JPS61209975A - 炭化珪素セラミツクス体の強化方法 - Google Patents

炭化珪素セラミツクス体の強化方法

Info

Publication number
JPS61209975A
JPS61209975A JP60051522A JP5152285A JPS61209975A JP S61209975 A JPS61209975 A JP S61209975A JP 60051522 A JP60051522 A JP 60051522A JP 5152285 A JP5152285 A JP 5152285A JP S61209975 A JPS61209975 A JP S61209975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
atoms
ceramic body
silicon carbide
strengthening
implanted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60051522A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH022831B2 (ja
Inventor
上垣外　修己
土井　晴夫
正治 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Central R&D Labs Inc filed Critical Toyota Central R&D Labs Inc
Priority to JP60051522A priority Critical patent/JPS61209975A/ja
Priority to US06/834,578 priority patent/US4774103A/en
Publication of JPS61209975A publication Critical patent/JPS61209975A/ja
Publication of JPH022831B2 publication Critical patent/JPH022831B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/0027—Ion-implantation, ion-irradiation or ion-injection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
    • C04B41/5062—Borides, Nitrides or Silicides
    • C04B41/5066—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S423/00—Chemistry of inorganic compounds
    • Y10S423/09—Reaction techniques

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は。炭化珪素セラミックスの表面層に窒化珪素を
生成させて炭化珪素（８ｉＣ）セラミックスを強化する
方法に関するものである。
〔従来技術および問題点〕
窒化珪素、炭化ケイ素、アルミナなどのセラミックスは
１機械部品用として優れたセラミックスである。これら
のセラミックスの性質は、おおむね満足すべきものであ
る。例えば窒化珪素焼結体の強度は、単純な形状ではＩ
　ＧＰ４６るいはそれ以上である。しかしながら実際に
使用される機械部品は、複雑な形状をしており１局部的
に強度の弱い部分を生じる。そのためこの部分がセラミ
ックスの性能を限定してしまう。このような局部の強化
は、設計およびプロセスの改良、物質組成の最適化など
によって行なわれるが、必ずしも十分であるとは云えな
い。
そこで２発明者らはセラミックス体にイオンを打込んで
、セラミックスの表面を改質することが出来れば、セラ
ミックス表面の欠陥感受性が低下して、セラミックス体
の強度が向上し、セラミックス部品を局所的に強化する
技術を与えることが出来るのではないかと考え１種々の
研究を進めた。
その結果２本発明を為すに至った。
本発明の目的は、炭化珪素セラミックス体に。
珪素および窒素原子を打込んだのち、加熱処理すること
によって、該セラミックス体の表面を強化する方法、を
提供することである。
〔本発明の構成および作用〕
本発明は、炭化珪素セラミックス体に珪素（８ｉ　）お
よび窒素（Ｎ）原子を打込んだのち、非酸化性雰囲気中
で加熱することにより、該セラミックス体を強化するこ
とを特徴とするセラミックス体の強化方法である。
本発明におけるセラミックス体は炭化珪素（８ｉＱ粉末
を所望の形状に圧粉後、焼成したものである。
該セラミックス体には焼結に際して焼結用助剤。
Ｂ　、　Ｃ、ＢＮ、　ｋｌ、　ＡＩＮ、　Ｂｅ、　ＡＩ
、Ｏ，、Ｙ、０１等の添加成分が含まれていてもよい、
。また、製造方法としては、常圧焼結、ホットプレス、
ｆＬＩＰ等、いずれの方法でもよい。セラミックス体の
表面は。
８ｉおよびＮ原子の打込みに先立って、応力集中を生じ
るような凹凸をなくすために、０．５Ｓ程度に研摩し、
さらに、アセトン等の有機溶媒で洗浄しておくのがよい
。そうして、セラミックス体の所望部に８ｉおよびＮを
打込む。打込み深さは００３〜２．０μｍ程度がセラミ
ックス体の強度向上から見て望ましい。８ｉおよびＮ原
子の打込みは各々加熱して得た８ｉ蒸気あるいはＮ２ガ
スをイオン源中に送り込みイオン化した後、加速管中で
加速した高エネルギーイオンにて行なう。８ｉ原子およ
びＮ原子を照射する順序は、いずれを先にしてもよいが
、Ｎ原子の打込み量を多くする場合には、Ｎ原子の打込
みによってブリスターが生じたりするので、８１原子を
先に打込む方がよい。
具体的な加速器としては、コツククロフト、パンデグヲ
ー７．綿形加速器、サイクロトロン等を使用することが
できる。
８ｉ、Ｎ原子の照射量比としては、原子比（８ｉ／Ｎ）
が８ｉｓＮ４化合物の原子比。すなわち３／４を中心に
して、２．４／４〜五６／４にするのがよい。照射量は
、　８ｉ原子で１．２　Ｘ　１０〜５×１０１６イオン
／ｆ噛、Ｎ原子の照射量は、上記原子比に対応する量と
するのがよい、Ｊ８ｉ、Ｎの原子比が前記範囲外の場合
には、後の熱処理によって生成する窒化珪素の量が少な
くなる。また、８１原子の照射量が上記範囲以下では、
セラミックス体強化の程度が若干低下する。逆に該照射
量が上記範囲より多くても。
それに見合うだけの強度向上が得られない。
上記８ｉ原子、Ｎ原子を加速するだめのエネルギーは、
　５０　ｋｅＶ〜２　ＭｅＶの範囲が望ましい。各原子
の加速エネルギーは、各原子のセラミックス体への浸入
深さに関連して決定する。加速エネルギーが低いと、各
原子はセラミックス体の極く浅い部分にしか打込めず、
後の熱処理により得られる窒化珪素と、炭化珪素との結
合が充分でなく、セラミックス体の強化に結びつきにく
い。一方、加速エネルギーを大きくし過ぎても、大きく
した効果は得られにくい。
上記のように、セラミックス体に８ｉ原子、Ｎ原子を打
込んだのち、該セラミックス体を非酸化性雰囲気中で加
熱処理を行い、打込んだ８１とＮラム、窒素ガス中がよ
い。また、これらのガスに水素を５〜２０容量％、望ま
しくは８〜１２容量％加えるのが、ＳＲとＮを化合させ
るという目的から見て望ましい。
加熱処理の温度は、１１００〜１６００℃９処理時間は
α５〜５時間程度が望ましい。加熱温度が１１００℃未
満の場合には、８ｉ、Ｎ原子の結合が得られに＜＜、セ
ラミックス体の強化につながりにくい。一方、温度が１
６００℃より高くなると、打込んだ原子、主としてＮ原
子の散逸割合が急激に大きくなる。
本加熱処理によって１表面に鼠化珪素を含有する層を有
するセラミックス体を得ることができる。
該セラミックス体において、窒化珪素は、炭化珪素粒子
表面で化合するため、炭化珪素粒子にしっかりと密着し
た状態で分散している。該セラミックスの表面には、加
熱処理後の冷却中に、窒化珪素と炭化珪素の熱膨張差に
起因する圧縮応力が残留する。窒化珪素の熱膨張率は、
約３　Ｘ　１０′１／’Ｃ炭化珪素のそれは約５×１０
４１／”Ｃであり、冷却過程において窒化珪素の方が炭
化珪素よりも収縮量が小さい。すなわち窒化珪素を含有
する表面層ラミックス体強化の原因の一つと考えられる
。
〔本発明の効果〕
炭化珪素と窒化珪素との間には化合物の形成あるいは固
溶等の現象は生じないので、従来の化学的な方法で両者
をセラミックス表面で混合し、しかも両セラミックスの
間をしっかりと密着させることは困難であった。しかし
９本発明によれば。
炭化珪素セラミックス体の表面に８１およびＮ原子を打
込み、しかる後これらの原子を、化学的に結会させて、
炭化珪素中に緻密に分散した窒化珪素としたので、セラ
ミックス体表面が改善され。
該セラミックス体の欠陥感受度が低下して、破壊しにく
くなる。
〔実施例〕
実施例　１゜ 炭化珪素セラミックス粉末を焼成し、見られた焼結体を
ＪＩＳ曲げ強度評価用試験片（寸法５×４ｘ４（ｌｆｌ
）に加工し９表面を符６００の研肖障石でα５Ｓ程度に
仕上げた。その後、アセトンを用いて超音波洗浄した。
試料洗浄後、コツククロフト型加速器のサンプルホルダ
ーに上記試験片を。
その幅４ｆｌの面が原子打込み面になるように取シつけ
、Ｓｉ原子、Ｎ原子の順序で打込んだ、、８１原子の加
速エネルギーは４００　ｋｅＶとし、打込み量は２　Ｘ
　１０１７個／ｉとした。８ｉ原子のセラミックス体中
での飛程計算値は約５６５０±８００盈である。８１原
子打込み後、Ｎ原子を打込んだ。Ｎ原子の加速エネルギ
ーは２００　ｋｅＶで、打込み量は、Ｓｉ原子打込み量
の１．５３倍とした。Ｎ原子のセラミックス体中での飛
程計算値は、約３５００士７００Ｘで８１原子と同程度
の飛程になるようにした。
８ｉ、Ｎ原子を打込んだのち２種々の温度で加熱処理し
た。加熱温度は第１表に示すように１０００〜１７００
℃とし、加熱雰囲気は、凡ガスに１０容量％のルガスを
混合したガス雰囲気とした。また。
加熱時間は２時間で一定とした。
上記のように処理した試験片の曲げ破断強度を測定した
。曲げ試験は、　８ｉ　、　Ｎ原子打込゛面が引張負荷
となるように４点曲げにより行なった。なお。
試験片の支持スパンは５０Ｂ、負荷支点のスパンは１０
ｊＥＩＩｇとした。
また、比較例として、８ｉ、Ｎ原子を打込んだままのも
の（ＡＣｌ）および打込んでいないもの（Ａｃ１）につ
いても試験を実施した。試験本数は各条件について５本
ずつとした。結果を第１表に示す。
第１表の結果から明らかなように、セラミックス体の曲
げ強度は、８ｉ、Ｎ原子を打込んだだけでは（ＡＣｌ）
、打込まなかった場会（ム０２）と曲げ破断強度はあま
り変らない。加熱処理の温度が１０００℃以上になると
９強度は増大し、１４００〜１５００℃の温度で最大と
なる。１６００℃を越えると、再び未処理の強度と同程
度となる。
実施例　Ｚ 実施例１と同じ材質２寸法の曲げ試験片を用意し、実施
例１と同様の装置、方法により、　８ｉ、Ｎ原子を打込
んだ。加熱処理は窒素雰囲気中で１４００℃，２時間保
持の条件とした。その後、５ｉ！施例１と同様の曲げ試
験を行ない９曲げ破断強度を求めた。その結果を ４原子打込み量とともに第２表に示す。
第　　２　表 第２表の結果かられかるように、原子打込み量の増加と
ともに９曲げ破断強度が高くなる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）炭化珪素セラミックス体に珪素および窒素原子を
    打込んだのち、非酸化性雰囲気中で加熱することにより
    、該セラミックス体を強化する、ことを特徴とするセラ
    ミックス体の強化方法。
  2. （２）上記珪素および窒素原子は、それぞれ１．２×１
    ０＾１＾７〜５×１０＾１＾６イオン／ｃｍ＾■および
    １．６×１０＾１＾７〜６．７×１０＾１＾６イオン／
    ｃｍ＾■の打込み量であることを特徴とする特許請求の
    範囲第（１）項記載のセラミックス体の強化方法。
  3. （３）上記加熱は、１０００〜１６００℃で行うことを
    特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のセラミック
    ス体の強化方法。
JP60051522A 1985-03-14 1985-03-14 炭化珪素セラミツクス体の強化方法 Granted JPS61209975A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60051522A JPS61209975A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 炭化珪素セラミツクス体の強化方法
US06/834,578 US4774103A (en) 1985-03-14 1986-02-28 Method of reinforcing a ceramic body of silicon carbide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60051522A JPS61209975A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 炭化珪素セラミツクス体の強化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61209975A true JPS61209975A (ja) 1986-09-18
JPH022831B2 JPH022831B2 (ja) 1990-01-19

Family

ID=12889343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60051522A Granted JPS61209975A (ja) 1985-03-14 1985-03-14 炭化珪素セラミツクス体の強化方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4774103A (ja)
JP (1) JPS61209975A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021145110A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 日本特殊陶業株式会社 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5516595A (en) * 1986-09-16 1996-05-14 Lanxide Technology Company, Lp Production of ceramic and ceramic-metal composite articles with surface coatings
US5064788A (en) * 1986-09-16 1991-11-12 Lanxide Technology Company, Lp Production of ceramic and ceramic-metal composite articles with surface coatings
US5021107A (en) * 1988-01-19 1991-06-04 Holko Kenneth H Process for joining or coating carbon-carbon composite components
JP2598533B2 (ja) * 1989-01-26 1997-04-09 日本板硝子株式会社 光導波路の形成方法
US6252741B1 (en) * 1999-05-11 2001-06-26 Greenleaf Technologies Thin film magnetic recording head with treated ceramic substrate
CN100404464C (zh) * 2005-07-28 2008-07-23 西北工业大学 碳/碳复合材料基二硅化钽/碳化硅涂层及其制备方法
US8895994B2 (en) 2012-06-27 2014-11-25 Schlumberger Technology Corporation Electronic device including silicon carbide diode dies

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB478016A (en) * 1936-10-05 1938-01-11 Paul Marth Improvements in a process for producing very hard substances of high mechanical resistance
NL249549A (ja) * 1959-03-27 1900-01-01
NL6707515A (ja) * 1967-05-31 1968-12-02
US3725099A (en) * 1970-12-23 1973-04-03 American Cyanamid Co White silicon carbide sosoloids
US3900636A (en) * 1971-01-21 1975-08-19 Gillette Co Method of treating cutting edges
GB2075965B (en) * 1980-05-14 1983-10-05 Dresser Ind Nitride bonded refractory shapes and their production
JPS57149867A (en) * 1981-03-12 1982-09-16 Asahi Glass Co Ltd Treatment of ceramic sintering raw material
JPS59107908A (ja) * 1982-12-08 1984-06-22 Toyo Soda Mfg Co Ltd 焼結性に優れた窒化珪素粉末の製造法
FR2544335B1 (fr) * 1983-04-13 1987-08-14 Armines Procede de fabrication de pieces ou poudres en un compose de silicium ou d'un metal, par reaction de pieces ou poudres de silicium ou d'un metal a l'etat solide sur un gaz
JPS6115967A (ja) * 1984-06-29 1986-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 表面処理方法
US4571348A (en) * 1984-08-08 1986-02-18 General Motors Corporation Reducing hydrogen content of vacuum deposited films
FR2573243B1 (fr) * 1984-11-12 1986-12-26 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication par catalyse d'une couche ayant une forte anisotropie magnetique dans un grenat ferrimagnetique
CA1282943C (en) * 1985-01-17 1991-04-16 George A. Rossetti, Jr. Fiber-reinforced ceramic and process therefor
US4592129A (en) * 1985-04-01 1986-06-03 Motorola, Inc. Method of making an integral, multiple layer antireflection coating by hydrogen ion implantation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021145110A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 日本特殊陶業株式会社 真空チャック、真空チャックの表面改質方法、および真空チャックの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4774103A (en) 1988-09-27
JPH022831B2 (ja) 1990-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61209975A (ja) 炭化珪素セラミツクス体の強化方法
JPS63126916A (ja) プレセラミック重合体の不融化方法
EP0152951B1 (en) Method of strengthening ceramics
JP4290551B2 (ja) 炭化ケイ素焼結体治具の製造方法
Pivin et al. Ion irradiation of preceramic polymer thin films
JP2010001183A (ja) 改質ガラスの製造方法
JPS5850944B2 (ja) 窒化けい素系複合焼結体の製造法
US20030121475A1 (en) Wafer support and peripheral parts thereof
JPH01252581A (ja) 窒化物セラミツクスの製造方法
JPH02275760A (ja) 繊維強化ｂ↓４ｃ複合体の製造方法
JPH11147769A (ja) 窒化珪素セラミック材及びその製造方法
JPH054353B2 (ja)
JPS61110758A (ja) ＷＣ−Ｃｏ系超硬合金の低温浸炭方法
JPS6221776A (ja) アルミナセラミツクスの強化方法
JPS6389462A (ja) 窒化珪素質焼結体の製造方法
Pozdova et al. Mechanical spectroscopy of Fe-Al-C alloys ordering
JPS5864271A (ja) 窒化けい素焼結体
JP2825338B2 (ja) 炭化ケイ素セラミックスの製造方法
JPS60239378A (ja) セラミツクスの強化方法
JPS5939769A (ja) 窒化けい素の焼結方法
JPH0610115B2 (ja) 複合セラミツクスの製造法
CN121044895A (zh) 陶瓷材料、陶瓷构件及其制备方法
JPH02167864A (ja) サイアロン焼結体の熱処理方法
KR960006589B1 (ko) 침탄로를 이용한 침붕방법
Butt Thermodynamics, kinetics, and durability of silicon carbide materials in nitrogen-hydrogen-carbon monoxide gaseous environments at elevated temperatures