JPH0227643A - 熱電界放射電子銃の安定化方法 - Google Patents
熱電界放射電子銃の安定化方法Info
- Publication number
- JPH0227643A JPH0227643A JP63174888A JP17488888A JPH0227643A JP H0227643 A JPH0227643 A JP H0227643A JP 63174888 A JP63174888 A JP 63174888A JP 17488888 A JP17488888 A JP 17488888A JP H0227643 A JPH0227643 A JP H0227643A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- electron gun
- tip
- needle tip
- temperature
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06308—Thermionic sources
- H01J2237/06316—Schottky emission
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子顕微鏡等に用いられる熱電界放射電子銃
の安定化方法に関する。
の安定化方法に関する。
軸方位が<100>方位のタングステン単結晶針状チッ
プの先端にジルコニウムと酸素とからなる被覆層を設け
た、いわゆるZr/W熱電界放射電子銃は熱陰極に比べ
てエネルギー幅が狭く、輝度が高く、寿命が長いという
特長をもっている。この樺な特性からZr/W熱電界放
射電子銃は電子顕微鏡をはじめとする各種電子ビーム応
用機器に使われている。
プの先端にジルコニウムと酸素とからなる被覆層を設け
た、いわゆるZr/W熱電界放射電子銃は熱陰極に比べ
てエネルギー幅が狭く、輝度が高く、寿命が長いという
特長をもっている。この樺な特性からZr/W熱電界放
射電子銃は電子顕微鏡をはじめとする各種電子ビーム応
用機器に使われている。
Zr/W熱電界放射電子銃の放射電流の安定性はその針
状チップ先端の形状によって左右される。
状チップ先端の形状によって左右される。
第3図(A)に示す様に針状チップの先端に(100)
面の平坦部(以下、これをファセットと呼ぶ)が形成さ
れているとき、放射電流は極めて安定であるが、このフ
ァセット形状が崩れ、第3図(B)の様な単純な曲面形
状となった場合には第4図に示すような周期的な放射電
流の変動が生じる。Zr/W熱電界放射電子銃の最適な
動作温度は1800にとされている〔文献:エル ダブ
リュー スヮンソン アンド デイ タグル:アプリケ
ーシッンズ オブ サーフェス サイエンス(LJ、S
wans。
面の平坦部(以下、これをファセットと呼ぶ)が形成さ
れているとき、放射電流は極めて安定であるが、このフ
ァセット形状が崩れ、第3図(B)の様な単純な曲面形
状となった場合には第4図に示すような周期的な放射電
流の変動が生じる。Zr/W熱電界放射電子銃の最適な
動作温度は1800にとされている〔文献:エル ダブ
リュー スヮンソン アンド デイ タグル:アプリケ
ーシッンズ オブ サーフェス サイエンス(LJ、S
wans。
n and D、Tuggle : Applicat
ions of 5urface 5cience)第
8巻(1981年)、185−196頁〕。しかしなが
ら、この温度においてファセット形状を維持するために
はかなり高い電界を印加する必要があり、このときの放
射全電流は100〜数100μAにも達し、エネルギー
幅は増大する0例えば測長機の様に、電子銃を放射全電
流が数10μA程度の低い領域で動作させる場合には、
そのように高い電界を印加することが困難であり、針状
チップ先端のファセット形状を維持することができず、
安定に動作させることが難しい。
ions of 5urface 5cience)第
8巻(1981年)、185−196頁〕。しかしなが
ら、この温度においてファセット形状を維持するために
はかなり高い電界を印加する必要があり、このときの放
射全電流は100〜数100μAにも達し、エネルギー
幅は増大する0例えば測長機の様に、電子銃を放射全電
流が数10μA程度の低い領域で動作させる場合には、
そのように高い電界を印加することが困難であり、針状
チップ先端のファセット形状を維持することができず、
安定に動作させることが難しい。
本発明はこの樺な問題点を解決し、Zr/W熱電界放射
電子銃を安定にする方法を提供することを目的とする。
電子銃を安定にする方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは上記目的を達成するために、熱電界放射電
子銃の動作条件と安定性の関係について種々検討を行な
った結果、以下に示す処理を行なえば、それほど高くな
い電界、すなわち放射全電流が数10μA程度の動作に
おいても長時間安定な放射電流を得ることができること
を見出し本発明に至った。
子銃の動作条件と安定性の関係について種々検討を行な
った結果、以下に示す処理を行なえば、それほど高くな
い電界、すなわち放射全電流が数10μA程度の動作に
おいても長時間安定な放射電流を得ることができること
を見出し本発明に至った。
すなわち、本発明は軸方位が<100>方位のタングス
テン単結晶針状チップの先端にジルコニウムと酸素とか
らなる被覆層を設けた針状チップを備えた熱電界放射電
子銃を、下記第1工程と第2工程の順で処理することを
特徴とする熱電界放射電子銃の安定化方法である。
テン単結晶針状チップの先端にジルコニウムと酸素とか
らなる被覆層を設けた針状チップを備えた熱電界放射電
子銃を、下記第1工程と第2工程の順で処理することを
特徴とする熱電界放射電子銃の安定化方法である。
第1工程−針状チップの温度を1750に以上1900
に未満とし、0.15 V/Å以上0.3V/Å未満の
電界を印加する。
に未満とし、0.15 V/Å以上0.3V/Å未満の
電界を印加する。
第2工程−・−針状チップの温度を1600に以上17
00に未満とし、0.05V/Å以上0.15 V/Å
未満の電界を印加する。
00に未満とし、0.05V/Å以上0.15 V/Å
未満の電界を印加する。
以下、本発明について詳しく説明する。まず、第1工程
において曲面形状となった該陰極先端がファセット形状
に再生される。このときの電界は0.15V/Å以上0
.3V/Å未満である。ただし、電界は次の式で定義さ
れる。
において曲面形状となった該陰極先端がファセット形状
に再生される。このときの電界は0.15V/Å以上0
.3V/Å未満である。ただし、電界は次の式で定義さ
れる。
ここで、F:電界(V/入)、
Vex:引出し電圧(V)、
r:チップ先端の曲率半径(人)、
d:チップ先端と引出し電極間の距離
(入)である。
電界が0.15V/入未満ではファセットを再生するこ
とができず、また、0.3V/Å以上では針状チップ先
端を破損するおそれがあるからである。なお、このとき
の針状チップの温度は1750に以上1900に未満で
なければならない。1750に未満ではファセットの再
生に過大な時間を必要とし、また1900に以上では該
陰極の破損を招きやすいからである。
とができず、また、0.3V/Å以上では針状チップ先
端を破損するおそれがあるからである。なお、このとき
の針状チップの温度は1750に以上1900に未満で
なければならない。1750に未満ではファセットの再
生に過大な時間を必要とし、また1900に以上では該
陰極の破損を招きやすいからである。
第1工程により熱電界放射陰極先端のファセットの再生
を行なった後には、第2工程として、電界と該陰極の温
度を下げる。電界のみを下げた場合には再生させたファ
セット形状が維持されず、ふたたび曲面形状へと変化し
てしまうため、該陰極の温度を同時に下げることが重要
である。このときの温度は1600に以上1750に未
満の範囲で、また電界は0.05V/Å以上0.15V
/入未満の範囲において、所望の放射電流が得られるま
で、それぞれ下げれば良い。温度1750に以上、ある
いは電界0.05V/Å未満では、ファセット形状を維
持する効果が乏しく、また、温度1600に未満、ある
いは電界0.15V/Å以上では放射電流のノイズやエ
ネルギー幅が増大するからである。
を行なった後には、第2工程として、電界と該陰極の温
度を下げる。電界のみを下げた場合には再生させたファ
セット形状が維持されず、ふたたび曲面形状へと変化し
てしまうため、該陰極の温度を同時に下げることが重要
である。このときの温度は1600に以上1750に未
満の範囲で、また電界は0.05V/Å以上0.15V
/入未満の範囲において、所望の放射電流が得られるま
で、それぞれ下げれば良い。温度1750に以上、ある
いは電界0.05V/Å未満では、ファセット形状を維
持する効果が乏しく、また、温度1600に未満、ある
いは電界0.15V/Å以上では放射電流のノイズやエ
ネルギー幅が増大するからである。
なお、第2工程における電界も前記の式で定義される。
この様にして熱電界放射電子銃を安定化することができ
、以後は長時間安定な放射電流を得ることができる。
、以後は長時間安定な放射電流を得ることができる。
以下、本発明の実施例について説明する。第1図は実施
例の回路図である。針状チップ1には直径0.125閣
の<ioo>方位タングステン単結晶を用い、この先端
の曲率半径は0.4μmであった。針状チップは加熱用
フィラメント2に溶接により固定されている。
例の回路図である。針状チップ1には直径0.125閣
の<ioo>方位タングステン単結晶を用い、この先端
の曲率半径は0.4μmであった。針状チップは加熱用
フィラメント2に溶接により固定されている。
針状チップはサプレッサー3から0.25−突き出して
いる。加熱用フィラメントとサプレッサーは絶縁ベース
4を介して固定されている。針状チップの先端と引出し
電極5の表面の中心までの距離は0.35m5である。
いる。加熱用フィラメントとサプレッサーは絶縁ベース
4を介して固定されている。針状チップの先端と引出し
電極5の表面の中心までの距離は0.35m5である。
引出し電極から48−の間隔をおいて接地電極6を設け
、その先にファラディ・カップ7を備えている。
、その先にファラディ・カップ7を備えている。
加熱用電源8より加熱用フィラメント2に通電すること
で針状チップlを加熱する。サプレッサー電源9により
サプレッサー3に一300vを印加する。なお、この実
施例においては電圧はすべて針状チップ1の電位を基準
にして表示する。
で針状チップlを加熱する。サプレッサー電源9により
サプレッサー3に一300vを印加する。なお、この実
施例においては電圧はすべて針状チップ1の電位を基準
にして表示する。
また、引出し電極5には引出し電源10により引出し電
圧(Vex)が印加される。電流計11により放射全電
流(It)が測定され、電流計12によりプローブ電流
(Ip)が測定される。針状チップ1の温度は放射温度
計(図示せず)を用い、放射率を0.44として測定さ
れる。
圧(Vex)が印加される。電流計11により放射全電
流(It)が測定され、電流計12によりプローブ電流
(Ip)が測定される。針状チップ1の温度は放射温度
計(図示せず)を用い、放射率を0.44として測定さ
れる。
以上の装置による実験結果を第2図のグラフに示す、動
作開始後80時間までは針状チップの温度1800K、
引出し電圧1.7kV、すなわち電界(F)が0.11
V/Åで動作させた。このとき放射全電流は35〜40
μAの範囲で、またプローブ電流は2〜6nAの範囲で
それぞれ周期的な変動をくり返した。(図中の(a)部
)。
作開始後80時間までは針状チップの温度1800K、
引出し電圧1.7kV、すなわち電界(F)が0.11
V/Åで動作させた。このとき放射全電流は35〜40
μAの範囲で、またプローブ電流は2〜6nAの範囲で
それぞれ周期的な変動をくり返した。(図中の(a)部
)。
次に80〜100時間においては、前記第1工程の条件
として温度1800にで、引出し電圧3、OkV、すな
わち0.20 V/Åの電界を印加した。
として温度1800にで、引出し電圧3、OkV、すな
わち0.20 V/Åの電界を印加した。
90時間以後は放射電流は全電流が115μAで、プロ
ーブ電流が23nAで安定となった(図中の(b)部)
。
ーブ電流が23nAで安定となった(図中の(b)部)
。
そこで100時間以後、温度を1700Kに下げ、同時
に引出し電圧を1.7kV、すなわち電界を0.11V
/Åに下げて動作させた(第2工程、図中の(C)部)
、この状態で放射電流は極めて安定となり、これ以後少
な(とも1000時間安定な動作が維持されていること
を確認した。
に引出し電圧を1.7kV、すなわち電界を0.11V
/Åに下げて動作させた(第2工程、図中の(C)部)
、この状態で放射電流は極めて安定となり、これ以後少
な(とも1000時間安定な動作が維持されていること
を確認した。
なお、本実施例では、サプレッサー電圧は一300■で
一定としたが、これを変えることによっても、熱電界放
射電子銃に印加される電界を調節することが可能である
。
一定としたが、これを変えることによっても、熱電界放
射電子銃に印加される電界を調節することが可能である
。
本発明の方法によればそれまでは不安定であった熱電界
放射電子銃の機能を回復させ、長時間安定に動作させる
ことができる。
放射電子銃の機能を回復させ、長時間安定に動作させる
ことができる。
第1図は本発明の方法を実施するための回路図である。
第2図は本発明の実施例を示すグラフである。第3図(
A) 、 (B)は針状チップ先端の斜視図であり、第
4図は放射電流の経時変化を示すグラフである。 符号 1−・針状チップ 2−加熱用フィラメント 3−サプレッサー 4−絶縁ベース 5−引出し電極 6−接地電極 7・−・ファラデイーカップ 8・・・加熱用電源 9− サプレッサー電源 l〇−引出し電源 11−・電流計 12・−・電流計
A) 、 (B)は針状チップ先端の斜視図であり、第
4図は放射電流の経時変化を示すグラフである。 符号 1−・針状チップ 2−加熱用フィラメント 3−サプレッサー 4−絶縁ベース 5−引出し電極 6−接地電極 7・−・ファラデイーカップ 8・・・加熱用電源 9− サプレッサー電源 l〇−引出し電源 11−・電流計 12・−・電流計
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 軸方位が<100>方位のタングステン単結晶針状チッ
プの先端にジルコニウムと酸素とからなる被覆層を設け
た針状チップを備えた熱電界放射電子銃を、下記第1工
程と第2工程の順で処理することを特徴とする熱電界放
射電子銃の安定化方法。 第1工程・・・針状チップの温度を1750K以上19
00K未満とし、0.15V/Å以上0.3V/Å未満
の電界を印加する。 第2工程・・・針状チップの温度を1600K以上17
50K未満とし、0.05V/Å以上0.15V/Å未
満の電界を印加する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17488888A JPH0628142B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 熱電界放射電子銃の安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17488888A JPH0628142B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 熱電界放射電子銃の安定化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227643A true JPH0227643A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH0628142B2 JPH0628142B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15986426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17488888A Expired - Lifetime JPH0628142B2 (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 熱電界放射電子銃の安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628142B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449968A (en) * | 1992-06-24 | 1995-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermal field emission cathode |
| US5616926A (en) * | 1994-08-03 | 1997-04-01 | Hitachi, Ltd. | Schottky emission cathode and a method of stabilizing the same |
| JP2023093552A (ja) * | 2016-08-08 | 2023-07-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 電子エミッタ及びそれを製作する方法 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17488888A patent/JPH0628142B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449968A (en) * | 1992-06-24 | 1995-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Thermal field emission cathode |
| US5616926A (en) * | 1994-08-03 | 1997-04-01 | Hitachi, Ltd. | Schottky emission cathode and a method of stabilizing the same |
| JP2023093552A (ja) * | 2016-08-08 | 2023-07-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 電子エミッタ及びそれを製作する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628142B2 (ja) | 1994-04-13 |
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