JPH02276243A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JPH02276243A JPH02276243A JP9800289A JP9800289A JPH02276243A JP H02276243 A JPH02276243 A JP H02276243A JP 9800289 A JP9800289 A JP 9800289A JP 9800289 A JP9800289 A JP 9800289A JP H02276243 A JPH02276243 A JP H02276243A
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 244000048199 Hibiscus mutabilis Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置に関し、特にエツチン
グ用ガスの流量を制御するマスフローコントローラを有
するプラズマエツチング装置に関する。
グ用ガスの流量を制御するマスフローコントローラを有
するプラズマエツチング装置に関する。
従来、この種のプラズマエツチング装置においては、エ
ツチング用ガス（以下プロセスガスという）を制御する
マスフローコントローラ（以下ＭＦＣと記す）の流量チ
ェックを行う場合は、対象となるプロセスガス配管の１
部を取り外し、その箇所に較正用流量計を継ぎ、較正用
の不活性ガスをＭＦＣから較正用流量計の順序で流し、
この時のＭＦＣと較正用流量計の流量表示を比較するこ
とにより実流量のチェックを行っていた。以下第３図の
模式図を用いて説明する。
ツチング用ガス（以下プロセスガスという）を制御する
マスフローコントローラ（以下ＭＦＣと記す）の流量チ
ェックを行う場合は、対象となるプロセスガス配管の１
部を取り外し、その箇所に較正用流量計を継ぎ、較正用
の不活性ガスをＭＦＣから較正用流量計の順序で流し、
この時のＭＦＣと較正用流量計の流量表示を比較するこ
とにより実流量のチェックを行っていた。以下第３図の
模式図を用いて説明する。
ＭＦＣの流量チェックを行う場合対象となるプロセスガ
ス配管上のガスバルブ１ｂのアウト側より配管を取り外
し、ガスバルブ１ｂのアウト側に較正用流量計を継ぎ込
み、プロセスガス配管の上流より較正用の不活性ガスを
流す。この状態でＭＦＣフローコントローラ６より任意
の流量値の信号をＭＦＣ２Ａに送り、設定流量流したと
きの流量値と較正用流量計の流量値を比較することによ
り実流量チェックを行っていた。
ス配管上のガスバルブ１ｂのアウト側より配管を取り外
し、ガスバルブ１ｂのアウト側に較正用流量計を継ぎ込
み、プロセスガス配管の上流より較正用の不活性ガスを
流す。この状態でＭＦＣフローコントローラ６より任意
の流量値の信号をＭＦＣ２Ａに送り、設定流量流したと
きの流量値と較正用流量計の流量値を比較することによ
り実流量チェックを行っていた。
上述した従来のプラズマエツチング装置は、流量チェッ
クの場合ガスバルブを取り外し、較正用流量計を継がな
ければならなかった。このため、ＭＦＣの実流量チェッ
クが容易にできにくいため、ＭＦＣ配管内詰まりや動作
不良等のトラブルの早期発見が困難であるという欠点が
あった。
クの場合ガスバルブを取り外し、較正用流量計を継がな
ければならなかった。このため、ＭＦＣの実流量チェッ
クが容易にできにくいため、ＭＦＣ配管内詰まりや動作
不良等のトラブルの早期発見が困難であるという欠点が
あった。
上述した従来のプラズマエツチング装置に対し本発明は
、ＭＦＣの実流量チェックのためのマスフローメータ（
以下ＭＦＭと記す）を取付けたガスラインを備えている
ため、チェック用の不活性ガスを流し、ＭＰＣとＭＦＭ
の流量表示を比較して実流量チェックが容易にできると
いう相違点を有する。
、ＭＦＣの実流量チェックのためのマスフローメータ（
以下ＭＦＭと記す）を取付けたガスラインを備えている
ため、チェック用の不活性ガスを流し、ＭＰＣとＭＦＭ
の流量表示を比較して実流量チェックが容易にできると
いう相違点を有する。
本発明のプラズマエツチング装置は、半導体基板を保持
してエツチング処理を行う処理室と、前記処理室にエツ
チング用のガスを送るためのガス配管と、前記ガス配管
に設けられたマスフローコントローラとを有するプラズ
マエツチング装置において、前記ガス配管に実流量チェ
ックのためのマスフローメータとチェック用ガスを流す
ためのチェック用配管を設けたものである。
してエツチング処理を行う処理室と、前記処理室にエツ
チング用のガスを送るためのガス配管と、前記ガス配管
に設けられたマスフローコントローラとを有するプラズ
マエツチング装置において、前記ガス配管に実流量チェ
ックのためのマスフローメータとチェック用ガスを流す
ためのチェック用配管を設けたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の模式図である。
メインバルブ１０を介して高真空用ポンプ８と荒引き用
真空ポンプ１３により真空に保たれる処理室３には、ゲ
ートバルブ１１に接続した搬送室１２より半導体基板４
が導入されて電極上に保持される。プロセスガスＡ、Ｃ
，Ｄは、それぞれＭＦＣ２Ａ、２Ｃ，２Ｄを有するガス
配管により処理室３に導入される。そして、特にプロセ
スガスＡを導入するガス配管のＭＦＣ２Ａの上流部に、
チェック用不活性ガスＢを流す為に、マスフローメータ
７を備えたチェック用配管２０が設けられている。
真空ポンプ１３により真空に保たれる処理室３には、ゲ
ートバルブ１１に接続した搬送室１２より半導体基板４
が導入されて電極上に保持される。プロセスガスＡ、Ｃ
，Ｄは、それぞれＭＦＣ２Ａ、２Ｃ，２Ｄを有するガス
配管により処理室３に導入される。そして、特にプロセ
スガスＡを導入するガス配管のＭＦＣ２Ａの上流部に、
チェック用不活性ガスＢを流す為に、マスフローメータ
７を備えたチェック用配管２０が設けられている。
次にこのように構成された第１の実施例におけるガスの
流れについて説明する。
流れについて説明する。
実流量チェックが必要とされるプロセスガスＡは、エツ
チングを行う場合はガスバルブｌａ。
チングを行う場合はガスバルブｌａ。
ｌｂ、ｌｃが開き、ＭＦＣ２Ａを通って処理室３に流れ
、半導体基板４をエツチングする。この時のプロセスガ
スＡの流量は、流量制御装置５よりＭＦＣフロコントロ
ーラ６を通してＭＦＣにより制御される。
、半導体基板４をエツチングする。この時のプロセスガ
スＡの流量は、流量制御装置５よりＭＦＣフロコントロ
ーラ６を通してＭＦＣにより制御される。
ＭＦＣ２Ａの実流量チェック時には、ガスバルブｌａ、
ｌｃは閉じられ、ガスバルブｌｄ、ｌｅが開けられる。
ｌｃは閉じられ、ガスバルブｌｄ、ｌｅが開けられる。
そして、チェック用不活性ガスＢは、ＭＦＭ７．ＭＦＣ
２Ａ、ガスバルブ１ｅの順序で送られ、高真空用ポンプ
８の吸気側に流れる。このとき、ＭＦＣ２Ａでコントロ
ールしている流量の信号がＭ″ＦＣＦＣフローコントロ
ーラ６れ、同時にＭＦＭ７で測定された流量の信号がＭ
ＦＭフローパネル９に送られる。ＭＦＣ２Ａ。
２Ａ、ガスバルブ１ｅの順序で送られ、高真空用ポンプ
８の吸気側に流れる。このとき、ＭＦＣ２Ａでコントロ
ールしている流量の信号がＭ″ＦＣＦＣフローコントロ
ーラ６れ、同時にＭＦＭ７で測定された流量の信号がＭ
ＦＭフローパネル９に送られる。ＭＦＣ２Ａ。
ＭＦＭ７の信号はさらに流量制御装置５に送られて、こ
こでＭＦＣ２ＡとＭＦＭ７の流量がチェックされる。具
体的な実流量チェック方法について更に説明する。
こでＭＦＣ２ＡとＭＦＭ７の流量がチェックされる。具
体的な実流量チェック方法について更に説明する。
まず流量制御装置５よりＭＦＣフローコントローラ６に
ＭＦＣ２Ａのフルスケール以下の流量内での任意の流量
（たとえばＯｃｃ、 １０ｃｃ、 ２０ｃｃ、３０ｃｃ
等）を流す信号が自動で送られる。各任意の流量流した
時配管内を流れる不活性ガスＢの流量をＭＦＭ７で測定
する。この測定信号によりＭＦＭフローパネル９には流
量表示のみされ、ＭＦＭ７の信号は更に流量制御装置５
に送られる。・この流量制御装置５ではＭＦＣ２Ａに送
った信号とＭＦＭ７より送られた信号を比較して流量を
チェックする。チェックの結果を流量制御装置５でグラ
フ化し、設定規格より外れた場合はエラー表示が行なわ
れ、作業者の処置待ちとなり、製品処理の動作へとは進
まない。
ＭＦＣ２Ａのフルスケール以下の流量内での任意の流量
（たとえばＯｃｃ、 １０ｃｃ、 ２０ｃｃ、３０ｃｃ
等）を流す信号が自動で送られる。各任意の流量流した
時配管内を流れる不活性ガスＢの流量をＭＦＭ７で測定
する。この測定信号によりＭＦＭフローパネル９には流
量表示のみされ、ＭＦＭ７の信号は更に流量制御装置５
に送られる。・この流量制御装置５ではＭＦＣ２Ａに送
った信号とＭＦＭ７より送られた信号を比較して流量を
チェックする。チェックの結果を流量制御装置５でグラ
フ化し、設定規格より外れた場合はエラー表示が行なわ
れ、作業者の処置待ちとなり、製品処理の動作へとは進
まない。
実流量チェック実施のタイミングは、プロセスガスＡを
流さず、処理室３内を圧力制御する必要がない場合、つ
まりガスバルブ１ｃとメインバルブ１０が閉じている場
合である。たとえば、ゲートバルブ１１が開き、搬送室
１２と処理室３で半導体基板４の搬送が行われている間
でも実流量チェックができる。
流さず、処理室３内を圧力制御する必要がない場合、つ
まりガスバルブ１ｃとメインバルブ１０が閉じている場
合である。たとえば、ゲートバルブ１１が開き、搬送室
１２と処理室３で半導体基板４の搬送が行われている間
でも実流量チェックができる。
第２図は本発明の第２の実施例の模式図である。
この第２の実施例ではＭＦＭ７がガスバルブ１ｅの下流
側に設置されており、更に各プロセスガスＡ、Ｃ，Ｄを
導入する配管に、チェック用ガスＢを流すためのチェッ
ク用配管２０が接続されている。
側に設置されており、更に各プロセスガスＡ、Ｃ，Ｄを
導入する配管に、チェック用ガスＢを流すためのチェッ
ク用配管２０が接続されている。
このように構成された第２の実施例によれば、ＭＦＣ２
Ａ、２Ｃ，２Ｄによりガス流量を制御するプロセスガス
について、１個のＭＦＭ７で実流量チェックができる利
点がある。
Ａ、２Ｃ，２Ｄによりガス流量を制御するプロセスガス
について、１個のＭＦＭ７で実流量チェックができる利
点がある。
以上説明したように本発明は、プロセスガスの配管に実
流量チェックのためのマスフローメータとチェック用ガ
スを流すためのチェック用配管を設けることによりマス
フローコントローラの実流量チェックが容易にできるた
め、マスフローコントローラの配管内詰まりや動作不良
等のトラブルを早期に発見できるという効果がある。
流量チェックのためのマスフローメータとチェック用ガ
スを流すためのチェック用配管を設けることによりマス
フローコントローラの実流量チェックが容易にできるた
め、マスフローコントローラの配管内詰まりや動作不良
等のトラブルを早期に発見できるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の模
式図、第３図は従来例の模式図である。 １ ａ 〜１ ｉ−ガスバルブ、２Ａ、２Ｃ，２Ｄ、、
。 ＭＦＣ１３・・・処理室、４・・・半導体基板、５・・
・流量制御装置、６・・・ＭＦＣフローコントローラ、
７・・・ＭＦＭ、８・・・高真空用ポンプ、９・・・Ｍ
ＦＭフローパネル、１０・・・メインバルブ、１１・・
・ゲートバルブ、１２・・・搬送室、１３・・・荒引き
用真空ポンプ、１４・・・高周波電源、Ａ、Ｃ，Ｄ・・
・プロセスガス、Ｂ・・・不活性ガス。 代理人 弁理士 内 原 晋 １α〜ｉ５ニアＪ”スバルア。 ２Ａ、２Ｃ，２０： ＭＦＣ Ｊ、処理室 ４°午↓体基板 ５：二量制ゲ装置 ６’：’ＡＦＣフローＥシトローフ ７：１“ＡＦＭ Ｂ：悪１で５１！ｌｆＸ”シフ。 Ｑ ： ＭＦ、ＶフローＩＸ′ネル ｆＱ ’、メインハニルフ。 ／Ｉ：’７’ニドｒ’ｉＨしブ゛ ！２：デ窒２！ ！３：労乙づｌき用鼻宙ム°ンア ′４；底周ｊ支窒Ｒ ？０：チｉ、、フ用丙己７ 刀 ２ 図
式図、第３図は従来例の模式図である。 １ ａ 〜１ ｉ−ガスバルブ、２Ａ、２Ｃ，２Ｄ、、
。 ＭＦＣ１３・・・処理室、４・・・半導体基板、５・・
・流量制御装置、６・・・ＭＦＣフローコントローラ、
７・・・ＭＦＭ、８・・・高真空用ポンプ、９・・・Ｍ
ＦＭフローパネル、１０・・・メインバルブ、１１・・
・ゲートバルブ、１２・・・搬送室、１３・・・荒引き
用真空ポンプ、１４・・・高周波電源、Ａ、Ｃ，Ｄ・・
・プロセスガス、Ｂ・・・不活性ガス。 代理人 弁理士 内 原 晋 １α〜ｉ５ニアＪ”スバルア。 ２Ａ、２Ｃ，２０： ＭＦＣ Ｊ、処理室 ４°午↓体基板 ５：二量制ゲ装置 ６’：’ＡＦＣフローＥシトローフ ７：１“ＡＦＭ Ｂ：悪１で５１！ｌｆＸ”シフ。 Ｑ ： ＭＦ、ＶフローＩＸ′ネル ｆＱ ’、メインハニルフ。 ／Ｉ：’７’ニドｒ’ｉＨしブ゛ ！２：デ窒２！ ！３：労乙づｌき用鼻宙ム°ンア ′４；底周ｊ支窒Ｒ ？０：チｉ、、フ用丙己７ 刀 ２ 図
Claims (1)
- 半導体基板を保持してエッチング処理を行う処理室と、
前記処理室にエッチング用のガスを送るためのガス配管
と、前記ガス配管に設けられたマスフローコントローラ
とを有するプラズマエッチング装置において、前記ガス
配管に実流量チェックのためのマスフローメータとチェ
ック用ガスを流すためのチェック用配管を設けたことを
特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098002A JP2542695B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098002A JP2542695B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | プラズマエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276243A true JPH02276243A (ja) | 1990-11-13 |
| JP2542695B2 JP2542695B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=14207480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098002A Expired - Fee Related JP2542695B2 (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542695B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05186296A (ja) * | 1991-04-22 | 1993-07-27 | Applied Materials Inc | ウエハ加工システム内のプロセスガスの流量検定、そのための装置および方法 |
| US5707451A (en) * | 1994-02-03 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a throttle valve |
| JP2002296096A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
| KR100419033B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-02-21 | (주)울텍 | 고밀도 플라즈마에 의한 건식 식각 장치 및 방법 |
| KR100572305B1 (ko) * | 1998-11-23 | 2006-09-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체제조설비 |
| JP2007242976A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置および分流器診断方法 |
| JP2009147182A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3367811B2 (ja) | 1996-01-05 | 2003-01-20 | シーケーディ株式会社 | ガス配管系の検定システム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164432A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP1098002A patent/JP2542695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63164432A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05186296A (ja) * | 1991-04-22 | 1993-07-27 | Applied Materials Inc | ウエハ加工システム内のプロセスガスの流量検定、そのための装置および方法 |
| US5707451A (en) * | 1994-02-03 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a throttle valve |
| KR100572305B1 (ko) * | 1998-11-23 | 2006-09-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체제조설비 |
| JP2002296096A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
| WO2002082521A1 (fr) * | 2001-03-30 | 2002-10-17 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement et processeur |
| KR100419033B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-02-21 | (주)울텍 | 고밀도 플라즈마에 의한 건식 식각 장치 및 방법 |
| JP2007242976A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造装置および分流器診断方法 |
| JP2009147182A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2542695B2 (ja) | 1996-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |