JPH02270190A - Integrated circuit containing grich protecting circuit - Google Patents
Integrated circuit containing grich protecting circuitInfo
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Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は集積回路、特に半導体メモリに圓するものであ
る。本発明は防衛核局により査定された契約番号DNA
0O1−86−0090の下で米国政府の支持を得てな
されたものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to integrated circuits, particularly semiconductor memories. This invention was awarded under Contract No. DNA by the Defense Nuclear Administration.
Sponsored by the United States Government under No. 0O1-86-0090.
〈従来の技術)
集積回路システムの信号にノイズまたは「グリッチ」が
乗ると望まない結果をひき起すことがある。特にマイク
ロプロセッサシステムにおけるメモリでは重要な問題で
ある。チップイネーブル(CE)入力信号が出力を高イ
ンピーダンスに保つように使われているチップでは、チ
ップイネーブルにグリッチが生じるとグリッチの期間出
力が低インピーダンス状態に遷移する。すると、パスコ
ンテンションという問題が起こりつる。すなわち2g以
上のメモリが同時にバスを駆動することになる。こうし
た現象は特にメモリ基板上のスタティック・ランダム・
アクセス・メモリ(SRAM)が過渡状態下にあるとき
に問題を起こしやすい。−船釣な論理回路内で生じる他
のグリッチはイオン化粒子の衝突のせいで起こるという
ことができる。BACKGROUND OF THE INVENTION Noise or "glitches" in integrated circuit system signals can cause undesirable results. This is a particularly important problem with memory in microprocessor systems. In chips where a chip enable (CE) input signal is used to keep the output at a high impedance, a glitch in the chip enable causes the output to transition to a low impedance state for the duration of the glitch. This creates a problem called path contention. In other words, 2g or more of memory drives the bus at the same time. This phenomenon is especially caused by static random
Problems tend to occur when access memory (SRAM) is under transient conditions. -Other glitches that occur in random logic circuits can be attributed to collisions of ionized particles.
(発明の目的と要旨)
本発明の目的はグリッチ保護回路に新しくかつ改良され
た用途を提供することである。OBJECT AND SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide new and improved applications for glitch protection circuits.
本発明の他の目的はグリッチ保護用の非対称遅延回路の
新しくかつ改良された用途を提供することである。Another object of the invention is to provide a new and improved use of asymmetric delay circuits for glitch protection.
制御信号とその信号により制御される回路との問に非対
称遅延フィルタを設けることにより、上記目的が達成さ
れる。フィルタの遅延は、遅延による総合性能への影響
が最小になるように、その回路に入力する他の入力の遅
延に合致させるようにすることができる。The above object is achieved by providing an asymmetric delay filter between the control signal and the circuit controlled by the signal. The delay of the filter can be matched to the delay of other inputs to the circuit so that the delay has minimal impact on overall performance.
(実施例)
第1図にグリッチ保護を行う本発明の好ましい一実施例
の略図を示す。第1図ではチップイネーブル人力2がナ
ントゲート4の入力に接続されており、ナントゲート4
の出力は出カバソファコントロール6に接続されている
。本発明は所定の時間幅よりも短いイネーブルパルスを
除くことにより、前述の聞届に対する保護を提供するも
のである。この所定の時間幅というのは例えば、チップ
イネーブル人力2とバッファコントロール6との間に接
続されている他の論理回路の処理時間と等しい。したが
ってバッファコントロール6への入力を同時に処理する
ことが可能である。この他の論理回路というのは例えば
メモリ用の一般的な論理回路である。−船釣な論理回路
は例えば図示の如くアドレス入力とワード線入力とを処
理することができる。チップイネーブル人力2と出力コ
ントロール6との間に、イネーブル時に罪く、デスエー
ブルに対して速いという非対称遅延回路を設けることに
より、グリッチを除去することができる。(非対称遅延
とはハイからa−に遷移する信号とローからハイに遷移
する信号との間で遅延に差があることをいう。)第1図
では、インバータチェーン8により非対称遅延回路を実
現している。Embodiment FIG. 1 shows a schematic diagram of a preferred embodiment of the present invention providing glitch protection. In FIG. 1, the chip enable power 2 is connected to the input of the Nante gate 4, and the Nante gate 4
The output of is connected to the output sofa control 6. The present invention provides protection against the above-mentioned overhearing by eliminating enable pulses that are shorter than a predetermined time width. This predetermined time width is, for example, equal to the processing time of another logic circuit connected between the chip enable input 2 and the buffer control 6. Therefore, it is possible to process inputs to the buffer control 6 simultaneously. This other logic circuit is, for example, a general logic circuit for memory. - A standard logic circuit can handle address inputs and word line inputs, for example as shown. Glitches can be eliminated by providing an asymmetrical delay circuit between the chip enable input 2 and the output control 6 that is slow when enabled and fast when disabled. (Asymmetrical delay means that there is a difference in delay between a signal that transitions from high to a- and a signal that transitions from low to high.) In Figure 1, an asymmetrical delay circuit is realized by an inverter chain 8. ing.
インバータチェーン8の入力はチップイネーブル人力2
に接続されており、その出力はナントゲート4の入力に
接続されている。インバータチェーン8のインバータの
数を増減することによって、抑制すべきグリッチの幅に
応じて遅延時間の長さを調節することができる。1個ま
た2個以上のインバータと並列にコンデンサを接続する
ことによっても、遅延時間の長さを51節することがで
きる。Input of inverter chain 8 is chip enable human power 2
The output is connected to the input of the Nantes gate 4. By increasing or decreasing the number of inverters in the inverter chain 8, the length of the delay time can be adjusted depending on the width of the glitch to be suppressed. The length of the delay time can also be reduced by 51 nodes by connecting a capacitor in parallel with one or more inverters.
チップイネーブルから適当な出力を生ずるのに必要な時
間よりも遅延時間が短かければ、遅延させることがチッ
プの性能を損うことはない。As long as the delay time is less than the time required to produce the proper output from the chip enable, the delay does not impair chip performance.
SRAMのようなメエリでは、前述の非対称遅延回路を
1込み信号に適用することができる。この場合、遅延時
間はアドレスデコード時のセットアツプ時間に合わせる
。第2図はこのような場合のブロック図で、非対称遅延
フィルタが自込みイネーブル回路と書込み制御回路との
間に接続されている。書込み制御回路にはアドレスtI
IItl入力も接続されている。第3図に第2図の回路
の動作を示す。第3図はハイ/ローまたはロー/ハイに
遷移する論理のタイミング図であり、データバス、アド
レスデコード、書込みイネーブル信号および南込み制御
信号に関して示しである。時間軸はマイクロ秒で示して
いる。アドレスデコードが完全にFがりきって、アドレ
スデコードが終了したことを示す迄は、趨込みコント0
−ルはオンにならない。In a memory such as an SRAM, the asymmetric delay circuit described above can be applied to a 1-inclusive signal. In this case, the delay time is matched to the set-up time during address decoding. FIG. 2 is a block diagram of such a case, in which an asymmetrical delay filter is connected between the self-write enable circuit and the write control circuit. The write control circuit has address tI.
The IItl input is also connected. FIG. 3 shows the operation of the circuit of FIG. 2. FIG. 3 is a timing diagram of high/low or low/high transition logic, shown for the data bus, address decode, write enable signal, and southbound control signal. The time axis is shown in microseconds. The trend control is 0 until the address decode has completely reached F, indicating that the address decode has ended.
- does not turn on.
グリッチ保護対メモリアクセス速度の要求のトレードオ
フ次第で、非対称遅延保護を例えばチップイネーブルか
ら出力バッファコントロール以外の回路に接続する他の
信号に適用することもできる。Depending on the trade-off between glitch protection versus memory access speed requirements, asymmetric delay protection may also be applied to other signals connecting, for example, from chip enable to circuitry other than output buffer control.
非対称遅延フィルタは集積回路チップのある部分に生じ
たグリッチが望まない結果を生じないように保護するの
に使うことができる。例えば、メモリコントローラチッ
プでは、誤って「出力イネーブル」信号を出さないこと
が最も重要であろう。Asymmetric delay filters can be used to protect glitches in certain portions of an integrated circuit chip from producing undesired results. For example, in a memory controller chip, it may be most important not to inadvertently issue an "output enable" signal.
論理回路と出力バッフ7との間に非対称遅延フィルタを
いれれば、論理回路内で生じたグリッチが出力されるの
を防止することができよう。このような場合の略図を第
4図に示す。この図はメモリコントローラを示し、論理
回路が非対称遅延フィルタを経由して出力バッファに接
続されている。By inserting an asymmetric delay filter between the logic circuit and the output buffer 7, it would be possible to prevent glitches occurring within the logic circuit from being output. A schematic diagram of such a case is shown in FIG. This figure shows a memory controller with logic circuitry connected to an output buffer via an asymmetrical delay filter.
出力バッファはバスにデータを送る。フィルタは予期さ
れないノイズに抵抗力がある。例えば、もし予期しない
ノイズ源が過渡放射性パルスならば、フィルタ回路内に
電流補償装置を使うことができ、別の電源バスをフィル
タ回路に供給してレールスパン崩壊を避けることができ
る。メモリコントローラシステム内のすべての他の回路
を遷移ドーズ効果から守るよりも、非対称遅延フィルタ
を導入してその部分を遷移ドーズ効果から守る方が効率
的である。Output buffers send data onto the bus. The filter is resistant to unexpected noise. For example, if the unexpected noise source is a transient radiated pulse, a current compensation device can be used within the filter circuit and a separate power bus can be provided to the filter circuit to avoid rail span collapse. It is more efficient to introduce an asymmetric delay filter to protect that part from transition dose effects than to protect all other circuits in the memory controller system from transition dose effects.
第5a図と第5b図はグリッチ保護をhえる本発明の他
の実施例を示す。第5a図ではナントゲート4の入力と
入力INとにインバータチェーン8が接続されている。Figures 5a and 5b illustrate another embodiment of the invention that provides glitch protection. In FIG. 5a, an inverter chain 8 is connected to the input of the Nandt gate 4 and to the input IN.
入力INはナントゲート4の入力にも接続されている。The input IN is also connected to the input of the Nant gate 4.
第5a図の回路はハイに遷移するグリッチが入力INに
入って来たときに効く。例えば、入力INが始めはロー
レベルで節点Aもローレベルであったときに、入力IN
がハイに遷移してもノードAがハイになるまではナンド
4の出力は応答しない。インバータチェーン8により設
定された所定の時1Ilp過してから節点へがハイに変
る。しかし、RCl路網などを含む別の遅延回路でイン
バータチェーン8を置き換えることができる。もし所定
の遅延模節点Aがハイになる前に、入力lN5u−状態
に戻ったならば、出力OUTは始めにINに起きた遷移
に全く反応しないだろう(OLITはハイ状態のままで
ある)。反対に、もし入力INが始めハイ状fil(出
力OU Tはロー状(1)であったのが、ロー状態に変
わったとすれば、出力OUTは遅延とは無関係にハイに
変わる。第5b図は第5a図のナントゲート4の代わり
にノアゲート5が用いられている点を除けば、第5a図
と同じである。第5b図の回路は入力INでローに遷移
するグリッチが生じたときに効果がある。第5b図の回
路の動作は第5a図の回路と似ている。前述したように
、インバータチェーンはRC回路網のような他の遅延径
路に置き換えることができる。また、所望の遅延時間を
得るために、第5a図と第5b図に示したインバータの
数を増減づることができる。The circuit of FIG. 5a is active when a high-transitioning glitch comes into input IN. For example, when input IN is initially low level and node A is also low level, input IN
Even if A transitions to high, the output of NAND 4 does not respond until node A goes high. After a predetermined time 1Ilp set by the inverter chain 8, the node changes to high. However, the inverter chain 8 can be replaced by another delay circuit, including an RCl network or the like. If the input lN5u- state is returned before the given delay node A goes high, the output OUT will not react at all to the transition that initially occurred on IN (OLIT remains high). . Conversely, if the input IN is initially high (fil) and the output OUT is low (1) and then changes to a low state, the output OUT changes to a high state regardless of the delay. Figure 5b. is the same as FIG. 5a except that a NOR gate 5 is used in place of the Nandt gate 4 of FIG. 5a.The circuit of FIG. The operation of the circuit of Figure 5b is similar to the circuit of Figure 5a. As previously mentioned, the inverter chain can be replaced with other delay paths such as an RC network. The number of inverters shown in Figures 5a and 5b can be increased or decreased to obtain the delay time.
第5C図は本発明の他の実施例を示す。この例ではどち
らの方向へ遷移する場合もグリッチ除去効果がある。こ
の回路はクロックで動く信号に使用するのに適している
。第5C図は第5a図と第5b図の回路を組合わせたも
ので、人力INが共通になっている、ナントゲート4と
ノアゲート5の出力はそれぞれ並列接続されたnチャネ
ルトランジスタとnチャネルトランジスタから成る組の
第1のドレーン/ソースに接続されている。nチャネル
トランジスタ20とnチャネルトランジスタ22は第1
のトランジスタ組を形成し、nチャネルトランジスタ2
4とnチャネルトランジスタ26とが第2のトランジス
タ組を形成している。FIG. 5C shows another embodiment of the invention. In this example, there is a glitch removal effect when transitioning in either direction. This circuit is suitable for use with clocked signals. Figure 5C is a combination of the circuits in Figures 5a and 5b, in which the input input IN is common, and the outputs of the Nant gate 4 and the Nor gate 5 are an n-channel transistor and an n-channel transistor connected in parallel, respectively. connected to the first drain/source of the pair consisting of: N-channel transistor 20 and n-channel transistor 22 are the first
forming a transistor set of n-channel transistor 2
4 and n-channel transistor 26 form a second transistor set.
インバータ16はインプットINとインバータ18の入
力とに接続されていて、トランジスタ20と24のゲー
トを駆動す°る。他方、インバータ18はトランジスタ
22と26のゲートを駆動する。Inverter 16 is connected to input IN and to the input of inverter 18 and drives the gates of transistors 20 and 24. Inverter 18, on the other hand, drives the gates of transistors 22 and 26.
トランジスタ22と26の第2のドレーン/ソースは出
力0LITを形成している。この双方向性グリッチ保護
回路は、遅延がグリッチよりも長くてもさしつかえない
という信号に適用することができる。例えば、チップが
解放された後出力を3状態(出力はハイ、ロー、過渡状
態を含む)で遅延さぼることが許されるならば、この回
路をSRAM内のチップイネーブルと出力イネーブルと
の間で使うことができる。The second drain/source of transistors 22 and 26 forms the output 0LIT. This bidirectional glitch protection circuit can be applied to signals where the delay can be longer than the glitch. For example, if the output is allowed to delay in three states (output includes high, low, and transient states) after the chip is released, use this circuit between the chip enable and the output enable in the SRAM. be able to.
第6図は本発明の更に他の実施例を示す。第6図は遷移
検出回路とラッチとを含む双方向性回路である。第1と
第2のトランジスタ組は第5C図と同様に接続されてい
るが、インバータ18が除かれていて、インバータ40
と42が直列に2組のトランジスタの第2のドレーン/
ソースに接続されている点が異なる。アドレス遷移検出
回路32と非対称遅延回路12とが入力INに接続され
ている。ラッチは要素16,20,22.24゜26.
40.42から成る。しかし、他の種類のラッチを使う
こともできる。アドレス検出回路は遷移を検出すると正
方向に変化するパルスを生ずるが、ラッチ回路は負のパ
ルスも使えるように設計することができる。非対称遅延
回路12は入力INIfili移してからラッチ回路に
ラッチングされる迄の趙延時間に合わせる(それにより
いくらか長い)。遷移検出回路32から発生ずるパルス
の幅は除去すべきグリッチの幅に匹敵するように調節し
なければならない。FIG. 6 shows yet another embodiment of the invention. FIG. 6 is a bidirectional circuit including a transition detection circuit and a latch. The first and second transistor sets are connected as in FIG. 5C, but with inverter 18 removed and inverter 40
and 42 are connected in series to the second drains of two sets of transistors/
The difference is that it is connected to the source. Address transition detection circuit 32 and asymmetric delay circuit 12 are connected to input IN. The latches are elements 16, 20, 22.24°26.
Consists of 40.42. However, other types of latches can also be used. Address detection circuits generate positive going pulses when they detect transitions, but latch circuits can be designed to also use negative pulses. The asymmetric delay circuit 12 accommodates the delay time from input INIfili to being latched into the latch circuit (thereby being somewhat longer). The width of the pulses generated by transition detection circuit 32 must be adjusted to be comparable to the width of the glitch to be removed.
もし論理回路内のある節点が高エネルギー粒子がぶつか
ったならば、−時的に電圧が変動するが回復するであろ
う。こうして信号にグリッチが発生する。もしグリッチ
がラッチされると、永久的な誤りになる。こうした事態
はラッチの入力に眞述したような非対称遅延回路を設け
ることにより避けることができる。If a node in a logic circuit is hit by a high-energy particle, the voltage will fluctuate over time but will recover. This creates glitches in the signal. If the glitch latches, it becomes a permanent error. This situation can be avoided by providing an asymmetrical delay circuit as described above at the input of the latch.
もし非対称遅延フィルタを一貫してクロック信号上に設
けるならば、すべてのクロックが一様に遅れるから、サ
イクル時間は変わらない。例えば、第7図に示すように
、クロックボードシステムが同じクロックで1.II御
される複数のチップ(マイクロプロセッサ、SRAM、
および掛偉器)を有する場合、非対称遅延フィルタを各
チップのクロック入力に設けることができる。この考え
はチップ内部のクロックにも適用することができる。も
しクロックにグリッチが生ずる可能性があれば、ラッチ
へのすべてのり日ツク入力にグリッチ保!IF回路を設
けることができる。そうすれば、すべてのり0ツク入力
が同じ時間だけ遅れるから、保護のために速度が遅くな
るということはないであろう。If an asymmetrical delay filter is consistently placed on the clock signal, the cycle time does not change because all clocks are delayed uniformly. For example, as shown in FIG. 7, if the clock board system has the same clock as 1. II controlled multiple chips (microprocessor, SRAM,
an asymmetrical delay filter can be provided at the clock input of each chip. This idea can also be applied to clocks inside the chip. If the clock is glitch-proof, all inputs to the latch should be glitch-proof! An IF circuit can be provided. That way, all gate inputs would be delayed by the same amount of time, so there would be no speed reduction for protection.
ただ面積が大きくなる点だけが負担になる(回路スペー
スが余分に必要となる)。あるいは、グリッチ保護回路
をクロック発生回路の中、例えばり0ツク発生論理回路
とクロックトライバとの間、に設けてもよい。容量が大
きいから、イオン化が起きても大きなドライバ上ではグ
リッチが生じにくい。クロックトライバでも同様であり
、大きな容量を持つ信号に対しては、グリッチ保11回
路をラッチ入力の所に設ける代わりに、大きいドライバ
の直前に設けてもよい。The only burden is that the area becomes larger (additional circuit space is required). Alternatively, the glitch protection circuit may be provided within the clock generation circuit, for example, between the zero clock generation logic and the clock driver. Because the capacitance is large, even if ionization occurs, glitches are less likely to occur on large drivers. The same applies to the clock driver; for signals with large capacitance, the glitch protection 11 circuit may be provided immediately before the large driver instead of being provided at the latch input.
第8図は本発明の更に他の実施例を示す。ワードIIa
制御信号Wが非対称遅延フィルタに入力する。FIG. 8 shows yet another embodiment of the invention. Word IIa
A control signal W is input to the asymmetric delay filter.
データ入力と列アドレス入力とが論理回路50に入力す
る。非対称遅延フィルタと論理回路50とが列駆動論理
回路に接続されており、列駆動論理回路はメモリアレイ
回路を制御する。非対称遅延フィルタがあるため、列駆
動回路では論理回路50の出力とワード線制御信号Wと
を同時に処理することができる。A data input and a column address input are input to logic circuit 50. An asymmetrical delay filter and logic circuit 50 are connected to column drive logic, which controls the memory array circuitry. Because of the asymmetric delay filter, the column drive circuit can process the output of the logic circuit 50 and the word line control signal W simultaneously.
以上本発明を好ましい実施例とその代替例について詳細
に説明したが、この説明は例示にすぎないのであって、
限定的意味を持つものではない。Although the present invention has been described in detail with respect to preferred embodiments and alternative examples thereof, this description is merely an example.
It does not have a limited meaning.
この説明を読めば当業者にとって各種の修正や追加を施
すことは容易であろう。そうした修正や追加は本発明の
範囲内にあると考える。したがって本発明の範囲は請求
の範囲の記載に従うべきである。After reading this description, those skilled in the art will be able to easily make various modifications and additions. Such modifications and additions are considered to be within the scope of this invention. Therefore, the scope of the invention should be determined in accordance with the claims.
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。Regarding the above description, the following sections are further disclosed.
(1) チップイネ−ゾル入力と、
出力バッファイネーブル回路と、
前記チップイネーブル入力と前記出力バッファイネーブ
ル回路との間に接続された非対称遅延フィルタと、
を含む、集積回路。(1) An integrated circuit comprising: a chip enable input; an output buffer enable circuit; and an asymmetric delay filter connected between the chip enable input and the output buffer enable circuit.
(2) 第(1)項記載の集積回路を含むメモリチッ
プ。(2) A memory chip including the integrated circuit described in item (1).
(3) 第(2)項記載の@誼において、前記メtり
がスタティック・ランダム・アクセス・メモリである、
メモリチップブ。(3) In the case described in paragraph (2), the memory is a static random access memory;
memory chip.
(4) 第(2)項記載の装置において、前記メモリ
がダイナミック・ランダム・アクセス・メモリである、
メモリチップ。(4) The device according to paragraph (2), wherein the memory is a dynamic random access memory.
memory chip.
(5) 第(2)項記載の装置において、前記メモリ
がリード・オンリー・メモリである、メモリチップ。(5) A memory chip in the device according to item (2), wherein the memory is a read-only memory.
(6) 第(1)項記載の装置において、前記非対称
遅延フィルタの遅延は、所定のパルス幅よりも短いチッ
プイネーブルパルスが発生したときに、前記出力バッフ
ァイネーブルが有効に働らくのを防ぐ役目をする、集積
回路。(6) In the device according to paragraph (1), the delay of the asymmetric delay filter serves to prevent the output buffer enable from working effectively when a chip enable pulse shorter than a predetermined pulse width is generated. integrated circuits.
(7) 第(1)項記載の装置における非対称遅延フ
ィルタであって、インバータ入力とインバータ出力とを
含むインバータと、第1と第2のナントゲート入力を含
むナントゲートとから成り、前記インバータ出力は前記
第1のナントゲート入力に接続され、前記インバータ入
力は前記第2のナントゲート入力に接続されている、非
対称遅延フィルタ。(7) An asymmetrical delay filter in the device according to paragraph (1), comprising an inverter including an inverter input and an inverter output, and a Nant gate including first and second Nant gate inputs, and the inverter output is connected to the first Nandt gate input, and the inverter input is connected to the second Nandt gate input.
(8) 書込みイネーブル入力と、書込み!ill
m1回路と、前記書込みイネーブル入力と前記−込みt
ilII11回路との間に接続された非対称遅延フィル
タと、を含む集積回路。(8) Write enable input and write! ill
m1 circuit, the write enable input and the -write t
an asymmetric delay filter connected between an ilII11 circuit.
(9) 第(8)項記載の集積回路を含むメモリチッ
プ。(9) A memory chip including the integrated circuit described in item (8).
(10)第(9)項記載の装置において、前記メモリは
スタティック・ランダム・アクセス・メモリでる、メモ
リチップ。(10) The device according to item (9), wherein the memory is a static random access memory.
(11) 第(9)項記載の装置において、前記メモ
リはリード・オンリー・メモリである、メモリチップ。(11) In the device according to item (9), the memory chip is a read-only memory.
(12) 第(8)項記載の装置において、前記非対
称遅延フィルタの遅延は、所定のパルス幅よりも短い自
込みイネーブルパルスが発生したときに、前記書込みi
ll ¥a回路が有効に働らくのを防ぐ役目をする、集
積回路。(12) In the device according to paragraph (8), the delay of the asymmetric delay filter is such that the write i
ll ¥a An integrated circuit that serves to prevent the circuit from working effectively.
(13) 第(8)項記載の装置における非対称d紙
フイルタであって、インバータ入力とインバータ出力と
を含むインバータと、第1と第2のナントゲート入力を
含むナントゲートとから成り、前記インバータ出力は前
記第1のナントゲート入力に接続され、前記インバータ
入力は前記第2のナントゲート入力に接続されている、
非対称遅延フィルタ。(13) An asymmetrical d-paper filter in the device according to item (8), comprising an inverter including an inverter input and an inverter output, and a Nant gate including first and second Nant gate inputs; an output is connected to the first Nant gate input, and the inverter input is connected to the second Nant gate input;
Asymmetric delay filter.
(14) クロック発生回路と、クロックトライバと
、前記クロック発生回路と前記クロックトライバとの間
に接続された非対称遅延フィルタとを含む集積回路。(14) An integrated circuit including a clock generation circuit, a clock driver, and an asymmetric delay filter connected between the clock generation circuit and the clock driver.
(15) 第(10項記載の集積回路を含む、メモリ
チップ。(15) A memory chip comprising the integrated circuit according to item (10).
(16)第(15)項記載の装置において、前記メモリ
がスタティック・ランダム・アクセス・メモリである、
メモリチップ。(16) The device according to paragraph (15), wherein the memory is a static random access memory.
memory chip.
(11)第(15)項記載の装置において、前記メモリ
はダイナミック・ランダム・アクセス・メモリである、
メモリチップ。(11) In the device according to paragraph (15), the memory is a dynamic random access memory.
memory chip.
(18)第(15)項記載の装置において、前記メモリ
はリード・オンリ・メモリである、メモリチップ。(18) In the device according to item (15), the memory chip is a read-only memory.
(19)第(14)項記載の装置において、前記非対称
遅延フィルタの遅延は、所定のパルス幅よりも短いクロ
ックパルスがクロック発生回路から発生したときに、前
記クロックトライバが有効に働らくのを防ぐ役目をする
、集積回路。(19) In the device according to item (14), the delay of the asymmetric delay filter is such that the clock driver does not work effectively when a clock pulse shorter than a predetermined pulse width is generated from the clock generation circuit. Integrated circuits that play a role in preventing
(20) 1(14)項記11にノ%lLオGJ6非
対称U延フィルタであって、インバータ入力とインバー
タ出力とを含むインバータと、第1と第2のナントゲー
ト入力を含むナントゲートとから成り、前記インバータ
出力は前記第1のナントゲート入力に接続され、前記イ
ンバータ入力は前記第2のナントゲート入力に接続され
ている、非対称遅延フィルタ。(20) 1(14) Item 11 is a %lL-o-GJ6 asymmetric U-broadcast filter, comprising an inverter including an inverter input and an inverter output, and a Nant gate including first and second Nant gate inputs. an asymmetric delay filter, wherein the inverter output is connected to the first Nandt gate input, and the inverter input is connected to the second Nandt gate input.
(21)非対称遅延フィルタは制御ll信号を受Gノで
動作するようになっていて、前記制御信号により制御さ
れる回路に接続されており、前記フィルタの遅延は前記
回路の他方の入力の遅延と合致している、集積回路。(21) The asymmetric delay filter is configured to operate in G mode upon receiving the control signal, and is connected to a circuit controlled by the control signal, and the delay of the filter is the delay of the other input of the circuit. Integrated circuits that match.
(22) rグリッチ」を抑制するために非対称遅延
回路を用いた集積回路を開示している。この集積回路は
例えばスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、S
RA Mである。具体的に言うと、非対称遅延回路を
用いることにより、「チップ選択」信号に生じたグリッ
チが出力イネーブル信号上にグリッチとして現われない
ようにする。その際、SRAMの性能を損わないように
してグリップを抑制する。双方向性グリッチ保護回路も
開示している。この回路は特にSEUに対するグリッチ
保護に有効である。(22) discloses an integrated circuit using an asymmetric delay circuit to suppress "r glitches". This integrated circuit is, for example, a static random access memory, S
RAM. Specifically, an asymmetric delay circuit is used to ensure that glitches on the "chip select" signal do not appear as glitches on the output enable signal. At this time, the grip is suppressed without impairing the performance of the SRAM. A bidirectional glitch protection circuit is also disclosed. This circuit is particularly effective in glitch protection against SEU.
第1図は本発明の好ましい一実施例を示す図。
第2図は書込みイネーブル回路と1込み制御回路との間
に非対称遅延フィルタを接続した場合のブロック図を示
す図。第3図はタイミング図で、データバス、アドレス
デコード、書込みイネーブル信号および書込み制御信号
が論理ハイ/ローまたはロー/ハイに遷移する様子を時
間軸マイク[1秒で表わしている。第4図は論理回路が
非対称遅延フィルタを経由して出力バッファに接続され
ている、メモリコントローラを示す図。第5a図と第5
b図はグリッチ保護を提供する本発明の他の実施例を示
す図である。第5C図はどちらの方向のグリッチに対し
ても保護する他の実施例を示す図である。第6図は本発
明の更に他の実施例であり、過渡保護回路とラッチとか
ら成る双方向性回路を示す図。第7図は本発明の更に他
の実施例を示す図であり、同じクロックで1lill
allされる複数のチップが1枚のクロック基板システ
ムに収容されている場合に使われている。第8図は本発
明の更に他の実施例を示ず図であり、論理回路の出力と
り−ドm制御信号とを同時に列駆動回路により処理する
ことができるように、ワードI Ill m信号を非対
称遅延フィルタに入力している。FIG. 1 is a diagram showing a preferred embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a case where an asymmetrical delay filter is connected between a write enable circuit and a 1-write control circuit. FIG. 3 is a timing diagram showing the transition of the data bus, address decode, write enable signal, and write control signal to logic high/low or low/high in time axis [1 second]. FIG. 4 shows a memory controller in which logic circuits are connected to an output buffer via an asymmetric delay filter. Figures 5a and 5
Figure b shows another embodiment of the invention that provides glitch protection. FIG. 5C shows another embodiment that protects against glitches in either direction. FIG. 6 is still another embodiment of the present invention, and is a diagram showing a bidirectional circuit comprising a transient protection circuit and a latch. FIG. 7 is a diagram showing still another embodiment of the present invention.
It is used when a plurality of all chips are housed in one clock board system. FIG. 8 is a diagram illustrating still another embodiment of the present invention, in which the word Ill m signal is inputted so that the output read m control signal of the logic circuit can be processed by the column drive circuit at the same time. It is input to an asymmetric delay filter.
Claims (1)
ル回路との間に接続された非対称遅延フィルタと、 を含む、集積回路。(1) An integrated circuit comprising: a chip enable input; an output buffer enable circuit; and an asymmetric delay filter connected between the chip enable input and the output buffer enable circuit.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28853288A | 1988-12-21 | 1988-12-21 | |
| US288532 | 1988-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02270190A true JPH02270190A (en) | 1990-11-05 |
Family
ID=23107536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1332535A Pending JPH02270190A (en) | 1988-12-21 | 1989-12-21 | Integrated circuit containing grich protecting circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02270190A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013527551A (en) * | 2010-04-30 | 2013-06-27 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Circuit for verifying write enable of one-time programmable memory |
| CN116566413A (en) * | 2023-06-28 | 2023-08-08 | 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司 | Receiver circuit and signal processing method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120694A (en) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1332535A patent/JPH02270190A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120694A (en) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013527551A (en) * | 2010-04-30 | 2013-06-27 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | Circuit for verifying write enable of one-time programmable memory |
| CN116566413A (en) * | 2023-06-28 | 2023-08-08 | 思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司 | Receiver circuit and signal processing method |
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