JPH0227653U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0227653U JPH0227653U JP10683688U JP10683688U JPH0227653U JP H0227653 U JPH0227653 U JP H0227653U JP 10683688 U JP10683688 U JP 10683688U JP 10683688 U JP10683688 U JP 10683688U JP H0227653 U JPH0227653 U JP H0227653U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic cylinder
- cover
- disk
- current introduction
- introduction terminal
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第1図は本考案の実施例に係るイオン源電流導
入端子近傍の断面図。第2図は従来例に係るイオ
ン源電流導入端子近傍の断面図。 1……真空チヤンバ、2……テフロン板、3…
…真空側取付金具、4……金属導体、5……セラ
ミツク円筒、6……電流導入端子フランジ、7…
…メタルシール、8……大気側取付金具、9……
セラミツク円筒、10……内カバー、11……外
カバー、12……取付ボルト、13……取付ボル
ト、14……取付ポート、15……円板、16…
…開口、X,Y,Z……円筒状の空間。
入端子近傍の断面図。第2図は従来例に係るイオ
ン源電流導入端子近傍の断面図。 1……真空チヤンバ、2……テフロン板、3…
…真空側取付金具、4……金属導体、5……セラ
ミツク円筒、6……電流導入端子フランジ、7…
…メタルシール、8……大気側取付金具、9……
セラミツク円筒、10……内カバー、11……外
カバー、12……取付ボルト、13……取付ボル
ト、14……取付ポート、15……円板、16…
…開口、X,Y,Z……円筒状の空間。
Claims (1)
- イオンを発生させる機構と、イオンを引出す電
極とを真空チヤンバ1の中に備えたイオン源であ
つて、真空チヤンバ1の壁面の一部に形成された
取付ポート14と、取付ポート14の外端鍔部に
固着される電流導入端子フランジ6と、電流導入
端子フランジ6の開口16に続く内部に設けられ
るセラミツク円筒9と、セラミツク円筒9の頂部
を覆う円板15と、セラミツク円筒9の外周を覆
い一端が電流導入端子フランジ6に固定される円
筒状の内カバー10と、円板15の上に固定され
内カバー10を覆う円筒部と該円筒部に続く天井
板を有する外カバー11と、円板15、外カバー
11を貫いて設けられる金属導体4と、金属導体
4の真空側に取付けられる真空側取付金具3と、
大気側に取付けられる大気側取付金具8とよりな
り、取付ポート14、外カバー11、内カバー1
0、セラミツク円筒9により、3つの上下に蛇行
して連続する円筒空間X,Y,Zが生ずるように
した事を特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683688U JPH0227653U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683688U JPH0227653U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227653U true JPH0227653U (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=31340706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10683688U Pending JPH0227653U (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227653U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220037115A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Insulator for an ion implantation source |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP10683688U patent/JPH0227653U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220037115A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Insulator for an ion implantation source |
| US12020896B2 (en) * | 2020-07-31 | 2024-06-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Insulator for an ion implantation source |