JPH09328303A - 沿面放電型放電素子 - Google Patents
沿面放電型放電素子Info
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- JPH09328303A JPH09328303A JP8166755A JP16675596A JPH09328303A JP H09328303 A JPH09328303 A JP H09328303A JP 8166755 A JP8166755 A JP 8166755A JP 16675596 A JP16675596 A JP 16675596A JP H09328303 A JPH09328303 A JP H09328303A
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- JP
- Japan
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- discharge
- electrode
- lead
- discharge electrode
- free glass
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
- H01T4/08—Overvoltage arresters using spark gaps structurally associated with protected apparatus
-
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放電に対して堅固であって使用寿命が長く、
量産に適した沿面放電型放電素子とその製法とを提供す
る。 【構成】 絶縁基板の一方の面に放電電極を、他方の面
に誘導電極を配し、少なくとも放電電極を導電性粉末と
無鉛ガラスとを主成分とする厚膜導体から構成する。放
電電極と誘導電極とをそれぞれ無鉛ガラスの絶縁保護層
で覆って電極の酸化を防止する。
量産に適した沿面放電型放電素子とその製法とを提供す
る。 【構成】 絶縁基板の一方の面に放電電極を、他方の面
に誘導電極を配し、少なくとも放電電極を導電性粉末と
無鉛ガラスとを主成分とする厚膜導体から構成する。放
電電極と誘導電極とをそれぞれ無鉛ガラスの絶縁保護層
で覆って電極の酸化を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は沿面放電型放電素子とそ
の製法に係るものであり、特に沿面放電を利用してオゾ
ンを発生するオゾナイザーや、低温プラズマを生成する
アイオナイザーに使用するに適した沿面放電型放電素子
とその製法に係るものである。
の製法に係るものであり、特に沿面放電を利用してオゾ
ンを発生するオゾナイザーや、低温プラズマを生成する
アイオナイザーに使用するに適した沿面放電型放電素子
とその製法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】沿面放電型放電素子とはアルミナのよう
な誘電体セラミックスの絶縁基板の一方の面に比較的小
さい放電電極を有し、他方の面に比較的大きい誘導電極
を有し、これらの電極に交流の高電圧を印加するとき放
電電極の周縁から低温プラズマが発生し、そして対向電
極間に絶縁基板を通って誘導電流（放電電流）が流れる
放電素子をいう。これを例えばオゾナイザーに利用する
場合通常50Hz-20KHzで3.5KVpp-10KVppの高周波、高電圧
を印加し、それにより発生した酸素イオンと周囲の酸素
とを結合させてオゾンを生成する。この放電電極はタン
グステン（Ｗ）や酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、窒化チタン
（ＴｉＮ）等から製造される。タングステンを用いて電
極を製造するには誘電体セラミック基板に電極の形にタ
ングステンを印刷し、水素炉を用いて１３００°Ｃ程の
高温で焼成する。また窒化チタンもしくは酸化チタンを
用いて電極を製造するには誘電体セラミック基板にこれ
らの金属をプラズマ溶射する。
な誘電体セラミックスの絶縁基板の一方の面に比較的小
さい放電電極を有し、他方の面に比較的大きい誘導電極
を有し、これらの電極に交流の高電圧を印加するとき放
電電極の周縁から低温プラズマが発生し、そして対向電
極間に絶縁基板を通って誘導電流（放電電流）が流れる
放電素子をいう。これを例えばオゾナイザーに利用する
場合通常50Hz-20KHzで3.5KVpp-10KVppの高周波、高電圧
を印加し、それにより発生した酸素イオンと周囲の酸素
とを結合させてオゾンを生成する。この放電電極はタン
グステン（Ｗ）や酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、窒化チタン
（ＴｉＮ）等から製造される。タングステンを用いて電
極を製造するには誘電体セラミック基板に電極の形にタ
ングステンを印刷し、水素炉を用いて１３００°Ｃ程の
高温で焼成する。また窒化チタンもしくは酸化チタンを
用いて電極を製造するには誘電体セラミック基板にこれ
らの金属をプラズマ溶射する。
【０００３】水素雰囲気内で焼成したり、プラズマ溶射
を行うには大型で高価な特殊な設備を必要とし、またこ
のような製法は電極の量産にも不向きであった。特にプ
ラズマ溶射により形成した放電電極はアルミナ基板との
密着性が十分でなく、剥離し易いという問題があった。
このため印刷回路や抵抗チップなどの製作に使用される
導電性粉末とガラス粉末とを主成分とする厚膜導体ペー
ストを誘電体セラミック基板に印刷塗布し、焼成して電
極を製作したが、放電中電極は破壊され易く、ガラス膜
で電極を保護しても放電寿命は短いという問題があっ
た。
を行うには大型で高価な特殊な設備を必要とし、またこ
のような製法は電極の量産にも不向きであった。特にプ
ラズマ溶射により形成した放電電極はアルミナ基板との
密着性が十分でなく、剥離し易いという問題があった。
このため印刷回路や抵抗チップなどの製作に使用される
導電性粉末とガラス粉末とを主成分とする厚膜導体ペー
ストを誘電体セラミック基板に印刷塗布し、焼成して電
極を製作したが、放電中電極は破壊され易く、ガラス膜
で電極を保護しても放電寿命は短いという問題があっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、沿面放電型放電素子の放電電極が脆弱であり、使
用寿命も短く、しかもその製作が容易でないという点で
ある。
点は、沿面放電型放電素子の放電電極が脆弱であり、使
用寿命も短く、しかもその製作が容易でないという点で
ある。
【０００５】
【課題を解決する手段】電極の製作を容易とするのは厚
膜導体ペーストを絶縁基板に印刷塗布し、焼成するのが
有利であり、これまでも試みられたこともあるが、この
ようにして製作した電極は放電中破壊され易いという欠
点があった。これは使用するペーストの焼成温度を下げ
るために鉛が使用され、この鉛分が放電スパッタリング
により飛散して放電電極の脆弱化を招くことが原因であ
ることを発明者は見出した。すなわち、電極は導電性粉
末とガラスとを主成分とする厚膜導体から構成される
が、このガラスにはＰｂＯ，Ｐｂ3 Ｏ4 等の鉛成分が含
まれており、この鉛分が厚膜導体から放電スパッタされ
て放電電極を脆弱化させるのである。
膜導体ペーストを絶縁基板に印刷塗布し、焼成するのが
有利であり、これまでも試みられたこともあるが、この
ようにして製作した電極は放電中破壊され易いという欠
点があった。これは使用するペーストの焼成温度を下げ
るために鉛が使用され、この鉛分が放電スパッタリング
により飛散して放電電極の脆弱化を招くことが原因であ
ることを発明者は見出した。すなわち、電極は導電性粉
末とガラスとを主成分とする厚膜導体から構成される
が、このガラスにはＰｂＯ，Ｐｂ3 Ｏ4 等の鉛成分が含
まれており、この鉛分が厚膜導体から放電スパッタされ
て放電電極を脆弱化させるのである。
【０００６】本発明は、放電に対して堅固であって使用
寿命が長く、量産に適した沿面放電型放電素子とその製
法とを提供することを目的とし、この目的は少なくとも
放電電極を導電性粉末と無鉛ガラスとを主成分とする厚
膜導体から構成することにより達成される。放電電極と
誘導電極とにそれぞれ無鉛ガラスの絶縁保護層を設けて
もよい。また、絶縁保護層の強化のため酸化物フイラー
を含めてもよい。Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属も
しくはそれらの合金の粉末、酸化ルテニウムＲｕＯ2 、
各種のルテニウム酸塩等の粉末を導電性粉末として使用
するのが有利である。Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属もしくはそ
れらの合金の粉末も使用できる。これらの導電性粉末と
無鉛ガラス、例えばＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系ガラ
ス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
ス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−アルカリ土類金属酸
化物系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 アルカリ土類金属酸化物系ガラス、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 −アルカリ土類金属酸化物系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −アルカリ土類金属酸化物系ガラスを
主成分としたペーストを絶縁基板の一方の面に放電電極
の形に、他方の面に誘導電極の形に塗布し、焼成して放
電素子を製造する。
寿命が長く、量産に適した沿面放電型放電素子とその製
法とを提供することを目的とし、この目的は少なくとも
放電電極を導電性粉末と無鉛ガラスとを主成分とする厚
膜導体から構成することにより達成される。放電電極と
誘導電極とにそれぞれ無鉛ガラスの絶縁保護層を設けて
もよい。また、絶縁保護層の強化のため酸化物フイラー
を含めてもよい。Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属も
しくはそれらの合金の粉末、酸化ルテニウムＲｕＯ2 、
各種のルテニウム酸塩等の粉末を導電性粉末として使用
するのが有利である。Ｃｕ，Ｎｉ等の卑金属もしくはそ
れらの合金の粉末も使用できる。これらの導電性粉末と
無鉛ガラス、例えばＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系ガラ
ス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
ス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−アルカリ土類金属酸
化物系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 アルカリ土類金属酸化物系ガラス、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2
Ｏ3 −アルカリ土類金属酸化物系ガラス、ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −アルカリ土類金属酸化物系ガラスを
主成分としたペーストを絶縁基板の一方の面に放電電極
の形に、他方の面に誘導電極の形に塗布し、焼成して放
電素子を製造する。
【０００７】絶縁保護層を形成するガラスペーストには
上述の無鉛ガラスに熱膨張係数等の特性を調整するため
にアルミナ、ジルコニア、ジルコン、シリカ、コーディ
エライト、フオルステライト、ムライト等の酸化物フイ
ラーや、着色剤等を添加してもよい。絶縁保護層はその
下になっている電極の酸化を防止するためのもので、無
鉛ガラスを使用したのは、鉛を含むガラスでは放電中鉛
を飛散させて脆弱化させてしまうからである。特願平８
ー５３５８７の無鉛ガラスペーストは絶縁保護層を形成
するのに好適である。
上述の無鉛ガラスに熱膨張係数等の特性を調整するため
にアルミナ、ジルコニア、ジルコン、シリカ、コーディ
エライト、フオルステライト、ムライト等の酸化物フイ
ラーや、着色剤等を添加してもよい。絶縁保護層はその
下になっている電極の酸化を防止するためのもので、無
鉛ガラスを使用したのは、鉛を含むガラスでは放電中鉛
を飛散させて脆弱化させてしまうからである。特願平８
ー５３５８７の無鉛ガラスペーストは絶縁保護層を形成
するのに好適である。
【０００８】
【実施例】図１ないし図３を参照する。沿面放電型放電
素子はアルミナ絶縁基板３の一方の面に放電電極１を有
し、他方の面に誘導電極４を有し、放電電極１と誘導電
極４とは絶縁保護層２、５を有している。６(1) 、６
(2) は高圧リード線を半田付けする端子であり（図２参
照）、端子６(1) は放電電極１と電気的に接続してい
る。
素子はアルミナ絶縁基板３の一方の面に放電電極１を有
し、他方の面に誘導電極４を有し、放電電極１と誘導電
極４とは絶縁保護層２、５を有している。６(1) 、６
(2) は高圧リード線を半田付けする端子であり（図２参
照）、端子６(1) は放電電極１と電気的に接続してい
る。
【０００９】放電電極１は導電性粉末と無鉛ガラスとを
主成分とする厚膜導体から成り、この実施例ではＲｕＯ
2 粉末、ＡｇとＰｄとの合金粉末そしてＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを主成分とするペーストを印刷、
焼成して形成し、誘導電極４（及び端子６(1) ）はＡｇ
とＰｄとの合金粉末そしてＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
系ガラスを主成分とするペーストを印刷、焼成して形成
している。
主成分とする厚膜導体から成り、この実施例ではＲｕＯ
2 粉末、ＡｇとＰｄとの合金粉末そしてＳｉＯ2 −Ｂ2
Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを主成分とするペーストを印刷、
焼成して形成し、誘導電極４（及び端子６(1) ）はＡｇ
とＰｄとの合金粉末そしてＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
系ガラスを主成分とするペーストを印刷、焼成して形成
している。
【００１０】絶縁保護層２はＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ
2 Ｏ3 −ＺｎＯ−アルカリ土類金属酸化物系ガラスと酸
化物フイラーとから成る絶縁ペーストを放電電極１を覆
うように印刷、焼成して形成した。絶縁保護層５は同じ
絶縁ペーストを用い、端子６(1) 、６(2) を残して誘導
電極４のほぼ全面を覆うように印刷、焼成して形成し
た。焼成温度は約８５０°Ｃである。放電電極１、誘導
電極４、絶縁保護層２、５は順次印刷、焼成を行うこと
により形成してもよいが、絶縁基板３上にそれぞれ所定
のペーストを印刷した後、同時焼成を行って一括形成す
ることも可能である。このようにして製作した沿面放電
型放電素子の端子６(1) 、６(2) 間に高周波電圧（１０
ＫＨｚ，８ＫＶ）を印加すると放電電極１の周縁に高周
波コロナ放電が発生し、オゾンが生成された。
2 Ｏ3 −ＺｎＯ−アルカリ土類金属酸化物系ガラスと酸
化物フイラーとから成る絶縁ペーストを放電電極１を覆
うように印刷、焼成して形成した。絶縁保護層５は同じ
絶縁ペーストを用い、端子６(1) 、６(2) を残して誘導
電極４のほぼ全面を覆うように印刷、焼成して形成し
た。焼成温度は約８５０°Ｃである。放電電極１、誘導
電極４、絶縁保護層２、５は順次印刷、焼成を行うこと
により形成してもよいが、絶縁基板３上にそれぞれ所定
のペーストを印刷した後、同時焼成を行って一括形成す
ることも可能である。このようにして製作した沿面放電
型放電素子の端子６(1) 、６(2) 間に高周波電圧（１０
ＫＨｚ，８ＫＶ）を印加すると放電電極１の周縁に高周
波コロナ放電が発生し、オゾンが生成された。
【００１１】図４に実施例の沿面放電型放電素子の放電
電極１の後端付近の顕微鏡写真を、図５にそれの先端付
近の顕微鏡写真をそれぞれ示す。これらの図は１０ＫＨ
ｚ，８ＫＶの電圧をかけて放電させ、一月半連続使用し
た放電電極１の後端と先端付近の状態を示している。こ
れらの図からその組織には放電による欠陥が殆ど生じて
いないことが認められるが、同じ条件で作動させた窒化
チタンをプラズマ溶射して形成した従来の沿面放電型放
電素子の放電電極は図６、図７に明かなように放電の集
中発生する電極の周縁と端に部分的に非導電性の酸化物
が生じてその部分では放電が生じないようになり、放電
電極は全体として痩せた状態になる。
電極１の後端付近の顕微鏡写真を、図５にそれの先端付
近の顕微鏡写真をそれぞれ示す。これらの図は１０ＫＨ
ｚ，８ＫＶの電圧をかけて放電させ、一月半連続使用し
た放電電極１の後端と先端付近の状態を示している。こ
れらの図からその組織には放電による欠陥が殆ど生じて
いないことが認められるが、同じ条件で作動させた窒化
チタンをプラズマ溶射して形成した従来の沿面放電型放
電素子の放電電極は図６、図７に明かなように放電の集
中発生する電極の周縁と端に部分的に非導電性の酸化物
が生じてその部分では放電が生じないようになり、放電
電極は全体として痩せた状態になる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の沿面放電
型放電素子の放電電極は放電に対し堅固であって、使用
寿命が長く、しかもその製作は容易であって量産に適し
ている。さらに、鉛成分を含有しないため放電による鉛
が飛散するという事態はなく、このことは周囲の環境保
全上重要であり、特に食品のオゾン処理に本発明の沿面
放電型放電素子を使用することは有意義である。
型放電素子の放電電極は放電に対し堅固であって、使用
寿命が長く、しかもその製作は容易であって量産に適し
ている。さらに、鉛成分を含有しないため放電による鉛
が飛散するという事態はなく、このことは周囲の環境保
全上重要であり、特に食品のオゾン処理に本発明の沿面
放電型放電素子を使用することは有意義である。
【図１】本発明の沿面放電型放電素子の実施例の上面図
である。
である。
【図２】本発明の沿面放電型放電素子の実施例の下面図
である。
である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】本発明の沿面放電型放電素子の実施例の放電電
極の後端部分の連続使用後の顕微鏡写真である。
極の後端部分の連続使用後の顕微鏡写真である。
【図５】図４の放電電極の先端部分の顕微鏡写真であ
る。
る。
【図６】従来の放電素子の放電電極の後端部分の連続使
用後の顕微鏡写真である。
用後の顕微鏡写真である。
【図７】図６の放電電極の先端部分の顕微鏡写真であ
る。
る。
１ 放電電極 ２ 絶縁保護層 ３ 絶縁基板 ４ 誘導電極 ５ 絶縁保護層 ６(1) 放電電極の端子 ６(2) 誘導電極の端子
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板の一方の面に放電電極を有し、
他方の面に誘導電極を有し、少なくとも放電電極は導電
性粉末と無鉛ガラスとを主成分とする厚膜導体から成る
ことを特徴とした沿面放電型放電素子。 - 【請求項２】 放電電極と誘導電極とがそれぞれ無鉛ガ
ラスの絶縁保護層を有する請求項１に記載の沿面放電型
放電素子。 - 【請求項３】 絶縁保護層が酸化物フイラーを含む請求
項２に記載の沿面放電型放電素子。 - 【請求項４】 絶縁基板の一方の面に放電電極の形に、
他方の面に誘導電極の形にそれぞれ導電性粉末と無鉛ガ
ラスとを主成分とするペーストを塗布し、焼成すること
を特徴とする沿面放電型放電素子の製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675596A JP4165910B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 沿面放電型放電素子 |
| US08/869,171 US6040055A (en) | 1996-06-06 | 1997-06-04 | Surface discharge element and a method of making the same |
| TW086107768A TW344078B (en) | 1996-06-06 | 1997-06-05 | Surface discharge element and a method of making the same |
| CNB971137021A CN1175714C (zh) | 1996-06-06 | 1997-06-06 | 表面放电元件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16675596A JP4165910B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 沿面放電型放電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09328303A true JPH09328303A (ja) | 1997-12-22 |
| JP4165910B2 JP4165910B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=15837136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16675596A Expired - Fee Related JP4165910B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 沿面放電型放電素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6040055A (ja) |
| JP (1) | JP4165910B2 (ja) |
| CN (1) | CN1175714C (ja) |
| TW (1) | TW344078B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001223154A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光装置、静電偏向器およびその製造方法 |
| KR100712839B1 (ko) * | 2004-09-14 | 2007-05-02 | 엘지전자 주식회사 | 연면 방전형 공기정화장치 |
| WO2020116051A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | アートビーム有限会社 | 放電電極板 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10203543B4 (de) * | 2002-01-29 | 2008-04-30 | Je Plasmaconsult Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines APG-Plasmas |
| CN101621181B (zh) * | 2003-05-15 | 2012-09-12 | 夏普株式会社 | 离子发生元件、离子发生装置、电气设备 |
| JP4063784B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2008-03-19 | シャープ株式会社 | イオン発生素子、イオン発生装置 |
| JP4114573B2 (ja) * | 2003-08-13 | 2008-07-09 | 株式会社村田製作所 | イオン発生部品、イオン発生ユニットおよびイオン発生装置 |
| US7355832B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-04-08 | General Electric Company | Methods and arrangements for reducing partial discharges on printed circuit boards |
| KR101117248B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2012-03-15 | 삼성전자주식회사 | 이온발생용 세라믹 전극 구조물 및 그를 이용한이온발생장치 |
| KR100826453B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2008-04-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 이온 발생유닛 및 이온 발생장치 |
| KR100624732B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2006-09-20 | 엘지전자 주식회사 | 연면 방전형 공기정화장치 |
| JP2013166660A (ja) * | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | オゾン発生素子及びその製造方法 |
| EP3118884A1 (en) | 2015-07-15 | 2017-01-18 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Electrode assembly for a dielectric barrier discharge plasma source and method of manufacturing such an electrode assembly |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP16675596A patent/JP4165910B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-04 US US08/869,171 patent/US6040055A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-05 TW TW086107768A patent/TW344078B/zh not_active IP Right Cessation
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