JPS648754U - - Google Patents

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JPS648754U
JPS648754U JP10172587U JP10172587U JPS648754U JP S648754 U JPS648754 U JP S648754U JP 10172587 U JP10172587 U JP 10172587U JP 10172587 U JP10172587 U JP 10172587U JP S648754 U JPS648754 U JP S648754U
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mosfet
gate
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heating element
drain
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JP10172587U
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の回路図、第2図及
び第3図はそれぞれ本考案の一実施例の構造断面
図、第4図は薄膜感温抵抗の温度特性図、第5図
は本考案の他の実施例図、第6〜8図は従来装置
の一例図である。 <符号の説明>、M……メインMOSFET
、M……カレントミラーMOSFET、RS…
…発熱抵抗体、R……入力抵抗、RT……薄膜
感温抵抗、RL……負荷、VB……電源電圧、1
……n基板、2……n基板、3……pボデイ領
域、4……nソース領域、5……Pボデイ領
域、6……層間絶縁膜、7……ポリSi、8……
金属配線、9……ゲート酸化膜、10……フイー
ルド酸化膜、11……β−SiC多結晶薄膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 負荷をスイツチングする第1のMOSFETと
    、ドレインが上記第1のMOSFETのドレイン
    と共通に接続され、ゲートが入力端子に接続され
    た上記第1のMOSFETよりセル数の小さいカ
    レントミラー用の第2のMOSFETと、上記第
    1のMOSFETのソースと上記第2のMOSF
    ETのソースとの間に接続された抵抗発熱体と、
    上記第1のMOSFETのゲートと上記第2のM
    OSFETのゲートとの間に接続された入力抵抗
    と、一端が上記第1のMOSFETのゲートと上
    記入力抵抗との接続点に接続され、他端が上記第
    1のMOSFETのソースに接続され、かつ上記
    抵抗発熱体の近傍に配設された薄膜感温抵抗とを
    具備することを特徴とする過温度保護機能を備え
    たMOSFET。
JP10172587U 1987-07-03 1987-07-03 Pending JPS648754U (ja)

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JP10172587U JPS648754U (ja) 1987-07-03 1987-07-03

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JPS648754U true JPS648754U (ja) 1989-01-18

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018049912A (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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