのと同様に炭化領域（
５）を形成し、２つの配線層は電気的に接続される。
て、導体配線層（１）を溶断した後、レーザ出力をもと
にもどして、図３（ｂ）に示したのと同様に炭化領域（
５）を形成し、２つの配線層は電気的に接続される。
上記のような従来の多層配線板の層間接続では、窓（４
）の有無によってレーザの出力の調整が必要であり、加
工工程を高速化できないという問題点があった。
）の有無によってレーザの出力の調整が必要であり、加
工工程を高速化できないという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
のであり、工程を高速化できる多層配線板を提供するこ
とを目的とする。
のであり、工程を高速化できる多層配線板を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段〕
この発明に係る多層配線板においては、絶縁層と導体配
線層とを交互に積層した多層配線板の積層方向にレーザ
を照射して、導体配線層を順次溶融して最上層の導体配
線層と所望の段の導体配線層とを接続するようにしたも
のにおいて、所望の段の導体配線層のレーザの照射面は
レーザエネルギーが反射賽易に処理されていると共に、
溶融される段の導体配線層のレーザの照射面はレーザエ
ネルギーが吸収容易に処理されたものである。
線層とを交互に積層した多層配線板の積層方向にレーザ
を照射して、導体配線層を順次溶融して最上層の導体配
線層と所望の段の導体配線層とを接続するようにしたも
のにおいて、所望の段の導体配線層のレーザの照射面は
レーザエネルギーが反射賽易に処理されていると共に、
溶融される段の導体配線層のレーザの照射面はレーザエ
ネルギーが吸収容易に処理されたものである。
〔作用］
上記のように構成された多層配線板においてはレーザエ
ネルギーが吸収容易に処理された導体配線層ではレーザ
加工が進行し、レーザエネルギーが反射容易に処理され
た導体配線層表面でレーザ加工はとまる。
ネルギーが吸収容易に処理された導体配線層ではレーザ
加工が進行し、レーザエネルギーが反射容易に処理され
た導体配線層表面でレーザ加工はとまる。
第１図（ａＬ （ｂ）はこの発明の一実施例を示す断面
図で、それぞれレーザ加工後、およびレーザ加工後の状
態を示す。図において、（１）はポリイミド材からでき
た絶縁層、（２ａ）＋ （２ｂ）＋ （２ｃ）はレーザ
を反射する材料例えば電気鋼めっき箔からできた第１層
、第２層、第３層の導体配線層、（６）は例えば写真製
版法により形成されたレジストパターンをマスクとして
適当なエツチング液で処理することによってあらかじめ
選択的に粗面化された部分、（７）はアルミナセラミッ
ク基板、（８）はレーザで例えば緑色に発振するＸｅパ
ルスレーザである。
図で、それぞれレーザ加工後、およびレーザ加工後の状
態を示す。図において、（１）はポリイミド材からでき
た絶縁層、（２ａ）＋ （２ｂ）＋ （２ｃ）はレーザ
を反射する材料例えば電気鋼めっき箔からできた第１層
、第２層、第３層の導体配線層、（６）は例えば写真製
版法により形成されたレジストパターンをマスクとして
適当なエツチング液で処理することによってあらかじめ
選択的に粗面化された部分、（７）はアルミナセラミッ
ク基板、（８）はレーザで例えば緑色に発振するＸｅパ
ルスレーザである。
上記構成における動作例を説明する。まずＸｅパルスレ
ーザを出力０．１ｍＪ／Ｐにて粗面化部（６）の上方か
ら照射する。ＸｅパルスレーザはＹＡＧレーザと異なり
ポリイミド材に対しては炭化させることなく穴明けをお
こなう。粗面化処理を施さない電気鋼めっきに対しては
、出力０．１ｍＪ／Ｐ程度においては反射し、この電気
鋼めっき材をほとんど加工することはない。ところが、
粗面化等のレーザのエネルギーを吸収する処理を施した
電気鋼めっき材に対しては、同一のレーザ出力０．１ｍ
、Ｔ／Ｐにおいても、このレーザのエネルギーを吸収し
加工される。Ｘｅパルスレーザの照射を継続すると、電
気鋼めっき材からなる導体配線層（２ａ）の上方のポリ
イミドは穴明けされ、粗面化部（６）にてレーザのエネ
ルギーが吸収される。レーザの焦点を加工に従って下方
へ進行させつつレーザの照射を継続すると、第２の導体
配線層（２ｂ）の上方のポリイミドが飛散して穴明けさ
れ、第２の導体配線層（２ｂ）の表面に達すると、導体
配線層（２ａ）の溶融した電気鋼めっき材と溶接され、
電気的に接続され電気的接続部（９）を形成する。この
際、第２の導体配線層（２ｂ）上ではレーザは反射する
から、これ以上レーザの照射を継続しても加工はほとん
ど進行することはなく、下層の絶縁層およびｔ９Ｃめつ
き導体配線層（２ｃ）は加工されない。
ーザを出力０．１ｍＪ／Ｐにて粗面化部（６）の上方か
ら照射する。ＸｅパルスレーザはＹＡＧレーザと異なり
ポリイミド材に対しては炭化させることなく穴明けをお
こなう。粗面化処理を施さない電気鋼めっきに対しては
、出力０．１ｍＪ／Ｐ程度においては反射し、この電気
鋼めっき材をほとんど加工することはない。ところが、
粗面化等のレーザのエネルギーを吸収する処理を施した
電気鋼めっき材に対しては、同一のレーザ出力０．１ｍ
、Ｔ／Ｐにおいても、このレーザのエネルギーを吸収し
加工される。Ｘｅパルスレーザの照射を継続すると、電
気鋼めっき材からなる導体配線層（２ａ）の上方のポリ
イミドは穴明けされ、粗面化部（６）にてレーザのエネ
ルギーが吸収される。レーザの焦点を加工に従って下方
へ進行させつつレーザの照射を継続すると、第２の導体
配線層（２ｂ）の上方のポリイミドが飛散して穴明けさ
れ、第２の導体配線層（２ｂ）の表面に達すると、導体
配線層（２ａ）の溶融した電気鋼めっき材と溶接され、
電気的に接続され電気的接続部（９）を形成する。この
際、第２の導体配線層（２ｂ）上ではレーザは反射する
から、これ以上レーザの照射を継続しても加工はほとん
ど進行することはなく、下層の絶縁層およびｔ９Ｃめつ
き導体配線層（２ｃ）は加工されない。
第２図（ａ） （ｂ）は他の実施例の工程を示す断面図
であろう上記実施例では、電気鋼めっきからなる第１の
導体配線層（２ａ）上にのみ粗面化部（６）を設けたが
、この実施例では上記粗面化部（６）の下部にあたる下
段の導体配線層（２ｂ）上にも粗面化部をもうけたもの
である。この場合には、粗面化処理を施した段までの導
体配線層をも加工される。２段目を加工する場合も初期
のレーザ加工条件と同じ条件で加工できるので、レーザ
出力の調整は必要なへ従って工程を高速化できる。また
同一レーザ出力で加工するので、加工された穴の径が加
工状部によってほとんど変化することがなく均一化でき
る。
であろう上記実施例では、電気鋼めっきからなる第１の
導体配線層（２ａ）上にのみ粗面化部（６）を設けたが
、この実施例では上記粗面化部（６）の下部にあたる下
段の導体配線層（２ｂ）上にも粗面化部をもうけたもの
である。この場合には、粗面化処理を施した段までの導
体配線層をも加工される。２段目を加工する場合も初期
のレーザ加工条件と同じ条件で加工できるので、レーザ
出力の調整は必要なへ従って工程を高速化できる。また
同一レーザ出力で加工するので、加工された穴の径が加
工状部によってほとんど変化することがなく均一化でき
る。
また、上記実施例では、Ｖ−ザのエネルギーを吸収する
処理として粗−固化処理を示したが、鋼の酸化処理や硫
化処理など他の同様の効果を奏する処理であってもよい
。
処理として粗−固化処理を示したが、鋼の酸化処理や硫
化処理など他の同様の効果を奏する処理であってもよい
。
さらに、上記実施例では、レーザのエネルギーを反射す
る材料に部分的にレーザのエネルギーを吸収する処理を
施してレーザ加工によ抄層間接続可能な多層配線板を得
九が、レーザのエネルギーを吸収する材料に、部分的に
レーザのエネルギーを反射する処理を施すことにより、
レーザ加工の下段への進行を止めた多層配線板を得るこ
ともできる。レーザのエネルギーを吸収する材料として
は、たとえばアルカリ性の化学鋼めっき液から析出する
自己触媒型の鋼の箔があげられる。この銅箔のレーザの
エネルギーを反射する処理としては、たとえば厚み０．
５μｍの電気鋼めっきを被覆する処理が上げられる。
る材料に部分的にレーザのエネルギーを吸収する処理を
施してレーザ加工によ抄層間接続可能な多層配線板を得
九が、レーザのエネルギーを吸収する材料に、部分的に
レーザのエネルギーを反射する処理を施すことにより、
レーザ加工の下段への進行を止めた多層配線板を得るこ
ともできる。レーザのエネルギーを吸収する材料として
は、たとえばアルカリ性の化学鋼めっき液から析出する
自己触媒型の鋼の箔があげられる。この銅箔のレーザの
エネルギーを反射する処理としては、たとえば厚み０．
５μｍの電気鋼めっきを被覆する処理が上げられる。
また、上記実施例では導体配線層がレーザのエネルギー
に対してもともと反射する材料表面に吸収する処理を部
分的に施こしたり、もともと吸収する材料表面に反射す
る処理を部分的に施こす例について示したが、この導体
配線層の材質が例えばスパッタ法で形成された鋼のよう
にレーザを半ば反射し半ば吸収するような材料に対して
は、レーザ加工を施こしたい部分には吸収する処理を、
レーザ加工を止めたい部分には反射する処理を施せば同
様の効果を奏する。
に対してもともと反射する材料表面に吸収する処理を部
分的に施こしたり、もともと吸収する材料表面に反射す
る処理を部分的に施こす例について示したが、この導体
配線層の材質が例えばスパッタ法で形成された鋼のよう
にレーザを半ば反射し半ば吸収するような材料に対して
は、レーザ加工を施こしたい部分には吸収する処理を、
レーザ加工を止めたい部分には反射する処理を施せば同
様の効果を奏する。
また、上記実施例ではＸｓパルスレーザの加工出力を０
．１ｍＪ／Ｐとしたが、この範囲は±２０％で加工が可
能である。
．１ｍＪ／Ｐとしたが、この範囲は±２０％で加工が可
能である。
また、上記実施例では、導体配線層の材質としテ、銅ニ
ついて実施したが、ニッケル、アルミニウムなど、他の
材料であっても良く、また絶縁層の材料としてポリイミ
ドを実施したが、エポキシなどの他の有機材料、アルミ
ナセラミックなどの他の無機材料であっても良い。
ついて実施したが、ニッケル、アルミニウムなど、他の
材料であっても良く、また絶縁層の材料としてポリイミ
ドを実施したが、エポキシなどの他の有機材料、アルミ
ナセラミックなどの他の無機材料であっても良い。
また、上記実施例でけレーザとしてパルス発振するＸｅ
レーザで実施したが、Ｎｄ ：ＹＡＧレーザの第２高調
波であっても良い。さらに、導体配線層の材質と表面状
態、層間絶縁層の材質によっては上記以外のレーザも本
発明に使用できる口〔発明の効果〕 以上のようにこの発明に係る多層配線板においては、絶
縁層と導体配線層とを交互に積層した多層配線板の積層
方向にレーザを照射して、導体配線層を順次溶融して最
上層の導体配線層と所望の段の導体配線層とを接続する
ようにしたものにおいて、所望の段の導体配線層のレー
ザの照射面はレーザエネルギーが反射容易に処理されて
いると共に、溶融される段の導体配線層のレーザの照射
面はレーザエネルギーが吸収容易に処理され九ので、同
一のＶ−ザ°条件で加工でき、゛加工を高速化できる。
レーザで実施したが、Ｎｄ ：ＹＡＧレーザの第２高調
波であっても良い。さらに、導体配線層の材質と表面状
態、層間絶縁層の材質によっては上記以外のレーザも本
発明に使用できる口〔発明の効果〕 以上のようにこの発明に係る多層配線板においては、絶
縁層と導体配線層とを交互に積層した多層配線板の積層
方向にレーザを照射して、導体配線層を順次溶融して最
上層の導体配線層と所望の段の導体配線層とを接続する
ようにしたものにおいて、所望の段の導体配線層のレー
ザの照射面はレーザエネルギーが反射容易に処理されて
いると共に、溶融される段の導体配線層のレーザの照射
面はレーザエネルギーが吸収容易に処理され九ので、同
一のＶ−ザ°条件で加工でき、゛加工を高速化できる。
図、ｔ＄３図（ａ）、 （ｂ）は従来の多層配線板の加
工方法を示す工程図、１１！４図は第３図（ａ）の斜視
図である。 図において、（１）は絶縁層、（２）は導体配線層、（
６）は表面処理部、（８）はレーザである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
工方法を示す工程図、１１！４図は第３図（ａ）の斜視
図である。 図において、（１）は絶縁層、（２）は導体配線層、（
６）は表面処理部、（８）はレーザである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すＯ
Claims (1)
- 絶縁層と導体配線層とを交互に積層した多層配線板の上
記積層方向にレーザを照射して、上記導体配線層を順次
溶融して最上層の上記導体配線層と所望の段の上記導体
配線層とを接続するようにしたものにおいて、上記所望
の段の導体配線層の上記レーザの照射面はレーザエネル
ギーが反射容易に処理されていると共に、上記溶融され
る段の導体配線層の上記レーザの照射面はレーザエネル
ギーが吸収容易に処理されていることを特徴とする多層
配線板
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091019A JPH0734508B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 多層配線板 |
| DE4010899A DE4010899A1 (de) | 1989-04-10 | 1990-04-04 | Mehrschicht-leiterplatte |
| US07/505,152 US5034569A (en) | 1989-04-10 | 1990-04-05 | Multilayer interconnection circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091019A JPH0734508B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 多層配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02268498A true JPH02268498A (ja) | 1990-11-02 |
| JPH0734508B2 JPH0734508B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=14014849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091019A Expired - Lifetime JPH0734508B2 (ja) | 1989-04-10 | 1989-04-10 | 多層配線板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5034569A (ja) |
| JP (1) | JPH0734508B2 (ja) |
| DE (1) | DE4010899A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000505244A (ja) * | 1996-11-08 | 2000-04-25 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド | ブラインドマイクロヴァイアの電気抵抗を改善するための多周波数処理 |
| JP2006269483A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 導電性パターン基板の製造方法及び導電性パターン基板 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854534A (en) * | 1992-08-05 | 1998-12-29 | Fujitsu Limited | Controlled impedence interposer substrate |
| US5316803A (en) * | 1992-12-10 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Method for forming electrical interconnections in laminated vias |
| US5419038A (en) * | 1993-06-17 | 1995-05-30 | Fujitsu Limited | Method for fabricating thin-film interconnector |
| US5510580A (en) * | 1993-12-07 | 1996-04-23 | International Business Machines Corporation | Printed circuit board with landless blind hole for connecting an upper wiring pattern to a lower wiring pattern |
| US5614114A (en) * | 1994-07-18 | 1997-03-25 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for plating vias |
| WO1998020529A1 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for minimizing pink ring in blind laser vias |
| WO1998020534A1 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for using fiducial schemes to increase nominal registration |
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