JPH02277248A - 微小部品の位置合せ方法 - Google Patents

微小部品の位置合せ方法

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Publication number
JPH02277248A
JPH02277248A JP1098302A JP9830289A JPH02277248A JP H02277248 A JPH02277248 A JP H02277248A JP 1098302 A JP1098302 A JP 1098302A JP 9830289 A JP9830289 A JP 9830289A JP H02277248 A JPH02277248 A JP H02277248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
crystal silicon
pedestal
microcomponent
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1098302A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Igarashi
健二 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH02277248A publication Critical patent/JPH02277248A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375Positioning of the laser chips

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は1例えばIC(集積回路)やLSI(大規模集
積回路)等の微小部品を基板に表面実装する場合の位置
合せ方法に関する。
(従来の技術) 従来、微小部品(IC(集積回路)やLSI(大規模集
積回路)など)を表面実装する場合には画像処理等が行
われていた。すなわち、従来は。
画像処理装置を利用して例えばICのビン位置を検出し
たのち、この検出結果に基づいてICのピンを、基板側
に設けられたアルミ配線などに位置合せしていた。
(発明が解決しようとする課題) ところで、上述のような従来の方法では、大掛かりな画
像処理装置が必要でコスト高なこと。
さらに、x−y−zの3軸方向の位置合せを高精度で行
なうのは困難であること等の不具合があった。
本発明の目的とするところは、安価に且つ高精度に微小
部品を基板に対して位置合せできる方法を提供すること
にある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段及び作用)上記目的を達成
するために本発明は、微小部品側の単結晶シリコンから
なる台座とこの台座が固定される単結晶シリコン基板側
とのそれぞれに。
互いに対応する形状の凹部と凸部とを異方性エツチング
により形成する第1の工程と、上記凹部に。
対応する凸部を嵌合させて上記微小部品を上記基板に位
置合せする第2の工程とを備えたことにある。
こうすることによって本発明は、犬山りな画像処理装置
等を用いることなく安価に、更に、高精度に微小部品を
基板に対して位置合せできるようにしたことにある。
(実施例) 以下1本発明の一実施例を第1図〜第6図に基づいて説
明する。
第1図〜第6図は本発明の一実施例を示すものである。
そして、第1図〜第3図中に1で示すのは基板としての
シリコン(以下、Stと称する)ウェハであり、このS
iウェハ1は、その面方位が(100)面になっている
。さらに、Siウェハ1は複数の凹部2a、2b、2c
、2dをも有している。ここで、第2図および第3図中
の矢印AはSiウェハ1の(100)面を示している。
各凹部2a〜2dは、リソグラフィ技術と結晶方位に依
存した異方性エツチングとを組合わせることにより設け
られている。すなわち、凹部2a〜2dは、KOH(水
酸化カリウム)水溶液により正四角錐状に成形されてお
り、第2図および第3図に示すように、矢印B・・・で
示す(111)面が(100)面に対して54.74°
傾いている。
ここで、第3図中にαで示すのは(111)面の傾斜角
である。なお、凹部28〜2dの深さや開口部の大きさ
等は、互いに異なる寸法に設定されていてもよい。
さらに、第1図中に3a、3b、3c、3dで示すのは
各種の微小部品である。そして1図中の38はレーザダ
イオード(半導体レーザ)を示しており、また、3bは
レーザダイオード3aからの出力光5を受けるスイッチ
ング素子を示している。さらに、3cはスイッチング素
子3bの出力信号6を受ける増幅器を示しており、3d
は増幅′53cの出力光7を受けるホトダイオードを示
している。
さらに、これら微小部品3a〜3dには1例えばStか
らなり面方位を(100)面とした台座4a、4b、4
c、4dが設けられている。そして2台座4a〜4dは
、リソグラフィ技術と異方性エツチングとを組合わせる
ことにより形成された凸部8a、8b、8c、8dを有
している。
つまり、第4図および第5図に示すように、凸部8aは
K OH水溶液によりその側面の周囲を異方性エツチン
グされてなるものである。そして。
凸部8aは正四角錐状に成形されており、さらに。
その先端面9aを(100)面としている。そして、凸
部8aは、微小部品本体10aが位置する側の面に対し
て逆側の面に位置しており1両図中に矢印Aで示す(1
00)面から略垂直に突出している。ここで6両図中に
矢印B・・・で示すのは(111)面である。
また、微小部品3aは第1図および第6図に示すように
、上記凸部8aをSiウェハ1の凹部2aに嵌合させて
いる。つまり、微小部品3aは台座4aの・凸部8aを
、これと対応する凹部2aに同軸的に差込んでおり、凸
部8aの(111)面を凹部2の(111)而にそれぞ
れ当接させている。そして、微小部品3aは、凸部8a
の先端面を凹部2の深さ方向中間部に到達させており。
その(100)面をSiウェハ1の(100)面から、
平行に対向させた状態で1M間させている。
このようにして、微小部品3aは、Siウエノ\1の(
100)面上に位置決めされたのち1台座4aをSiウ
ェハ1に固定されている。なお。
台座4aのSiウェハ1への固定には、互いの(100
)而の間の隙間に接着剤を注入すること。
或いは、凹部2aと凸部8aのうちのどちらか一方の部
品に薄いガラス層をデボ(depositlon) L
たのちにSiウェハ1と台座4aとを陽極接合すること
等が考えられる。
このような方法によれば、上記凸部5aをSiウェハ1
の凹部2aに嵌合させるだけで、微小部品3aをS1ウ
エハ1のX−Y平面、即ちSiウェハ1の(100)面
内の位置合せを行なうことができる。また、エツチング
量を制御して突部5aの大きさや突出量を適当な値に設
定することで微小部品3aの、Z方向、即ちSiウェハ
1の(100)面に対して垂直な方向の位置決めを行な
うことができる。したがって、犬山りな画像処理装置等
を用いることなく安価に且つ簡単に微小部品の3輔(X
−Y−Z)方向に対する位置合せを行なうことができる
また、凹部2aや凸部5aをリソグラフィ技術やエツチ
ングにより形成しているので、凹部2aや凸部5aを位
置精度よく成形できる。したがって、微小部品3aの位
置合せを高精度で行うことができる。
そして、これらのことから1例えば光学素子をSiウェ
ハ1に表面実装する場合の光軸合せの工程が不要になり
、さらに、マイクロバルク素子(レーザダイオード3a
、スイッチング素子3b。
増幅器3c、フォトダイオード3d、および、レンズ(
図示しない)等)の集積化が可能になる。
なお1本実施例では異方性エツチングにK OH水溶液
を用いているが1本発明はこれに限定されるものではな
く1例えば、EDP (エチレン・ジアミン・ピロカテ
コール)水溶液を用いて異方性エツチングを行なっても
よい。
さらに1本実施例では、1つの微小部品3aの位置合せ
方法を説明したが、他の微小部品3b。
3c、3dも同様の方法でStウエノ11に位置合せで
きる。
また1本実施例では、凹部2aを正四角錐状にエツチン
グしているが1本発明はこれに限定されるものではなく
1例えば第7図に示すように凹部2aをエツチングして
もよい。すなわち、第7図に示す凹部2aは、その周壁
部を(111)面により構成され、さらに、底部を(1
00)而により構成されている。
【発明の効果] 以上説明したように本発明は、微小部品側の単結晶シリ
コンからなる台座とこの台座が固定される単結晶シリコ
ン基板側とのそれぞれに異方性エツチングにより、互い
に対応する形状の凹部と凸部とを形成したのち、上記凹
部に、対応する凸部を嵌合させて微小部品を基板に位置
決めするようにした。
したがって本発明は、犬山りな画像処理装置等を用いる
ことなく安価に、更に、高精度に微小部品を基板に対し
て位置合せできるという効果がある。
【図面の簡単な説明】 第1図〜第6図は本発明の一実施例を示すもので、第1
図は各種の微小部品の位置合せ後の状態を示す側面図、
第2図は凹部を示す平面図、第3図は第2図中のC−C
線に沿った断面図、第4図は凸部を示す平面図、第5図
は第4図中のDD線に沿った断面図、第6図は凹部と凸
部との係合状態を示す断面図、第7図変形例を示す同じ
く断面図である。 1・・・Siウェハ(基板)、2a・・・凹部、3a・
・・レーザダイオード(微小部品)、4a・・・台座。 8a・・・凸部。 第6図 第7図 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 微小部品側の単結晶シリコンからなる台座とこの台座が
    固定される単結晶シリコン基板側とのそれぞれに、互い
    に対応する形状の凹部と凸部とを異方性エッチングによ
    り形成する第1の工程と、上記凹部に、対応する凸部を
    嵌合させて上記微小部品の上記基板に対するX−Y−Z
    3軸方向の位置合せを行う第2の工程とを具備した微小
    部品の位置合せ方法。
JP1098302A 1989-04-18 1989-04-18 微小部品の位置合せ方法 Pending JPH02277248A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5869686B2 (ja) * 2012-09-27 2016-02-24 株式会社フジクラ 光モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5869686B2 (ja) * 2012-09-27 2016-02-24 株式会社フジクラ 光モジュール
US9606307B2 (en) 2012-09-27 2017-03-28 Fujikura Ltd. Optical module

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