JPH0227521Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0227521Y2 JPH0227521Y2 JP1983059033U JP5903383U JPH0227521Y2 JP H0227521 Y2 JPH0227521 Y2 JP H0227521Y2 JP 1983059033 U JP1983059033 U JP 1983059033U JP 5903383 U JP5903383 U JP 5903383U JP H0227521 Y2 JPH0227521 Y2 JP H0227521Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- thermistor
- glass
- cover
- lead wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はサーミスタに関する。
渦流量計において温度検出器として用いられる
サーミスタは、一般に、リード線が埋め込まれた
ガラス製の基台と、この基台の一方の面に配置さ
れてリード線に接続されたフレーク型のサーミス
タ素子片と、この素子片を覆つて基台の一方の面
に設けられ、基台と同質のガラスからなるカバー
とで形成されている。ところで、このようなサー
ミスタは、リード線を予め埋め込んだ基台の一方
の面にサーミスタ素子片を配置し、この素子片と
リード線とを導電性ペーストの焼成でもつて接続
した後に、粉末ガラス入りのペーストの焼成でも
つて基台の一方の面にカバーを形成して製造され
るが、しかし乍ら、このようなサーミスタでは、
カバー形成における焼成時、基台の溶融が同時に
生じ、リード線の基台による支持が良好になされ
なくなり、リード線が基台から脱落し、リード線
に接続されたサーミスタ素子片が破損される虞れ
があり、それ程製造性に優れたものであるとはい
い難い。
サーミスタは、一般に、リード線が埋め込まれた
ガラス製の基台と、この基台の一方の面に配置さ
れてリード線に接続されたフレーク型のサーミス
タ素子片と、この素子片を覆つて基台の一方の面
に設けられ、基台と同質のガラスからなるカバー
とで形成されている。ところで、このようなサー
ミスタは、リード線を予め埋め込んだ基台の一方
の面にサーミスタ素子片を配置し、この素子片と
リード線とを導電性ペーストの焼成でもつて接続
した後に、粉末ガラス入りのペーストの焼成でも
つて基台の一方の面にカバーを形成して製造され
るが、しかし乍ら、このようなサーミスタでは、
カバー形成における焼成時、基台の溶融が同時に
生じ、リード線の基台による支持が良好になされ
なくなり、リード線が基台から脱落し、リード線
に接続されたサーミスタ素子片が破損される虞れ
があり、それ程製造性に優れたものであるとはい
い難い。
本考案は前記諸点に鑑みなされたものであり、
その目的とするところは、製造中にリード線が外
れたり、サーミスタ素子片が割れたりすることを
なくし得、製造性を向上せしめることができるサ
ーミスタを提供することにある。
その目的とするところは、製造中にリード線が外
れたり、サーミスタ素子片が割れたりすることを
なくし得、製造性を向上せしめることができるサ
ーミスタを提供することにある。
前記目的は、本考案によれば、リード線が埋め
込まれたガラス製の基台と、前記リード線に電気
的に接続されて前記基台の一方の面に設けられた
サーミスタ素子片と、該サーミスタ素子片を覆う
べく、前記基台の軟化温度よりも低い作業温度で
当該基台の一方の面に焼成により形成されたガラ
ス製のカバーとを有してなるサーミスタによつて
達成される。
込まれたガラス製の基台と、前記リード線に電気
的に接続されて前記基台の一方の面に設けられた
サーミスタ素子片と、該サーミスタ素子片を覆う
べく、前記基台の軟化温度よりも低い作業温度で
当該基台の一方の面に焼成により形成されたガラ
ス製のカバーとを有してなるサーミスタによつて
達成される。
次に本考案による好ましい一具体例を図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図及び第２図において、ステンレス鋼等の
金属製の円筒状ケース１内には、高軟化温度を有
するガラスからなる基台２が形成されている。基
台２を形成するこの高軟化温度を有するガラスと
しては、例えば軟化点（s.p.）＝650℃、作業点
（w.p.）＝1015℃、熱膨張係数（α）＝92×10-7／
℃旭硝子(株)製ASF201等を用いることができる。
このように電気的絶縁材からなる基台２にはpt線
等の金属製のリード線３及び４が埋め込まれてお
り、リード線３及び４の一端は、Au、Ag−pd、
又はpt等からなる金属製の接続部５及び６を介し
て夫々フレーク型のサーミスタ素子片７に電気的
に接続されている。基台２の一方の面８に配置さ
れた素子片７と接続部５，６とを覆つて保護用の
カバー９が面８上に形成されている。カバー９
は、基台２の軟化温度よりも低い作業温度を有す
るガラスから形成されており、例えば日本電気硝
子(株)製のGA−１（軟化点s.p.＝595℃、作業点w.p.
＝620℃、熱膨張係数α＝60×10-7／℃）、GA−
８（軟化点s.p.＝490℃、作業点w.p.＝560℃、熱膨
張係数α＝90×10-7／℃）、GA−９（軟化点s.p.＝
430℃、作業点w.p.＝520℃、熱膨張係数α＝81×
10-7／℃）又は旭硝子(株)製のASF1305（軟化点s.
p.＝400℃、作業点w.p.＝約500℃、熱膨張係数α
＝95×10-7／℃）等を用いることができる。
金属製の円筒状ケース１内には、高軟化温度を有
するガラスからなる基台２が形成されている。基
台２を形成するこの高軟化温度を有するガラスと
しては、例えば軟化点（s.p.）＝650℃、作業点
（w.p.）＝1015℃、熱膨張係数（α）＝92×10-7／
℃旭硝子(株)製ASF201等を用いることができる。
このように電気的絶縁材からなる基台２にはpt線
等の金属製のリード線３及び４が埋め込まれてお
り、リード線３及び４の一端は、Au、Ag−pd、
又はpt等からなる金属製の接続部５及び６を介し
て夫々フレーク型のサーミスタ素子片７に電気的
に接続されている。基台２の一方の面８に配置さ
れた素子片７と接続部５，６とを覆つて保護用の
カバー９が面８上に形成されている。カバー９
は、基台２の軟化温度よりも低い作業温度を有す
るガラスから形成されており、例えば日本電気硝
子(株)製のGA−１（軟化点s.p.＝595℃、作業点w.p.
＝620℃、熱膨張係数α＝60×10-7／℃）、GA−
８（軟化点s.p.＝490℃、作業点w.p.＝560℃、熱膨
張係数α＝90×10-7／℃）、GA−９（軟化点s.p.＝
430℃、作業点w.p.＝520℃、熱膨張係数α＝81×
10-7／℃）又は旭硝子(株)製のASF1305（軟化点s.
p.＝400℃、作業点w.p.＝約500℃、熱膨張係数α
＝95×10-7／℃）等を用いることができる。
このように構成されるサーミスタ２０は次のよ
うにして製造される。第３図に示すように、ケー
ス１内に形成され、リード線３及び４が埋め込ま
れたガラス製の基台２の一方の面８に、金属酸化
物の焼結体からなるフレーク型のサーミスタ素子
片（幅0.2mm、長さ0.8mm、厚さ0.015mm）７を配置
し、導電性ペーストの焼成により接続部５及び６
を形成してリード線３及び４の一端と素子片７と
を電気的に接続する。次に、第４図に示すよう
に、基台２の軟化温度よりも低い作業温度を有す
るガラス粉末入りのペーストをスクリーン印刷機
等によつて面８に薄く、すなわち焼成後の厚さｔ
が20μｍ〜30μｍとなる程度に印刷し、ペースト
層２１を面８上に形成する。その後、基台２の軟
化温度よりも低い層２１のガラス粉末の作業温度
を加えて層２１のガラス粉末を溶融し、素子片
７、接続部５及び６を外部から遮断するような電
気的に絶縁な保護用のカバー９を焼成する。例え
ば、基台２の材料にASF201を、カバー９の材
料、すなわちガラス粉末にGA−１、GA−８、
GA−９又はASF1305を用いる場合には、各々約
620℃（GA−１）、560℃（GA−８）、520℃
（GA−９）又は500℃（ASF1305）の温度で層２
１を焼成してカバー９を形成する。尚、ガラス粉
末の粒度は325メツシユパス程度が好ましい。
うにして製造される。第３図に示すように、ケー
ス１内に形成され、リード線３及び４が埋め込ま
れたガラス製の基台２の一方の面８に、金属酸化
物の焼結体からなるフレーク型のサーミスタ素子
片（幅0.2mm、長さ0.8mm、厚さ0.015mm）７を配置
し、導電性ペーストの焼成により接続部５及び６
を形成してリード線３及び４の一端と素子片７と
を電気的に接続する。次に、第４図に示すよう
に、基台２の軟化温度よりも低い作業温度を有す
るガラス粉末入りのペーストをスクリーン印刷機
等によつて面８に薄く、すなわち焼成後の厚さｔ
が20μｍ〜30μｍとなる程度に印刷し、ペースト
層２１を面８上に形成する。その後、基台２の軟
化温度よりも低い層２１のガラス粉末の作業温度
を加えて層２１のガラス粉末を溶融し、素子片
７、接続部５及び６を外部から遮断するような電
気的に絶縁な保護用のカバー９を焼成する。例え
ば、基台２の材料にASF201を、カバー９の材
料、すなわちガラス粉末にGA−１、GA−８、
GA−９又はASF1305を用いる場合には、各々約
620℃（GA−１）、560℃（GA−８）、520℃
（GA−９）又は500℃（ASF1305）の温度で層２
１を焼成してカバー９を形成する。尚、ガラス粉
末の粒度は325メツシユパス程度が好ましい。
ところで、このようなサーミスタ２０では、カ
バー９の材料が基台２の材料の軟化温度より低い
作業温度を有するため、基台２の軟化温度より低
い温度でカバー９の焼成を行い得、この焼成にお
いて基台２の溶融を生ぜしめない結果、リード線
３及び４の基台２からの脱落、この脱落にともな
うサーミスタ素子片７の折損等の事故をなくし得
る。
バー９の材料が基台２の材料の軟化温度より低い
作業温度を有するため、基台２の軟化温度より低
い温度でカバー９の焼成を行い得、この焼成にお
いて基台２の溶融を生ぜしめない結果、リード線
３及び４の基台２からの脱落、この脱落にともな
うサーミスタ素子片７の折損等の事故をなくし得
る。
尚、サーミスタ素子片７の熱膨張係数（一般に
α＝90〜95×10-7／℃を有する）と同等の熱膨張
係数を有するガラス及びガラス粉末を基台２及び
カバー９の形成のために夫々用いると、カバー９
の焼成時の冷却において及び製造後の環境温度の
大幅な変化において熱膨張係数の差による素子片
７の割れ等の事故を好ましく防ぎ得る。
α＝90〜95×10-7／℃を有する）と同等の熱膨張
係数を有するガラス及びガラス粉末を基台２及び
カバー９の形成のために夫々用いると、カバー９
の焼成時の冷却において及び製造後の環境温度の
大幅な変化において熱膨張係数の差による素子片
７の割れ等の事故を好ましく防ぎ得る。
前記の如く、本考案によれば、基台の軟化温度
よりも低い作業温度を有するガラスからカバーが
形成されているため、サーミスタの製造に於い
て、ガラス製のカバーの焼成を、ガラス製の基台
の軟化温度よりも低い作業温度で行ない得るた
め、当該基台には溶融が生じ難く、その結果リー
ド線の基台からの脱落をなくし得る上に、サーミ
スタ素子片の破断等をなくし得、製造性に優れた
サーミスタを提供し得る。
よりも低い作業温度を有するガラスからカバーが
形成されているため、サーミスタの製造に於い
て、ガラス製のカバーの焼成を、ガラス製の基台
の軟化温度よりも低い作業温度で行ない得るた
め、当該基台には溶融が生じ難く、その結果リー
ド線の基台からの脱落をなくし得る上に、サーミ
スタ素子片の破断等をなくし得、製造性に優れた
サーミスタを提供し得る。
第１図は本考案による好ましい一具体例の平面
図、第２図は第１図に示す−線断面図、第３
図及び第４図は第１図に示す具体例の製造方法の
説明図である。 ２……基台、３，４……リード線、７……サー
ミスタ素子片、９……カバー。
図、第２図は第１図に示す−線断面図、第３
図及び第４図は第１図に示す具体例の製造方法の
説明図である。 ２……基台、３，４……リード線、７……サー
ミスタ素子片、９……カバー。
Claims (1)
- リード線が埋め込まれたガラス製の基台と、前
記リード線に電気的に接続されて前記基台の一方
の面に設けられたサーミスタ素子片と、該サーミ
スタ素子片を覆うべく、前記基台の軟化温度より
も低い作業温度で当該基台の一方の面に焼成によ
り形成されたガラス製のカバーとを有してなるサ
ーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5903383U JPS59164203U (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5903383U JPS59164203U (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59164203U JPS59164203U (ja) | 1984-11-02 |
| JPH0227521Y2 true JPH0227521Y2 (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=30189293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5903383U Granted JPS59164203U (ja) | 1983-04-20 | 1983-04-20 | サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59164203U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH054256Y2 (ja) * | 1986-04-04 | 1993-02-02 |
-
1983
- 1983-04-20 JP JP5903383U patent/JPS59164203U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59164203U (ja) | 1984-11-02 |
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