JPH0442666B2 - - Google Patents
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- JPH0442666B2 JPH0442666B2 JP2208184A JP2208184A JPH0442666B2 JP H0442666 B2 JPH0442666 B2 JP H0442666B2 JP 2208184 A JP2208184 A JP 2208184A JP 2208184 A JP2208184 A JP 2208184A JP H0442666 B2 JPH0442666 B2 JP H0442666B2
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- JP
- Japan
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- film
- gold
- polymer film
- thin
- wafer
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発の関連する技術分野
本発明は投影印刷装置、詳言すればマスク及
び／又はウエハをカバーする薄膜を有する上記形
式の装置に関する。本発明による装置は他の可能
な用途のうちでも特に集積回路の製造においてフ
オトレジスト被覆半導体ウエハの露光を実施する
ために適当である。
び／又はウエハをカバーする薄膜を有する上記形
式の装置に関する。本発明による装置は他の可能
な用途のうちでも特に集積回路の製造においてフ
オトレジスト被覆半導体ウエハの露光を実施する
ために適当である。
この出願は本願と同時に出願した特願２「感光
性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使
用する薄膜カバーユニツトの製法」及び特願３
「感光性被覆ウエハ上に画像を形成する投影印刷
装置」に緊密に関連したものである。
性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使
用する薄膜カバーユニツトの製法」及び特願３
「感光性被覆ウエハ上に画像を形成する投影印刷
装置」に緊密に関連したものである。
発明の背影
感光性基体又はウエハ上に画像を形成するため
の投影印刷装置は、一般に一方の表面に形成され
た不透明領域と透明領域とから成るパターンを有
する透明な基体を有するマスクと、放射エネルギ
ーのビーム例えば光又はUV線をマスクを透過し
て感光性基体又はウエハに向ける照明装置と、感
光性基体上にマスクパターンの焦点の合つた画像
を形成するための光学部材と、マスクの表面上の
任意の汚染粒子の画像を焦点外に保持するための
薄膜カバーとから成る。薄膜カバーは一般に基体
に接着されかつ完全にマスクパターンをおおつて
いる。このような装置は例えば米国特許第
4063812号及び同第4131361号明細書並びにSPIE
の第275巻、“Semiconductor Microlithography
Ｖ ”（1981年）第23頁に発表されたロン・ハ
ーシエル（Ron Hershel）著“Pellicle
Protection of Integrated Circuits（IC）Masks”
に記載されている。
の投影印刷装置は、一般に一方の表面に形成され
た不透明領域と透明領域とから成るパターンを有
する透明な基体を有するマスクと、放射エネルギ
ーのビーム例えば光又はUV線をマスクを透過し
て感光性基体又はウエハに向ける照明装置と、感
光性基体上にマスクパターンの焦点の合つた画像
を形成するための光学部材と、マスクの表面上の
任意の汚染粒子の画像を焦点外に保持するための
薄膜カバーとから成る。薄膜カバーは一般に基体
に接着されかつ完全にマスクパターンをおおつて
いる。このような装置は例えば米国特許第
4063812号及び同第4131361号明細書並びにSPIE
の第275巻、“Semiconductor Microlithography
Ｖ ”（1981年）第23頁に発表されたロン・ハ
ーシエル（Ron Hershel）著“Pellicle
Protection of Integrated Circuits（IC）Masks”
に記載されている。
小型化が進むにつれ、パターン素子はパターン
分解能が光の波長によつて制限される程度まで一
層小さくなつて来た。従つて、UVスペクトルの
短波長が使用されるようになつた。
分解能が光の波長によつて制限される程度まで一
層小さくなつて来た。従つて、UVスペクトルの
短波長が使用されるようになつた。
従来使用されたマスクカバーの１つの欠点は、
これらが4000オングストローム以上の範囲で使用
するためにのみ適当であるにすぎないことであ
る。
これらが4000オングストローム以上の範囲で使用
するためにのみ適当であるにすぎないことであ
る。
従つて、本発明の目的は、2000〜3000オングス
トロームの範囲で使用するために適当である薄膜
カバーを製造する新規かつ改良された方法を提供
することであつた。
トロームの範囲で使用するために適当である薄膜
カバーを製造する新規かつ改良された方法を提供
することであつた。
発明の要約
要約すれば、所望の結果を達成するために、本
発明は感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影印刷装置において使用する薄膜カバーユニツト
を製造する新規のかつ改良された方法を提供し、
該方法は金属リングに金属薄膜を張付け、該膜の
前面に均一な薄いポリマーフイルム（これは本発
明の１実施態様ではポリメチルメタクリレートで
ある）をコーチングし、該ポリマー薄膜を硬化さ
せ、更に上記膜の裏面にフオトレジストをコーチ
ングし、該フオトレジストに露出及び現像によつ
て予め選択した寸法の開口を規定し、該フオトレ
ジストを硬質焼付けし、かつ上記の薄い金属膜を
エツチングによつて除去することにより上記ポリ
マーフイルムを露出させることから成る。
発明は感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影印刷装置において使用する薄膜カバーユニツト
を製造する新規のかつ改良された方法を提供し、
該方法は金属リングに金属薄膜を張付け、該膜の
前面に均一な薄いポリマーフイルム（これは本発
明の１実施態様ではポリメチルメタクリレートで
ある）をコーチングし、該ポリマー薄膜を硬化さ
せ、更に上記膜の裏面にフオトレジストをコーチ
ングし、該フオトレジストに露出及び現像によつ
て予め選択した寸法の開口を規定し、該フオトレ
ジストを硬質焼付けし、かつ上記の薄い金属膜を
エツチングによつて除去することにより上記ポリ
マーフイルムを露出させることから成る。
本発明の１実施態様では、投影印刷装置で使用
する薄膜カバーユニツトを製造する新規かつ改良
された方法が提供され、該方法は酸化したシリコ
ンウエハの表面に金皮膜を施し、該ウエハの金皮
膜表面に均一な薄いポリマーフイルム（これは本
発明の１実施態様ではポリメチルメタクリレート
である）をコーチングし、該ポリマーフイルムを
硬化させ、次いで該ポリマーフイルムに薄膜支持
リングを接着し、リングとウエハエツジの間でポ
リマー及び金皮膜を貫通するように環状に切欠き
いてウエハ表面を露出させ、ウエハからリングを
慎重に剥離して、既に薄膜支持リング上に取付け
られた金被覆ポリマー膜を得、かつ次いで金をエ
ツチング除去することから成る。
する薄膜カバーユニツトを製造する新規かつ改良
された方法が提供され、該方法は酸化したシリコ
ンウエハの表面に金皮膜を施し、該ウエハの金皮
膜表面に均一な薄いポリマーフイルム（これは本
発明の１実施態様ではポリメチルメタクリレート
である）をコーチングし、該ポリマーフイルムを
硬化させ、次いで該ポリマーフイルムに薄膜支持
リングを接着し、リングとウエハエツジの間でポ
リマー及び金皮膜を貫通するように環状に切欠き
いてウエハ表面を露出させ、ウエハからリングを
慎重に剥離して、既に薄膜支持リング上に取付け
られた金被覆ポリマー膜を得、かつ次いで金をエ
ツチング除去することから成る。
上記には、以下に記載する本発明の詳細な説明
を理解しやすくしかつ本発明の当該技術分野に対
する貢献を認識しやすくするために、本発明の重
要な特徴を概略的に示した。もちろん、本発明は
以下に説明しかつ特許請求の範囲の従属請求項を
成している付加的な特徴を具備している。当業者
にとつては、本発明の基本思想が本発明の若干の
目的を実施するために別に系を構成する基礎とし
て即座に利用されうることは自明なことである。
従つて、特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱
しない相当する方法も包含するものと見なされる
べきである。
を理解しやすくしかつ本発明の当該技術分野に対
する貢献を認識しやすくするために、本発明の重
要な特徴を概略的に示した。もちろん、本発明は
以下に説明しかつ特許請求の範囲の従属請求項を
成している付加的な特徴を具備している。当業者
にとつては、本発明の基本思想が本発明の若干の
目的を実施するために別に系を構成する基礎とし
て即座に利用されうることは自明なことである。
従つて、特許請求の範囲は本発明の思想から逸脱
しない相当する方法も包含するものと見なされる
べきである。
発明の実施例の説明
第１図には、感光性ウエハ上に画像を形成する
ための投影印刷装置が示されており、該装置は一
方の表面に形成された不透明領域と透明領域とか
ら成るパターンを有する透明な基体を有するマス
ク１０を備えている。照明装置が設けられてお
り、該装置は光源１２と、光線をマスク１０を透
過して感光性被覆ウエハ素子１６へ向けるコンデ
ンサレンズ系１４とから成る。ウエハ上にマスク
パターンの焦点の合つた画像を形成するために光
学系１８が設けられている。マスク１０上には支
持リング２２の介在下に薄膜カバーユニツト２０
が取付けられている。その結果、さもなければマ
スク表面上に位置することになる引掻き傷又は特
殊な汚染物は今や薄膜の表面上に位置し、従つて
第１図に２６で示されているように焦点面から焦
点深度の数千倍離れた位置に結像される。これら
の影は画像領域上では消散しかつレジスト画像に
は影響しない。
ための投影印刷装置が示されており、該装置は一
方の表面に形成された不透明領域と透明領域とか
ら成るパターンを有する透明な基体を有するマス
ク１０を備えている。照明装置が設けられてお
り、該装置は光源１２と、光線をマスク１０を透
過して感光性被覆ウエハ素子１６へ向けるコンデ
ンサレンズ系１４とから成る。ウエハ上にマスク
パターンの焦点の合つた画像を形成するために光
学系１８が設けられている。マスク１０上には支
持リング２２の介在下に薄膜カバーユニツト２０
が取付けられている。その結果、さもなければマ
スク表面上に位置することになる引掻き傷又は特
殊な汚染物は今や薄膜の表面上に位置し、従つて
第１図に２６で示されているように焦点面から焦
点深度の数千倍離れた位置に結像される。これら
の影は画像領域上では消散しかつレジスト画像に
は影響しない。
本発明によれば、薄膜２０は薄いポリマーフイ
ルムである。ポリメチルメタクリレート
（PMMA）が特に好ましい材料であることが判明
した。その他の可能は所望のパラメータの内で
も、PMMAは約2600〜約8000オングストローム
の範囲で高い透過率を有し、低い光散乱性及び厚
さの均一性を有する。また、損傷を伴わないで取
扱いかつ清掃するために十分に堅牢である。
ルムである。ポリメチルメタクリレート
（PMMA）が特に好ましい材料であることが判明
した。その他の可能は所望のパラメータの内で
も、PMMAは約2600〜約8000オングストローム
の範囲で高い透過率を有し、低い光散乱性及び厚
さの均一性を有する。また、損傷を伴わないで取
扱いかつ清掃するために十分に堅牢である。
更に、本発明によれば、薄膜ユニツトを製造す
るための新規のかつ改良された方法が提供され
る。この方法はまず１マイクロメータのチタニウ
ム層２８（第２図）及び300オングストロームの
金層３０を有する薄い膜を用い、該膜をリング２
２に張付けて基体を形成する工程から成る。この
膜は適用形に基づき金属又は非金属であつてよ
い。しかしながら、特に好ましい膜はチタニウム
層と金層とから成る。次に第３図に示されている
ように、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
の薄いポリマーフイルム３２を金層３０の表面に
適当な慣用技術例えばスピニング法を使用して均
一なフイルムを形成するようにコーチングする。
次いでPMMAポリマーフイルム３２を硬化させ
る。次いで、基体の裏面、すなわちチタニウム２
８の露出面にフオトレジスト３４をコーチングす
る。次いで、第４図に３６で示されているよう
に、このフオトレジストに所望の寸法の開口を露
光及び現像により規定する。フオトレジスト３４
を硬質焼付けした後、第５図に示されているよう
に、弗化水素と脱イオン化水の1/19溶液を使用し
てチタニウム層２８をエツチングによつて除去す
る。脱イオン化水で水洗いした直後に、金層３０
を適当な慣用の金エツチング技術によつて除去
し、第５図に示されているようにPMMAポリマ
ー膜又はカバーを露出させる。フイルム厚さは数
千オングストロームから数マイクロメータまで所
望により変更することができる。
るための新規のかつ改良された方法が提供され
る。この方法はまず１マイクロメータのチタニウ
ム層２８（第２図）及び300オングストロームの
金層３０を有する薄い膜を用い、該膜をリング２
２に張付けて基体を形成する工程から成る。この
膜は適用形に基づき金属又は非金属であつてよ
い。しかしながら、特に好ましい膜はチタニウム
層と金層とから成る。次に第３図に示されている
ように、ポリメチルメタクリレート（PMMA）
の薄いポリマーフイルム３２を金層３０の表面に
適当な慣用技術例えばスピニング法を使用して均
一なフイルムを形成するようにコーチングする。
次いでPMMAポリマーフイルム３２を硬化させ
る。次いで、基体の裏面、すなわちチタニウム２
８の露出面にフオトレジスト３４をコーチングす
る。次いで、第４図に３６で示されているよう
に、このフオトレジストに所望の寸法の開口を露
光及び現像により規定する。フオトレジスト３４
を硬質焼付けした後、第５図に示されているよう
に、弗化水素と脱イオン化水の1/19溶液を使用し
てチタニウム層２８をエツチングによつて除去す
る。脱イオン化水で水洗いした直後に、金層３０
を適当な慣用の金エツチング技術によつて除去
し、第５図に示されているようにPMMAポリマ
ー膜又はカバーを露出させる。フイルム厚さは数
千オングストロームから数マイクロメータまで所
望により変更することができる。
第６図〜第８図は本発明に基づく第２の薄膜ユ
ニツトの製法を示す。この方法は先に記載した方
法に比しある程度の利点を有する、それというの
もより簡単かつ廉価でありかつ既に半導体工業で
使用されている標準装置及び同一技術のいくつか
を使用することができるからである。出発基体は
酸化したウエハ３８であり、この寸法は所望の完
成した薄膜寸法に左右される（第６図）。このウ
エハの研磨面に、500オングストロームの金層４
０を真空蒸着する。該金皮膜の表面に適当な慣用
のスピニング技術を使用して、薄い均一な
PMMAポリマーフイルム４２をコーチングする。
次いで、ポリマーを有利には約170℃で硬化させ
る。第７図から明らかなように、次の製造工程は
ポリマー層４２の表面に薄膜支持もしくは取付け
リング２２をエポキシ系接着剤で接着することか
ら成る。次いで、かみそりの刃又は同種のもの
で、取付けリング２２の周り、すなわちリングと
ウエハエツジとの間をPMMAポリマー層４２と
金皮膜４０を貫通し、第８図に４４で示されてい
るようにウエハ表面が露出するように切取る。
ニツトの製法を示す。この方法は先に記載した方
法に比しある程度の利点を有する、それというの
もより簡単かつ廉価でありかつ既に半導体工業で
使用されている標準装置及び同一技術のいくつか
を使用することができるからである。出発基体は
酸化したウエハ３８であり、この寸法は所望の完
成した薄膜寸法に左右される（第６図）。このウ
エハの研磨面に、500オングストロームの金層４
０を真空蒸着する。該金皮膜の表面に適当な慣用
のスピニング技術を使用して、薄い均一な
PMMAポリマーフイルム４２をコーチングする。
次いで、ポリマーを有利には約170℃で硬化させ
る。第７図から明らかなように、次の製造工程は
ポリマー層４２の表面に薄膜支持もしくは取付け
リング２２をエポキシ系接着剤で接着することか
ら成る。次いで、かみそりの刃又は同種のもの
で、取付けリング２２の周り、すなわちリングと
ウエハエツジとの間をPMMAポリマー層４２と
金皮膜４０を貫通し、第８図に４４で示されてい
るようにウエハ表面が露出するように切取る。
この方法における次の工程はウエハからリング
を慎重に剥離して、既に適当な薄膜リングに取付
けられた金被覆ポリマー膜を得ることである。次
いで、金を適当な、慣用の金エツチング技術例え
ば沃化カリウム／沃素／水溶液を使用することに
よりエツチング除去し、第９図に示されているよ
うな所望の薄膜ユニツトを製造することができ
る。
を慎重に剥離して、既に適当な薄膜リングに取付
けられた金被覆ポリマー膜を得ることである。次
いで、金を適当な、慣用の金エツチング技術例え
ば沃化カリウム／沃素／水溶液を使用することに
よりエツチング除去し、第９図に示されているよ
うな所望の薄膜ユニツトを製造することができ
る。
若干の実施例においては、クロム、次いで金を
被覆したシリコンウエハを使用するのが有利な場
合もある。この場合には、塗布及び硬化後に、ポ
リマー膜を直接金表面から剥離することができ、
従つて金エツチング工程が省かれる。
被覆したシリコンウエハを使用するのが有利な場
合もある。この場合には、塗布及び硬化後に、ポ
リマー膜を直接金表面から剥離することができ、
従つて金エツチング工程が省かれる。
従つて、本発明は確かに新規のかつ改良された
薄膜ユニツトを提供することは明らかであり、該
薄膜ユニツトは約2600〜約8000オングストローム
の範囲で高い透過率、低い光散乱性及び厚さの均
一性を有し、かつ損傷を受けることなく取扱いか
つ清掃するために十分に堅牢である。ここまで特
殊な実施例を示しかつ説明して来たが、専ら前記
特許請求の範囲によつて制限されるべき発明の範
囲から逸脱することなく多種多様な変更が可能で
あることは、当業者にとつては自明なことであ
る。
薄膜ユニツトを提供することは明らかであり、該
薄膜ユニツトは約2600〜約8000オングストローム
の範囲で高い透過率、低い光散乱性及び厚さの均
一性を有し、かつ損傷を受けることなく取扱いか
つ清掃するために十分に堅牢である。ここまで特
殊な実施例を示しかつ説明して来たが、専ら前記
特許請求の範囲によつて制限されるべき発明の範
囲から逸脱することなく多種多様な変更が可能で
あることは、当業者にとつては自明なことであ
る。
第１図は本発明と関連して構成した感光性ウエ
ハ上に画像を形成する投影印刷装置の略示図、第
２図〜第５図は本発明の第１の方法に基づき薄膜
カバーユニツトを製造する各工程を示す該ユニツ
トの側面図及び第６図〜第９図は本発明の第２の
方法に基づき薄膜カバーユニツトを製造する各工
程を示す該ユニツトの側面図である。 １０……マスク、１２……光源、１４，１８…
…光学系、１６……ウエハ素子、２０……薄膜カ
バー、２２……支持リング、２４……汚染物、２
６……汚染物の画像、２８……チタニウム層、３
０，４０……金層、３２，４２……ポリマーフイ
ルム、３８……酸化ウエハ、４４……切欠き。
ハ上に画像を形成する投影印刷装置の略示図、第
２図〜第５図は本発明の第１の方法に基づき薄膜
カバーユニツトを製造する各工程を示す該ユニツ
トの側面図及び第６図〜第９図は本発明の第２の
方法に基づき薄膜カバーユニツトを製造する各工
程を示す該ユニツトの側面図である。 １０……マスク、１２……光源、１４，１８…
…光学系、１６……ウエハ素子、２０……薄膜カ
バー、２２……支持リング、２４……汚染物、２
６……汚染物の画像、２８……チタニウム層、３
０，４０……金層、３２，４２……ポリマーフイ
ルム、３８……酸化ウエハ、４４……切欠き。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影
装置で使用する薄層カバーユニツトを製造する方
法において、金属リング上に薄い膜を施し、該膜
の前面に均一な薄いポリマーフイルムをコーチン
グし、該ポリマーフイルムを硬化させ、上記膜の
裏面にフオトレジストをコーチングし、該フオト
レジストに露光及び現像によつて予め選択した寸
法を有する開口を規定し、該フオトレジストを焼
付け、自己支持性のポリマーフイルムをのこして
上記の薄い膜をエツチング除去することを特徴と
する、感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影装置で使用する薄層カバーユニツトの製法。 ２ 膜の前面のコーチング工程をスピニングによ
つて実施する、特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３ 薄い膜がチタニウムの層と金の層とから成
る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４ チタニウムの層が厚さ約１マイクロメータで
ありかつ金層が厚さ約300オングストロームであ
る、特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５ 薄い膜をエツチング除去する工程が弗化水素
と脱イオン化水の1/19溶液を使用してチタニウム
層をエツチング除去する工程と、沃化カリウム溶
液を用いて金層をエツチング除する工程とから成
る、特許請求の範囲第３項記載の方法。 ６ 薄い膜をエツチング除去する工程が弗化水素
と脱イオン化水の1/19溶液を使用してチタニウム
層をエツチング除去する工程と、沃化カリウム溶
液を用いて金層をエツチング除去する工程とから
成る、特許請求の範囲第４項記載の方法。 ７ ポリマーフイルムを硬化させる工程を炉内で
約170℃の温度で実施する、特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ８ ポリマーフイルムがポリメチルメタクリレー
トである、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ９ 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影
装置で使用する薄層カバーユニツトを製造する方
法において、 イ 厚さ約１マイクロメータのチタニウム層と、
厚さ約300オングストロームの金層とから成る
薄い金属膜を張付け、 ロ 該膜の前面にスピニングによりポリメチルメ
タクリレートの均一な薄いポリマーフイルムを
コーチングし、 ハ 該ポリマーフイルムを炉内で約170℃の温度
で硬化させ、 ニ 膜の裏面にフオトレジストをコーチングし、 ホ 該フオトレジストに露光及び現像によつて予
め選択した寸法の開口を規定し、 ヘ 該フオトレジストを硬質焼付し、 ト 上記薄い金属膜を弗化水素と脱イオン化水の
１／１９溶液を使用してチタニウム層をエツチング
除去する工程と、沃化カリウム溶液で金層をエ
ツチング除去する工程とから成るエツチングに
よつて、ポリマーフイルムを露出させる ことより成る、特許請求の範囲第１項記載の方
法。 １０ 感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影装置で使用する薄層カバーユニツトを製造する
方法において、 (イ) ウエハの表面に金皮膜を施し、 (ロ) 該ウエハの金皮膜表面に薄い均一なポリマー
フイルムを施し、 (ハ) 該ポリマーフイルムを硬化させ、 (ニ) 該ポリマーフイルムに薄膜支持リングを付着
させ、 (ホ) ウエハ表面を露出させるためにリングとウエ
ハエツジとの間をポリマー及び金皮膜を貫通す
るように切欠き、 (ヘ) ウエハからリングを慎重に剥離し、既に薄膜
支持リング上に施された金皮覆ポリマー膜を
得、 (ト) 該金皮膜をエツチング除去する ことを特徴とする、 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装
置で使用する薄層カバーユニツトの製法。 １１ ウエハが酸化したシリコンウエハである、
特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １２ 金皮膜が約500オングストロームの厚さを
有する、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １３ ウエハの表面への薄いポリマーフイルムの
コーチング工程をスピニング法で実施する、特許
請求の範囲第１０項記載の方法。 １４ ポリマーフイルムの硬化工程を炉内で約
170℃の温度で実施する、特許請求の範囲第１０
項記載の方法。 １５ 金のエツチング工程を沃化カリウムの溶液
を用いて実施する、特許請求の範囲第１０項記載
の方法。 １６ 金皮膜を施す工程を真空蒸着によつて実施
する、特許請求の範囲第１０項記載の方法。 １７ ポリマーフイルムがポリメチルメタクリレ
ートである、特許請求の範囲第１０項記載の方
法。 １８ 感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影装置で使用する薄層カバーユニツトを製造する
方法において、 (イ) 酸化したシリコンウエハの表面に厚さ約500
オングストロームの金皮膜を真空蒸着によつて
施し、 (ロ) 該ウエハの金皮膜表面にポリメチルメタクリ
レートの薄い均一なポリマーフイルムをスピニ
ング法を使用してコーチングし、 (ハ) 該ポリマーフイルムを炉内で約170℃の温度
で硬化させ、 (ニ) 該ポリマーフイルムに薄膜支持リングをエポ
キシ系接着剤で接着し、 (ホ) リングとウエハエツジとの間でポリマー及び
金皮膜を貫通するようにリングのまわりを切欠
いて、ウエハ表面を露出させ、 (ヘ) ウエハからリングを剥離して、既に薄膜支持
リングに施された金被覆ポリマー膜を得、 (ト) 該金皮膜を沃化水素の溶液でエツチング除去
する ことより成る、特許請求の範囲第１０項記載の方
法。 １９ 感光性ウエハ上に画像を形成するための投
影装置で使用する薄層カバーユニツトを製造する
方法において、 (イ) シリコンウエハのクロム被覆表面に薄い金皮
膜を施し、 (ロ) 該ウエハの金皮膜表面に薄い均一なポリマー
フイルムを施し、 (ハ) 該ポリマーフイルムを硬化させ、 (ニ) 該ポリマーフイルムに薄膜支持リングを接着
しかつ (ホ) 金表面から直接ポリマーフイルムを慎重に剥
離する ことを特徴とする、感光性ウエハ上に画像を形成
するための投影装置で使用する薄層カバーユニツ
トの製法。 ２０ ポリマーフイルムがポリメチルメタクリレ
ートである、特許請求の範囲第１９項記載の方
法。 ２１ 金皮膜が約500オングストロームの厚さを
有する、特許請求の範囲第１９項記載の方法。 ２２ ポリマーフイルムを施す工程をスピニング
法で実施する、特許請求の範囲第１９項記載の方
法。 ２３ ポリマーフイルムを硬化させる工程を炉内
で約170℃の温度で実施する、特許請求の範囲第
１９項記載の方法。 ２４ 金皮膜を施す工程を真空蒸着法で実施す
る、特許請求の範囲第１９項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/466,268 US4465759A (en) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | Method of fabricating a pellicle cover for projection printing system |
| US466268 | 1983-02-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161031A JPS59161031A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH0442666B2 true JPH0442666B2 (ja) | 1992-07-14 |
Family
ID=23851132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022081A Granted JPS59161031A (ja) | 1983-02-14 | 1984-02-10 | 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4465759A (ja) |
| EP (1) | EP0119310B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59161031A (ja) |
| DE (1) | DE3376887D1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1984
- 1984-02-10 JP JP59022081A patent/JPS59161031A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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