JPH02275910A - 光ファイバの固定方法 - Google Patents
光ファイバの固定方法Info
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- JPH02275910A JPH02275910A JP1098411A JP9841189A JPH02275910A JP H02275910 A JPH02275910 A JP H02275910A JP 1098411 A JP1098411 A JP 1098411A JP 9841189 A JP9841189 A JP 9841189A JP H02275910 A JPH02275910 A JP H02275910A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は光ファイバを用いて構成した研磨型光カプラに
関し、基板と光ファイバの固定方法の改善に関する。
関し、基板と光ファイバの固定方法の改善に関する。
〈従来の技術〉
第５図は従来の光フアイバカプラを示ずものである。図
において１は例えば石英ガラス等からなる一対の基板で
あり、それぞれの基板には光ファイバ２か埋め込まれ１
例えばａ側から入射した光がす、ｃ側に所定の分岐比で
分岐される。
において１は例えば石英ガラス等からなる一対の基板で
あり、それぞれの基板には光ファイバ２か埋め込まれ１
例えばａ側から入射した光がす、ｃ側に所定の分岐比で
分岐される。
第６図（ａ）〜（ｃ）は上記カプラの概略製作工程を示
す図で９ （ａ）は基板１に曲率半径ｒで講８を形成し
、この溝の曲面に沿って光ファイバ２を埋設／固定した
状態を示す斜視図である。
す図で９ （ａ）は基板１に曲率半径ｒで講８を形成し
、この溝の曲面に沿って光ファイバ２を埋設／固定した
状態を示す斜視図である。
（ｂ）は基板１の表面の点線で示す部分を研磨した状態
を示ず断面図である。研磨は光ファイバのクラッド３と
コア４の距離が数μｍとなるまで行う。（、ｃ）は上記
（ａ）、（ｂ）の工程で製作した２つの基板を固定させ
る前の状態を示す斜視図である。この場合、基板は研磨
したクラッド３のｅで示す部分を密着させて固定する。
を示ず断面図である。研磨は光ファイバのクラッド３と
コア４の距離が数μｍとなるまで行う。（、ｃ）は上記
（ａ）、（ｂ）の工程で製作した２つの基板を固定させ
る前の状態を示す斜視図である。この場合、基板は研磨
したクラッド３のｅで示す部分を密着させて固定する。
上記構成によれば２つのコアが数μｍの所まで接近した
状態になる。このようにコア同士か接近すると、光はそ
れぞれのコアを独立に伝搬せず互いに光パワーの授受を
行いながら伝搬する。このため、一方のコアに光を入射
すると、その光は他方のコアに結合する。従って２本の
コア間の距離と結合部分の長さを調整することにより必
要な分岐比を得ることが出来る。
状態になる。このようにコア同士か接近すると、光はそ
れぞれのコアを独立に伝搬せず互いに光パワーの授受を
行いながら伝搬する。このため、一方のコアに光を入射
すると、その光は他方のコアに結合する。従って２本の
コア間の距離と結合部分の長さを調整することにより必
要な分岐比を得ることが出来る。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記構成の光カプラにおいては光ファイ
バを基板の溝に固定する際に光硬化性接着剤を用いて固
定しているので１周囲温度が変化した場合基板と接着剤
の熱膨脹係数の違い（光硬化性接着剤の膨張係数は石英
ガラスの１００〜１０００倍稈度ある）に基づく変位に
より、２つの基板に固定された光ファイバの接触位置が
変化し。
バを基板の溝に固定する際に光硬化性接着剤を用いて固
定しているので１周囲温度が変化した場合基板と接着剤
の熱膨脹係数の違い（光硬化性接着剤の膨張係数は石英
ガラスの１００〜１０００倍稈度ある）に基づく変位に
より、２つの基板に固定された光ファイバの接触位置が
変化し。
分岐比が変化するという問題があった。
本発明は上記従来技術にお（する問題を解決する為に成
されたもので、基板と光ファイバを接着剤を用いずに固
定する事により温度依存性のない光フアイバカプラを提
供することを目的とする。
されたもので、基板と光ファイバを接着剤を用いずに固
定する事により温度依存性のない光フアイバカプラを提
供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
上記課題を解決するための本発明の構成は請求項１に関
しては ａ）熱膨脹係数か光ファイバと同程度の金属性基板表面
の深さ方向に所定の曲率半径で光ファイバを埋設する溝
を加工する工程と ｂ）光ファイバの一部に金属薄膜を付着する工程と。
しては ａ）熱膨脹係数か光ファイバと同程度の金属性基板表面
の深さ方向に所定の曲率半径で光ファイバを埋設する溝
を加工する工程と ｂ）光ファイバの一部に金属薄膜を付着する工程と。
、ｃ）前記基板の講に前記す工程で加工した光ファイバ
を配設する工程と。
を配設する工程と。
ｄ）前記光ファイバを配設した基板にメツキを方也ず工
程とを含むものであり。
程とを含むものであり。
請求項２に関しては
ａ）ガラス基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光フ
ァイバを埋設する溝を加工する工程と。
ァイバを埋設する溝を加工する工程と。
ｂ）前記ガラス基板の消に光ファイバを配設する」−程
と 、ｃ）前記溝に有機挂素化合物を主成分とする液体を注
入して加水分解反応により前記溝中にゲル状のシリカを
形成する工程と。
と 、ｃ）前記溝に有機挂素化合物を主成分とする液体を注
入して加水分解反応により前記溝中にゲル状のシリカを
形成する工程と。
ｄ）前記基板を加熱して前記ゲル状のシリカをガラス化
する工程を含むものであり。
する工程を含むものであり。
請求項３に関しては。
ａ）ガラス基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光フ
ァイバを埋設する溝を加工する工程とｂ）前記ガラス基
板の溝部に燃焼している挂素化合物の炎を当て、その燃
焼によって生ずるＳｉｏ２の微小な粒子を前記泊にわず
かにイｆ、積さぜる工程と 、ｃ）前記酒に光ファイバを配設する１１．稈とｄ）前
記基板の溝部に燃焼している拝素化合物を照射し、前記
渦に５ｊＯ２の微小な粒子を更に堆積させる工程と ｅ）前記基板を加熱して前記堆積させなＳｉＯ２の微小
な粒子を焼結する工程を含むものであり請求項４に関し
ては ａ）石英基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光ファ
イバを埋設する泊を加工する工程とｂ）前記基板の渦に
光ファイバを配置し、前記講と光ファイバの隙間に前記
基板と同程度の熱膨脹係数を有する結晶化ガラスの粉末
を充填する工程と 、ｃ）前記基板を加熱して前記充填した結晶化ガラスの
粉末を焼結する工程を含むものである。
ァイバを埋設する溝を加工する工程とｂ）前記ガラス基
板の溝部に燃焼している挂素化合物の炎を当て、その燃
焼によって生ずるＳｉｏ２の微小な粒子を前記泊にわず
かにイｆ、積さぜる工程と 、ｃ）前記酒に光ファイバを配設する１１．稈とｄ）前
記基板の溝部に燃焼している拝素化合物を照射し、前記
渦に５ｊＯ２の微小な粒子を更に堆積させる工程と ｅ）前記基板を加熱して前記堆積させなＳｉＯ２の微小
な粒子を焼結する工程を含むものであり請求項４に関し
ては ａ）石英基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光ファ
イバを埋設する泊を加工する工程とｂ）前記基板の渦に
光ファイバを配置し、前記講と光ファイバの隙間に前記
基板と同程度の熱膨脹係数を有する結晶化ガラスの粉末
を充填する工程と 、ｃ）前記基板を加熱して前記充填した結晶化ガラスの
粉末を焼結する工程を含むものである。
く作用〉
光ファイバの固定部材として基板と同程度の熱膨脹係数
を有する金属やガラスを用いているので温度変動に対す
る基板と光ファイバの位置変化が少ない。
を有する金属やガラスを用いているので温度変動に対す
る基板と光ファイバの位置変化が少ない。
〈実施例〉
以下１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図（ａ）〜（ｄ）は本発明の請求項１に関する一実施例
を示す概略製作工程図である。
図（ａ）〜（ｄ）は本発明の請求項１に関する一実施例
を示す概略製作工程図である。
工程（ａ＞
金属性基板１に所定の曲率半径で講８を形成する。この
例においては基板材質として熱膨脹係数が光ファイバと
同程度な超低熱膨脹合金（例えば商品名スーパーインバ
ー・・・Ｆｅ６３％、 −Ｎｉ３２％ −Ｃｏ５％）を
用い、講はタイシングツやワイヤーンー等を用いて形成
する。
例においては基板材質として熱膨脹係数が光ファイバと
同程度な超低熱膨脹合金（例えば商品名スーパーインバ
ー・・・Ｆｅ６３％、 −Ｎｉ３２％ −Ｃｏ５％）を
用い、講はタイシングツやワイヤーンー等を用いて形成
する。
工程（ｂ）
光ファイバ２の基板に固定される外周部分に金属１０を
付着さぜる。付着金属としては例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｂ
等光ファイバに対して強固に固着する材質を使用する。
付着さぜる。付着金属としては例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｂ
等光ファイバに対して強固に固着する材質を使用する。
金属を付着させる手段としては溶射、スパッタ、蒸着等
を用いる。
を用いる。
工程（ｃ）
溝８の部分を除いて基板全体にレジメｌ〜１１を塗布後
、工程１〕て作成した光ファイバ２を基板の講に配置し
て接着テープや針金等を用いて光ファイバか講の底部で
、かつ、講のＲに沿った状態で配設する。
、工程１〕て作成した光ファイバ２を基板の講に配置し
て接着テープや針金等を用いて光ファイバか講の底部で
、かつ、講のＲに沿った状態で配設する。
工程（ｄ）
に程Ｃで作製した基板をめっき層に入れ、めっきを行う
。めっき液としては硫酸ニッケル、硫酸鉄、硝酸コバル
１〜の混合液を用いる。（ｄ）図において１２はめっき
層、１３は電源、１４は白金等の陽極、］５はめっき液
、１６は収（＝Ｉけ台である。
。めっき液としては硫酸ニッケル、硫酸鉄、硝酸コバル
１〜の混合液を用いる。（ｄ）図において１２はめっき
層、１３は電源、１４は白金等の陽極、］５はめっき液
、１６は収（＝Ｉけ台である。
（ｅ）図は光ファイバか埋設された泊にめっきが施され
光ファイバか固定された状態を示している。
光ファイバか固定された状態を示している。
上記（ａ）〜（ｄ＞の工程によれば光ファイバを接着剤
を用いることなく基板に固定する事が出来る。
を用いることなく基板に固定する事が出来る。
第２図（ｂ）〜（ｄ）は請求項２に関する一実施例を示
す概略製作工程図である。なお、ここでは工程（ａ）と
しての基板の製作工程は省略するが、利質、形状および
光ファイバ即設溝とも第５図で示ず従来例と同様に千１
英ガラスで形成されているものとする。
す概略製作工程図である。なお、ここでは工程（ａ）と
しての基板の製作工程は省略するが、利質、形状および
光ファイバ即設溝とも第５図で示ず従来例と同様に千１
英ガラスで形成されているものとする。
工程（ｂ）
ガラス基板の溝に光ファイバを配設して請求項１で述べ
たと同様に配設し、この光ファイバが配設された渦に有
機桂素系化合物を主成分とする液体を付着させる。この
液体としては例えばＳｉ（Ｃ２１Ｔ５０ ）Ｔ ） ４
に１（２０，およびＧｃ０２Ｂ２０３を加えたものを用
いる。この場合８２０は加水分解を早める為に機能し、
Ｇｅ ０２ 、 Ｂ２Ｏ３はゲル状のシリカをガラス
化する際に加熱温度を低下させる為に機能する。なお、
前記液体は光ファイバの」−面を覆い、湯からこぼれ落
ちない程度の量とする。上記のまま基板を大気中に放置
（１２時間程度）シ、前記液体を加水分解反応によりゲ
ル状のシリカ（ＳｉとＯＨが結びついたもの）とする。
たと同様に配設し、この光ファイバが配設された渦に有
機桂素系化合物を主成分とする液体を付着させる。この
液体としては例えばＳｉ（Ｃ２１Ｔ５０ ）Ｔ ） ４
に１（２０，およびＧｃ０２Ｂ２０３を加えたものを用
いる。この場合８２０は加水分解を早める為に機能し、
Ｇｅ ０２ 、 Ｂ２Ｏ３はゲル状のシリカをガラス
化する際に加熱温度を低下させる為に機能する。なお、
前記液体は光ファイバの」−面を覆い、湯からこぼれ落
ちない程度の量とする。上記のまま基板を大気中に放置
（１２時間程度）シ、前記液体を加水分解反応によりゲ
ル状のシリカ（ＳｉとＯＨが結びついたもの）とする。
工程 （ｃ）
基板を８００〜・１０００°Ｃに加熱してゲル状のシリ
カをガラス（Ｓ ｉ ０２ ）化する。
カをガラス（Ｓ ｉ ０２ ）化する。
上記工程の方法においても接着剤を用いることなく基板
に光ファイバを固着する事か出来、固定部材がガラスで
あることから熱膨脹係数の違いはほとんどない。
に光ファイバを固着する事か出来、固定部材がガラスで
あることから熱膨脹係数の違いはほとんどない。
第３図（ａ）〜（ｄ）は請求項３に関する一実施例を示
す概略工程図である。この方法においても基板は請求項
２と同様なので工程（ａ）は省略する。
す概略工程図である。この方法においても基板は請求項
２と同様なので工程（ａ）は省略する。
工程（ｂ）
ガス状の拌素化合物（例えばＳ ｉ Ｃ（ｌ ａを主成
分としＳ ｉ Ｈ４と０２を加えたもの）をバーナ等で
噴射しながら燃焼させ、基板の滑部にその炎を当て、燃
焼によって生ずる５ｉｎ２の微小な粒子を前記溝にわず
かに堆積させ、溝の底部に煤状のＳ ｉ ０２を付着さ
ぜる。
分としＳ ｉ Ｈ４と０２を加えたもの）をバーナ等で
噴射しながら燃焼させ、基板の滑部にその炎を当て、燃
焼によって生ずる５ｉｎ２の微小な粒子を前記溝にわず
かに堆積させ、溝の底部に煤状のＳ ｉ ０２を付着さ
ぜる。
工程（ｃ）
工程（ｂ）で付着させたＳ ｉ ０２の上に光ファイバ
を配設し、その上に前記バーナーの炎を当て光ファイバ
の表面を含んで更に煤状の５１０２をイー１着させる。
を配設し、その上に前記バーナーの炎を当て光ファイバ
の表面を含んで更に煤状の５１０２をイー１着させる。
工程（ｃ）基板を８００〜１０００℃に加熱して煤状の
シリカをガラス化する。
シリカをガラス化する。
」二記工程の方法においても接着剤を用いることなく基
板に光ファイバを固着する事が出来る。
板に光ファイバを固着する事が出来る。
第４図（ｂ）、（ｃ）は請求項３に関する一実施例を示
す概略工程図である。この方法においても基板は第２の
請求項のものと同じなので工程（ａ）は省略する。
す概略工程図である。この方法においても基板は第２の
請求項のものと同じなので工程（ａ）は省略する。
、工程 （ｂ）
基板の溝に光ファイバを配設し、前記溝と光ファイバの
隙間に基板と同程度の熱膨脹係数を有する結晶化ガラス
３の粉末を充填する。
隙間に基板と同程度の熱膨脹係数を有する結晶化ガラス
３の粉末を充填する。
工程（ｃ）
基板を加熱して充填した結晶化ガラス３の粉末を例えば
レーザ光をレンズ４を介して照射して焼結させる。なお
、結晶化ガラスにカーボンや金属片を混入させてレーザ
光の吸熱効果を良くする事も可能である。
レーザ光をレンズ４を介して照射して焼結させる。なお
、結晶化ガラスにカーボンや金属片を混入させてレーザ
光の吸熱効果を良くする事も可能である。
上記請求項１〜４のいずれかの工程を用いることにより
光ファイバを接着剤を用いずにノル板に固定する事が出
来る。
光ファイバを接着剤を用いずにノル板に固定する事が出
来る。
〈発明の効果〉
以上、実施例とともに具体的に説明したように本発明に
よれば、基板の溝に光ファイバを固定するに際し、接着
剤を用いていないので温度変動に対する分岐比の変化の
少ない光フアイバカプラを実現する事が出来る。
よれば、基板の溝に光ファイバを固定するに際し、接着
剤を用いていないので温度変動に対する分岐比の変化の
少ない光フアイバカプラを実現する事が出来る。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示す概略工程図１
第５図は従来の光フアイバカプラを示す斜視図、第６図
は光フアイバカプラの概略製作工程を示す図である。 １・・・ガラス基板、１ａ・・・金属性基板、２・・・
光ファイバ、３・・・結晶化ガラス。 ノロ 刃之イ・す含 二元ファイバ （、ｃ） （ｅ） 途
第５図は従来の光フアイバカプラを示す斜視図、第６図
は光フアイバカプラの概略製作工程を示す図である。 １・・・ガラス基板、１ａ・・・金属性基板、２・・・
光ファイバ、３・・・結晶化ガラス。 ノロ 刃之イ・す含 二元ファイバ （、ｃ） （ｅ） 途
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） ａ）熱膨脹係数が光ファイバと同程度の金属性基板表面
の深さ方向に所定の曲率半径で光ファイバを埋設する溝
を加工する工程と、 ｂ）光ファイバの一部に金属薄膜を付着する工程と、 ｃ）前記基板の溝に前記ｂ工程で加工した光ファイバを
配設する工程と、 ｄ）前記光ファイバを配設した基板にメッキを施す工程
とを含む事を特徴とする光ファイバの固定方法。 ２） ａ）ガラス基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光フ
ァイバを埋設する溝を加工する工程と、ｂ）前記ガラス
基板の溝に光ファイバを配設する工程と、 ｃ）前記溝に有機挂素化合物を主成分とする液体を注入
して加水分解反応により前記溝中にゲル状のシリカを形
成する工程と、 ｄ）前記基板を加熱して前記ゲル状のシリカをガラス化
する工程を含む事を特徴とする光ファイバの固定方法。 ３） ａ）ガラス基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光フ
ァイバを埋設する溝を加工する工程と、ｂ）前記ガラス
基板の溝部に燃焼している挂素化合物の炎を当て、その
燃焼によって生ずるＳｉＯ＿２の微小な粒子を前記溝に
わずかに堆積させる工程と、 ｃ）前記溝に光ファイバを配設する工程と、ｄ）前記基
板の溝部に燃焼している挂素化合物の炎を当て、前記溝
にＳｉＯ＿２の微小な粒子を更に堆積させる工程と、 ｅ）前記基板を加熱して前記堆積させたＳｉＯ＿２の微
小な粒子を焼結する工程を含む事を特徴とする光ファイ
バの固定方法。 ４） ａ）石英基板表面の深さ方向に所定の曲率半径で光ファ
イバを埋設する溝を加工する工程と、ｂ）前記基板の溝
に光ファイバを配置し、前記溝と光ファイバの隙間に前
記基板と同程度の熱膨脹係数を有する結晶化ガラスの粉
末を充填する工程と、 ｃ）前記基板を加熱して前記充填した結晶化ガラスの粉
末を焼結する工程を含む事を特徴とする光ファイバの固
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098411A JPH02275910A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 光ファイバの固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098411A JPH02275910A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 光ファイバの固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275910A true JPH02275910A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14219086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098411A Pending JPH02275910A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 光ファイバの固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02275910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017500610A (ja) * | 2013-12-18 | 2017-01-05 | レイセオン カンパニー | 高出力光ファイバの熱マネジメント |
| JP2017503915A (ja) * | 2013-11-22 | 2017-02-02 | インフォテック エスピー．オー．オー．Ｉｎｐｈｏｔｅｃｈ Ｓｐ． Ｏ． Ｏ． | 導電性コーティングを有する光ファイバを金属要素に接着させる方法 |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1098411A patent/JPH02275910A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017503915A (ja) * | 2013-11-22 | 2017-02-02 | インフォテック エスピー．オー．オー．Ｉｎｐｈｏｔｅｃｈ Ｓｐ． Ｏ． Ｏ． | 導電性コーティングを有する光ファイバを金属要素に接着させる方法 |
| JP2017500610A (ja) * | 2013-12-18 | 2017-01-05 | レイセオン カンパニー | 高出力光ファイバの熱マネジメント |
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