JPH02272005A - ヒドラゾン基を側鎖に有するポリスチレン化合物およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、新規なヒドラゾン基を有するポリスチレン化
合物およびその製造方法に関し、ざらに詳しくは、電荷
発生材料および電荷移動材料を用いた電子写真感光体に
おいて、電荷移動材料として優れた機能を有するヒドラ
ゾン基を有するポリスチレン化合物およびその′ＩＡ造
方法に関するものである。

［従来の技術およびその課題］ 従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電
材料として、セレン（Ｓｅ）、Ｉａ化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）、Ｍ化亜鉛（ＺｎＯ）、７−Ｅルファスシリコン（
ａ−８ｉ　）等の無機物質がある。

これらの無機系感光体は多くの長所を持っているが、そ
れと同時に種々の欠点、例えば有害であることや、コス
ト高でおること等の欠点を持っている。このため、近年
になって、これらの欠点のない有機物質を用いた有機感
光体が数多く提案され、実用化に供されている。

また、これらの感光体の構造としては、電荷担体を発生
する材料（以下、電荷発生材料と呼称する）と、発生し
た電荷担体を受は入れ、これを移動させる材料（以下、
電荷移動材料と呼称する〉とを別々の層にした機能分離
型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷移動
とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の巾が大き
く、かつ高感度になることから、多く採用されている。

近年、ノンインパクトプリンティング技術の発展に伴っ
て、レーザ光源を使用した電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。これらの装置においては、装
置サイズの小型化と、高速化に伴って、感光材料につい
ても、電荷発生材料の高感度化および電荷移動材料の高
移動度化が望まれている。

電荷移動材料の場合、その移動度は、バインダ（例えば
ポリカーボネート）中における移動材料（例えばトリフ
ェニルアミン類化合物）のＳ度に大きく依存することが
知られている（高橋、郷林、積山、電子写真、　２５．
１６　（１９８６））。移動材料の濃度を高くすると移
動度は高くなるか、物性が悪くなり、例えばヒビ割れを
起こしたりする。ざらにプリント時の紙の通過の際、機
械的摩耗が激しくなる。そのため、電荷移動材料をバイ
ンダ中に高濃度で加えることは困難である。

本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、高濃度で使用しても、ヒビ割れなどを起こさず
、機械的に優れた物性を有し、しかも高い移動度を有す
る電荷移動材料として有用な新規な化合物およびその製
造方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、このような従来の状況に濫みて研究を続
けた結果、ポリマーの側鎖に電荷移動剤を導入すること
により、電荷移動剤が高濃度になり、高移動度を示すこ
とを見出した。

すなわち本発明は、一般式［工］； ・・・［工］ （式中、Ｒ１は水素原子、炭素原子数が１〜４の低級ア
ルキル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を
表し、Ｒ２は炭素原子数が１〜４の低級アルキル基を表
″Ｉｊ） で示される構造単位よりなることを特徴とする分子量１
　、０００〜５００．０００のヒドラゾン基を側鎖に有
するポリスチレン化合物である。

また、その製造方法は、−投銭［■］：（式中、Ｒ２は
炭素原子数が１〜４の低級アルキル基を表す） で示される構造単位よりなるポリ（４−ホルミルスチレ
ン）と、 一般式［■］； （式中、Ｒ）は水素原子、炭素原子数が１〜４の低級ア
ルキル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を
表す） で示されるヒドラジン化合物とを反応させることよりな
るか、あるいは−投銭［ＩＶｌ：［１ｖ１ （式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同一意味）で示される
ヒドラゾン基含有スチレン化合物を重合させることより
なることを特徴とする。

本発明によるヒドラゾン基を側鎖に有するポリスチレン
化合物は、例えば次のようにしてＶ造Ｔることができる
。

即ち、その第１の方法は、まず４〜クロロスチレンのグ
リニヤール試薬を製造した後、アシルクロライドを加え
て４−アシルスチレンを製造する。

次いで、４−アシルスチレンのカルボニル基をケタール
として保護した後、適当な重合開始剤の存在下で重合さ
せ、次いで酸性溶液中で）Ｊｌ水分解してケタール基を
はずすことにより、前記−投銭［ｆｆ］で示される構造
単位よりなるポリ（４−アシルスチレン）を製造する。

次いでこの重合体と、前記−投銭［ＩＩ［］で示される
ヒドラジン化合物とを反応させることにより、本発明の
ポリスチレン化合物を得ることができる。

また、その第２の方法は、上記と同様にして４−アシル
スチレンを’ＡＭした後、４−アシルスチレンに、所望
の１．１−シアツールヒドラジン化合物を加え、酸性触
媒の存在下で縮合させて、前記−投銭［ＩＶｌで示され
るヒドラゾン基含有スチレン化合物を製造する。この単
量体を必要に応じて重合開始剤を用いて重合させること
によっても本発明のポリスチレン化合物を（ｑることか
できる。

本発明の重合体は、ベンゼン、クロロホルム、塩化メチ
レンなどの溶剤に易溶で、メタノール、エタノールには
不溶である。また、塩化メチレンに溶解させた溶液をキ
ャストすることによって、硬いフィルムを製造すること
ができ、しかも何らヒビ割れ等が認められないものであ
り、電子写真感光体の電荷移動剤として極めて有用なも
のである。

［実施例１ 以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

実施例１ 本実施例では、次の一連の反応式で示される方法によっ
て、式（３）で示されるポリスチレン化合物を製造した
。

ど）　　Ｌ；ｔ１３−ＵＵ賑 実施例１ 化合物（１）の製造 １２フラスコ中に、金属マグネシウム１４．Ｊ、エチル
エーテル２０　ｄおよび少量の臭化エチルを加え、加熱
してマグネシウムを活性化させた。ざらに、４−クロロ
スチレン８１．８９／テトラヒドロフラン（ＴＩ−ＩＦ
）　　４００ｍ１の溶液を３時間を要して加えた。反応
中、発熱を起こし、高温になるので、水浴で冷却して反
応溶液を５０’Ｃ以下に保持した。滴下終了後、さらに
２時間室温で反応を続けた。

アセチルクロライド（ＣＨ３−Ｃｏα）　　２４．０　
！１Ｆを２時間を要して滴下した。エチルエーテル５０
０ｍ１を７ＪＯえ、反応溶液を希塩酸水溶液中に加えた
。抽出を行い、エーテル層を純水で洗浄後、ＦＡ酸マグ
ネシウムで乾燥した。エーテルを留出後、蒸溜して４−
アセチルスチレンを製造した（沸点７６°Ｃ１０，８ｍ
ｍＨｇ）　。収量　４２　ｇ　（６１％）であった。

化合物（２）の製造 上記方法にて製造した化合物（１）６８９．１゜１−ジ
フェニルヒドラジン９２．５９、ベンピン３００ｄ、そ
して少量のパラトルエンスルホン酸をディーンスタルク
受器の付いた５００威フラスコに仕込み、加熱して２時
間速流した。反応終了後、ベンゼンを留出し、メタノー
ルで再結晶して、融点７９°Ｃの淡黄色の固体である化
合物（２）を得た。

化合物（３）の製造 ５０　ｄフラスコ中に化合物（２）１５ｇ、ベンゼン１
５　ｍＩｌを仕込み、ざらにアゾヒスイソブチロニトリ
ル（ＡＩＢＮ）０．５ｇを加えた。６０’Ｃで２４時間
重合を行った後、重合溶液を多量のメタノール中に投入
した。得られた固体を減圧下、５０°Ｃで乾燥した。収
量１３．２　ｇ、重量平均分子量２２０．０００．数平
均分子量１００．０００の化合物（３）を１ｑだ。

実施例２ 本実施例では、次の反応式で示される方法によって、式
（３）で示されるポリスチレン化合物を（式中、ｎは２
以上の整数を表す） ｔｏ（７！フラスコ中にポリ（ｐ−アセチルスチレン）
５Ｊ、１．１−ジフェニルヒドラジン１５　ｇ、テトラ
ヒドロフラン（ＴＨＥ）５０ｍを仕込み、至温で１２時
間反応を行った。反応終了後、Ｔ’　１−ＩＦを減圧下
で留出し、ベンゼン５０　ｍ！！を加えて、その溶液を
メタノール５００ｄ中に投入した。得られた固体の生成
物を濾過後、乾燥して化合物（３）を得た。収量１１．
８　ｇであった。

応用例１ △ｊ２基板上にナイロンよりなる下地層か形成され、該
下地層上に電荷発生層としてフタロシアニンを含むブチ
ラールフィルム（０，１μｍ厚）が塗布されているへ！
基板上に、化合物（３）／塩化メチレン（１：１重量比
）溶液を塗布し、８０’Ｃ１３０分間焼き付けて１５μ
ｍ厚の電荷移動層を形成せしめた。

静電複写試験装置を用いて一５ｋＶのコロナ放電で表面
電位−１１００Ｖにせしめた後、照度５ルックスになる
ようにして光照則し、その表面電位が１／２になるまで
の時開（秒）を求め、半減露光ＭＥ１ｉ２　（ルックス
・秒）を得た。その結果はｖ　ｐｏ＝１０００ポルｌへ
、Ｅ１／２　＝０．５４ルツクス・秒と非常に高い移動
度を示した。また機械的物性も非常に良好であった。

第１図は本応用例にて製造した感光体の概略断面図で、
図中、１はＡｆｌ基板、２は電荷発生層、３は電荷移ｖ
Ｊ＠、４は下地層である。

［発明の効果１ 以上説明したように、本発明による新規なポリスチレン
化合物は、電子写真感光体における電荷移動材料として
用いた場合、機械的に優れた物性を有し、かつ高い移動
度を有しており、優れた機能を有する材料としてその有
用性か期待される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例で得られる化合物を用いた電
子写真感光体の概略断面図である。 ］・・・△！基板 ２・・・電荷発生層 ３・・・心間移動層 ４・・・下地図 代 理 人

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数が１〜４の低級
   アルキル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基
   を表し、Ｒ＾２は炭素原子数が１〜４の低級アルキル基
   を表す）で示される構造単位よりなることを特徴とする
   分子量１，０００〜５００，０００のヒドラゾン基を側
   鎖に有するポリスチレン化合物。
2. （２）一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２は炭素原子数が１〜４の低級アルキル基
   を表す） で示される構造単位よりなるポリ（４−ホルミルスチレ
   ン）と、 一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数が１〜４−の低
   級アルキル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ
   基を表す） で示されるヒドラジン化合物とを反応させることを特徴
   とする一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は前記と同一意味）で示さ
   れる構造単位よりなる分子量１，０００〜５００，００
   ０のヒドラゾン基を側鎖に有するポリスチレン化合物の
   製造方法。
3. （３）一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は水素原子、炭素原子数が１〜４の低級
   アルキル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基
   を表し、Ｒ＾２は炭素原子数が１〜４の低級アルキル基
   を表す） で示されるヒドラゾン基含有スチレン化合物を重合させ
   ることを特徴とする一般式； ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は前記と同一意味）で示さ
   れる構造単位よりなる分子量１，０００〜５００，００
   ０のヒドラゾン基を側鎖に有するポリスチレン化合物の
   製造方法。