JPH02275907A - 光導波路の形成方法 - Google Patents
光導波路の形成方法Info
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- JPH02275907A JPH02275907A JP1315961A JP31596189A JPH02275907A JP H02275907 A JPH02275907 A JP H02275907A JP 1315961 A JP1315961 A JP 1315961A JP 31596189 A JP31596189 A JP 31596189A JP H02275907 A JPH02275907 A JP H02275907A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/134—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms
- G02B6/1347—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by substitution by dopant atoms using ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光導波路の形成方法に関し、特にイオン注入
により導波路を形成する技術に関する。
により導波路を形成する技術に関する。
従来、ガラス基板中に光導波路をイオン注入で形成する
方法は、例えば１．に、Ｎａ１ｋ力＜ｆド告している（
八ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ｖｏｗ
、 ４３． Ｎｏ、 ６ 、 ５１９〜５２０
）。
方法は、例えば１．に、Ｎａ１ｋ力＜ｆド告している（
八ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、 ｖｏｗ
、 ４３． Ｎｏ、 ６ 、 ５１９〜５２０
）。
この方法では、溶融石英、光学ガラス、ＳｉＯ□被覆珪
素などから成る基板に窒素をイオン注入し、４６０°Ｃ
１３０分間の熱処理を行なうことにより、０、１ ｄＢ
／ ｃｍという低損失の光導波路が得られたことが報告
されている。
素などから成る基板に窒素をイオン注入し、４６０°Ｃ
１３０分間の熱処理を行なうことにより、０、１ ｄＢ
／ ｃｍという低損失の光導波路が得られたことが報告
されている。
しかしながら、上記従来のイオン注入による光導波路の
形成方法では、５００°Ｃ以上の高温で熱処理すると窒
素濃度が著しく減少し、光導波路が消失してしまうとい
う重大な問題点があった。
形成方法では、５００°Ｃ以上の高温で熱処理すると窒
素濃度が著しく減少し、光導波路が消失してしまうとい
う重大な問題点があった。
基板に対しその表面から、酸化物、窒化物、ハロゲン化
物のいずれかを構成する二種以上のイオンを注入し、必
要に応じて熱処理を加える。光導波路を形成する基板の
材質は、ガラス、セラミックス、半導体、金属のいずれ
であってもよい。
物のいずれかを構成する二種以上のイオンを注入し、必
要に応じて熱処理を加える。光導波路を形成する基板の
材質は、ガラス、セラミックス、半導体、金属のいずれ
であってもよい。
注入するイオン種は、これらが注入された後、基板中で
反応し、酸化物、窒化物、ハロゲン化物のいずれかの化
合物を形成した場合に、使用する光の波長領域で吸収が
小さく、設定したイオンの注入量で基板との屈折率差が
必要量とれることが重要である。
反応し、酸化物、窒化物、ハロゲン化物のいずれかの化
合物を形成した場合に、使用する光の波長領域で吸収が
小さく、設定したイオンの注入量で基板との屈折率差が
必要量とれることが重要である。
注入する元素の注入比は化学量論比に近付けることが導
波路内の光吸収を抑制するうえで望ましい。
波路内の光吸収を抑制するうえで望ましい。
また、注入されるイオン種同士の投影飛程が一致するよ
う、それぞれのイオン種の加速電圧を選定することが望
ましい。イオン注入後の熱処理は本発明で必須ではない
が、光伝送損失を抑制し注入領域の耐久性（耐湿、耐薬
品）を向上するのに有効であり実施が望ましい。
う、それぞれのイオン種の加速電圧を選定することが望
ましい。イオン注入後の熱処理は本発明で必須ではない
が、光伝送損失を抑制し注入領域の耐久性（耐湿、耐薬
品）を向上するのに有効であり実施が望ましい。
熱処理温度は、２００°Ｃ以上で効果があるが、特に基
板の融点あるいはガラス転移点よりも低い温度、または
イオン注入領域の部分のガラス転移点温度以下で、でき
るだけ高温が望ましい。また、イオン注入中に基板を加
熱することも後加熱処理と同様の効果がある。
板の融点あるいはガラス転移点よりも低い温度、または
イオン注入領域の部分のガラス転移点温度以下で、でき
るだけ高温が望ましい。また、イオン注入中に基板を加
熱することも後加熱処理と同様の効果がある。
本発明において、光導波路のバターニング方法について
は特に制限はなく、例えばイオン注入に先立ち、基板を
金属薄膜、板状体等のマスク材で被覆し、このマスク材
には所望の光導波路パターンの開口部を設けておき、こ
の開口部を通してイオン注入を行なう方法、あるいはマ
スク材を使用せず、イオンビームを基板面上の所定導波
路パターン領域に集束させてイオン注入を行なう方法を
用いることができる。さらに、イオン注入処理を一段階
に分けて行ない、マスクや集束イオンビームによる第一
段階のイオン注入後に、基板全面に第二段階のイオン注
入を行なうようにした方法も可能である。
は特に制限はなく、例えばイオン注入に先立ち、基板を
金属薄膜、板状体等のマスク材で被覆し、このマスク材
には所望の光導波路パターンの開口部を設けておき、こ
の開口部を通してイオン注入を行なう方法、あるいはマ
スク材を使用せず、イオンビームを基板面上の所定導波
路パターン領域に集束させてイオン注入を行なう方法を
用いることができる。さらに、イオン注入処理を一段階
に分けて行ない、マスクや集束イオンビームによる第一
段階のイオン注入後に、基板全面に第二段階のイオン注
入を行なうようにした方法も可能である。
また本発明では、イオン注入領域を光導波路として使用
する以外に、光導波路領域のみを残して基板面にイオン
注入を行ない、屈折率の低い層を形成して、未注入箇所
を光導波路として用いるようにしてもよい。
する以外に、光導波路領域のみを残して基板面にイオン
注入を行ない、屈折率の低い層を形成して、未注入箇所
を光導波路として用いるようにしてもよい。
本発明によれば、基板に注入された二種以上の元素は、
それらが互いに結合し、化合物を形成することによって
熱的に安定化するよう作用する。
それらが互いに結合し、化合物を形成することによって
熱的に安定化するよう作用する。
例えば、酸化珪素を主成分とするガラス基材中に窒素を
イオン注入しても、５００°Ｃ以上の高温で熱処理すれ
ばこれら注入した窒素の濃度が著しく低下してしまうが
、基材中に珪素を注入することで窒素が熱的に安定して
存在できるサイトを供給し、熱処理による窒素濃度の低
下を防止できる。
イオン注入しても、５００°Ｃ以上の高温で熱処理すれ
ばこれら注入した窒素の濃度が著しく低下してしまうが
、基材中に珪素を注入することで窒素が熱的に安定して
存在できるサイトを供給し、熱処理による窒素濃度の低
下を防止できる。
〈実施例１〉
第１図ｔａ＋に示すように、まず石英ガラスから成る基
板１の表面に、イオン注入時のマスクとなるＣｒ成膜を
成膜した。
板１の表面に、イオン注入時のマスクとなるＣｒ成膜を
成膜した。
次いで同図（ｂ）に示すように、周知のフォトリソグラ
フィー技術により、上記膜２に光導波路パターンの開口
部３を形成した。
フィー技術により、上記膜２に光導波路パターンの開口
部３を形成した。
次に同図（Ｃ）に示すように、このマスク被覆基板面に
珪素を１００ｋｅＶ 、Ｉ Ｘ １０ ”／ｃＪのドー
ズ量で、さらに窒素を５０ｋｅＶ 、１．３３ Ｘ １
０′７／ｃｔのドーズ量でイオン注入４した。
珪素を１００ｋｅＶ 、Ｉ Ｘ １０ ”／ｃＪのドー
ズ量で、さらに窒素を５０ｋｅＶ 、１．３３ Ｘ １
０′７／ｃｔのドーズ量でイオン注入４した。
〈実施例２〉
第２図ｆａ）に示すように、まず石英ガラスから成る基
板１の表面上の光導波路パターン領域に、ビームを集束
させたイオン注入装置を用いて珪素を、１．００ｋｅ、
■×１０１７／ｃＩｌのドーズ量の条件でイオン注入４
し、その後同図（ｂｌに示すように、ビーム集束しない
通常のイオン注入装置で基板全面に窒素を、５０ｋｅＶ
、１．３３ Ｘ １０ ′７／ｃａのドーズ量の条件
でイオン注入し、さらに同図（Ｃ）に示すようにヒータ
ー６で９００°Ｃ１１時間の熱処理を加えることにより
、珪素が注入されていない導波路外領域に注入された窒
素を除去した。
板１の表面上の光導波路パターン領域に、ビームを集束
させたイオン注入装置を用いて珪素を、１．００ｋｅ、
■×１０１７／ｃＩｌのドーズ量の条件でイオン注入４
し、その後同図（ｂｌに示すように、ビーム集束しない
通常のイオン注入装置で基板全面に窒素を、５０ｋｅＶ
、１．３３ Ｘ １０ ′７／ｃａのドーズ量の条件
でイオン注入し、さらに同図（Ｃ）に示すようにヒータ
ー６で９００°Ｃ１１時間の熱処理を加えることにより
、珪素が注入されていない導波路外領域に注入された窒
素を除去した。
この後Ｃｒ膜２をエツチング除去し、９００°Ｃ１１時
間の熱処理を行った結果、第１図（ｄｉに示すように基
板１中に窒化珪素から成る光導波路５が得られた。
間の熱処理を行った結果、第１図（ｄｉに示すように基
板１中に窒化珪素から成る光導波路５が得られた。
上記方法で作成した光導波路を、二次イオン質量分析法
で調べたところ、熱処理による窒素濃度の減少は認めら
れず、この方法の有効性が確認できた。
で調べたところ、熱処理による窒素濃度の減少は認めら
れず、この方法の有効性が確認できた。
この結果、基板１中には、窒化珪素層から成る所期パタ
ーンの光導波路４が得られた。本実施例方法で得られた
光導波路を二次イオン質量分析法で調べたところ、熱処
理による窒素濃度の減少は認められず、本方法の有効性
を６１ 認できた。
ーンの光導波路４が得られた。本実施例方法で得られた
光導波路を二次イオン質量分析法で調べたところ、熱処
理による窒素濃度の減少は認められず、本方法の有効性
を６１ 認できた。
〈実施例３〉
第１図（ａｌに示すように、石英ガラスまたはサファイ
アからなる基板１０表面にイオン注入時のマスクとなる
Ｃｒ成膜を成膜した。次に、同図（ｂ）に示すように、
周知のフオＩ・リソグラフィー技術により、上記膜２に
光導波路パターンの開口部３を形成した。次に同図ｆｃ
）に示すようＱこ、このマスク被覆基板面にチタンを加
速エネルギー２００ｋｅＶ、ドーズ量Ｌ Ｘ １０１７
ｉｏｎｓ／ ｃａで、さらに酸素を６５ｋｅＶ 、２
Ｘ １０ ｌ７ｉｏｎｓ／ｃＪでそれぞれイオン注入４
した。この後Ｃｒ膜２をエツチング除去し、１ｏｏｏ℃
、１時間の熱処理を行った結果、第１図（ｄｌに示すよ
うに基板１中に酸化チタンを含む領域からなる光導波路
５が得られた。上記方法で作成した長さｌＱｃｍの光導
波路にＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射し、光の伝送を確認し
た。また、上記方法で作成した導波路と、酸素のみを注
入した後に同様に熱処理した試料を二次イオン質量分析
法で調べたところ、酸素のみを注入した試料では、酸素
濃度が注入前の濃度に低下したが、チタンと酸素を注入
した試料では熱処理による酸素濃度の減少は認められず
、この方法の有効性が確認できた。
アからなる基板１０表面にイオン注入時のマスクとなる
Ｃｒ成膜を成膜した。次に、同図（ｂ）に示すように、
周知のフオＩ・リソグラフィー技術により、上記膜２に
光導波路パターンの開口部３を形成した。次に同図ｆｃ
）に示すようＱこ、このマスク被覆基板面にチタンを加
速エネルギー２００ｋｅＶ、ドーズ量Ｌ Ｘ １０１７
ｉｏｎｓ／ ｃａで、さらに酸素を６５ｋｅＶ 、２
Ｘ １０ ｌ７ｉｏｎｓ／ｃＪでそれぞれイオン注入４
した。この後Ｃｒ膜２をエツチング除去し、１ｏｏｏ℃
、１時間の熱処理を行った結果、第１図（ｄｌに示すよ
うに基板１中に酸化チタンを含む領域からなる光導波路
５が得られた。上記方法で作成した長さｌＱｃｍの光導
波路にＨｅ−Ｎｅレーザ光を入射し、光の伝送を確認し
た。また、上記方法で作成した導波路と、酸素のみを注
入した後に同様に熱処理した試料を二次イオン質量分析
法で調べたところ、酸素のみを注入した試料では、酸素
濃度が注入前の濃度に低下したが、チタンと酸素を注入
した試料では熱処理による酸素濃度の減少は認められず
、この方法の有効性が確認できた。
〈実施例４〉
第２図（ａｌに示すように、石英ガラスからなる基板１
の表面上の光導波路パターン上に、ビームを集束させる
ことができるイオン注入装置を用いて、アルミニラ１１
を加速エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量Ｉ Ｘ ｌ
Ｏ”１ｏｎｓ／、ｃＩｌでイオン注入４し、その後同図
（ｂｌに示すように、ビームを集束せずに基板全面に窒
素を加速エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量Ｉ Ｘ １
０１７ｉｏｎｓ／ ｃｔでそれぞれイオン注入４した。
の表面上の光導波路パターン上に、ビームを集束させる
ことができるイオン注入装置を用いて、アルミニラ１１
を加速エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量Ｉ Ｘ ｌ
Ｏ”１ｏｎｓ／、ｃＩｌでイオン注入４し、その後同図
（ｂｌに示すように、ビームを集束せずに基板全面に窒
素を加速エネルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量Ｉ Ｘ １
０１７ｉｏｎｓ／ ｃｔでそれぞれイオン注入４した。
この後、同図（Ｃ）に示すように１０００°ｃ、 １
時間の熱処理を行うことにより、アルミニウムが注入さ
れていない導波路以外の領域に注入された窒素を除去し
た。この結果、基板１中に窒化アルミニウムを含む領域
からなる光導波路５が得られた。上記方法で作成した長
さｌＱｃｍの光導波路にＨｅ −Ｎ ｅレーザ光を入射
し、光の伝送を確認した。上記方法で作成した導波路を
二次イオン質量分析法で調べたところ、熱処理による窒
素濃度の減少は認、められす、この方法の有効性が確認
１できた。
時間の熱処理を行うことにより、アルミニウムが注入さ
れていない導波路以外の領域に注入された窒素を除去し
た。この結果、基板１中に窒化アルミニウムを含む領域
からなる光導波路５が得られた。上記方法で作成した長
さｌＱｃｍの光導波路にＨｅ −Ｎ ｅレーザ光を入射
し、光の伝送を確認した。上記方法で作成した導波路を
二次イオン質量分析法で調べたところ、熱処理による窒
素濃度の減少は認、められす、この方法の有効性が確認
１できた。
〈実施例５〉
第１図（ａ）に示すように、石英ガラスからなる基板１
の表面にイオン注入時のマスクとなるＣｒ成膜を成膜し
た。次に、同図（ｂ）に示すように、周知のフォトリソ
グラフィー技術により、上記膜２に光導波路パターンの
開口部３を形成した。次に同図（Ｃ）に示すように、こ
のマスク被覆基板面にリチウムを加速エネルギー２６ｋ
ｅＶ、 ドーズ量ｌＸｌ０■７ｉｏｎｓ／ｃ＋ｄで、さ
らに塩素を１５０ｋｅＶ 、Ｉ Ｘｌ０１７ｉｏｎｓ／
ｃｒＡでそれぞれイオン注入４した。この後Ｃｒ膜２を
エツチング除去し、１０００℃、１時間の熱処理を行っ
た結果、第１図（ｄｌに示すように基板１中に塩化リチ
ウムを含む領域からなる光導波路５が得られた。上記方
法で作成した長さ１．Ｏｃｍの光導波路にＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光を入射し、光の伝送を確認した。また、上記方法
で作成した導波路と、塩素のみを注入した後に同様に熱
処理した試料を二次イオン質量分析法で調べたところ、
塩素のみを注入した試料では、塩素が熱処理により脱離
したが、リチウムと塩素を注入した試料では熱処理によ
る塩素濃度の減少は認められず、この方法の有効性が確
認できた。
の表面にイオン注入時のマスクとなるＣｒ成膜を成膜し
た。次に、同図（ｂ）に示すように、周知のフォトリソ
グラフィー技術により、上記膜２に光導波路パターンの
開口部３を形成した。次に同図（Ｃ）に示すように、こ
のマスク被覆基板面にリチウムを加速エネルギー２６ｋ
ｅＶ、 ドーズ量ｌＸｌ０■７ｉｏｎｓ／ｃ＋ｄで、さ
らに塩素を１５０ｋｅＶ 、Ｉ Ｘｌ０１７ｉｏｎｓ／
ｃｒＡでそれぞれイオン注入４した。この後Ｃｒ膜２を
エツチング除去し、１０００℃、１時間の熱処理を行っ
た結果、第１図（ｄｌに示すように基板１中に塩化リチ
ウムを含む領域からなる光導波路５が得られた。上記方
法で作成した長さ１．Ｏｃｍの光導波路にＨｅ−Ｎｅレ
ーザ光を入射し、光の伝送を確認した。また、上記方法
で作成した導波路と、塩素のみを注入した後に同様に熱
処理した試料を二次イオン質量分析法で調べたところ、
塩素のみを注入した試料では、塩素が熱処理により脱離
したが、リチウムと塩素を注入した試料では熱処理によ
る塩素濃度の減少は認められず、この方法の有効性が確
認できた。
本発明により、耐熱性の高い基板上に熱的安定性に優れ
た光導波路を形成することで、発光・受光素子の製造プ
ロセスに耐える光導波路付きオプトエレクトロニクス用
基板をつくることができる。
た光導波路を形成することで、発光・受光素子の製造プ
ロセスに耐える光導波路付きオプトエレクトロニクス用
基板をつくることができる。
また、光導波路の形成において、目的とする波長領域で
吸収が小さく、基板との屈折率差が大きい化合物を選択
することにより（例えば窒化珪素の屈折率は〜２．１で
あるが、酸化チタンのそれは〜２．５である）、必要と
する屈折率差を得るためのイオン注入量を減少させるこ
とが可能であり、導波路形成にかかるコストが低減でき
る。
吸収が小さく、基板との屈折率差が大きい化合物を選択
することにより（例えば窒化珪素の屈折率は〜２．１で
あるが、酸化チタンのそれは〜２．５である）、必要と
する屈折率差を得るためのイオン注入量を減少させるこ
とが可能であり、導波路形成にかかるコストが低減でき
る。
さらに、光導波路が形成できる基板材料の種類を従来よ
り広げることができた。
り広げることができた。
第１図（ａ）〜ｆｄｌは本発明の第１の実施例を段階的
に示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ１は本発明の第２の
実施例を示す断面図である。
に示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ１は本発明の第２の
実施例を示す断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板に対し、その表面から酸化物、窒化物、ハロゲ
ン化物のいずれかを構成する二種以上のイオンを注入す
ることを特徴とする光導波路の形成方法。 ２）請求項第１項において、前記イオンが珪素及び窒素
である光導波路の形成方法。 ３）請求項第１項において、前記イオンがチタン及び酸
素である光導波路の形成方法。 ４）請求項第１項において、前記イオンがアルミニウム
及び窒素である光導波路の形成方法。 ５）請求項第１項において、前記イオンがリチウム及び
塩素である光導波路の形成方法。 ６）請求項第１項において、前記イオン注入に先立ち、
前記基板表面を所定の導波路パターンの開口を残してマ
スク材で被覆し、しかる後該開口を通して基板中へのイ
オン注入を行なうか、あるいは前記イオン注入処理を二
段階に分けて行ない、第一段階のイオン注入後にマスク
を除去し、第二段階のイオン注入を基板全面に対して行
なうようにした光導波路の形成方法。 ７）請求項第１項において、前記イオン注入処理を集束
イオンビームを用いて行なうか、あるいは前記イオン注
入処理を二段階に分けて行ない、集束イオンビームによ
る第一段階イオン注入後に、基板全面に第二段階のイオ
ン注入を行なうようにした光導波路の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315961A JP2598533B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-12-05 | 光導波路の形成方法 |
| US07/466,838 US5066514A (en) | 1989-01-26 | 1990-01-18 | Method of forming optical waveguides by ion implantation |
| EP90101626A EP0380138B1 (en) | 1989-01-26 | 1990-01-26 | Method of forming optical waveguide |
| DE69011882T DE69011882D1 (de) | 1989-01-26 | 1990-01-26 | Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleiters. |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-17071 | 1989-01-26 | ||
| JP1707189 | 1989-01-26 | ||
| JP1315961A JP2598533B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-12-05 | 光導波路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275907A true JPH02275907A (ja) | 1990-11-09 |
| JP2598533B2 JP2598533B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=26353534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315961A Expired - Fee Related JP2598533B2 (ja) | 1989-01-26 | 1989-12-05 | 光導波路の形成方法 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| EP (1) | EP0380138B1 (ja) |
| JP (1) | JP2598533B2 (ja) |
| DE (1) | DE69011882D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005519322A (ja) * | 2002-03-01 | 2005-06-30 | シリオス テクノロジー | ２つの別個のチャネルを備えた光学モードアダプタ |
| US7378050B2 (en) | 2000-12-20 | 2008-05-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing translucent ceramic |
| JP2019524613A (ja) * | 2016-06-28 | 2019-09-05 | コーニング インコーポレイテッド | 接触損傷に対する高い耐性を有する、薄いガラス系物品 |
| JP2019192633A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | コマディール・エス アー | 少なくとも部分的に光透過性のアモルファス、半結晶性又は結晶性の材料によって作られた物に装飾パターン又は技術的パターンを形成する方法 |
Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
| DE4022090A1 (de) * | 1989-12-18 | 1991-06-20 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Elektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US5510154A (en) * | 1992-12-03 | 1996-04-23 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Low-velocity electron excited phosphor and method for producing same |
| FR2712396B1 (fr) * | 1993-11-12 | 1995-12-22 | Merlin Gerin | Procédé de fabrication d'un dispositif d'optique intégrée et dispositif ainsi fabriqué. |
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| JP2000058423A (ja) | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| FR2818390B1 (fr) * | 2000-12-15 | 2003-11-07 | Ion Beam Services | Guide d'onde comportant un canal sur un substrat optique |
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| SG11201702303WA (en) * | 2014-10-24 | 2017-05-30 | Agc Glass Europe | Ion implantation process and ion implanted glass substrates |
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|---|---|---|---|---|
| DE2553685C2 (de) * | 1975-11-28 | 1985-05-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Herstellung eines optischen Richtkopplers |
| US4262056A (en) * | 1978-09-15 | 1981-04-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Ion-implanted multilayer optical interference filter |
| US4847504A (en) * | 1983-08-15 | 1989-07-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for ion implantation |
| US4521443A (en) * | 1984-05-07 | 1985-06-04 | Northrop Corporation | Integrated optical waveguide fabrication by ion implantation |
| JPS61209975A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-18 | 株式会社豊田中央研究所 | 炭化珪素セラミツクス体の強化方法 |
| US4840816A (en) * | 1987-03-24 | 1989-06-20 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of fabricating optical waveguides by ion implantation doping |
| US4789642A (en) * | 1987-03-26 | 1988-12-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for fabricating low loss crystalline silicon waveguides by dielectric implantation |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1315961A patent/JP2598533B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-18 US US07/466,838 patent/US5066514A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-26 DE DE69011882T patent/DE69011882D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-01-26 EP EP90101626A patent/EP0380138B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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| DE69011882D1 (de) | 1994-10-06 |
| JP2598533B2 (ja) | 1997-04-09 |
| US5066514A (en) | 1991-11-19 |
| EP0380138A2 (en) | 1990-08-01 |
| EP0380138A3 (en) | 1991-10-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |