JPH02272731A - 金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスク - Google Patents
金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスクInfo
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- JPH02272731A JPH02272731A JP1092918A JP9291889A JPH02272731A JP H02272731 A JPH02272731 A JP H02272731A JP 1092918 A JP1092918 A JP 1092918A JP 9291889 A JP9291889 A JP 9291889A JP H02272731 A JPH02272731 A JP H02272731A
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は表面弾性波素子や半導体装置の製造等に適用さ
れる金属薄膜パターン形成技術に関し、ざらに詳しくは
電）兎または配線用の金属薄膜パターンの形成方法、そ
の方法に使用する露光装置、及びその方法に使用するマ
スクに関するものである。
れる金属薄膜パターン形成技術に関し、ざらに詳しくは
電）兎または配線用の金属薄膜パターンの形成方法、そ
の方法に使用する露光装置、及びその方法に使用するマ
スクに関するものである。
［従来の技術］
表面弾性波素子は、第４図に示すように、圧電体基板１
上にすだれ状の金属電恒４２が形成され、該電極４２は
ポンディングパッド４３でリード線４と接続する構造と
なっている。表面弾性波素子をギガヘルツ帯で使用する
ためには、損失の低減化等の理由からすだれ状電極部の
金属膜の厚みを５００Å以下にしなければならない。通
常、ホンディングパッド４３はすだれ状電極４２と同時
にフォトリソグラフィ工程によって形成されるが、金属
膜厚が非常に薄いため、リード線４を接続するワイヤー
ボンディング工程で損傷を受は易く、接続不良や断線等
を発生することが多い。そのため、多くの場合、ワイヤ
ーボンディング工程前にホンディングパッド４３上にさ
らに金属を蒸着することにより、補強する方法が採られ
ている。
上にすだれ状の金属電恒４２が形成され、該電極４２は
ポンディングパッド４３でリード線４と接続する構造と
なっている。表面弾性波素子をギガヘルツ帯で使用する
ためには、損失の低減化等の理由からすだれ状電極部の
金属膜の厚みを５００Å以下にしなければならない。通
常、ホンディングパッド４３はすだれ状電極４２と同時
にフォトリソグラフィ工程によって形成されるが、金属
膜厚が非常に薄いため、リード線４を接続するワイヤー
ボンディング工程で損傷を受は易く、接続不良や断線等
を発生することが多い。そのため、多くの場合、ワイヤ
ーボンディング工程前にホンディングパッド４３上にさ
らに金属を蒸着することにより、補強する方法が採られ
ている。
第５図は一般的な表面弾性波フィルタの製造工程の一例
を示したものである。まず、圧電体基板１上に薄いＡ！
膜２を蒸着しく第５図（ａ））、次いでフォトリソグラ
フィ工程によってへ２膜２上に塗布したフォトレジスト
３を所望の電極形状に加工する（第５図（ｂ））。ざら
にエツチングによってへβ膜２をフォトレジスト３と同
一の形状に加工しく第５図（Ｃ））、次いでフォトレジ
ストを剥離する（第５図（ｄ））。ホンディングパッド
部を補強するため、ざらに、フォトリソグラフィ工程に
よって補強部だけへβ膜３を露出させ（第５図（ｅ））
、その上から八β１１を蒸着しく第５図（ｆ））、レジ
ストを剥離しく第５図（ｑ））、最後にワイヤーボンデ
ィングを行ってリード線４を接続する（第５図（ｈ））
。
を示したものである。まず、圧電体基板１上に薄いＡ！
膜２を蒸着しく第５図（ａ））、次いでフォトリソグラ
フィ工程によってへ２膜２上に塗布したフォトレジスト
３を所望の電極形状に加工する（第５図（ｂ））。ざら
にエツチングによってへβ膜２をフォトレジスト３と同
一の形状に加工しく第５図（Ｃ））、次いでフォトレジ
ストを剥離する（第５図（ｄ））。ホンディングパッド
部を補強するため、ざらに、フォトリソグラフィ工程に
よって補強部だけへβ膜３を露出させ（第５図（ｅ））
、その上から八β１１を蒸着しく第５図（ｆ））、レジ
ストを剥離しく第５図（ｑ））、最後にワイヤーボンデ
ィングを行ってリード線４を接続する（第５図（ｈ））
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、以上述べた方法においてはフォトリソグ
ラフィ工程を２度行うため、工程が複雑になるという欠
点を有している。
ラフィ工程を２度行うため、工程が複雑になるという欠
点を有している。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去せしめて
簡単な金属薄膜パターンの形成方法、露光装置並びにマ
スクを提供することにおる。
簡単な金属薄膜パターンの形成方法、露光装置並びにマ
スクを提供することにおる。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上にポジ型Ｘ線レジスト及びポジ型フォ
トレジストを順次形成する工程と、Ｘ線透過膜上にＸ線
吸収体及び光吸収体によりそれぞれ所定のパターンが形
成されたマスクを用いて、前記各レジストを露光・現像
する工程と、基板全面に第１の金属を蒸着する工程と、
前記フォトレジスト及び該フォトレジスト上の前記第１
の金属を除去して前記Ｘ線レジストを露呈させる工程と
、露呈したＸ線レジスト内の露光部を現像する工程と、
基板全面に第２の金属を蒸着する工程と、前記Ｘ線レジ
スト及び該Ｘ線レジスト上の前記第２の金属を除去する
工程とを備えてなることを特徴とする金属薄膜パターン
形成方法でおる。
トレジストを順次形成する工程と、Ｘ線透過膜上にＸ線
吸収体及び光吸収体によりそれぞれ所定のパターンが形
成されたマスクを用いて、前記各レジストを露光・現像
する工程と、基板全面に第１の金属を蒸着する工程と、
前記フォトレジスト及び該フォトレジスト上の前記第１
の金属を除去して前記Ｘ線レジストを露呈させる工程と
、露呈したＸ線レジスト内の露光部を現像する工程と、
基板全面に第２の金属を蒸着する工程と、前記Ｘ線レジ
スト及び該Ｘ線レジスト上の前記第２の金属を除去する
工程とを備えてなることを特徴とする金属薄膜パターン
形成方法でおる。
また、その方法に用いられる露光装置は、真空容器内の
基板上にＸ線を照射するＸ線発生部と、該塁仮に光線を
照射する光線発生部とが配設され、前記基板上へのＸ線
の照射と光線の照射を切り換える照射線切り換え手段が
設置されてなることを特徴とする。
基板上にＸ線を照射するＸ線発生部と、該塁仮に光線を
照射する光線発生部とが配設され、前記基板上へのＸ線
の照射と光線の照射を切り換える照射線切り換え手段が
設置されてなることを特徴とする。
また、上記方法に用いられるマスクは、光及びＸ線に対
して透明なＸ線透過膜上に、重金属からなるＸ線吸収体
と軽金属からなる光吸収体とが所定のパターンで形成さ
れてなることを特徴とする。
して透明なＸ線透過膜上に、重金属からなるＸ線吸収体
と軽金属からなる光吸収体とが所定のパターンで形成さ
れてなることを特徴とする。
［作用］
本発明では、Ｘ線レジスト及びフォトレジストが順次形
成された基板上に、Ｘ線吸収体及び光吸収体によって所
定のパターンが形成されたマスクを用いて、各レジスト
を露光・現像する。露光・現像によって、Ｘ線レジスト
には、マスクのパターンに対応する部分が除去されるが
、Ｘ線レジスト内において、Ｘ線で露光されてはいるが
光で露光されていない部分については、Ｘ線現像液で現
象しても、上部に露光されずに残ったフォトレジストが
存在するため、除去されないままである。
成された基板上に、Ｘ線吸収体及び光吸収体によって所
定のパターンが形成されたマスクを用いて、各レジスト
を露光・現像する。露光・現像によって、Ｘ線レジスト
には、マスクのパターンに対応する部分が除去されるが
、Ｘ線レジスト内において、Ｘ線で露光されてはいるが
光で露光されていない部分については、Ｘ線現像液で現
象しても、上部に露光されずに残ったフォトレジストが
存在するため、除去されないままである。
従って、この段階で第１の金属を蒸着させた後、フォト
レジストを除去すると、フォトレジストに覆われていた
Ｘ線レジストの露光部が露呈するので、再度、現像を行
う。しかる後、第２の金属を蒸着すると、第１の金属上
に第２の金属が蒸着されると共に、第２の金属のみによ
る新たなパターンか形成される。
レジストを除去すると、フォトレジストに覆われていた
Ｘ線レジストの露光部が露呈するので、再度、現像を行
う。しかる後、第２の金属を蒸着すると、第１の金属上
に第２の金属が蒸着されると共に、第２の金属のみによ
る新たなパターンか形成される。
以上のようにして、第１の金属と第２の金属を異種金属
とした場合には、１回の露光で材料の異なる金属薄膜を
異なるパターンで形成することができ、第１の金属と第
２の金属を同一金属とした場合には、１回の露光で２種
類の膜厚を有する金属薄膜パターンを形成することがで
きる。
とした場合には、１回の露光で材料の異なる金属薄膜を
異なるパターンで形成することができ、第１の金属と第
２の金属を同一金属とした場合には、１回の露光で２種
類の膜厚を有する金属薄膜パターンを形成することがで
きる。
また、真空容器内の基板上にＸ線を照射するＸ線発生部
と、該基板に光線を照射する光線発生部とが配設され、
前記基板上へのＸ線の照射と光線の照射を切り換える照
射線切り換え手段が設置された露光装置を用いれば、Ｘ
線と光線について、基板を移動させることなく、基板上
に照射することができ、上記の方法を容易に適用するこ
とができる。
と、該基板に光線を照射する光線発生部とが配設され、
前記基板上へのＸ線の照射と光線の照射を切り換える照
射線切り換え手段が設置された露光装置を用いれば、Ｘ
線と光線について、基板を移動させることなく、基板上
に照射することができ、上記の方法を容易に適用するこ
とができる。
また、上記方法は、光及びＸ線に対して透明なＸ線透過
膜上に、重金属からなるＸ線吸収体と軽金属からなる光
吸収体とが所定のパターンで形成されたマスクを用いる
ことにより達成される。
膜上に、重金属からなるＸ線吸収体と軽金属からなる光
吸収体とが所定のパターンで形成されたマスクを用いる
ことにより達成される。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明に係る金属薄膜パターン形成方法の一実
施例を示す工程図である。図中、第５図と重複する部分
については同一番号を付し、その説明を省略する。まず
第５図（ａ）の圧電体基板１上にポジ形Ｘ線レジスト５
及びポジ型フォトレジスト３を塗布する。次に光に対し
て透明なＸ線透過１１９Ｉ６上にＸ線吸収体７ですだれ
状電極とポンディングパッド部の反転パターンが描かれ
、金属薄膜（光吸収体）８でポンディングパッド部の反
転パターンが描かれたマスクを通してＸ線及び光によっ
てレジストを露光する（第１図（ｂ））。次にフォトレ
ジスト３及びＸ線レジスト５をそれぞれ専用現像液を用
いて現像すると、第１図（Ｃ）に示されるようにポンデ
ィングパッド部にのみ圧電体基板１が露出する。次いで
、ポンディングパッド用の八β （第１の金属）１１の
蒸着を行い（第１図（ｄ））、フォトレジスト３を剥離
することによって、リフトオフによるポンディングパッ
ドの形成が行われる。ざらにＸ線レジスト５を再度現像
すると、すだれ状電極部が露出する（第１図（ｅ））。
施例を示す工程図である。図中、第５図と重複する部分
については同一番号を付し、その説明を省略する。まず
第５図（ａ）の圧電体基板１上にポジ形Ｘ線レジスト５
及びポジ型フォトレジスト３を塗布する。次に光に対し
て透明なＸ線透過１１９Ｉ６上にＸ線吸収体７ですだれ
状電極とポンディングパッド部の反転パターンが描かれ
、金属薄膜（光吸収体）８でポンディングパッド部の反
転パターンが描かれたマスクを通してＸ線及び光によっ
てレジストを露光する（第１図（ｂ））。次にフォトレ
ジスト３及びＸ線レジスト５をそれぞれ専用現像液を用
いて現像すると、第１図（Ｃ）に示されるようにポンデ
ィングパッド部にのみ圧電体基板１が露出する。次いで
、ポンディングパッド用の八β （第１の金属）１１の
蒸着を行い（第１図（ｄ））、フォトレジスト３を剥離
することによって、リフトオフによるポンディングパッ
ドの形成が行われる。ざらにＸ線レジスト５を再度現像
すると、すだれ状電極部が露出する（第１図（ｅ））。
続いてすだれ状電極用ＡＩＮｍ（第２の金属）２の蒸着
を行い（第１図（ｆ））、Ｘ線レジスト５の剥離と共に
リフトオフによって電極が形成される（第１図（ｇ））
。その後のワイヤボンディング工程は従来法と同じでお
る。このようにして、１回の露光工程によって容易に膜
厚の異るへ！膜パターンを形成することができる。
を行い（第１図（ｆ））、Ｘ線レジスト５の剥離と共に
リフトオフによって電極が形成される（第１図（ｇ））
。その後のワイヤボンディング工程は従来法と同じでお
る。このようにして、１回の露光工程によって容易に膜
厚の異るへ！膜パターンを形成することができる。
第２図は本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略構
成図である。本露光装置は、真空容器２９内にＸ線発生
部２１、真空容器外に水銀ランプ（光線発生部）２３を
有してあり、駆動％１２５を真空容器外からベローズ２
６によって動かすことにより、反射鏡（照射線切り換え
手段）２４を左右に動かすことが可能である。反ＯＡ鏡
２４がマスク及び基板ステツ２７の真上にあるときは水
銀ランプ２３から放射される光３０はガラス窓２８を通
って反射鏡２４で反射され、マスク及び基板に照射され
る。反射鏡２４が左側に退避した状態では、Ｘ線発生部
２１から放射されるＸ線３１がマスク及び基板に照射さ
れる。
成図である。本露光装置は、真空容器２９内にＸ線発生
部２１、真空容器外に水銀ランプ（光線発生部）２３を
有してあり、駆動％１２５を真空容器外からベローズ２
６によって動かすことにより、反射鏡（照射線切り換え
手段）２４を左右に動かすことが可能である。反ＯＡ鏡
２４がマスク及び基板ステツ２７の真上にあるときは水
銀ランプ２３から放射される光３０はガラス窓２８を通
って反射鏡２４で反射され、マスク及び基板に照射され
る。反射鏡２４が左側に退避した状態では、Ｘ線発生部
２１から放射されるＸ線３１がマスク及び基板に照射さ
れる。
第３図は本発明に係るマスクの一実施例を示す断面図で
ある。支持枠３２で保持されたＸ線透過膜６上にはＸ線
吸収体７によってすだれ状電極及びポンディングパッド
部の反転パターンが描かれている。また、Ｘ線は透過す
るが可視光を吸収する光吸収体８によってポンディング
パッド部の反転パターンが描かれている。
ある。支持枠３２で保持されたＸ線透過膜６上にはＸ線
吸収体７によってすだれ状電極及びポンディングパッド
部の反転パターンが描かれている。また、Ｘ線は透過す
るが可視光を吸収する光吸収体８によってポンディング
パッド部の反転パターンが描かれている。
Ｘ線透過膜としては、厚み１〜２卯程度の窒化ケイ素、
炭化ケイ素等が使用できる。Ｘ線吸収体としては、厚み
０．５〜１迦程度の金、タングステン、タンタル等が使
用できる。また、光吸収体としては、厚み０．１珈以下
のベリリウム、アルミニウム等の金属薄膜が使用できる
。このマスクは従来用いられているＸ線マスクの製造工
程によってＸ線吸収体で吸収体パターンを作った後、光
吸収体を形成することにより、容易に製造できる。
炭化ケイ素等が使用できる。Ｘ線吸収体としては、厚み
０．５〜１迦程度の金、タングステン、タンタル等が使
用できる。また、光吸収体としては、厚み０．１珈以下
のベリリウム、アルミニウム等の金属薄膜が使用できる
。このマスクは従来用いられているＸ線マスクの製造工
程によってＸ線吸収体で吸収体パターンを作った後、光
吸収体を形成することにより、容易に製造できる。
本実施例では、表面弾性波素子の形成に本発明の方法を
適用したが、本発明の金属薄膜形成方法は表面弾性波素
子だけでなく半導体装置一般において適用可能でおる。
適用したが、本発明の金属薄膜形成方法は表面弾性波素
子だけでなく半導体装置一般において適用可能でおる。
ざらに本実施例では、第１及び第２の金属として、いず
れもＡ！を用いたが、２度の蒸着において異なる金属を
使用することもできる。
れもＡ！を用いたが、２度の蒸着において異なる金属を
使用することもできる。
［発明の効果］
以上詳述した如く、本発明によれば１回の露光工程によ
って２種類の膜厚あるいは材料の異なる金属薄膜を形成
することが可能な金属薄膜形成方法、その方法に使用す
る露光装置及びその方法に使用するマスクが提供される
。また、この金属薄膜形成方法ではＸ線露光を使用する
ため、０．５．ｃｒｍ以下の微細金属膜パターンを形成
することが可能である。
って２種類の膜厚あるいは材料の異なる金属薄膜を形成
することが可能な金属薄膜形成方法、その方法に使用す
る露光装置及びその方法に使用するマスクが提供される
。また、この金属薄膜形成方法ではＸ線露光を使用する
ため、０．５．ｃｒｍ以下の微細金属膜パターンを形成
することが可能である。
第１図は本発明の金属薄膜形成方法の一実施例を工程順
に示す工程図、第２図は本発明の露光装置の一実施例の
概略構成図、第３図は本発明のＸ線マスクの一実施例の
断面図、第４図は表面弾性波素子の概略斜視図、第５図
は従来の表面弾性波素子の製造方法の一例を工程順に示
す工程図である。 １・・・圧電体基板 ２・・・ＡＩ！、（アルミニウム）薄膜３・・・ポジ型
フォトレジスト ４・・・リード線 ５・・・ポジ型Ｘ線レジスト ６・・・Ｘ線透過膜 ７・・・Ｘ線吸収体８・
・・金属薄膜（光吸収体） ９・・・光及びＸ線 １１・・・Ａβ （アルミニウム） ２１・・・Ｘ線発生部 ２２・・・電子線２３
・・・水銀ランプ ２４・・・反射鏡２５・・
・駆動軸 ２６・・・ベローズ２７・・・
基板ステージ ２８・・・ガラス窓２９・・・真
空容器 ３０・・・光３１・・・Ｘ線
３２・・・支持枠４２・・・すだれ状電極 ４３・・・ポンディングパッド
に示す工程図、第２図は本発明の露光装置の一実施例の
概略構成図、第３図は本発明のＸ線マスクの一実施例の
断面図、第４図は表面弾性波素子の概略斜視図、第５図
は従来の表面弾性波素子の製造方法の一例を工程順に示
す工程図である。 １・・・圧電体基板 ２・・・ＡＩ！、（アルミニウム）薄膜３・・・ポジ型
フォトレジスト ４・・・リード線 ５・・・ポジ型Ｘ線レジスト ６・・・Ｘ線透過膜 ７・・・Ｘ線吸収体８・
・・金属薄膜（光吸収体） ９・・・光及びＸ線 １１・・・Ａβ （アルミニウム） ２１・・・Ｘ線発生部 ２２・・・電子線２３
・・・水銀ランプ ２４・・・反射鏡２５・・
・駆動軸 ２６・・・ベローズ２７・・・
基板ステージ ２８・・・ガラス窓２９・・・真
空容器 ３０・・・光３１・・・Ｘ線
３２・・・支持枠４２・・・すだれ状電極 ４３・・・ポンディングパッド
Claims (3)
- （１）基板上にポジ型Ｘ線レジスト及びポジ型フォトレ
ジストを順次形成する工程と、Ｘ線透過膜上にＸ線吸収
体及び光吸収体によりそれぞれ所定のパターンが形成さ
れたマスクを用いて、前記各レジストを露光・現像する
工程と、基板全面に第１の金属を蒸着する工程と、前記
フォトレジスト及び該フォトレジスト上の前記第１の金
属を除去して前記Ｘ線レジストを露呈させる工程と、露
呈したＸ線レジスト内の露光部を現像する工程と、基板
全面に第２の金属を蒸着する工程と、前記Ｘ線レジスト
及び該Ｘ線レジスト上の前記第２の金属を除去する工程
とを備えてなることを特徴とする金属薄膜パターン形成
方法。 - （２）真空容器内の基板上にＸ線を照射するＸ線発生部
と、該基板に光線を照射する光線発生部とが配設され、
前記基板上へのＸ線の照射と光線の照射を切り換える照
射線切り換え手段が設置されてなることを特徴とする露
光装置。 - （３）光及びＸ線に対して透明なＸ線透過膜上に、重金
属からなるＸ線吸収体と軽金属からなる光吸収体とが所
定のパターンで形成されてなることを特徴とするマスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092918A JPH02272731A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1092918A JPH02272731A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272731A true JPH02272731A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14067868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1092918A Pending JPH02272731A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 金属薄膜パターン形成方法、その方法に使用する露光装置及びその方法に使用するマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477002B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head for high density recording, a method of manufacturing the same, and a magnetic recording apparatus comprising the same |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP1092918A patent/JPH02272731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477002B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head for high density recording, a method of manufacturing the same, and a magnetic recording apparatus comprising the same |
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