JPH0227752U - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0227752U
JPH0227752U JP10534788U JP10534788U JPH0227752U JP H0227752 U JPH0227752 U JP H0227752U JP 10534788 U JP10534788 U JP 10534788U JP 10534788 U JP10534788 U JP 10534788U JP H0227752 U JPH0227752 U JP H0227752U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
region
zener diode
polysilicon
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10534788U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP10534788U priority Critical patent/JPH0227752U/ja
Publication of JPH0227752U publication Critical patent/JPH0227752U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案実施例の温度保護機能付パワー
モストランジスタを示す図、第２図は、第１図に
示した装置の等価回路図、第３図は同装置で用い
たポリシリコンツエナーダイオードの温度特性を
示す図、第４図は本考案の他の実施例を示す図、
第５図ａ乃至第５図ｃはそれぞれ従来例の半導体
装置の構造説明図、等価回路図、負荷を接続した
場合の等価回路図である。 １…コレクタ領域、２…ベース領域、３…エミ
ツタ領域、Ｑ１…第１のバイポーラトランジスタ
Ｑ１、Ｑ２…第２のバイポーラトランジスタ、４
…ベース領域、５…エミツタ領域、６…コレクタ
領域、Ｌ…誘導負荷、１０…パワーモストランジ
スタ、２０…温度保護装置、Ｇ…ゲート電極、Ｓ
…ソース電極、２１…絶縁膜、２２…入力抵抗、
２３…ポリシリコンツエナーダイオード、２４…
検流用の抵抗、２５…バイポーラトランジスタ、
１００…ｎ型のシリコン基板、１０１…ｐボデイ
領域、１０２…ソース領域、１０３…ゲート絶縁
膜、１０４…ゲート電極、１０５…ドレイン領域
、１０６…ＰＳＧ膜、１０７…アルミニウム配線
層、２０１…抵抗部、２０２…検流抵抗用電極、
２０３…エミツタ領域、２０４…ベース領域、２
０５…コレクタ領域、２０６…オーミツク接触層
、２０７…抵抗部、２０８…入力抵抗用電極、２
０９…オーミツク接触層、２１０…ｎ＋型ポリシ
リコン層、２１１…ｐ＋型ポリシリコン層、２１
２…電極、３０…増幅用のバイポーラトランジス
タ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基体中に形成された第１のスイツチング
    素子と該第１のスイツチング素子の保護装置とか
    らなる半導体装置において、前記保護装置が、該
    半導体基体の表面に絶縁膜を介して形成されたポ
    リシリコンツエナーダイオードと、該ポリシリコ
    ンツエナーダイオードのリーク電流の増大に基づ
    いて、該第１のスイツチング素子への印加電圧を
    下げるように動作する第２のスイツチング素子と
    から構成されていることを特徴とする半導体装置
    。
JP10534788U 1988-08-11 1988-08-11 Pending JPH0227752U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10534788U JPH0227752U (ja) 1988-08-11 1988-08-11

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10534788U JPH0227752U (ja) 1988-08-11 1988-08-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0227752U true JPH0227752U (ja) 1990-02-22

Family

ID=31337881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10534788U Pending JPH0227752U (ja) 1988-08-11 1988-08-11

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0227752U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04105689U (ja) * 1991-02-20 1992-09-11 ダイセル化学工業株式会社 シール部材およびフランジの締結構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04105689U (ja) * 1991-02-20 1992-09-11 ダイセル化学工業株式会社 シール部材およびフランジの締結構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0324791B2 (ja)
JPH037144B2 (ja)
JPH0470786B2 (ja)
JPH0227752U (ja)
JP2550700B2 (ja) スイツチング素子
JPH0328517Y2 (ja)
JPS5938056Y2 (ja) 半導体開閉装置
JPS6416645U (ja)
JPS61188366U (ja)
JPS645450U (ja)
JPS627160A (ja) 半導体装置
JPS58195455U (ja) バイポ−ラｉｃ
JPH0436257U (ja)
JPS61102057U (ja)
JPH0314224B2 (ja)
JPS61183550U (ja)
JPH0743409B2 (ja) 絶縁ゲ−ト型バイポ−ラトランジスタの接合温度測定方法
JPS61107773A (ja) 半導体装置
JPS61162065U (ja)
JPH01123365U (ja)
JPH0222569B2 (ja)
JPS61188367U (ja)
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS6133455U (ja) 半導体装置
JPS648754U (ja)