JPS6324617A - ウエハの両面露光法 - Google Patents

ウエハの両面露光法

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JPS6324617A
JPS6324617A JP61168925A JP16892586A JPS6324617A JP S6324617 A JPS6324617 A JP S6324617A JP 61168925 A JP61168925 A JP 61168925A JP 16892586 A JP16892586 A JP 16892586A JP S6324617 A JPS6324617 A JP S6324617A
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JP
Japan
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double sided
wafer
silicon wafer
sided exposure
windows
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JP61168925A
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JPH0262939B2 (ja
Inventor
Kyoichi Ikeda
恭一 池田
Tetsuya Watanabe
哲也 渡辺
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/708—Mark formation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 本発明は、半導体プロセス用の標準マスクライナーを用
いて１例えばシリコンウェハの両面に精密な位置合せを
行う両面露光方法に関する。
〈従来の技術〉 一般に半導体プロセスで用−いられているマスクアライ
ナ−では両面露光は出来ない。従って、ウェハの両面に
パターンを露光する場合は特殊な光学系を有する両面露
光装置が用いられている。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら９両面露光装置は構造が複雑で高価である
という問題がある。
本発明は上記問題点に鑑みて或されたもので。
一般に用いられている標準マスクアライナ−を用いて精
密な両面露光を行うことを目的とする。
く問題点を解決するための手段〉 上記問題点を解決するための本発明の構成は。
（ＩＱＯ）の結晶面を有するウェハの一方の面から異方
性エツチング法を用いて＜１１０＞方向に一辺を有する
少なくとも２つの方形の貫通孔を形成し、前記貫通孔を
露光基準として位置合せを行うようにしたことを特徴と
するものである。
〈実施例〉 第１図、第２図は本発明を実部するために９例えばシリ
コンウェハに目印のための孔を明ける工程を示すもので
、（ａ）は平面図、（ｂ）はａのＡ−△断面図である。
第１図（ａ）において、はじめに（１００）シリコンウ
ェハ１の両面に熱酸化膜（ＳｉＯ２）２を形成する。こ
のＳ’ｆＯｚの一部を取除き、−辺がオリエンテーショ
ンフラット３の＜１１０＞方向に平行な辺を有する正方
形の窓を設ける。図ではシリコンウェハ１の外周近傍の
２箇所に窓７が形成されている。このシリコンウェハ１
をアルカリ液（ＫＯＨ水溶液、ヒドラジンエチレンジア
ミンピロカテコール水溶液、ＮａＯＨ水溶液など）に浸
し窓の部分をエツチングする。その結果、第２図（ａ）
、（ｂ）に示すように窓の壁面に（１１１）面が現れて
ピラミッド状の孔４を明けることが出来る。この孔は結
晶構造に沿っているため極めて正確に形成することが出
来る。
第３図（ａ）は前記シリコンウェハ１の＜１１０〉方向
に対して±４５゛傾けたクロスラインパターンをマーカ
とする回路パターンマスク６を示すものであり、第３図
（ｂ）は第３図（ａ）のイ部の拡大平面図でマーカ５を
前記第２図で作成したシリコンウェハの裏面に重ねた状
態を示す図である。図に示すようにマーカ５の２辺が孔
４の角に位置するように位置合せをすれば回路パターン
を両面とも常に同じ位置に容易に配置することが出来る
。
なお９本実施例においてはウェハをシリコンとして説明
したがシリコンに限るものではない。また１本実施例に
おいてはマーカの形状をクロスラインで示したが本実施
例に限ることなく２例えば孔のエツチングパターンと同
形のパターンとしてもよく、マーカとしての機能が果せ
る形状であれば別の形状でもよい。また１回路パターン
に限らずシリコンウェハ自身を裏面の回路パターンの所
望の位置に合わせて加工することも可能である。
〈発明の効果〉 以−Ｆ実施例とともに具体的に説明したように。
本発明によれば、？ｆｆ雑で高価な両面露光装置を用い
ることなく、標準的な半導体プロセスを用いて簡単な構
造で高精度な位置合せをすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）、第２図（ａ）、（ｂ）は本発明
の＊施にあたりシリコンウェハに目印のだめの孔を明け
る工程を示す図、第３図（ａ）はクロスラインパターン
をマーカとする回路パターンマスクを示す図、第３図（
１））はマーカをシリコンウェハに重ねた状態を示す図
である。 １・・・シリコンウェハ、４・・・孔、５・・・マーカ
、６・・・回路パターン、７・・・窓。 第１図 篤２図 Ｍ３ （Ｇ） （ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１００）の結晶面を有するウェハの一方の面から異方
    性エッチング法を用いて＜１１０＞方向に一辺を有する
    少なくとも２つの方形の貫通孔を形成し、前記貫通孔を
    露光基準として位置合せを行うようにしたことを特徴と
    するウェハの両面露光法。
JP61168925A 1986-07-17 1986-07-17 ウエハの両面露光法 Granted JPS6324617A (ja)

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JP61168925A JPS6324617A (ja) 1986-07-17 1986-07-17 ウエハの両面露光法

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JPS6324617A true JPS6324617A (ja) 1988-02-02
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Publication number Publication date
JPH0262939B2 (ja) 1990-12-27

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