JPH02271673A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02271673A
JPH02271673A JP1094102A JP9410289A JPH02271673A JP H02271673 A JPH02271673 A JP H02271673A JP 1094102 A JP1094102 A JP 1094102A JP 9410289 A JP9410289 A JP 9410289A JP H02271673 A JPH02271673 A JP H02271673A
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silicide
integrated circuit
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Makio Goto
後藤　万亀雄
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置、詳しくはサリサイドＴｒを多数具
備した集積回路の出力部の構造に関する。
〔従来の技術〕
近年、半導体素子の微細化に伴い、ソース・ドレイン領
域を形成する不純物拡散層を極めて浅くつくりこむ必要
が出てきた。ところが不純物拡散層を浅くすることは、
ソース・ドレイン領域の高抵抗化につながり、Ｔｒの電
流駆動能力を著しく劣化させる原因となる。このような
問題を解決するために、ソース・ドレイン及びゲート電
極上に選択的にシリサイドを形成し、前述したソース・
ドレイン領域の抵抗を極めて低くした、いわゆるサリサ
イド構造のＴｒが提案された。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、前述の従来技術、つまりサリサイドＴｒは、静
電気に対して極めて弱いという課題を有する。
一般に、集積回路の静電気耐性は、入出力部の静電気に
対する強さで決定される。入力部は保護抵抗等の手段に
より静電保護が行われるが、出力部は通常、静電保護は
行われない。
出力Ｔｒの静電気に対する強さは、配線材かららソース
、ドレイン端（ゲート電極側）までの抵抗により決定さ
れる。（この抵抗が小さいと、静電破壊を起こし易い。
） サリサイドＴｒはソース・ドレイン抵抗を極端に下げる
ために、静電気には弱くなる。
本発明は、このような課題を解決するもので、その目的
は、サリサイドＴｒを具備した集積回路の静電気耐性を
改善し、高品質な集積回路を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、サリサイドＴｒを多数具備した
集積回路において、前記集積回路の出力Ｔｒのドレイン
、ソースの両側にシリサイドを形成しない領域を設ける
ことを特徴とする。
〔実　施　例〕
以下図面に基づき、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）は、本発明による半導体装置を表わす断面
図、第１図（ｂ３は平面図であって、１０１はＰ型Ｓｔ
基板、１０２は素子分離用酸化膜、１０３はゲート酸化
膜、１０４は高濃度リンがドープされた多結晶Ｓｔから
なるゲート電極、１０５は低濃度ｎ型不純物拡散層、１
０６はサイドウオールスペーサー、１０７は高濃度不純
物拡散層（ソース・ドレイン）、１０８はＴｉシリサイ
ド、１０９は層間絶縁用酸化膜、１１０は配線材料用Ａ
ｊＱである。
尚、第１図は破線で示したように領域（Ｉ）と領域（ｎ
）に分離される。領域（■）は内部のＴｒを表わし、領
域（１）は出力部のＴｒを表わす。
図で明らかなように領域（ＩＩ）はソース・ドレイン領
域１０７上はすべてＴｉシリサイド１０８によりおおわ
れているが、領域（Ｉ）にはソース・ドレイン領域１０
７上にＴｉシリサイド１０８が設けられていない領域を
有する。
次に本発明の半導体装置の製造方法について、簡単に示
す。
１）１０１〜１０６は公知の技術を用いて、容易に形成
される。１０６を形成した後に、全面に１００〜３００
人の酸化膜を化学的気相成長法で形成する。
２）ＡｓあるいはＰ等の高濃度Ｎ型不純物をイオン注入
し、電気炉あるいはハロゲンランプにてアニールを行い
、ソース・ドレイン領域１０７を形成する。
３）フォトレジストパターンを用い、前記領域（１）の
ソース・ドレイン領域の一部を残して前記１００〜３０
０Ａの酸化膜を希）ｆＦでエツチング除去する。
４）全面にＴｉを４００〜６００人スパッタ法で形成し
た後に、ハロゲンランプを用い７００℃前後でアニール
を行う。この時、ゲート電極１０４上、及びソース・ド
レイン領域１０７上にはＴｉシリサイドが形成されるが
、領域（Ｉ）では、ソース・ドレイン領域の一部に１０
０〜３００への酸化膜を残した部分にはＴｉシリサイド
は形成されない。
また、前記素子分離用酸化膜１０２上、サイドウオール
スペーサー１０６上にもＴｉシリサイドは形成されない
。
５）過酸化水素・アンモニアの水溶液を用い前記未反応
のＴｉを選択除去する。
６）再びハロゲンランプを用い、８００℃前後の温度で
アニールを行った後に、化学的気相成長法で層間絶縁用
酸化膜１０９を形成し、コンタクトホール形成後、配線
材料用１！１１０をスパッタ法で形成しバターニングを
行うことで本発明の半導体装置は完成する。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明によれば、配線材料とソース
・ドレイン端部間に十分な抵抗が得られるため、静電気
に対しては極めて強い構造を提供できるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の半導体装置の断面図を示し、第
１図（ｂ）は本発明の半導体装置の平面図を示す。 １０１　・ １０２　　・ １０３　・ １０４　・ １０５　・ Ｐ型Ｓｉ基板 素子分離用酸化膜 ゲート酸化膜 ゲート電極 低濃度不純物拡散層 １０６　・ １０７　・ １０８・ １０９　・ １１０　・ サイドウオールスペーサー 高濃度不純物拡散層 Ｔｉシリサイド 層間絶縁用酸化膜 配線材料用Ａｇ 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）（Ｉ） 弓（す 算１回

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ゲート電極及びソース・ドレイン領域に選択的にシリサ
    イドを形成したＴｒを多数具備した集積回路において、
    前記集積回路の出力Ｔｒのドレイン、ソースの両側にシ
    リサイドを形成しない領域を設けることを特徴とする半
    導体装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142589A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Nec Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6455897B1 (en) 2000-05-31 2002-09-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device having electrostatic discharge protection circuit
US6459139B2 (en) 1999-12-03 2002-10-01 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
US6537884B1 (en) 1998-09-07 2003-03-25 Denso Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same including an offset-gate structure
US6600210B1 (en) 1999-10-08 2003-07-29 Nec Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6831334B2 (en) 2000-05-31 2004-12-14 Seiko Epson Corporation Semiconductor device having electrostatic protection circuit and method of fabricating the same
US6861705B2 (en) 2000-03-07 2005-03-01 Seiko Epson Corporation Driver circuits and methods for manufacturing driver circuits
EP1458033A3 (en) * 2003-03-12 2005-03-30 NEC Electronics Corporation Semiconductor protection element, semiconductor device comprising the same and corresponding manufacturing methods
US7352031B2 (en) 2002-05-28 2008-04-01 Oki Electric Industry, Co., Ltd. Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device
US8035229B2 (en) 2007-03-01 2011-10-11 Panasonic Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209792A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5565470A (en) * 1978-11-13 1980-05-16 Toshiba Corp Mos integrated circuit
JPS6143464A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH02273971A (ja) * 1989-03-13 1990-11-08 Philips Gloeilampenfab:Nv 保護回路をそなえた半導体デバイス

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5565470A (en) * 1978-11-13 1980-05-16 Toshiba Corp Mos integrated circuit
JPS6143464A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH02273971A (ja) * 1989-03-13 1990-11-08 Philips Gloeilampenfab:Nv 保護回路をそなえた半導体デバイス

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07142589A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Nec Corp 半導体集積回路装置およびその製造方法
US6537884B1 (en) 1998-09-07 2003-03-25 Denso Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same including an offset-gate structure
US6600210B1 (en) 1999-10-08 2003-07-29 Nec Electronics Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6459139B2 (en) 1999-12-03 2002-10-01 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
US6861705B2 (en) 2000-03-07 2005-03-01 Seiko Epson Corporation Driver circuits and methods for manufacturing driver circuits
US6831334B2 (en) 2000-05-31 2004-12-14 Seiko Epson Corporation Semiconductor device having electrostatic protection circuit and method of fabricating the same
US6455897B1 (en) 2000-05-31 2002-09-24 Seiko Epson Corporation Semiconductor device having electrostatic discharge protection circuit
US7352031B2 (en) 2002-05-28 2008-04-01 Oki Electric Industry, Co., Ltd. Electrostatic-breakdown-preventive and protective circuit for semiconductor-device
EP1458033A3 (en) * 2003-03-12 2005-03-30 NEC Electronics Corporation Semiconductor protection element, semiconductor device comprising the same and corresponding manufacturing methods
US7087999B2 (en) 2003-03-12 2006-08-08 Nec Electronics Corporation Semiconductor protection element, semiconductor device and method for manufacturing same
US7271097B2 (en) 2003-03-12 2007-09-18 Nec Electronics Corporation Method for manufacturing a semiconductor protection element and a semiconductor device
US8035229B2 (en) 2007-03-01 2011-10-11 Panasonic Corporation Semiconductor device
US8193608B2 (en) 2007-03-01 2012-06-05 Panasonic Corporation Semiconductor device

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