JPH0124612B2 - - Google Patents
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- JPH0124612B2 JPH0124612B2 JP56088282A JP8828281A JPH0124612B2 JP H0124612 B2 JPH0124612 B2 JP H0124612B2 JP 56088282 A JP56088282 A JP 56088282A JP 8828281 A JP8828281 A JP 8828281A JP H0124612 B2 JPH0124612 B2 JP H0124612B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- molding
- gate
- vent
- cavity
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/0061—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the configuration of the material feeding channel
- B29C33/0066—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the configuration of the material feeding channel with a subdivided channel for feeding the material to a plurality of locations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
- B29C2045/2712—Serial gates for moulding articles in successively filled serial mould cavities
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C67/00—Shaping techniques not covered by groups B29C39/00 - B29C65/00, B29C70/00 or B29C73/00
- B29C67/24—Shaping techniques not covered by groups B29C39/00 - B29C65/00, B29C70/00 or B29C73/00 characterised by the choice of material
- B29C67/246—Moulding high reactive monomers or prepolymers, e.g. by reaction injection moulding [RIM], liquid injection moulding [LIM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱硬化性樹脂成形材料（以下成形材
料と略記する）のインジエクシヨン成形、トラン
スフア成形又は反応射出成形（RIM）若しくは
液体射出成形（LIM）に用いる成形用金型に関
する。
料と略記する）のインジエクシヨン成形、トラン
スフア成形又は反応射出成形（RIM）若しくは
液体射出成形（LIM）に用いる成形用金型に関
する。
従来、成形材料の成形にはコンプレツシヨン、
トランスフア、インジエクシヨンなどの成形法が
採用されているが、その中でトランスフア又はイ
ンジエクシヨン成形法が能率的である。成形材料
の中で比較的流動性の良いジアリルフタレート、
不飽和ポリエステル、エポキシ樹脂などの成形材
料は、比較的大形で流動距離の長い成形品を有効
に成形することが可能である。一方、最近の
RIM又はLIM成形法は、流動性が極めて良い材
料で比較的小物の成形品を大量生産するのに有効
である。また最近のICやLSIなどの半導体装置の
樹脂封止ではエポキシ樹脂のトランスフア成形法
が主流をなしている。
トランスフア、インジエクシヨンなどの成形法が
採用されているが、その中でトランスフア又はイ
ンジエクシヨン成形法が能率的である。成形材料
の中で比較的流動性の良いジアリルフタレート、
不飽和ポリエステル、エポキシ樹脂などの成形材
料は、比較的大形で流動距離の長い成形品を有効
に成形することが可能である。一方、最近の
RIM又はLIM成形法は、流動性が極めて良い材
料で比較的小物の成形品を大量生産するのに有効
である。また最近のICやLSIなどの半導体装置の
樹脂封止ではエポキシ樹脂のトランスフア成形法
が主流をなしている。
しかしながら、この種の流動性のよい成形材料
のトランスフア及びインジエクシヨン成形法にお
いては、成形材料の流動性が良いために凹凸の激
しい部分に空気などのガスが溜まり、成形品が充
填不足となることが多く、特に小物の成形品では
微小な欠陥でも問題になることが多いので解決が
望まれている。
のトランスフア及びインジエクシヨン成形法にお
いては、成形材料の流動性が良いために凹凸の激
しい部分に空気などのガスが溜まり、成形品が充
填不足となることが多く、特に小物の成形品では
微小な欠陥でも問題になることが多いので解決が
望まれている。
また、成形材料の流動性が良いことを利用して
ランナーの長い多数個取りの成形品を得る場合
に、成形品が小物であるとランナー部分の材料ロ
ス割合が大きくなるという欠点もあつた。
ランナーの長い多数個取りの成形品を得る場合
に、成形品が小物であるとランナー部分の材料ロ
ス割合が大きくなるという欠点もあつた。
このような傾向は最近のICやLSIなどの半導体
装置の樹脂封止の際にも共通する問題点であり、
特に今後装置の小形化が必至とみられる半導体業
界において、それらの問題点の解決が迫られてい
る。
装置の樹脂封止の際にも共通する問題点であり、
特に今後装置の小形化が必至とみられる半導体業
界において、それらの問題点の解決が迫られてい
る。
上記問題点の解決法の一つとして、エアーベン
トを金型のパーテイング面に比較的大きくつける
か、溶融した成形材料が流出する程度の「ベント
兼用溜め」をつけるなどの方法が採用されてきた
が、これらの方法では必然的にバリの多い成形品
となり、金型寿命、バリ取り工数の増加など生産
コスト面にマイナスの要素となることが多かつ
た。
トを金型のパーテイング面に比較的大きくつける
か、溶融した成形材料が流出する程度の「ベント
兼用溜め」をつけるなどの方法が採用されてきた
が、これらの方法では必然的にバリの多い成形品
となり、金型寿命、バリ取り工数の増加など生産
コスト面にマイナスの要素となることが多かつ
た。
本発明の目的は、上記のような充填不足、必要
以上のバリの発生、ランナー部分の材料ロスなど
を極めて少くして成形品を成形できる金型を提供
することである。
以上のバリの発生、ランナー部分の材料ロスなど
を極めて少くして成形品を成形できる金型を提供
することである。
即ち本発明は、多数個取り又はフアミリーモー
ルドの熱硬化性樹脂成形用金型において、ランナ
ーに直結したゲートの少くとも１つに２個以上の
キヤビテイを直列に配置し、上記キヤビテイ間を
フイルム状のベント兼ゲートで連結することを特
徴とする成形用金型である。
ルドの熱硬化性樹脂成形用金型において、ランナ
ーに直結したゲートの少くとも１つに２個以上の
キヤビテイを直列に配置し、上記キヤビテイ間を
フイルム状のベント兼ゲートで連結することを特
徴とする成形用金型である。
また本発明の金型は、従来の帯状リードフレー
ムを複数同一平面内に並列に一体化した形状のリ
ードフレームを用いることができるように構成
し、半導体装置の樹脂封止に使用できる。
ムを複数同一平面内に並列に一体化した形状のリ
ードフレームを用いることができるように構成
し、半導体装置の樹脂封止に使用できる。
一般に成形品の容積がＡcm3であるときにそのゲ
ートの断面積Ｂmm2は、 Ｂ＝（１〜３）Ａ／５の範囲に選択される。例え
ば、10cm3の成形品のゲートとしては、２〜６mm2の
断面積をもつものであり、幅５mm程度でその深さ
は0.4〜1.2mmの範囲である。10cm3の成形品の寸法
が幅20mm、長さ30mm、厚さ16.7mmであるとする
と、ゲートがつけられる成形品幅寸法20mmに対し
てゲート幅寸法は前記のとおり５mmであつて、ゲ
ート左右の死角におけるガスを十分に逃がすこと
ができない。本願発明でいうベント兼ゲートは、
成形品幅寸法20mmに対して実質的に同寸法の20mm
幅にして、ゲートの深さを0.1〜0.3mmの範囲とな
るようにされる。換言をすれば、材料の流動方向
にかかる成形品幅に関してガス溜り死角がないよ
うにゲート幅が選択されることを意味する。
ートの断面積Ｂmm2は、 Ｂ＝（１〜３）Ａ／５の範囲に選択される。例え
ば、10cm3の成形品のゲートとしては、２〜６mm2の
断面積をもつものであり、幅５mm程度でその深さ
は0.4〜1.2mmの範囲である。10cm3の成形品の寸法
が幅20mm、長さ30mm、厚さ16.7mmであるとする
と、ゲートがつけられる成形品幅寸法20mmに対し
てゲート幅寸法は前記のとおり５mmであつて、ゲ
ート左右の死角におけるガスを十分に逃がすこと
ができない。本願発明でいうベント兼ゲートは、
成形品幅寸法20mmに対して実質的に同寸法の20mm
幅にして、ゲートの深さを0.1〜0.3mmの範囲とな
るようにされる。換言をすれば、材料の流動方向
にかかる成形品幅に関してガス溜り死角がないよ
うにゲート幅が選択されることを意味する。
以下図面によつて本発明の金型の構成を、トラ
ンスフア成形用金型を例として説明する。
ンスフア成形用金型を例として説明する。
従来のトランスフア成形用金型は、第１図平面
図に例示するように下型Ａにカル２、ランナー３
及びゲート４からなる樹脂通路が設けられ、各ゲ
ートにはそれぞれ１個のキヤビテイ５及びエアー
ベント７が設けられている。これに対し、本発明
のトランスフア成形用金型は、第２図又は第３図
に例示するように、各ゲート４にはそれぞれ複数
個のキヤビテイが設けられている。第２図は一般
の絶縁物などの成形品を成形するための本発明の
トランスフア成形用金型の構成例であり、第３図
はICやLSIなどの半導体装置を樹脂封止するため
のトランスフア成形用金型の構成例であり、用い
るリードフレーム９のレイアウトが略示されてい
る。
図に例示するように下型Ａにカル２、ランナー３
及びゲート４からなる樹脂通路が設けられ、各ゲ
ートにはそれぞれ１個のキヤビテイ５及びエアー
ベント７が設けられている。これに対し、本発明
のトランスフア成形用金型は、第２図又は第３図
に例示するように、各ゲート４にはそれぞれ複数
個のキヤビテイが設けられている。第２図は一般
の絶縁物などの成形品を成形するための本発明の
トランスフア成形用金型の構成例であり、第３図
はICやLSIなどの半導体装置を樹脂封止するため
のトランスフア成形用金型の構成例であり、用い
るリードフレーム９のレイアウトが略示されてい
る。
金型下型Ｂ又はＣには、カル２、ランナー３及
びゲート４からなる樹脂通路が設けられ、各ゲー
ト４には複数個のキヤビテイ５，５′又は８，
８′，８″が直列に設けられている。第３図に示す
リードフレーム９は、１列に半導体素子１２をマ
ウントした帯状のリードフレームを複数並行に配
置してもよく、複数列に半導体素子１２をマウン
トした板状のリードフレームを配置してもよい。
上記リードフレームは、通常金型のパーテイング
面に配置されるように構成され、キヤビテイ８，
８′，８″で素子１２が樹脂封止される。
びゲート４からなる樹脂通路が設けられ、各ゲー
ト４には複数個のキヤビテイ５，５′又は８，
８′，８″が直列に設けられている。第３図に示す
リードフレーム９は、１列に半導体素子１２をマ
ウントした帯状のリードフレームを複数並行に配
置してもよく、複数列に半導体素子１２をマウン
トした板状のリードフレームを配置してもよい。
上記リードフレームは、通常金型のパーテイング
面に配置されるように構成され、キヤビテイ８，
８′，８″で素子１２が樹脂封止される。
キヤビテイ５，５′間、８，８′間、８′，８″間
にはそれぞれ樹脂通路とベントとの性格を併有す
るベント兼ゲート６，１０，１１が設けられてい
る。キヤビテイ５′及び８″には通常の金型と同様
のエアーベント７が設けられている。ベント兼ゲ
ート６，１０，１１はフイルム状に形成され、樹
脂通路とベントとの性格をもたせたもので、例え
ばベント兼ゲート６はキヤビテイ５に対しては、
エアーベントとなり、キヤビテイ５′に対しては、
ゲートの役割を果すものである。同様にベント兼
ゲート１０はキヤビテイ８に対してエアーベン
ト、キヤビテイ８′に対してゲートの役割を、ベ
ント兼ゲート１１はキヤビテイ８′に対してエア
ーベント、キヤビテイ８″に対してゲートの役割
を果す。エアーベント７の形状はベント兼ゲート
６，１０，１１の形状と同様のフイルム状で、厚
さを20％程度小さい形状とすることが好ましく、
それにより、エアーベントの働きをし、しかも必
要以上の溶融成形材料の流入を阻止することが可
能となる。
にはそれぞれ樹脂通路とベントとの性格を併有す
るベント兼ゲート６，１０，１１が設けられてい
る。キヤビテイ５′及び８″には通常の金型と同様
のエアーベント７が設けられている。ベント兼ゲ
ート６，１０，１１はフイルム状に形成され、樹
脂通路とベントとの性格をもたせたもので、例え
ばベント兼ゲート６はキヤビテイ５に対しては、
エアーベントとなり、キヤビテイ５′に対しては、
ゲートの役割を果すものである。同様にベント兼
ゲート１０はキヤビテイ８に対してエアーベン
ト、キヤビテイ８′に対してゲートの役割を、ベ
ント兼ゲート１１はキヤビテイ８′に対してエア
ーベント、キヤビテイ８″に対してゲートの役割
を果す。エアーベント７の形状はベント兼ゲート
６，１０，１１の形状と同様のフイルム状で、厚
さを20％程度小さい形状とすることが好ましく、
それにより、エアーベントの働きをし、しかも必
要以上の溶融成形材料の流入を阻止することが可
能となる。
上記のような本発明の金型を用いてトランスフ
ア成形法により予熱したタブレツトを投入して一
般の絶縁物や半導体の樹脂封止などの成形を行う
と、溶融した成形材料がプランジヤーにより金型
Ｂ又はＣのカル２、ランナー３、ゲート４、キヤ
ビテイ５，５′又は８，８′，８″に注入される。
このとき成形材料中に含まれているガスや空気及
び金型内の空気は溶融材料とともにカル２、ラン
ナー３及びゲート４並びに各キヤビテイを経てエ
アーベント７まで流動するが、ベント兼ゲート
６，１０，１１により流動性の良い材料であつて
も必要以外の部分（パーテイング面）には流れ込
まず、そのため注入の加圧力が極めて効率良く各
キヤビテイ、ゲート、ベントに伝えられる。また
ベント兼ゲート６，１０，１１及びエアーベント
７部分の「紋り」の効果により流動性良好な材料
であつてもキヤビテイへのバツク圧力的有効圧力
のためにボイドや充填不足のない優れた成形品
を、従来の金型に比べてより多数個同時に得るこ
とができる。本発明の構成はトランスフア成形の
みでなく、カル部分がスプルーに換つたいわゆる
インジエクシヨン、RIM又はLIM成形用の金型
にも同様に適用できること、また本発明は、半導
体用のリードフレーム入り製品及びリードフレー
ムのない製品の何れに適用しても上記効果が得ら
れることは明らかである。
ア成形法により予熱したタブレツトを投入して一
般の絶縁物や半導体の樹脂封止などの成形を行う
と、溶融した成形材料がプランジヤーにより金型
Ｂ又はＣのカル２、ランナー３、ゲート４、キヤ
ビテイ５，５′又は８，８′，８″に注入される。
このとき成形材料中に含まれているガスや空気及
び金型内の空気は溶融材料とともにカル２、ラン
ナー３及びゲート４並びに各キヤビテイを経てエ
アーベント７まで流動するが、ベント兼ゲート
６，１０，１１により流動性の良い材料であつて
も必要以外の部分（パーテイング面）には流れ込
まず、そのため注入の加圧力が極めて効率良く各
キヤビテイ、ゲート、ベントに伝えられる。また
ベント兼ゲート６，１０，１１及びエアーベント
７部分の「紋り」の効果により流動性良好な材料
であつてもキヤビテイへのバツク圧力的有効圧力
のためにボイドや充填不足のない優れた成形品
を、従来の金型に比べてより多数個同時に得るこ
とができる。本発明の構成はトランスフア成形の
みでなく、カル部分がスプルーに換つたいわゆる
インジエクシヨン、RIM又はLIM成形用の金型
にも同様に適用できること、また本発明は、半導
体用のリードフレーム入り製品及びリードフレー
ムのない製品の何れに適用しても上記効果が得ら
れることは明らかである。
第１図は従来のトランスフア成形用金型の下型
平面図、第２図は本発明の一実施例であるトラン
スフア成形用金型の下型平面図、第３図は本発明
の他の実施例であるIC又はLSIの樹脂封止用金型
の下型平面図で、左下四半分の部分においては、
リードフレームの配置を示す。 ２……カル、３……ランナー、４……ゲート、
５，５′，８，８′，８″……キヤビテイ、７……
エアーベント、６，１０，１１……ベント兼ゲー
ト、９……リードフレーム、１２……半導体素
子。
平面図、第２図は本発明の一実施例であるトラン
スフア成形用金型の下型平面図、第３図は本発明
の他の実施例であるIC又はLSIの樹脂封止用金型
の下型平面図で、左下四半分の部分においては、
リードフレームの配置を示す。 ２……カル、３……ランナー、４……ゲート、
５，５′，８，８′，８″……キヤビテイ、７……
エアーベント、６，１０，１１……ベント兼ゲー
ト、９……リードフレーム、１２……半導体素
子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多数個取り又はフアミリーモールドの熱硬化
性樹脂成形用金型において、ランナーに直結した
ゲートの少くとも１つに、２個以上のキヤビテイ
を直列に配置し、上記キヤビテイ間をフイルム状
のベント兼ゲートで連結することを特徴とする成
形用金型。 ２ 成形用金型が半導体素子を搭置したリードフ
レームを樹脂封止する金型であつて、金型内に、
１列に素子封止部を設けた帯状のリードフレーム
を複数並行に配置するか、複数列に素子封止部を
設けた板状のリードフレームを配置して成形す
る、特許請求の範囲第１項記載の成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8828281A JPS57203532A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Mold for molding thermosetting resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8828281A JPS57203532A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Mold for molding thermosetting resin |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57203532A JPS57203532A (en) | 1982-12-13 |
| JPH0124612B2 true JPH0124612B2 (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=13938539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8828281A Granted JPS57203532A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Mold for molding thermosetting resin |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57203532A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62122254A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂モ−ルド半導体装置用フレ−ム |
| JPS63164453A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Idec Izumi Corp | 小型電子部品の連結体の製造方法 |
| JPH0258344A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Rohm Co Ltd | リードフレームに対するモールド部の成形装置 |
| WO1996009156A1 (en) * | 1994-09-21 | 1996-03-28 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing spheroidal moldings |
| US6316821B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-11-13 | Cypress Semiconductor Corporation | High density lead frames and methods for plastic injection molding |
| WO2006129926A1 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | Tsp Co., Ltd. | Mold for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactred using the same |
| US7691315B2 (en) | 2005-07-18 | 2010-04-06 | T.F.H. Publications, Inc. | Injection mold having cavities in series |
| JP2012030536A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Toshiba Corp | 注形用金型及びガス絶縁開閉装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228554A (en) * | 1975-08-30 | 1977-03-03 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of molding products by picking up multiple blanks |
-
1981
- 1981-06-10 JP JP8828281A patent/JPS57203532A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57203532A (en) | 1982-12-13 |
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