JPH02271641A - 半導体装置の製造方法およびモールド型ならびにリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造技術、特にトランスファモー
ルドによ、てパッケージを製造する半導体装置の製造技
術に関する。

〔従来の技術〕

ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ　（大規模集積回路）等の半
導体装置は、実装密度向上の要請に基づいて小型、薄型
化が図られている。

半導体装置のパッケージの形態の一つとして、レジンで
モールド（パッケージ）を行ない、ＩＣチ・ンプやリー
ドの内端等をパッケージで封止したレジンパッケージが
知られている。このモールドを行う方法として、−Ｓに
トランスファモールド方式が多用されている。

トランスファモールド方式にあっては、トランスファモ
ールドプレスが用いられている。この装置では、チップ
搭載、ワイヤ張りが終了したリードフレームをモールド
型（金型）の上型と下型との間に挟んだ（型締め）後、
上型中央のポット内に投入されかつ下型中央のカル上に
載るレジンタブレフトを、プランジャで加圧加熱して溶
融させ、溶けたレジンを上・下型によって形成されたレ
ジン流路（メインランナー、サブランナー、ゲート）を
通してキャビティ内に送り込み、キャビティ内に位置す
るリードフレーム部分をレジンで被うようになっている
。また、キャビティおよびレジン流路内のレジンはキュ
ア処理されて硬化するので、硬化した成形品は上型と下
型とが引き離された（型開き）後取り出される。なお、
トランスファモールド（トランスファ成形）については
、工業調査会発行「電子材料Ｊ　１９Ｂ７年８月号、昭
和６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９に記載されてい
る。また、この文献には、ランナーの途中にオーバーラ
ンナーやダミーキャビティを設けて成形品のボイド（気
泡）、金線流れ不良を低減する構造が開示されている。

ところで、このようなトランスファモールド方式で製造
されるレジンパッケージにあって、たとえば、日経マグ
ロウヒル社発行「日経マイクロデバイスＪ　１９８８年
９月号、昭和６３年９月１０発行、Ｐ１１５〜Ｐ１２１
に記載されているように、Ｔ　Ｓ　ＯＰ　（Ｔｈｉｎ　
Ｓｍａｌｌ　０ｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、　Ｔ
Ｑ　Ｆ　Ｐ　（Ｔｈｉｎ　Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃ
ｋａｇｅ）と称されるパッケージ厚さが１ｍｍのＬＳＩ
パッケージが開発されている。また、この文献には、ト
ランスファモールド時、樹脂流動性の悪化によってボイ
ドがパッケージ内に発生すること、ボイドを発生させな
いようにするためには、ＬＳＩチップを上面に固定した
グイ・パッド（タブ）の下方の空間高さと、ＬＳＩチッ
プの上方の空間高さを同一にすることが望ましい旨の記
載がある。

なお、ボイド発生対策として、（１）キャビティの周り
のタイバーや外枠を部分的に薄くしてキャビティ内の空
気を排除してモールドする技術（特開昭６１−９７９５
５号公報）　、（２）矩形のタブの４頂点のうち３項点
部分をタブリードで支持し、このタブリードのない部分
からレジンを注入してボイドの発生を防止する技術（特
許出願公表、昭６２−５００３３８号公報）がある。

Ｃ発明が解決しようとする課題） 上記のように、半導体装置はより一層小型・薄型化の傾
向にある。特にパッケージが１ｍｍと薄くなると、前記
ボイドの有無は耐湿性やパッケージのクラック発生に大
きく影響する。また、従来のようなボイド発生抑止技術
では、薄型パッケージには必ずしも効果的に対処できな
い。

すなわち、本発明者による検討によれば、キャビティ内
に流れ込んだレジンの流動先端部には、タブ、リード等
が込み入って存在することもあり、空気が巻き込まれて
ボイドが発生することから、各キャビテイ毎にボイド除
去手段を講じなければ、品質の安定した製品を得ること
ができないことが判明した。

本発明の目的はパッケージ内にボイドが残留しないモー
ルド技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、パッケージ内にボイドが残留しな
いモールド技術を提供するとともに、ボイド除去手段に
起因して組立加工上支障が生じないような技術を提供す
ることにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を闇単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明の半導体装置の製造方法にあっては、
トランスファモールド用のモールド型においては、レジ
ン流路のＰ：端部分となるキャビティの外側にレジンの
流動先端部を引き込むレジン引込流路と、これに連なる
トラップ・キャビティを設けかつこのトラップ・キャビ
ティをリードフレームの枠の外縁よりも内側に位置させ
ておくとともに、リードフレームにおいては前記トラッ
プ・キャビティに対面するリードフレームの枠部分には
穴を設けておき、この状態でモールドを行ない、前記キ
ャビティ内に流入するレジンの流動先端部分がキャビテ
ィ内に停留しないようにして封止を行うことによって半
導体装置を製造する。

〔作用〕

上記した本発明の半導体装置の製造方法によれば、トラ
ンスファモールド時、流動レジンの先端部分は、キャビ
ティを通過してレジン引込流路によってトラップ・キャ
ビティに案内される。一般にレジンの流動先端部は空気
が巻き込まれ易くボイドが多く含まれている。したがっ
て、ボイドを含むレジン部分がキャビティ内に停留する
ことなく通過してキャビティから排除される結果、ボイ
ドのないパッケージを製造することができ、製品の品質
向上が図れる。

また、前記トラップ・キャビティはリードフレームから
外れることなくかつリードフレームの枠上に重なるよう
に設けられていることから、枠上面および枠縁がリード
フレームの搬送に利用できる。

さらに、リードフレームにあっては、前記トラップ・キ
ャビティに対応する枠部分には穴が設けられていること
から、前記トラップ・キャビティおよび大向に入り込ん
で硬化した硬化流動先端部分は伜と一体となり、リード
フレームの搬送の際容易に脱落するようなことがない、
したがって、モールド後の各工程において、リードフレ
ームの搬送トラブルが発生し難くなり、機械の稼働率が
向上する。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
におけるトランスファモールド状態を示す断面図、第２
図は同じ（本発明に係わるリードフレームの平面図、第
３図は同じく本発明の半導体装置の製造におけるチップ
搭載、ワイヤボンディングが終了したリードフレームの
平面図、第４図は同じくレジンモールドが終了したリー
ドフレームの平面図、第５図は同じくモールド型におけ
る上型の底面図、第６図は本発明の製造方法によって製
造された半導体装置の断面図である。

この実施例では、たとえばパッケージ厚さが１ｍｍと薄
いＴＳＯＰの製造に本発明を適用した例について説明す
る。

最初に、本発明の半導体装置の製造方法の概要について
説明する。半導体装置の製造におい”ζは、第１図に示
されるように、モールド型１の下型２と上型３間に、半
導体素子（チップ；ＩＣチップ）４をタブ５に搭載しか
つワイヤボンディングが終了した組立終了後のリードフ
レーム６が挟持され、レジン流路７となるゲート８から
キャビティ９内に溶けたレジン１０が圧入（注入）され
るが、あらかじめ前記キャビティ９に連なってレジン引
込流路１１およびこれに連るトラップ・キャビティ１２
が前記モールド型１に設けられていることから、前記キ
ャビティ９内に流れ込んだレジンの流動先端部１３は、
前記キャビティ９を通過して前記トラップ・キャビティ
１２に入り込む。

前記流動先端部１３は空気を巻き込み易いため、内部に
気泡（ボイド）１４を有する率が後続のレジン部分に比
較して格段に高い、したがって、このボイド１４を有す
る流動先端部１３が、キャビティ９を通過して、トラッ
プ・キャビティ１２内に入り込む結果、成形されたパッ
ケージ内にボイド１４が残留し難くなる。

また、第１図に示されるように、前記トラップ・キャビ
ティ１２はリードフレーム６の枠１５の上面に対面する
ように設けられ、かつ枠１５の外縁かられずかに離れた
内側に設けられている。また、前記トラップ・キャビテ
ィ１２が設けられる枠部分には貫通した穴１６が設けら
れている。したがって、前記トラップ・キャビティ１２
に流れ込んだレジン１０は前記穴１６内にも流入するた
め、レジン硬化後、前記レジン引込流路１１からトラッ
プ・キャビティ１２に亘る領域で硬化したボイド集結硬
化レジン部１７は、枠１５から剥がれ難くなりリードフ
レーム６から脱落し難くなる。

また、前記リードフレーム６の枠１５の外縁は一定の幅
が、また、枠１５下面がレジンで被われていないことか
ら、モールド後の各工程で搬送に利用できる、なお、同
図で示す１８はエアーベントである。

つぎに、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム
６について説明する。リードフレーム６は第２図に示さ
れるように、一対の平行に延在する枠１５と、これら枠
１５を所定間隔で連結する細いタイバー２１と、対面す
る一対のタイバー２１の内縁から前記枠１５に対して平
行に延在する片持梁構造の複数のり一ド２２と、前記タ
イバー２１に平行に延在し、前記リード２２問およびリ
ード２２と枠１５をそれぞれ連結する細いダム２３とか
らなっている。また、枠１５とタイバー２１とで形成さ
れる単位リードパターンの中心部分には、矩形のタブ５
が配設されている。このタブ５は、前記枠１５に一端が
連結された２本の細いタブ吊りリード２４で支持されて
いる。一方、前記ダム２３から外側のリード２２部分、
すなわち、アウターリード２５は等間隔に配設されると
ともに、いずれも平行となっているが、その先端は前記
ダム２３に向かって屈曲して延在している。また、ダム
２３よりも内側のリード２２部分、すなわち、インナー
リード２６は途中迄は相互に平行となっているが、その
先端は前記タブ５に向かって屈曲して延在している。さ
らに、前記枠１５には、リードフレーム６の搬送や位置
決め等に使用されるガイド孔２７が設けられている。ま
た、前記タイバー２１には、その中央に沿ってスリット
２８が設けられている。このスリット２８の存在によっ
て、タイバー２１は２条の形状となってそれぞれ独自に
変形し易（なるため、隣接する単位リードパターンの応
力的影響を受は難くなる。

一方、上記のようなリードフレーム６、すなわち、組み
立てが完了したリードフレーム６をモールドするモール
ド型（トランスファモールド用金型）ｌは、前述のよう
に下型２と、この下型２に重ねられる上型３とからなっ
ている。そして、前記リードフレーム６を挟持する部分
では、第１図に示されるように、下型２および上型３に
は、それぞれ窪みからなるキャビティ３０．３１が設け
られている。これらキャビティ３０．３１は相互に対面
するように設けられ、下型２および上型３の型締めによ
って単一なモールド空間であるキャビティ９を構成する
。また、前記上型３には、第５図に示されるように、前
記キャビティ３１　（キャビティ９）にレジンを注入す
るゲート８、前記キャビティ９内の空気を外部に逃がす
エアーベント１８（同図でハツチングが施された領域）
が設けられている。また、これは必ずしも限定されるも
のではないが、前記エアーベント１８が設けられた領域
には、レジン引込流路１１およびトラップ・キャビティ
１２が設けられている。前記トラップ・キャビティ１２
は、前記キャビティ９内に流れ込んだレジン１０の流動
先端部１３を溜める０、２〜０．５ｍｍの深さの窪みで
あり、前記レジン引込流路１１はこのトラップ・キャビ
ティ１２とキャビティ３１（キャビティ９）を連通させ
る溝である。なお、前記エアーベント１８はレジン１０
が流出せずかつ空気のみが通過できるようにした浅い溝
であって、一般には２０〜３０μｍの深さとなっている
。また、前記トラップ・キャビティ１２は、リードフレ
ーム６の枠１５に対面するように設けられている。また
、トラップ・キャビティ１２は、前記リードフレーム６
の枠１５に設けられた穴１６がトラップ・キャビティ１
２の領域内に位置するように配設されている。

つぎに、半導体装置の製造方法について説明する。半導
体装置の製造にあっては、最初にチップボンディングが
行われ、第３図に示されるように、前記タブ５上にチッ
プ４がボンディングされる。

つぎに、ワイヤボンディングが行われ、前記チップ４の
電極と、これら電極に対応するリード２２の内端とがワ
イヤ４０で接続される。

つぎに、チップボンディング、ワイヤボンディングが終
了したリードフレーム６は、第１図に示されるように、
トランスファモールドプレスのモールド型１に型締めさ
れる。モールド型ｌは、下型２と上型３とからなり、型
締めによって、レジン１０が流れる図示しないランナー
、ゲート８゜キャビティ９．レジン引込流路１１．トラ
ップ・キャビティ１２．およびエアーベント１８等を形
成するようになっている。そこで、前記ランナーからゲ
ート８を通してキャビティ９内にレジン１０を圧入させ
、かつレジンのキュアによってレジン１０を硬化させる
。これによって、前記ゲート８、キャビティ９．レジン
引込流路１１およびトラップ・キャビティ１２内に流入
したレジン１０は硬化し、第４図に示されるようになパ
ッケージ４１やボイド集結硬化レジ７部１７等が形成さ
れる。このモールドにおいて、前記キャビティ９に流入
したレジン１０の流動先端部１３はキャビティ９内を進
み、キャビティ９内をレジン１０で埋め尽くすとともに
、レジン引込流路１１を通ってトラップ・キャビティ１
２内に流れ込む、前記流動先端部１３は障害物のない空
間を単調な流れを作って進むものではなく、キャビティ
９の中央領域を上下に仕切るタブ５やチップ４、多数の
り一ド２２さらにはワイヤ４０等の障害物が散在する空
間内を進むため、複雑な流れとなって空気を巻き込み易
くなる。これに対して、前記流動先端部１３に連なる後
続のレジン部分は、前記流動先端部１３の通過によって
空間がレジンで埋められた部分を、既に存在するレジン
を押し出すようにして進むため、新に空気を巻き込む確
率は極めて少なくなり、レジン注入圧力の働きと相俟っ
て空気を含まないようになる。この結果、空気を巻きん
だ流動先端部１３は、キャビティ９を抜けて前記トラッ
プ・キャビティ１２内に入り込み、かつキャビティ９内
は空気を含まないレジンで埋め尽されることによって、
ボイド１４が含まれない品質の良好なパッケージ４１が
製造されることになる。

すなわち、通常、モールドでは、レジンの流動先端部に
多く含まれている気泡（ボイド）１４がクプ５の裏やチ
ップ４の上に残り、耐クラツク性や耐湿性を劣化させる
ことがある。そこで、レジン流動先端部１３をキャビテ
ィ９（パッケージ４１）の外へ出すことにより、ボイド
１４の少ない品質の良い製品を作ることができる。

一方、前記モールドにあって、前記ボイド集結硬化レジ
ン部１７はリードフレーム６の枠１５の下面側には突出
するように設けられないことから、モールド工程以後の
各工程において、枠１５の下面はリードフレーム６の搬
送の際の滑動面として使用できる。また、前記ボイド集
結硬化レジン部１７は枠１５の外縁よりも内側に設けら
れていることから、枠１５の外縁部分は、前記穴１６の
搬送の際利用できる。また、前記ボイド集結硬化レジン
部１７は、リードフレーム６の枠１５に穿れた穴１６内
にも入り込んで１５に喰い込む構造となり剥離し難くな
る。以上のことから、モールド工程後の各加工検査工程
等で、円滑にリードフレーム６の移送が行なえるととも
に、ボイド集結硬化レジン部１７が脱落して搬送テーブ
ルや移送機構さらにはパッケージ等に付着することによ
って起因するためにトラブルの発生を防止できることに
なる。

つぎに、モールドが施されたリードフレーム６は、前記
モールド型１から取り出され、切断成形機によって不要
なリードフレーム部分および前記ボイド集結硬化レジン
部１７を含む不要レジン部分が除去され、かつ成形され
ることによって、第６図に示されるようなパンケージ４
１の厚さが１ｍｍと薄い半導体装置４２が製造される。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明の半導体装置の製造方法によれば、モール
ド型が、キャビティ内に圧入されるレジンの気泡を多量
に含む流動先端部を前記キャビティの外側のトラップ・
キャビティに取り込む構造となっていることから、前記
キャビティ内は気泡の少ないレジンで充満され、ボイド
の少ないパッケージを形成することができるという効果
が得られる。

（２）上記（１）により、本発明の半導体装置の製造方
法によれば、パッケージ内からボイドを排除できるため
、耐湿性、耐クラツク性の優れた半導体装置を製造する
ことができ、歩留りも向上するという効果が得られる。

特に、パッケージの厚さが１ｍｍ程度と薄いＴＳＯＰ等
の半導体装置においては、残留ボイドの有無は信虹性に
大きく影響するため、ボイド排除は品質向上、製造歩留
り向上を大幅に向上させることができる。

（３）本発明の半導体装置の製造方法にあっては、キャ
ビティの外側のトラップ・キャビティにまでレジンを充
填させるが、このトラップ・キャビティはリードフレー
ムの搬送特使用するリードフレームの枠下部および外縁
部分には設けられていないため１、モールド後の作業で
のリードフレーム自動搬送システムに支障を来たさない
という効果が得られる。

（４）本発明の半導体装置の製造方法にあっては、前記
リードフレームは前記トラップ・キャビティに対応して
枠部分に穴が設けられていることから、トラップ・キャ
ビティ等で硬化したボイド集結硬化レジン部は、枠に喰
い込む構造となり、枠から剥離し難くなるという効果が
得られる。したがって、モールド後の各作業工程におい
て、前記ボイド集結硬化レジン部が枠から剥離脱落して
生ずるパッケージ面の圧痕、リードフレーム移送機構の
故障等は起きず、各種機械の稼働率向上が達成できる。

（５）上記（１）〜（４）により、本発明によれば、キ
ャビテイ外に気泡の多いレジンの流動先端部を取り込む
ためにモールド型にあっては、キャビティに連なるレジ
ン引込流路およびトラップ・キャビティを設けるととも
に、前記レジン引込流路やトラップ・キャビティで硬化
したボイド集結硬化レジン部のリードフレームの枠から
脱落を防止するためにリードフレームにあっては、前記
トラップ・キャビティに対面して穴を設けている結果、
パッケージ内にボイドが少ない高品質の半導体装置を高
能率、高歩留りで製造することができるという相乗効果
が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記トラップ
・キャビティ１２は穴１６と同一寸法でも前記実施例同
様な効果が得られる。

第７図は本発明の他の実施例によるリードフレームの要
部を示す平面図である。この例は前記リードフレーム６
の枠１５に穴１６をキャビティ側に開口した例である。

この構造では、枠１５の機械的強度が前記実施例に比較
して弱くなる嫌いがあることから、使用に際しては注意
が必要であるが、本発明本来のレジン排除効果を得るこ
とができる。

第８図は本発明の他の実施例によるリードフレームおよ
びパッケージの要部を示す平面図である。

この例では、前記リードフレーム６の枠１５に設ける穴
１６は、枠１５に木来設けるガイド孔２７を代用した例
であり、所望のボイド集結硬化レジン部１７を形成でき
る。

第９図は本発明の他の実施例による半導体装置の製造状
態を示す一部の断面図である。この図では、モールド後
の枠１５部分等の拡大状態が示されている。この例では
、第４図で示される前記実施例における穴１６の代わり
に、窪み４３が設けられている。この窪み４３はその周
縁が内側にわずか突出する張り出し縁４４を有している
。これにより、この窪み４３内に入ったレジン部分が前
記張り出し縁４４に引っ掛かるので、ボイド集結硬化レ
ジン部１７は一層枠１５から剥離し難くなる。このよう
な張り出し縁４４を有する断面形状は、前記第１図に示
される前記実施例の穴１６に適用してもよい、なお、前
記窪み４３において、張り出し縁４４を形成する方法の
一つとしては、コイニングによって窪み４３を形成した
後、窪み４３の周囲にわずか盛り上がる部分を、再びプ
レスして窪み４３の内側に張り出させるようにすること
によって形成できる。

第１０図は本発明の他の実施例による半導体装置の製造
状態を示す一部の断面図である。この例はボイド集結硬
化レジン部１７で枠１５の全周を被う構造である。この
ような構造にすると、ボイド集結硬化レジン部１７は枠
１５から剥離するおそれは殆どなくなる。しかし、モー
ルド後の工程において、枠１５の下面に部分的にボイド
集結硬化レジン部１７を設ける構造では、引っ掛って搬
送ができない場合もあるかも知れない、このような場合
は、少なくとも枠１５の下面においては、枠１５の全長
に亘って設けることにより、平坦なスライド面を得るこ
とができるようになる。また、枠１５の外縁の全長に亘
ってボイド集結硬化レジン部１７を設ければ、このボイ
ド集結硬化レジン部１７の外縁部分が、リードフレーム
の搬送時利用できる。

第１１図は本発明の他の実施例による半導体装置の製造
状態を示す一部の断面図である。この実施例では、ゲー
ト８．キャビティ９．ゲート８゜キャビティ９と繰り返
してキャビティ９が配列された構造のモールド型１に本
発明を適用した例を示すものである。このような通過構
造のモールド型１においても、最終段のキャビティ４５
に連ねてレジン引込流路１１およびトラップ・キャビテ
ィ１２を設ければ、ボイド１４のないパッケージ４１を
製造することができる。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるＴＳＯＰ型半導体装
置の製造技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、パンケージの厚い半導体装
置の製造にも適用できる。

本発明は少な（とも物品をレジンでトランスファモール
ドする技術には適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、モールド型の
キャビティの外側にレジンが流れ込むトランプ・キャビ
ティが設けられ、ゲートからキャビティ内に流れ込んだ
レジンのうち、気泡を多量に含む流動先端部を前記トラ
ップ・キャビティ内に取り込み、キャビティ内には気泡
の少ないレジンを充填することから、ボイドの少ないパ
ッケージを形成でき、耐湿性や耐クランク性の高い半導
体装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
におけるトランスファモールド状態を示す断面図、 第２図は同じく本発明に係わるリードフレームの平面図
、 第３図は同じ（本発明の半導体装置の製造におけるチッ
プ搭載、ワイヤボンディングが終了したリードフレーム
の平面図、 第４図は同じくレジンモールドが終了したリードフレー
ムの平面図、 第５図は同じくモールド型における上型の底面図、 第６回は本発明の製造方法によって製造された半導体装
置の断面図、 第７図は本発明の他の実施例によるリードフレームの要
部を示す平面図、 第８図は本発明の他の実施例によるリードフレームおよ
びパッケージの要部を示す平面図、第９図は本発明の他
の実施例による半導体装置の製造状態を示す一部の断面
図、 第１０図は本発明の他の実施例による半導体装置の製造
状態を示す一部の断面図、 第１１図は本発明の他の実施例による半導体装置の製造
状態を示す一部の断面図である。 １・・・モールド型、２・・・下型、３・・・上型、４
・・・チップ、５・・・タブ、６・・・リードフレーム
、７・・・レジン流路、８・・・ゲート、９・・・キャ
ビティ、１０・・・レジン、１１・・・レジン引込流路
、１２・・・トラップ・キャビティ、１３・・・流動先
端部、１４・・・ボイド、１５・・・枠、１６・・・穴
、１７・・・ボイド集結硬化レジン部、１８・・・エア
ーベント、２１・・・タイバー、２２・・・リード、２
３・・・ダム、２４・・・タブ吊りリード、２５・・・
アウターリード、２６・・・インナーリード、２７・・
・ガイド孔、２８・・・スリット、３０．３１・・・キ
ャビティ、４０・・・ワイヤ、４１・・・パッケージ、
４２・・・半導体装置、４３・・・窪み、４４・・・張
り出し縁、４５・・・最終段のキャピテイ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームにチップを取り付けかつ所望間をワ
   イヤで接続する組立工程と、前記リードフレームを下型
   および上型からなるモールド型に型締めした後、前記下
   型および上型によって形成されるレジン流路内に溶けた
   レジンを圧入し、前記レジン流路に連なるキャビティに
   レジンを充満させることによって前記リードフレームの
   所定部分をレジンで形成されるパッケージで被う封止工
   程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記レ
   ジン流路の終端部分となるキャビティの外側にレジンの
   流動先端部を引き込むレジン引込流路と、これに連なる
   トラップ・キャビティを配して封止を行うことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。 ２、前記レジン引込流路およびトラップ・キャビティは
   リードフレームに対面する領域に配して封止を行なうこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
   の製造方法。 ３、被モールド物を下型と上型間に型締めにて挟持する
   ように構成され、かつ型締め状態でレジン供給部と、こ
   のレジン供給部に順次連なるレジン流路、ゲート、キャ
   ビティ、エアーベントを構成するモールド型であって、
   前記キャビティにはいずれも空間となるレジン引込流路
   と、これに連なるトラップ・キャビティが設けられてい
   ることを特徴とするモールド型。 ４、前記レジン引込流路およびトラップ・キャビティは
   上型に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
   第２項記載のモールド型。 ５、前記トラップ・キャビティは被モールド物の外縁か
   ら外れない内側領域に対面して設けられていることを特
   徴とする特許請求の範囲第２項記載のモールド型。 ６、前記レジン引込流路およびトラップ・キャビティは
   、ゲート、キャビティ、ゲート、キャビティと繰り返し
   て直列に連る最終段のキャビティに連なって設けられて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第５項
   いずれか記載のモールド型。 ７、キャビティに連ってレジン引込流路およびこれに連
   るトラップ・キャビティを有するモールド型に型締めさ
   れてモールドされるリードフレームであって、前記リー
   ドフレームの枠部分は前記トラップ・キャビティに対面
   しかつこの対面領域には窪みまたは穴が設けられている
   ことを特徴とするリードフレーム。