JPS648754U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS648754U JPS648754U JP10172587U JP10172587U JPS648754U JP S648754 U JPS648754 U JP S648754U JP 10172587 U JP10172587 U JP 10172587U JP 10172587 U JP10172587 U JP 10172587U JP S648754 U JPS648754 U JP S648754U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mosfet
- gate
- source
- heating element
- drain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図は本考案の一実施例の回路図、第2図及
び第3図はそれぞれ本考案の一実施例の構造断面
図、第4図は薄膜感温抵抗の温度特性図、第5図
は本考案の他の実施例図、第6〜8図は従来装置
の一例図である。 <符号の説明>、M1……メインMOSFET
、M2……カレントミラーMOSFET、RS…
…発熱抵抗体、Ri……入力抵抗、RT……薄膜
感温抵抗、RL……負荷、VB……電源電圧、1
……n+基板、2……n基板、3……pボデイ領
域、4……n+ソース領域、5……P+ボデイ領
域、6……層間絶縁膜、7……ポリSi、8……
金属配線、9……ゲート酸化膜、10……フイー
ルド酸化膜、11……β−SiC多結晶薄膜。
び第3図はそれぞれ本考案の一実施例の構造断面
図、第4図は薄膜感温抵抗の温度特性図、第5図
は本考案の他の実施例図、第6〜8図は従来装置
の一例図である。 <符号の説明>、M1……メインMOSFET
、M2……カレントミラーMOSFET、RS…
…発熱抵抗体、Ri……入力抵抗、RT……薄膜
感温抵抗、RL……負荷、VB……電源電圧、1
……n+基板、2……n基板、3……pボデイ領
域、4……n+ソース領域、5……P+ボデイ領
域、6……層間絶縁膜、7……ポリSi、8……
金属配線、9……ゲート酸化膜、10……フイー
ルド酸化膜、11……β−SiC多結晶薄膜。
Claims (1)
- 負荷をスイツチングする第1のMOSFETと
、ドレインが上記第1のMOSFETのドレイン
と共通に接続され、ゲートが入力端子に接続され
た上記第1のMOSFETよりセル数の小さいカ
レントミラー用の第2のMOSFETと、上記第
1のMOSFETのソースと上記第2のMOSF
ETのソースとの間に接続された抵抗発熱体と、
上記第1のMOSFETのゲートと上記第2のM
OSFETのゲートとの間に接続された入力抵抗
と、一端が上記第1のMOSFETのゲートと上
記入力抵抗との接続点に接続され、他端が上記第
1のMOSFETのソースに接続され、かつ上記
抵抗発熱体の近傍に配設された薄膜感温抵抗とを
具備することを特徴とする過温度保護機能を備え
たMOSFET。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10172587U JPS648754U (ja) | 1987-07-03 | 1987-07-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10172587U JPS648754U (ja) | 1987-07-03 | 1987-07-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS648754U true JPS648754U (ja) | 1989-01-18 |
Family
ID=31330980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10172587U Pending JPS648754U (ja) | 1987-07-03 | 1987-07-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS648754U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049912A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
-
1987
- 1987-07-03 JP JP10172587U patent/JPS648754U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018049912A (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4142115A (en) | Semiconductor device with a thermal protective device | |
| JPS648754U (ja) | ||
| JPH0328517Y2 (ja) | ||
| JPS61104786U (ja) | ||
| JPS6220379U (ja) | ||
| JPS6230358U (ja) | ||
| JPH0227752U (ja) | ||
| JPS60258904A (ja) | 限流素子 | |
| JPS6038038U (ja) | ラツシユ電流保護装置 | |
| JPS57210662A (en) | Semiconductor memory device | |
| JPS5839058A (ja) | 温度センサ−用半導体素子 | |
| JPS63112355U (ja) | ||
| SU1557674A1 (ru) | Полупроводниковый ключ | |
| JPS642388U (ja) | ||
| JPH10229222A (ja) | 半導体温度スイッチ素子 | |
| JPS63292654A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS5516558A (en) | Voltage selective switching circuit | |
| JPS6271534U (ja) | ||
| JPS6234828U (ja) | ||
| JPS61193379U (ja) | ||
| JPS6071915U (ja) | 温度制御装置 | |
| JPS60135912U (ja) | 温度制御装置 | |
| JPS61155770U (ja) | ||
| JPS59129343U (ja) | 過電流保護回路 | |
| JPS5885212U (ja) | 定電圧装置 |