JPH0227636A - 受像管螢光面の形成方法 - Google Patents
受像管螢光面の形成方法Info
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- JPH0227636A JPH0227636A JP63176435A JP17643588A JPH0227636A JP H0227636 A JPH0227636 A JP H0227636A JP 63176435 A JP63176435 A JP 63176435A JP 17643588 A JP17643588 A JP 17643588A JP H0227636 A JPH0227636 A JP H0227636A
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- Japan
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- film
- forming
- phosphor
- citric acid
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受像管螢光面の形成方法、特にメタルバック層
のための中間膜の形成に関するものである。
のための中間膜の形成に関するものである。
本発明は、受像管における螢光面の形成方法において、
受像管内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に第１
の中間膜を形成し、その後！＠１の中間膜の焼成温度と
は異なる焼成温度を有する第２の中間膜を第１の中間膜
上面に形成する。そして該第２の中間膜の上面にＡβ蒸
着膜などから成るメタルバック層を形成したのち、全体
を焼成することにより、二層構造の中間膜でメタルバッ
ク層の平滑化を図ると同時に、その中間膜の膜厚が厚く
なっていても、焼成時、メタルバック層のふ（れ不良を
引き起こすことがなく、螢光面の輝度向上を図れるよう
にしたものである。
受像管内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に第１
の中間膜を形成し、その後！＠１の中間膜の焼成温度と
は異なる焼成温度を有する第２の中間膜を第１の中間膜
上面に形成する。そして該第２の中間膜の上面にＡβ蒸
着膜などから成るメタルバック層を形成したのち、全体
を焼成することにより、二層構造の中間膜でメタルバッ
ク層の平滑化を図ると同時に、その中間膜の膜厚が厚く
なっていても、焼成時、メタルバック層のふ（れ不良を
引き起こすことがなく、螢光面の輝度向上を図れるよう
にしたものである。
また本発明は、受像管における螢光向の形成方法におい
て、受像管内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に
有機酸膜を形成し、その後、該有機酸膜上に中間膜を形
成する。そして該中間膜の上面にメタルバック層を形成
したのち、全体を焼成することにより、中間膜を平滑に
させることができ、それ伴ないメタルバック層の平滑化
が図れ、受像管螢光面の輝度を向上させることができる
ようにしたものである。
て、受像管内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に
有機酸膜を形成し、その後、該有機酸膜上に中間膜を形
成する。そして該中間膜の上面にメタルバック層を形成
したのち、全体を焼成することにより、中間膜を平滑に
させることができ、それ伴ないメタルバック層の平滑化
が図れ、受像管螢光面の輝度を向上させることができる
ようにしたものである。
（従来の技術〕
一般に、カラー受像管における螢光面を形成する方法と
して従来からいわゆるＰＶＡスラリ法と呼ばれる形成方
法が用いられている。
して従来からいわゆるＰＶＡスラリ法と呼ばれる形成方
法が用いられている。
このＰＶＡスラリ法とは、第３図の工程図で示すように
、既に光吸収層例えばカーボンストライプ（２０）が形
成されたフェースプレート（２１）内面に止りロム酸ア
ンモン（以下、ＡＤＣと呼ぶ）を添加したポリビニルア
ルコール（以下、ＰＶＡと呼ぶ）溶液に螢光体を１ｕ１
１させたいわゆる螢光体スラリ （２２）を−様に塗布
して乾燥した後、色選択電極（例えばアパーチャグリル
）を光学マスクとして用いて露光する（同図Ａ参照）、
露光後、色選択電極を取外して水現像すると、光の当た
った部分が残って螢光体層例えばいわゆる螢光体ストラ
イプ（２３）が形成される。一般に、同様の工程を繰返
して順次緑色螢光体ストライブ（２３Ｇ）。
、既に光吸収層例えばカーボンストライプ（２０）が形
成されたフェースプレート（２１）内面に止りロム酸ア
ンモン（以下、ＡＤＣと呼ぶ）を添加したポリビニルア
ルコール（以下、ＰＶＡと呼ぶ）溶液に螢光体を１ｕ１
１させたいわゆる螢光体スラリ （２２）を−様に塗布
して乾燥した後、色選択電極（例えばアパーチャグリル
）を光学マスクとして用いて露光する（同図Ａ参照）、
露光後、色選択電極を取外して水現像すると、光の当た
った部分が残って螢光体層例えばいわゆる螢光体ストラ
イプ（２３）が形成される。一般に、同様の工程を繰返
して順次緑色螢光体ストライブ（２３Ｇ）。
青色螢光体ストライプ（２３Ｂ）及び赤色螢光体ストラ
イブ（２３Ｒ）が形成される（同図Ｂ参照）。
イブ（２３Ｒ）が形成される（同図Ｂ参照）。
その後、乾燥したのち、例えばアクリル系樹脂（例えば
プライフル：商品名）を含有した水溶液（２４）を−様
に塗布しく同図Ｃ参照）、再び乾燥させて螢光体ストラ
イプ（２３）上にアクリル系樹脂の膜いわゆる中間ＩＱ
（２５）を形成する（同図り参照）、その後、中間１５
！（２５）上にＡＩ！蒸者によってメタルバックＭ（２
６）を形成したのち（同図Ｅ参照）、全体を焼成するこ
とによりメタルバンク層（２６）下の中間ｌ１ｌ（２５
）を除去して螢光面の形成工程が終了する（同図Ｆ参照
）。
プライフル：商品名）を含有した水溶液（２４）を−様
に塗布しく同図Ｃ参照）、再び乾燥させて螢光体ストラ
イプ（２３）上にアクリル系樹脂の膜いわゆる中間ＩＱ
（２５）を形成する（同図り参照）、その後、中間１５
！（２５）上にＡＩ！蒸者によってメタルバックＭ（２
６）を形成したのち（同図Ｅ参照）、全体を焼成するこ
とによりメタルバンク層（２６）下の中間ｌ１ｌ（２５
）を除去して螢光面の形成工程が終了する（同図Ｆ参照
）。
メタルバック層（２６）は、電子銃からの電子衝撃によ
る螢光面の面電位低下に対するチャージアップ効果即ち
、螢光面電位をアノード電位に保持する電気的効果と、
メタルバック＃（２６）を構成する＾ｌ薄膜を鏡面とし
て反射効率を上げる光学的効果を有し、さらに、受像管
内で発生する負イオンが螢光面に衝突して生しる焼け（
輝度が劣化する）を防止するという効果を有し、全体的
に螢光面の輝度を向上させるという効果がある。メタル
バンク層（２６）が平滑であれば上記効果は一層顕著と
なる。そのため従来では、上述のようにＡＪ無蒸着先立
って螢光体ストライプ（２３）上に中間１！１（２５）
を形成するようにしてメタルバンク＋１ｉ（２ｅ）の平
滑化を図っていた。
る螢光面の面電位低下に対するチャージアップ効果即ち
、螢光面電位をアノード電位に保持する電気的効果と、
メタルバック＃（２６）を構成する＾ｌ薄膜を鏡面とし
て反射効率を上げる光学的効果を有し、さらに、受像管
内で発生する負イオンが螢光面に衝突して生しる焼け（
輝度が劣化する）を防止するという効果を有し、全体的
に螢光面の輝度を向上させるという効果がある。メタル
バンク層（２６）が平滑であれば上記効果は一層顕著と
なる。そのため従来では、上述のようにＡＪ無蒸着先立
って螢光体ストライプ（２３）上に中間１！１（２５）
を形成するようにしてメタルバンク＋１ｉ（２ｅ）の平
滑化を図っていた。
従来の受像管螢光面の形成方法においては、第４図に示
すように、アクリル樹脂系溶液（２４）を螢光体ストラ
イプ（２３）に塗布した際、溶液（２４）は螢光体（２
３ａ）間に滲み込み（同図Ａ参照）、この状態で乾燥す
ると、螢光体ストライプ（２３）の表面に凹凸を埋める
ように中間膜（２５）が形成される。
すように、アクリル樹脂系溶液（２４）を螢光体ストラ
イプ（２３）に塗布した際、溶液（２４）は螢光体（２
３ａ）間に滲み込み（同図Ａ参照）、この状態で乾燥す
ると、螢光体ストライプ（２３）の表面に凹凸を埋める
ように中間膜（２５）が形成される。
しかし乍ら、螢光体ストライプ（２３）の表面の凹凸の
激しいところでは上記中間ＩＩＩ（２５）は、その凹凸
に沿って形成されてしまい、中間Ｉ！（２５）自体平滑
さを失い、それに伴ない中間ＩＱ（２５）上に形成され
るメタルバック層（２６）も平滑さを失って（同図Ｂ参
照）メタルバックＴｆＪ（２６）が有する本来の効果が
十分生かされないという不都合があった。
激しいところでは上記中間ＩＩＩ（２５）は、その凹凸
に沿って形成されてしまい、中間Ｉ！（２５）自体平滑
さを失い、それに伴ない中間ＩＱ（２５）上に形成され
るメタルバック層（２６）も平滑さを失って（同図Ｂ参
照）メタルバックＴｆＪ（２６）が有する本来の効果が
十分生かされないという不都合があった。
中間膜（２５）をより平滑にさせるため、アクリル系樹
脂の濃度を高くして中間膜（２５）の膜厚を１￥＜Ｌ、
螢光体ストライプ（２３）表面の凹凸を埋めるようにし
てもよいが、焼成時、比較的量の多い中間Ｍ９！（２５
）が飛ぶため、中間ＩＮ（２５）上に形成されているメ
タルバック層（２６）を押し上げてしまい、結果的にＡ
Ｊふくれ（あるいは＾ｉｆ！き）不良となって受像管の
輝度を著しく劣化させるという不都合があり、そのため
中間膜（２５）の躾厚即ちアクリル系樹脂の濃度は限定
され（通常は３０％程度が限界）、平清さに対して満足
のいく中間膜を得ることができない。
脂の濃度を高くして中間膜（２５）の膜厚を１￥＜Ｌ、
螢光体ストライプ（２３）表面の凹凸を埋めるようにし
てもよいが、焼成時、比較的量の多い中間Ｍ９！（２５
）が飛ぶため、中間ＩＮ（２５）上に形成されているメ
タルバック層（２６）を押し上げてしまい、結果的にＡ
Ｊふくれ（あるいは＾ｉｆ！き）不良となって受像管の
輝度を著しく劣化させるという不都合があり、そのため
中間膜（２５）の躾厚即ちアクリル系樹脂の濃度は限定
され（通常は３０％程度が限界）、平清さに対して満足
のいく中間膜を得ることができない。
その池中間膜を平滑にさせるため、アクリルラッカーで
中間膜を形成するという方法も考えられるが、アクリル
ラッカーを螢光体上に吹き付けるための専用の装置が必
要であると共に、有機溶剤であるため取扱いに注意が必
要であるという不都合がある。
中間膜を形成するという方法も考えられるが、アクリル
ラッカーを螢光体上に吹き付けるための専用の装置が必
要であると共に、有機溶剤であるため取扱いに注意が必
要であるという不都合がある。
本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目
的とするところは、１つは簡単な方法で、１１間膜が二
層となって全体的に通常よりも映１＃が厚くなっていて
も、焼成時、メタルバックｙ−のふくれ不良を引き起こ
すことがなく、受像管螢光面の輝度向上を図ることがで
きる受像管螢光面の形成方法を提供することにある。他
の１つは簡単な方法で、中間膜を平滑に形成することが
でき、それに伴ない平滑なメタルバック層が得られ、メ
タルバック層が有する本来の効果を最大限に生かすこと
ができ、受像管螢光面の輝度を向上させることができる
受像管螢光面の形成方法を提供することにある。
的とするところは、１つは簡単な方法で、１１間膜が二
層となって全体的に通常よりも映１＃が厚くなっていて
も、焼成時、メタルバックｙ−のふくれ不良を引き起こ
すことがなく、受像管螢光面の輝度向上を図ることがで
きる受像管螢光面の形成方法を提供することにある。他
の１つは簡単な方法で、中間膜を平滑に形成することが
でき、それに伴ない平滑なメタルバック層が得られ、メ
タルバック層が有する本来の効果を最大限に生かすこと
ができ、受像管螢光面の輝度を向上させることができる
受像管螢光面の形成方法を提供することにある。
本発明の受像管螢光面の形成方法は、受像管内面に螢光
体を形成したのち、該螢光体上に第１の中間膜を形成し
、その後第１の中間膜の焼成温度とは異なる焼成温度を
有する第２の中間膜を第１の中間膜上面に形成する。そ
して該第２の中間膜の上面にＡｌｓ着膜などから成るメ
タルバック層を形成したのち、全体を焼成する。
体を形成したのち、該螢光体上に第１の中間膜を形成し
、その後第１の中間膜の焼成温度とは異なる焼成温度を
有する第２の中間膜を第１の中間膜上面に形成する。そ
して該第２の中間膜の上面にＡｌｓ着膜などから成るメ
タルバック層を形成したのち、全体を焼成する。
また、本発明の受像管螢光面の形成方法は、受像管内面
に螢光体を形成したのち、該螢光体上に有機＃Ｉ膜を形
成し、その後、該有機酸膜の上面に中間膜を形成する。
に螢光体を形成したのち、該螢光体上に有機＃Ｉ膜を形
成し、その後、該有機酸膜の上面に中間膜を形成する。
そして該中間膜の上面にｉ蒸着などから成るメタルバッ
ク層を形成したのち、全体を焼成するようにしたもので
ある。
ク層を形成したのち、全体を焼成するようにしたもので
ある。
〔作用Ｊ
上述の第１の本発明の形成方法によれば、中間膜の形成
を２段階にすることによって二層構造の中間膜が形成さ
れ、それにより中間膜の膜厚が従来行なわれている通常
の中間膜の膜厚よりも厚くなるため、従来の中間膜の場
合と比して平滑となる。また、第１の中間膜と第２の中
間膜の焼成温度をそれぞれ異にしたので、焼成時、第１
及び第２の中間膜は一度には除去されず、第１又は第２
の中間膜のうち、いずれか一方の中間膜が先に除去され
、その後残った方の中間膜が除去されるというように段
階的に中間膜が除去されるため、通常の中間膜よりも膜
厚が厚くなっていてもメタルバック層を押し上げること
がなく、メタルバック層のふくれ不良は発生しない、ま
た、中間膜は従来の場合よりも平滑であるため、メタル
バンク層の効果が発揮され、受像管螢光面の輝度が向上
する。
を２段階にすることによって二層構造の中間膜が形成さ
れ、それにより中間膜の膜厚が従来行なわれている通常
の中間膜の膜厚よりも厚くなるため、従来の中間膜の場
合と比して平滑となる。また、第１の中間膜と第２の中
間膜の焼成温度をそれぞれ異にしたので、焼成時、第１
及び第２の中間膜は一度には除去されず、第１又は第２
の中間膜のうち、いずれか一方の中間膜が先に除去され
、その後残った方の中間膜が除去されるというように段
階的に中間膜が除去されるため、通常の中間膜よりも膜
厚が厚くなっていてもメタルバック層を押し上げること
がなく、メタルバック層のふくれ不良は発生しない、ま
た、中間膜は従来の場合よりも平滑であるため、メタル
バンク層の効果が発揮され、受像管螢光面の輝度が向上
する。
また、第２の本発明の形成方法によれば、まず鰻初に螢
光体上に有機酸膜が形成され、次いで有機酸膜上に中間
膜が形成されるので、中間膜は有機酸膜によって螢光体
間への堤入が阻止され、そのため、有機酸股上に薄く張
られると共に、有機酸膜の中間膜に対するはじき作用に
より、中間膜は螢光体上の凹凸間を橋渡すような状態と
なり螢光体表面に対して全体的に平滑となる。それに伴
ない中間膜上に形成されるメタルバック層が平滑となり
メタルバック層が有する本来の効果を最大限に発揮させ
ることができ、受像管螢光面の輝度向上を図ることがで
きる。
光体上に有機酸膜が形成され、次いで有機酸膜上に中間
膜が形成されるので、中間膜は有機酸膜によって螢光体
間への堤入が阻止され、そのため、有機酸股上に薄く張
られると共に、有機酸膜の中間膜に対するはじき作用に
より、中間膜は螢光体上の凹凸間を橋渡すような状態と
なり螢光体表面に対して全体的に平滑となる。それに伴
ない中間膜上に形成されるメタルバック層が平滑となり
メタルバック層が有する本来の効果を最大限に発揮させ
ることができ、受像管螢光面の輝度向上を図ることがで
きる。
以下、第１図及び第２図を参照しながら本発明の詳細な
説明する。
説明する。
９ｊｈＪｉ図は本実施例に係るカラー受像管螢光面の形
成方法を示す工程図であり、以下順を追ってその工程を
説明する。
成方法を示す工程図であり、以下順を追ってその工程を
説明する。
まず、受像管のフェースプレート（１）内面に、ＰＶＡ
感光膜（２）を塗布しく同図Ａ参照）、乾燥後、所要の
光学用マスク（アバーナヤグリルなど）（３）を用いて
紫外線露光しく同図Ｂ参照）、露光後、水洗等で現像処
理して各色（例えば、縁、青、赤）に対応した位置にＰ
ＶＡストライブ（４）を形成する（同図Ｃ参照）０次に
ＰＶＡストライブ（４）を含む全面にカーボンスラリ（
５）を塗布しく同図り参ｒ＠）、乾燥後、ＰＶＡストラ
イブ（４）と共にその上のカーボン層をリフトオフし、
所定のパターンのカーボンストライプ即ち黒色ストライ
プ（６）を形成する（同図Ｅ参照）、シかる後、例えば
緑色の螢光体スラリ（７）を塗布しく同図ド参照）、乾
燥後、光学用マスク（３）を介して露光しく同図Ｇ参照
）、露光後、水現像処理して所定のカーボンストライプ
（６）間のいわゆる白抜き部分（８）に緑色螢光体スト
ライブ（９）を形成しく同図Ｈ参照）、以下同様にして
夫々他の白抜き部分（８）に胃色及び赤色螢光体ストラ
イブ（１０）及び（１１）を形成する（同図１参照）。
感光膜（２）を塗布しく同図Ａ参照）、乾燥後、所要の
光学用マスク（アバーナヤグリルなど）（３）を用いて
紫外線露光しく同図Ｂ参照）、露光後、水洗等で現像処
理して各色（例えば、縁、青、赤）に対応した位置にＰ
ＶＡストライブ（４）を形成する（同図Ｃ参照）０次に
ＰＶＡストライブ（４）を含む全面にカーボンスラリ（
５）を塗布しく同図り参ｒ＠）、乾燥後、ＰＶＡストラ
イブ（４）と共にその上のカーボン層をリフトオフし、
所定のパターンのカーボンストライプ即ち黒色ストライ
プ（６）を形成する（同図Ｅ参照）、シかる後、例えば
緑色の螢光体スラリ（７）を塗布しく同図ド参照）、乾
燥後、光学用マスク（３）を介して露光しく同図Ｇ参照
）、露光後、水現像処理して所定のカーボンストライプ
（６）間のいわゆる白抜き部分（８）に緑色螢光体スト
ライブ（９）を形成しく同図Ｈ参照）、以下同様にして
夫々他の白抜き部分（８）に胃色及び赤色螢光体ストラ
イブ（１０）及び（１１）を形成する（同図１参照）。
そして、これら感光体ストライブ（９）、 （１０）
。
。
（１１）を含む全面にクエン酸１〜３％を添加した水溶
液（１２）を−様に塗布しく同図Ｊ参照）、乾燥してク
エン酸１１Ｍ（１３）を形成する（同図に参照）さらに
、アクリル系樹脂例えばブライフルＢ−７４（商品名）
３０％あるいはブライフルＣ−７２（商品名）３０％及
び水７０％からなる溶液（１４）を−様に塗布しく同図
り参照）、再び乾燥してクエン酸膜（１３）上にアクリ
ル樹脂系中間膜（１５）を形成する（同図Ｍ参照）。そ
の後、中間ＩＩＩ！（１５）上に＾ｌｌｌ１！を真空蒸
着によって形成してメタルバンク層（１６）としく同図
Ｎ参照）、次いで全体を焼成（４３０℃）してメタルバ
ック層（１６）下のクエンｆｉｌｊｌ（１３）及び中間
１１９！（１５）を除去して本実施例による螢光面の形
成工程が終了する（同図Ｏ参照）。
液（１２）を−様に塗布しく同図Ｊ参照）、乾燥してク
エン酸１１Ｍ（１３）を形成する（同図に参照）さらに
、アクリル系樹脂例えばブライフルＢ−７４（商品名）
３０％あるいはブライフルＣ−７２（商品名）３０％及
び水７０％からなる溶液（１４）を−様に塗布しく同図
り参照）、再び乾燥してクエン酸膜（１３）上にアクリ
ル樹脂系中間膜（１５）を形成する（同図Ｍ参照）。そ
の後、中間ＩＩＩ！（１５）上に＾ｌｌｌ１！を真空蒸
着によって形成してメタルバンク層（１６）としく同図
Ｎ参照）、次いで全体を焼成（４３０℃）してメタルバ
ック層（１６）下のクエンｆｉｌｊｌ（１３）及び中間
１１９！（１５）を除去して本実施例による螢光面の形
成工程が終了する（同図Ｏ参照）。
次に、クエン酸１％（１３）の形成、アクリル樹脂系中
間１ｌｌ（１５）の形成及びメタルバンクｆｆ１ｌ（１
６）の形成段階を第２図に基づいて詳細に説明する。
間１ｌｌ（１５）の形成及びメタルバンクｆｆ１ｌ（１
６）の形成段階を第２図に基づいて詳細に説明する。
尚、説明の便宜上、緑色螢光体ストライプ（９）におけ
る上記膜及び層の形成に関してのみ説明し、他の青、赤
色螢光体ストライブ（１０） 、 （１１）における
上記膜及び層の形成に関しては同様の作用を行なうため
省略する。
る上記膜及び層の形成に関してのみ説明し、他の青、赤
色螢光体ストライブ（１０） 、 （１１）における
上記膜及び層の形成に関しては同様の作用を行なうため
省略する。
螢光体ストライプ（９）上にクエン酸水溶液（１２）を
塗布した際、該水溶液（１２）が螢光体（９ａ）間に滲
み込み（同図Ａ参照）、その状態で乾燥すると螢光体ス
トライプ（９）の表面に薄いクエン＠１ｉｔ（１３）が
該表面の凹凸に沿って形成される（同図Ｂ参照）、その
後、クエン酸１’Ｊ（１３）上にアクリル樹脂系溶液（
１４）を塗布するが（同図Ｃ参照）ｆ４液（１４）はク
エンｆｉ１５！！（１３）によって螢光体（９ａ）間へ
の滲み込みを阻止され、クエン酸膜（１３）上のみに薄
く塗布される。さらに、溶液（１４）中のアクリル系樹
脂は、クエン酸１９１（１３）によってはじかれ、その
状態で乾燥するとアクリル樹脂系溶液（１４）は膜化さ
れて、結果として凹凸の激しいところでは凹凸間を橋渡
しするような状態でいわゆる中間ＩＩ（１５）が形成さ
れ、全体として螢光体ストライプ（９）の表面の凹凸間
に平温な貌が張ったような状態となる（同図り参照）、
ここで仮に、アクリル樹脂糸溶液（１４）のアクリル系
樹脂の濃度を商めて中間膜を形成しても、上記と同様に
クエンＭ膜（１３）上に薄く、かつ螢光体ストライプ（
９）の表面に対して平滑に形成されるだけである。従っ
て、アクリル系樹脂と水とによってアクリル樹脂糸溶液
（１４）を生成する際、アクリル系樹脂の濃度をより濃
くすることも弓部である。
塗布した際、該水溶液（１２）が螢光体（９ａ）間に滲
み込み（同図Ａ参照）、その状態で乾燥すると螢光体ス
トライプ（９）の表面に薄いクエン＠１ｉｔ（１３）が
該表面の凹凸に沿って形成される（同図Ｂ参照）、その
後、クエン酸１’Ｊ（１３）上にアクリル樹脂系溶液（
１４）を塗布するが（同図Ｃ参照）ｆ４液（１４）はク
エンｆｉ１５！！（１３）によって螢光体（９ａ）間へ
の滲み込みを阻止され、クエン酸膜（１３）上のみに薄
く塗布される。さらに、溶液（１４）中のアクリル系樹
脂は、クエン酸１９１（１３）によってはじかれ、その
状態で乾燥するとアクリル樹脂系溶液（１４）は膜化さ
れて、結果として凹凸の激しいところでは凹凸間を橋渡
しするような状態でいわゆる中間ＩＩ（１５）が形成さ
れ、全体として螢光体ストライプ（９）の表面の凹凸間
に平温な貌が張ったような状態となる（同図り参照）、
ここで仮に、アクリル樹脂糸溶液（１４）のアクリル系
樹脂の濃度を商めて中間膜を形成しても、上記と同様に
クエンＭ膜（１３）上に薄く、かつ螢光体ストライプ（
９）の表面に対して平滑に形成されるだけである。従っ
て、アクリル系樹脂と水とによってアクリル樹脂糸溶液
（１４）を生成する際、アクリル系樹脂の濃度をより濃
くすることも弓部である。
このような状態で、ＡＪ熱蒸着行なってメタルバック層
（１６）を形成すると、同図Ｅに示すように、平滑なメ
タルバック層（１６）が形成される。
（１６）を形成すると、同図Ｅに示すように、平滑なメ
タルバック層（１６）が形成される。
その後、温度４３０℃の焼成を行なうことによってメタ
ルバック層（１６）下のクエン酸膜（１３）及びアクリ
ル樹脂系中間［％（１５）が除去され、最終的に螢光体
ストライプ（９）とメタルバック層（１６）が残る（同
図Ｇ参照）。
ルバック層（１６）下のクエン酸膜（１３）及びアクリ
ル樹脂系中間［％（１５）が除去され、最終的に螢光体
ストライプ（９）とメタルバック層（１６）が残る（同
図Ｇ参照）。
次に、焼成時のクエン酸１１Ｑ（１３）及びアクリル樹
脂系中間膜（１５）の作用を説明する。
脂系中間膜（１５）の作用を説明する。
クエン酸膜（１３）の焼成温度は約２００℃であり、ま
た、アクリル樹脂系中間膜（１５）の焼成温度は約４０
０℃である。
た、アクリル樹脂系中間膜（１５）の焼成温度は約４０
０℃である。
さて、焼成時、徐々に温度を上げていくわけだが、焼成
温度２００℃付近のとき、まずクエン酸膜（１３）が焼
成され（同図Ｂ、Ｆ参照）、このクエン酸膜（１３）の
焼成時、メタルバンク層（１６）はクエン酸膜（１３）
の蒸発物によって押し上げられることなく平滑さを保つ
。
温度２００℃付近のとき、まずクエン酸膜（１３）が焼
成され（同図Ｂ、Ｆ参照）、このクエン酸膜（１３）の
焼成時、メタルバンク層（１６）はクエン酸膜（１３）
の蒸発物によって押し上げられることなく平滑さを保つ
。
さらに、温度を上げ４３０℃の段階では、アクリル樹脂
系中間１１９（１５）が焼成される（同図Ｆ、Ｇ参照）
、この中間膜（１５）もクエン酸ＦＪ（１３）と同様に
、従来の中間膜における通常の膜厚とほぼ同じであるた
め、中間膜（１５）の焼成時、メタルバック層（１６）
は中間１１ｊ！（１５）の蒸発物によって押し上げられ
ることなく平滑さを保つ。
系中間１１９（１５）が焼成される（同図Ｆ、Ｇ参照）
、この中間膜（１５）もクエン酸ＦＪ（１３）と同様に
、従来の中間膜における通常の膜厚とほぼ同じであるた
め、中間膜（１５）の焼成時、メタルバック層（１６）
は中間１１ｊ！（１５）の蒸発物によって押し上げられ
ることなく平滑さを保つ。
このように、膜（１３） 、 （１５）は二層構造と
なって通常の場合よりも全体的に膜厚が厚くなっている
にもかかわらず、これらの膜（１３） 、 （１５）
は焼成温度が異なっているため、焼成時、−度には焼成
されず二段階にわたって１つずつ焼成されるのでメタル
バックＩｉ’！（１６）のふくれ不良は生じない。
なって通常の場合よりも全体的に膜厚が厚くなっている
にもかかわらず、これらの膜（１３） 、 （１５）
は焼成温度が異なっているため、焼成時、−度には焼成
されず二段階にわたって１つずつ焼成されるのでメタル
バックＩｉ’！（１６）のふくれ不良は生じない。
上記実ｈＩＩ！例では、クエン酸水溶液（１２）として
、クエンｆＩ！１〜３％を添加したものを使用したが、
この水溶液（１２）にアンモニアを添加してＰＨ６〜７
（中性）にｉＭ！ｉシたクエン酸アンニモア水溶液を
用いてもよい。この場合、中性であるため、酸性の螢光
体又はアルカリ性の螢光体とらちを使用しても螢光面の
形成に影響はない、また、中間膜に関しても、酸性又は
アルカリ性どちらを使用しても螢光面の形成に影響は出
ないため、選択性に優れ、汎用性に富む。
、クエンｆＩ！１〜３％を添加したものを使用したが、
この水溶液（１２）にアンモニアを添加してＰＨ６〜７
（中性）にｉＭ！ｉシたクエン酸アンニモア水溶液を
用いてもよい。この場合、中性であるため、酸性の螢光
体又はアルカリ性の螢光体とらちを使用しても螢光面の
形成に影響はない、また、中間膜に関しても、酸性又は
アルカリ性どちらを使用しても螢光面の形成に影響は出
ないため、選択性に優れ、汎用性に富む。
また、本実施例は、クエン酸膜（１３）の形成を、螢光
体ストライブ（９）、 （１０） 、 （１１）の
形成のための水現像処理の後、アクリル樹脂糸中間ＩＮ
（１５）となるアクリル樹脂系溶液（１４）の塗布の前
に行なうようにしたが、水現像処理して乾燥した後にク
エン酸膜（１３）を形成してもよい、しかしこの場合は
、乾燥工程が増えてしまい効率が悪いということと、ク
エン酸水溶液（１２）の塗布状態にムラが生じ易い、従
って、本実施例のように、水現像処理後、乾燥しないで
そのままクエン酸水溶液（１２）を塗布する方が望まし
い。
体ストライブ（９）、 （１０） 、 （１１）の
形成のための水現像処理の後、アクリル樹脂糸中間ＩＮ
（１５）となるアクリル樹脂系溶液（１４）の塗布の前
に行なうようにしたが、水現像処理して乾燥した後にク
エン酸膜（１３）を形成してもよい、しかしこの場合は
、乾燥工程が増えてしまい効率が悪いということと、ク
エン酸水溶液（１２）の塗布状態にムラが生じ易い、従
って、本実施例のように、水現像処理後、乾燥しないで
そのままクエン酸水溶液（１２）を塗布する方が望まし
い。
また、本実施例では、クエン酸を用いたが、その他酢酸
などを用いてもよい。
などを用いてもよい。
以上の如く、本例の受像管螢光面の形成方法によれば、
アクリル樹脂系中間膜（１４）の形成に先立ってクエン
Ｍ膜（１３）を形成するようにしたため、中間膜（１５
）はクエン酸１！ｉ！（１３）上に薄く張られると共に
、クエン酸膜（１３）の中間膜（１５）に対するはじき
作用により、中間膜（１５）は螢光体ストライプ＋９）
、 （１０） 、 （１１）の表面に存する凹凸間
を平滑にａ＃すような状態となるため、それに伴ないメ
タルバック層（１６）も平滑となる。
アクリル樹脂系中間膜（１４）の形成に先立ってクエン
Ｍ膜（１３）を形成するようにしたため、中間膜（１５
）はクエン酸１！ｉ！（１３）上に薄く張られると共に
、クエン酸膜（１３）の中間膜（１５）に対するはじき
作用により、中間膜（１５）は螢光体ストライプ＋９）
、 （１０） 、 （１１）の表面に存する凹凸間
を平滑にａ＃すような状態となるため、それに伴ないメ
タルバック層（１６）も平滑となる。
さらに、クエン酸１％（１３）は、中間膜（Ｉ５）と焼
成温度が異なるため、焼成時、これらの膜（１３）。
成温度が異なるため、焼成時、これらの膜（１３）。
（１５）は−度に焼成されず段階的に焼成されるため、
メタルバック層（１６）のふくれ不良は発生せず、メタ
ルバック層（１６）の平滑化が維持できるため、メタル
バック層（１６）が有する本来の効果を最大限に発揮さ
せることができ、受像管螢光面の輝度を向上させること
ができる。
メタルバック層（１６）のふくれ不良は発生せず、メタ
ルバック層（１６）の平滑化が維持できるため、メタル
バック層（１６）が有する本来の効果を最大限に発揮さ
せることができ、受像管螢光面の輝度を向上させること
ができる。
また、クエン酸水溶液（１２）の塗布を、水現像処理の
あと乾燥させないで行なうようにしたため、塗布状態に
ムラが生じないと共に、従来の−［程とほぼ同じ工程で
済み、また安価で取扱い易いクエン酸を用いたので作業
効率及びコスト的に支障はない。
あと乾燥させないで行なうようにしたため、塗布状態に
ムラが生じないと共に、従来の−［程とほぼ同じ工程で
済み、また安価で取扱い易いクエン酸を用いたので作業
効率及びコスト的に支障はない。
また、クエンＦ！［（１３）上に中間膜（１５）を形成
するので、中間膜（１５）として高濃度のものを用いる
ことも可能となり、より平滑な中間膜（１５）を形成す
ることができる。
するので、中間膜（１５）として高濃度のものを用いる
ことも可能となり、より平滑な中間膜（１５）を形成す
ることができる。
本発明に係る受像管螢光面の形成方法は、１つは受像管
内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に第１の中間
膜を形成し、その後染１の中間膜の焼成温度とは異なる
焼成温度を有する第２の中間膜を第１の中間股上に形成
する。そして該第２の中間膜の上面にＡｊ蒸着膜などか
ら成るメタルバック層を形成したのち、全体を焼成する
ようにしたので、二Ｊｉ！ｉ構造の中間膜が形成されて
膜厚がＩＶ＜なっていても、焼成時、メタルバンク層の
ふくれ不良を引き起こすことがないとともに、二層構造
であるため、従来と比して平滑に中間膜を形成すること
ができ、受像管螢光面の輝度向上を図ることができる。
内面に螢光体を形成したのち、該螢光体上に第１の中間
膜を形成し、その後染１の中間膜の焼成温度とは異なる
焼成温度を有する第２の中間膜を第１の中間股上に形成
する。そして該第２の中間膜の上面にＡｊ蒸着膜などか
ら成るメタルバック層を形成したのち、全体を焼成する
ようにしたので、二Ｊｉ！ｉ構造の中間膜が形成されて
膜厚がＩＶ＜なっていても、焼成時、メタルバンク層の
ふくれ不良を引き起こすことがないとともに、二層構造
であるため、従来と比して平滑に中間膜を形成すること
ができ、受像管螢光面の輝度向上を図ることができる。
また１つは、受像管内面に快光体を形成したのち、該螢
光体上に有機酸膜を形成し、そのｆ＆該有機酸膜上に中
間膜を形成する。そして該中間ＩＱの上面にＡｌｔ蒸着
膜などから成るメタルバンク層を形成したのち、全体を
焼成するようにしたので、有機酸膜の中間膜に対する螢
光体間への滲み込み阻止及びはじき作用により中間膜を
事情にさせることができ、それに伴ないメタルバック層
の平滑化が図れ、受像管螢光面の輝度を向上させること
ができる。
光体上に有機酸膜を形成し、そのｆ＆該有機酸膜上に中
間膜を形成する。そして該中間ＩＱの上面にＡｌｔ蒸着
膜などから成るメタルバンク層を形成したのち、全体を
焼成するようにしたので、有機酸膜の中間膜に対する螢
光体間への滲み込み阻止及びはじき作用により中間膜を
事情にさせることができ、それに伴ないメタルバック層
の平滑化が図れ、受像管螢光面の輝度を向上させること
ができる。
第１図は本実施例に係る受像管螢光面の形成方法の工程
図、第２図はクエン酸膜の作用を示す図、第３図は従来
例の工程図、第４図は従来例における中間膜の作用を示
す図である。 （１１はフェースプレート、（６）はカーボンストライ
プ、（９）は線色螢光体ストライプ、（１０）は青色螢
光体ストライプ、（１１）は赤色螢光体ストライプ、（
１２）はクエン酸水溶液、 （１３）はクエン酸膜、（
１４）はアクリル系樹脂溶液、（１５）はアクリル系樹
脂中間膜、（１６）はメタルバンク層である。
図、第２図はクエン酸膜の作用を示す図、第３図は従来
例の工程図、第４図は従来例における中間膜の作用を示
す図である。 （１１はフェースプレート、（６）はカーボンストライ
プ、（９）は線色螢光体ストライプ、（１０）は青色螢
光体ストライプ、（１１）は赤色螢光体ストライプ、（
１２）はクエン酸水溶液、 （１３）はクエン酸膜、（
１４）はアクリル系樹脂溶液、（１５）はアクリル系樹
脂中間膜、（１６）はメタルバンク層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受像管の内面に螢光体を形成する工程と、該螢光体
上に第１の中間膜を形成する工程と、該第１の中間膜の
上面に前記第１の中間膜の焼成温度とは異なる焼成温度
を有する第２の中間膜を形成する工程と、 該第２の中間膜、の上面にメタルバック層を形成する１
程及び焼成工程とを有する受像管螢光面の形成方法。 ２、受像管の内面に螢光体を形成する工程と、該螢光体
上に有機酸膜を形成する工程と、該有機酸膜の上面に中
間膜を形成する工程と、該中間膜の上面にメタルバック
層を形成する工程及び焼成工程とを有する受像管螢光面
の形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176435A JPH0227636A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 受像管螢光面の形成方法 |
| US07/378,025 US5039551A (en) | 1988-07-15 | 1989-07-01 | Method of manufacturing a phosphor screen of a cathode ray tube |
| GB8915857A GB2221087B (en) | 1988-07-15 | 1989-07-11 | Methods of manufacturing phosphor screens for cathode ray tubes |
| KR89009954A KR0137137B1 (en) | 1988-07-15 | 1989-07-13 | Method of manufacturing a phosphor screen of a cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63176435A JPH0227636A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 受像管螢光面の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227636A true JPH0227636A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16013655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63176435A Pending JPH0227636A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 受像管螢光面の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5039551A (ja) |
| JP (1) | JPH0227636A (ja) |
| KR (1) | KR0137137B1 (ja) |
| GB (1) | GB2221087B (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5639330A (en) * | 1990-03-14 | 1997-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making an image display element |
| JP2983585B2 (ja) * | 1990-07-19 | 1999-11-29 | 三菱レイヨン株式会社 | Ｃｒｔアルミバック用アンダーコート被膜の形成方法 |
| DE4036239A1 (de) * | 1990-11-14 | 1992-05-21 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum lackieren der leuchtstoffschicht einer farbbildroehre |
| US5501928A (en) * | 1994-12-14 | 1996-03-26 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Method of manufacturing a luminescent screen for a CRT by conditioning a screen-structure layer |
| IT1275993B1 (it) * | 1995-03-31 | 1997-10-24 | Atochem Elf Italia | Emulsioni a base di polimeri acrilici |
| US6015587A (en) * | 1998-03-16 | 2000-01-18 | Industrial Technology Research Institute | Low temperature method for phosphor screen formation |
| JP2011060658A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Canon Inc | 発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB654673A (en) * | 1946-11-09 | 1951-06-27 | British Thomson Houston Co Ltd | Improvements in and relating to methods of producing a smooth film on a granular fluorescent screen |
| GB954042A (en) * | 1959-05-06 | 1964-04-02 | Philips Electrical Ind Ltd | Improvements in or relating to methods of manufacturing cathode-ray tubes |
| US3317337A (en) * | 1963-03-18 | 1967-05-02 | Rca Corp | Method of metallizing luminescent screens |
| FR1567209A (ja) * | 1968-02-27 | 1969-05-16 | ||
| DE2450834C3 (de) * | 1974-10-25 | 1984-06-28 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Aluminisieren der Innenseite der Schirmwanne einer Fernsehbildröhre |
| US4122213A (en) * | 1975-03-03 | 1978-10-24 | Tokyo Shibaura Electric Company, Limited | Method for metallizing a phosphor screen for a cathode ray tube |
| US4018717A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-19 | Owens-Illinois, Inc. | Arc suppression in a cathode ray tube |
| JPS52134370A (en) * | 1976-05-06 | 1977-11-10 | Hitachi Ltd | Manufacture for brown tubes |
| JPS52135663A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-12 | Hitachi Ltd | Manufacture for brown tube |
| JPS5498565A (en) * | 1978-01-23 | 1979-08-03 | Hitachi Ltd | Manufacture for color receiving tube |
| US4339475A (en) * | 1979-03-23 | 1982-07-13 | Hitachi, Ltd. | Method of forming a fluorescent screen for cathode-ray tube |
| FR2552584B1 (fr) * | 1983-09-27 | 1986-03-21 | Videocolor | Procede d'aluminisation de la face interne de l'ecran d'un tube de television en couleurs |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63176435A patent/JPH0227636A/ja active Pending
-
1989
- 1989-07-01 US US07/378,025 patent/US5039551A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-11 GB GB8915857A patent/GB2221087B/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-13 KR KR89009954A patent/KR0137137B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2221087B (en) | 1992-09-30 |
| KR0137137B1 (en) | 1998-04-24 |
| GB8915857D0 (en) | 1989-08-31 |
| US5039551A (en) | 1991-08-13 |
| GB2221087A (en) | 1990-01-24 |
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