JPS62202518A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS62202518A JPS62202518A JP61022562A JP2256286A JPS62202518A JP S62202518 A JPS62202518 A JP S62202518A JP 61022562 A JP61022562 A JP 61022562A JP 2256286 A JP2256286 A JP 2256286A JP S62202518 A JPS62202518 A JP S62202518A
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- Japan
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- stencil
- film
- plating
- plating base
- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線露光用マスクとしては、最も一般的なる構造として
、ＢＮ膜でメンブランを形成し、その上に金属薄膜より
なるメッキベース、更にパターンニングされたレジスト
膜（ステンシルと呼ぶ）を形成し、ステンシル間隙をＡ
ｕ鍍金により埋込んだ後、ステンシル及びその直下のメ
ッキベースを除去して、全面を保護膜でカバーする構造
となっている。本発明ではメッキベースとして透明伝導
膜と金薄膜の２層構造として、ステンシルとメッキベー
スを除去しないマスク構造について述べる。。
、ＢＮ膜でメンブランを形成し、その上に金属薄膜より
なるメッキベース、更にパターンニングされたレジスト
膜（ステンシルと呼ぶ）を形成し、ステンシル間隙をＡ
ｕ鍍金により埋込んだ後、ステンシル及びその直下のメ
ッキベースを除去して、全面を保護膜でカバーする構造
となっている。本発明ではメッキベースとして透明伝導
膜と金薄膜の２層構造として、ステンシルとメッキベー
スを除去しないマスク構造について述べる。。
本発明は、Ｘ線露光用マスクの構造に関する。
半導体装置の高密度化に伴って、微細パターンの形成に
Ｘ線露光法の開発が進んでいる。
Ｘ線露光法の開発が進んでいる。
Ｘ線露光法は波長数人のＸ線を用い、ウェハー上のＸ線
レジストを露光するもので光、あるいは電子線露光にお
ける如く回折、干渉、散乱等の問題が少なく微細加工に
適している。
レジストを露光するもので光、あるいは電子線露光にお
ける如く回折、干渉、散乱等の問題が少なく微細加工に
適している。
Ｘ線露光用には、波長の短いＸ線の特性上の要求から通
常の光露光用のマスク構造は使用出来ず、Ｘ線露光用マ
スクとして特有なる構造を必要とし、尚改善すべき問題
が多い。
常の光露光用のマスク構造は使用出来ず、Ｘ線露光用マ
スクとして特有なる構造を必要とし、尚改善すべき問題
が多い。
現在量も一般的な構造として使用されているＸ線マスク
を、マスク製作の工程順に第２図（ａ）〜（ｆｌにより
説明する。
を、マスク製作の工程順に第２図（ａ）〜（ｆｌにより
説明する。
パターンを形成するマスク基板としては、Ｘ線の透過特
性からガラス、石英等の基板は使用出来ない。Ｘ線透過
特性の良好な原子番号の低いＢＮよりなる数μｍの厚さ
の薄膜（メンブランと称す）が使用される。
性からガラス、石英等の基板は使用出来ない。Ｘ線透過
特性の良好な原子番号の低いＢＮよりなる数μｍの厚さ
の薄膜（メンブランと称す）が使用される。
ＢＮ！膜は、そのままでは機械的強度、平坦性が維持出
来ないので、リングに接着保持することが必要である。
来ないので、リングに接着保持することが必要である。
その方法として、Ｓｔ ウェハー上にＢＮ膜をＣＶＤ法
で積層し、パイレックスよりなるリングに接着する。
で積層し、パイレックスよりなるリングに接着する。
次いで、リング内側のＳｉ ウェハーをエツチング液で
除去する。この状態を第２図（ａｌに示す。ＢＮ膜のメ
ンブラン１はリング状のＳｔ リング２とパイレックス
・リング３により平坦なる薄膜として得られる。
除去する。この状態を第２図（ａｌに示す。ＢＮ膜のメ
ンブラン１はリング状のＳｔ リング２とパイレックス
・リング３により平坦なる薄膜として得られる。
次いで、ＢＮメンブラン１上にＴｉ、あるいはＴａ／Ａ
ｕ／Ｔａ 、あるいばＰｔ等よりなるメッキベース４を
スパッタさせる。メンキベースの厚さは４００〜５００
人程度に選ばれる。
ｕ／Ｔａ 、あるいばＰｔ等よりなるメッキベース４を
スパッタさせる。メンキベースの厚さは４００〜５００
人程度に選ばれる。
次いで、ホトレジスト、あるいはＥＢレジスト５を塗布
して第２図（ｂ）を得る。
して第２図（ｂ）を得る。
上記のレジストを露光、あるいはＥＢ描画を行い、現像
を行って第２図ｆｅ）が得られる。このときに得られた
レジストのパターンは、通常ステツク。
を行って第２図ｆｅ）が得られる。このときに得られた
レジストのパターンは、通常ステツク。
ル６ （Ｓ ｔｅｎｃｉｌ）と呼ばれる。
次いで、メッキベースを電極としてＡｕ鍍金を行う。ス
テンシル６の間隙部は、Ａｕ層７にて埋込まれ、第２図
（ｄｌが得られる。このＡｕ層７がＸ線の吸収層となる
。
テンシル６の間隙部は、Ａｕ層７にて埋込まれ、第２図
（ｄｌが得られる。このＡｕ層７がＸ線の吸収層となる
。
次いで、ステンシル６を酸素を用いたアッシングにより
除去し、更にステンシルの下のメンキベース４をＣＦ、
ガスによるＲＴＥ法あるいはＡｒガスによるスパッタ・
エツチング法で除去する。
除去し、更にステンシルの下のメンキベース４をＣＦ、
ガスによるＲＴＥ法あるいはＡｒガスによるスパッタ・
エツチング法で除去する。
これを第２図（ｅｌに示す。
このメッキベースの除去を行う理由は、Ｘ線８１；光を
行う前に、光学的なマスク・アライメントが必要で、そ
のため金属層よりなるメッキベースを除去する。
行う前に、光学的なマスク・アライメントが必要で、そ
のため金属層よりなるメッキベースを除去する。
最後に全面に保護膜８をコートしてマスクが完成する。
これを第２図（ｆ）に示す。
上記に述べた、従来の技術による方法ではステンシル６
と、その下に形成されているメンキベース４を除去する
工程が必要である。
と、その下に形成されているメンキベース４を除去する
工程が必要である。
パターンが微細化し、サブミクロンの領域となると、Ａ
ｕＮ７はＸ線吸収特性から０．５〜１μｍに近い厚さを
必要とするので、深い溝が近接して形成されていること
になる。
ｕＮ７はＸ線吸収特性から０．５〜１μｍに近い厚さを
必要とするので、深い溝が近接して形成されていること
になる。
このためステンシル及びメッキベースの除去、その後の
保護膜の塗布工程でパターンの変形及びパターンの剥離
の問題を生ずる。
保護膜の塗布工程でパターンの変形及びパターンの剥離
の問題を生ずる。
上記問題点は、透明メンブラン上に、全面に例えばＩｎ
とＳｎの酸化物よりなる透明伝府膜とその上の金薄膜よ
りなる２層のメンキベースが形成され、更に、上記メッ
キベース上にはパターン精度グされたステンシルと、該
ステンシルの間隙をＸ線吸収金属としてのＡｕを鍍金に
て埋込んだ積層を有する本発明のＸ線露光用マスクによ
り解決される。
とＳｎの酸化物よりなる透明伝府膜とその上の金薄膜よ
りなる２層のメンキベースが形成され、更に、上記メッ
キベース上にはパターン精度グされたステンシルと、該
ステンシルの間隙をＸ線吸収金属としてのＡｕを鍍金に
て埋込んだ積層を有する本発明のＸ線露光用マスクによ
り解決される。
上記メッキベースを構成するＡｕ 薄膜としては、１〜
約６７人の膜厚を使用することによりアライメントに必
要なる光透過特性を得ることが出来る。
約６７人の膜厚を使用することによりアライメントに必
要なる光透過特性を得ることが出来る。
Ｘ線露光用マスクはＸ線を吸収遮蔽するパターン領域と
、Ｘ線を透過する領域どのコントラストと共に、Ｘ線露
光前には光学的にマスク・アライメントを必要とする。
、Ｘ線を透過する領域どのコントラストと共に、Ｘ線露
光前には光学的にマスク・アライメントを必要とする。
上記メッキベース構造により、アライメントに必要なる
最低の光透過度を得ることが出来る。その結果ステンシ
ルの除去が不要となり、マスクの製作工程を著しく簡易
化し、パターン精度が向上する。
最低の光透過度を得ることが出来る。その結果ステンシ
ルの除去が不要となり、マスクの製作工程を著しく簡易
化し、パターン精度が向上する。
更に、ステンシル及びメッキベースの除去、その後の保
護膜塗布工程でのパターンの変形、剥離のおそれも無く
なる。
護膜塗布工程でのパターンの変形、剥離のおそれも無く
なる。
本発明による一実施例を第１図（ａｌ〜（ｄ）により詳
細説明する。
細説明する。
ＢＮ薄膜よりなるメンブラン１を形成する工程は第２図
（ａ）で説明せる方法と変わらない。次いで、透明伝導
膜の形成には、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉｕｍ ＴｔｎＯ
ｘｉｄｅ）のターゲットを用いたスパック法によりメン
ブラン上に７００〜８００人のＩＴＯ膜９を積層させる
。
（ａ）で説明せる方法と変わらない。次いで、透明伝導
膜の形成には、Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉｕｍ ＴｔｎＯ
ｘｉｄｅ）のターゲットを用いたスパック法によりメン
ブラン上に７００〜８００人のＩＴＯ膜９を積層させる
。
ＩＴＯはＩｎ２Ｏ３にＳｎｕｇを５〜２０％含んだ薄膜
として形成され、光透過性で且つ電気伝導特性を有する
材料である。
として形成され、光透過性で且つ電気伝導特性を有する
材料である。
次いで、同じくスパッタ法によりＡｕ薄膜１０を１〜約
６７人積層する。ＩＴＯ膜９とＡｕ薄膜１０とでメッキ
ベース４が形成され、これを第１図（ａｌに示す。
６７人積層する。ＩＴＯ膜９とＡｕ薄膜１０とでメッキ
ベース４が形成され、これを第１図（ａｌに示す。
Ａｕ薄膜の厚さで、膜厚下限は、後のＡｕ鍍金工程で膜
質の均一性を保だめの制約であり、上限は光透過特性を
確保するための制約である。
質の均一性を保だめの制約であり、上限は光透過特性を
確保するための制約である。
６７人のＡｕ薄膜を用いた時、実験的に約３０％の光透
過特性（Ｈｅ−Ｎｅレーザに対し）が得られることが判
明している。これはマスク・アライメントが可能なる限
度と考えられるが、６７％なる数値は厳密なものでなく
、プラス側に多少ずれても構わない。
過特性（Ｈｅ−Ｎｅレーザに対し）が得られることが判
明している。これはマスク・アライメントが可能なる限
度と考えられるが、６７％なる数値は厳密なものでなく
、プラス側に多少ずれても構わない。
次む〜で、ホトレジストあるいはＥＢレジスト５を０．
５〜１．０μｍ塗布して、露光あるいはＥＢｉ画を行い
、現像することによりステンシル６が形成される。こさ
を第１図（ｂ）に示す。
５〜１．０μｍ塗布して、露光あるいはＥＢｉ画を行い
、現像することによりステンシル６が形成される。こさ
を第１図（ｂ）に示す。
次いで、ステンシルの間隙をＸ線吸収層としてＡｕ鍍金
により埋込む。マスクパターンを形成せるＡｕ層７が、
はぼステンシルと同一の平面にて積層される。これを第
１図ｆｃ）に示す。
により埋込む。マスクパターンを形成せるＡｕ層７が、
はぼステンシルと同一の平面にて積層される。これを第
１図ｆｃ）に示す。
最後にポリイミド（Ｐ ｏｌｙｉｍｉｄｅ＞等の保護膜
８をコートすることによりＸ線露光用マスクが完成する
。これを第１図（ｄ）に示す。
８をコートすることによりＸ線露光用マスクが完成する
。これを第１図（ｄ）に示す。
以上に説明せるごとく、本発明のＸ線露光マスク構造に
より、微細加工されたステンシル及びメッキベースの除
去は不要となり、マスク製作工程が著しく簡易化され、
パターンの変形、剥離のおそれもなく、精度向上に寄与
すること大である。
より、微細加工されたステンシル及びメッキベースの除
去は不要となり、マスク製作工程が著しく簡易化され、
パターンの変形、剥離のおそれもなく、精度向上に寄与
すること大である。
第１図（ａｌ〜（ｄｌは本発明にかかわるＸ線露光用マ
スク構造の製作工程順断面図、 第２図（ａ）〜（［１は従来の技術によるＸ線露光用マ
スク構造の製作工程順断面図、 を示す−０ 図面において、 １はメンブラン、 ２はＳｉ リング、 ３はパイレックス・リング、 ４はメンキベース、 ５はレジスト、 ６はステンシル、 ７はＸ線吸収層（Ａｕ層）、 ８は保護膜、 ９は透明伝導膜（ＩＴＯ膜）、 １０はＡｕ薄膜、 をそれぞれ示す。
スク構造の製作工程順断面図、 第２図（ａ）〜（［１は従来の技術によるＸ線露光用マ
スク構造の製作工程順断面図、 を示す−０ 図面において、 １はメンブラン、 ２はＳｉ リング、 ３はパイレックス・リング、 ４はメンキベース、 ５はレジスト、 ６はステンシル、 ７はＸ線吸収層（Ａｕ層）、 ８は保護膜、 ９は透明伝導膜（ＩＴＯ膜）、 １０はＡｕ薄膜、 をそれぞれ示す。
Claims (2)
- （１）透明メンブラン（１）上に、全面に透明伝導膜（
９）と金薄膜（１０）よりなるメッキベース（４）が積
層され、更に、該メッキベース上にはパターンニングさ
れたステンシル（６）と、該ステンシルの間隙をＸ線吸
収金属で埋込んだ積層（７）を有することを特徴とする
Ｘ線露光用マスク。 - （２）上記メッキベースを構成する金薄膜（１０）とし
ては、１〜約６７Åの膜厚よりなることを特徴とする特
許請求範囲第（１）項記載のＸ線露光用マスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022562A JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
| KR1019870000696A KR900003254B1 (ko) | 1986-02-03 | 1987-01-28 | X-선 노출 마스크 |
| EP87101361A EP0231916B1 (en) | 1986-02-03 | 1987-02-02 | X-ray exposure masks |
| DE8787101361T DE3783239T2 (de) | 1986-02-03 | 1987-02-02 | Roentgenstrahlmaske. |
| US07/289,394 US4939052A (en) | 1986-02-03 | 1988-12-15 | X-ray exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022562A JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202518A true JPS62202518A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0255933B2 JPH0255933B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=12086305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022562A Granted JPS62202518A (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4939052A (ja) |
| EP (1) | EP0231916B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62202518A (ja) |
| KR (1) | KR900003254B1 (ja) |
| DE (1) | DE3783239T2 (ja) |
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| US5422491A (en) * | 1988-11-04 | 1995-06-06 | Fujitsu Limited | Mask and charged particle beam exposure method using the mask |
| JP2702183B2 (ja) * | 1988-11-04 | 1998-01-21 | 富士通株式会社 | 半導体製造装置 |
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-
1986
- 1986-02-03 JP JP61022562A patent/JPS62202518A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-28 KR KR1019870000696A patent/KR900003254B1/ko not_active Expired
- 1987-02-02 EP EP87101361A patent/EP0231916B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-02-02 DE DE8787101361T patent/DE3783239T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-12-15 US US07/289,394 patent/US4939052A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245161A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Fujitsu Ltd | Ｘ線用マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0231916B1 (en) | 1992-12-30 |
| KR870008378A (ko) | 1987-09-26 |
| JPH0255933B2 (ja) | 1990-11-28 |
| EP0231916A2 (en) | 1987-08-12 |
| EP0231916A3 (en) | 1989-11-08 |
| US4939052A (en) | 1990-07-03 |
| DE3783239T2 (de) | 1993-04-29 |
| KR900003254B1 (ko) | 1990-05-12 |
| DE3783239D1 (de) | 1993-02-11 |
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